技术特征：
1.一种半导体工艺设备中的晶圆暂存腔室，其特征在于，包括：腔室，所述腔室内部具有容纳空间；制冷盘，位于所述容纳空间内，所述制冷盘包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面能够承载晶圆；升降环，环绕所述制冷盘设置，所述升降环被配置为能够在第一方向上运动，所述第一方向垂直于所述第一表面；第一支撑组件；以及第二支撑组件，所述第一支撑组件和所述第二支撑组件均与所述升降环连接，所述第一支撑组件和所述第二支撑组件均包括用于支撑所述晶圆的支撑部，所述第一支撑组件的所述支撑部与所述第二支撑组件的所述支撑部在所述第一方向上间隔设置。2.根据权利要求1所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，所述升降环被配置为沿所述第一方向在第一预设位置和第二预设位置之间运动，在所述升降环处于所述第一预设位置的情况下，所述第一支撑组件的所述支撑部和所述第二支撑组件的所述支撑部均位于所述制冷盘的所述第一表面所在侧，所述第一支撑组件的所述支撑部与所述第一表面之间具有第一距离；在所述升降环处于所述第二预设位置的情况下，所述第二支撑组件的所述支撑部位于所述制冷盘的所述第一表面所在侧，所述第二支撑组件的所述支撑部与所述第一表面之间具有第二距离，所述第一距离等于所述第二距离。3.根据权利要求1所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，所述第一支撑组件和所述第二支撑组件均包括在所述升降环的周向上分布的至少两个支撑架，所述支撑架均包括所述支撑部。4.根据权利要求3所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，所述支撑部平行于所述第一表面延伸，所述支撑部在所述第一表面上的正投影形状为v字形。5.根据权利要求3所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，所述支撑架还包括连接部，所述连接部连接于所述支撑部朝向所述第一表面的一侧，所述第一支撑组件的至少两个所述支撑架均通过所述连接部连接于所述升降环，所述第二支撑组件的至少两个所述支撑架均通过所述连接部连接于所述第一支撑组件。6.根据权利要求5所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，所述支撑部的背离所述第一表面的一侧表面嵌设有陶瓷珠，所述陶瓷珠用于支撑所述晶圆。7.根据权利要求1-6任一项所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，还包括：多个陶瓷支撑销，安装于所述制冷盘的所述第一表面，所述陶瓷支撑销的导热系数大于预设阈值。8.根据权利要求7所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，所述陶瓷支撑销远离所述制冷盘的一端与所述第一表面之间的距离大于或等于1毫米。9.根据权利要求7所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，所述陶瓷支撑销包括相互连接的安装部和凸起部，所述安装部的直径大于所述凸起部的直径，所述安装部包括相对的第三表面和第四表面，所述凸起部连接于所述第三表面，
所述制冷盘包括设置在所述第一表面的多个安装槽，每个所述安装槽的内周面设有环形槽，所述安装部的所述第四表面与所述安装槽的槽底相抵，所述环形槽内嵌设呈环状的弹性件，且所述弹性件与所述安装部的所述第三表面相抵。10.根据权利要求1所述的晶圆暂存腔室，其特征在于，还包括：换热管，嵌设于所述制冷盘的所述第二表面，所述换热管与所述制冷盘通过钎料焊接。11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的晶圆暂存腔室。
技术总结
本实用新型公开一种半导体工艺设备及其晶圆暂存腔室，晶圆暂存腔室包括：腔室，腔室内部具有容纳空间；制冷盘，位于容纳空间内，制冷盘包括相对的第一表面和第二表面，第一表面能够承载晶圆；升降环，环绕制冷盘设置，升降环被配置为能够在第一方向上运动，第一方向垂直于第一表面；第一支撑组件；以及第二支撑组件，第一支撑组件和第二支撑组件均与升降环连接，第一支撑组件和第二支撑组件均包括用于支撑晶圆的支撑部，第一支撑组件的支撑部与第二支撑组件的支撑部在第一方向上间隔设置。根据本实用新型实施例的晶圆暂存腔室，其在容纳处于冷却中的晶圆的同时，仍然能够实现其它晶圆的正常传递。常传递。常传递。
技术研发人员：陈波
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2021.08.04
技术公布日：2022/2/22