一种微矩阵LED面板的制作方法

一种微矩阵led面板
技术领域
1.本实用新型涉及显示技术领域，尤指一种微矩阵led面板。


背景技术：

2.微矩阵led面板(microled)由于其具有亮度高、响应快、高稳定性等特点而被认为是未来显示技术的理想形式。
3.相关技术中的microled实现全彩化的方式通常是通过蓝光microled芯片来激发量子点转换层，这种方式虽然可以规避红绿蓝三色转移良率低以及红绿蓝三色效率不一致的问题，但是囿于量子点的转换效率，会存在蓝光转换不充分、蓝光泄露、红绿光背向散射等问题，从而降低了microled的发光效率。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本实用新型提供一种微矩阵led面板，用以减小反射光损失，提高发光效率。
5.为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
6.本实用新型提供了一种微矩阵led面板，包括：
7.衬底基板；
8.光源，位于所述衬底基板一侧；
9.量子点转换层，位于所述光源背离所述衬底基板一侧；
10.滤光层，位于所述量子点转换层背离所述光源一侧；
11.玻璃基板，位于所述滤光层背离所述量子点转换层一侧；
12.纳米银颗粒层，位于所述光源与所述玻璃基板之间。
13.优选的，所述微矩阵led面板还包括缓冲层，位于所述滤光层与所述玻璃基板之间；
14.所述纳米银颗粒层位于所述缓冲层上且背离所述玻璃基板一侧。
15.优选的，所述微矩阵led面板还包括封装盖板，位于所述量子点转换层与所述光源之间。
16.优选的，所述纳米银颗粒层位于所述封装盖板上且朝向所述玻璃基板一侧；或者，所述纳米银颗粒层位于所述封装盖板上且朝向所述衬底基板一侧。
17.优选的，所述纳米银颗粒层位于所述滤光层与所述玻璃基板之间。
18.优选的，所述纳米银颗粒层的厚度为18nm～20nm。
19.优选的，所述纳米银颗粒层中的颗粒大小为100nm～200nm。
20.优选的，所述微矩阵led面板还包括散射层，位于所述光源与所述玻璃基板之间。
21.优选的，所述微矩阵led面板还包括挡墙，位于所述滤光层与所述衬底基板之间。
22.优选的，所述微矩阵led面板还包括间隔物，位于所述玻璃基板与所述衬底基板之间。
23.本实用新型提供的微矩阵led面板包括：衬底基板；光源，位于衬底基板一侧；量子点转换层，位于光源背离衬底基板一侧；滤光层，位于量子点转换层背离光源一侧；玻璃基板，位于滤光层背离量子点转换层一侧；纳米银颗粒层，位于光源与玻璃基板之间。本实用新型通过在光源和玻璃基板之间设置纳米银颗粒层，可以减小光在表面的全反射，让更多的光可以透射到微矩阵led面板外，同时由于纳米银颗粒大小与发光波长匹配时，会发生表面等离子体效应，而可以减小反射光损失，提高发光效率。
附图说明
24.图1为相关技术中的microled的结构示意图；
25.图2为本实用新型提供的microled的一种结构示意图；
26.图3为本实用新型提供的microled的另一种结构示意图；
27.图4为本实用新型提供的microled的又一种结构示意图；
28.图5为本实用新型提供的microled的又一种结构示意图；
29.图6为本实用新型提供的microled的又一种结构示意图。
具体实施方式
30.相关技术中的microled，如图1所示，包括衬底基板01，位于衬底基板01上的光源02，位于光源02背离衬底基板01一侧的量子点转换层03(包括红色量子点转换层r-qd和绿色量子点转换层g-qd)，位于该量子点转换层03背离衬底基板01一侧的滤光层04，位于该滤光层04背离量子点转换层03一侧的玻璃基板05，位于光源02与量子点转换层03之间的封装盖板06，位于玻璃基板05与封装盖板06之间的散射层07，位于封装盖板06与滤光层04之间的挡墙08，以及位于衬底基板01与玻璃基板05之间的间隔物09。光源02发出的蓝光，在量子点转换层03中会被转换成红光或绿光，滤光层04可以将未被转换的蓝光进行吸收，透出转换得到的红光或绿光，从而可以实现microled发出红光、绿光和蓝光。
31.虽然相关技术中的microled可以解决红绿蓝三色转移良率低和红绿蓝三色发光效率不一致的问题，但是由于量子点的转换效率是一定的，因此该microled会存在蓝光转换不充分、蓝光泄露、红绿光背向散射的问题，导致microled内部的反射光损失严重，影响了microled的发光效率。
32.基于相关技术中的microled存在的上述问题，本实用新型提供了一种microled。为了使本实用新型的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
33.附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本实用新型内容。
34.具体地，本实用新型提供了一种microled，如图2所示，该microled包括：
35.衬底基板1；该衬底基板可以为玻璃板、亚克力板或蓝宝石基板等；
36.光源2，位于衬底基板1一侧；该光源可以发出蓝光；
37.量子点转换层3，位于光源2背离衬底基板1一侧；该量子点转换层可以包括红色量
子点转换层r-qd和绿色量子点转换层g-qd；若量子点转换层为红色量子点转换层r-qd，则量子点转换层的作用是将光源发出的蓝光转换成红光；若量子点转换层为绿色量子点转换层g-qd，则量子点转换层的作用是将光源发出的蓝光转换成绿光；
38.滤光层4，位于量子点转换层3背离光源2一侧；该滤光层的作用是阻挡蓝光，透过红光和绿光；
39.玻璃基板5，位于滤光层4背离量子点转换层3一侧；该玻璃基板用于透出红光、绿光和蓝光；
40.缓冲层6，位于滤光层4与玻璃基板5之间；用于固定银颗粒；
41.纳米银颗粒层7，位于缓冲层6上且背离玻璃基板5一侧；该纳米银颗粒层中包括大量的纳米银颗粒，可以使得更多的蓝光参与激发红、绿量子点，以减小反射光损失，提高发光效率；
42.散射层8，位于光源2与玻璃基板5之间；该散射层包括大量的散射粒子，且该散射粒子可以为tio2分散粒子，用于透过光源发出的蓝光；
43.挡墙9，位于滤光层4与衬底基板1之间；该挡墙用于阻隔相邻像素的串扰；且该挡墙还用于在其中喷墨打印qd量子点材料，在蓝色像素处喷墨打印散射粒子tio2材料；
44.间隔物10，位于衬底基板1与缓冲层6之间；该间隔物用于隔开玻璃基板和衬底基板。
45.可选地，纳米银颗粒层的厚度可以为18nm～20nm，且纳米银颗粒层中的颗粒大小可以为100nm～200nm。
46.具体地，在该microled中，缓冲层可以采用涂布方法在玻璃基板上涂布，且涂布材料通常可以为高分子聚合物材料，所起的作用是修饰表面能量，使得纳米颗粒发生聚集，固定纳米银粒子。
47.纳米银颗粒层可以通过在缓冲层上面采用蒸镀工艺制备得到，其厚度大约为20nm，通过在120-180℃温度下进行退火处理，可以形成大小为100-200nm的金属纳米颗粒。
48.滤光层可以为cf透蓝反红绿层，其特性是对蓝光阻拦，对红绿光透过，透过率在90％以上。滤光层可以采用涂布的方式直接在纳米银颗粒层上涂布，然后再进行光刻，去除掉蓝色像素对应的部分。
49.挡墙可以采用光刻工艺制备，在做好的图形化cf上，涂敷光刻胶，然后进行光刻，做成挡墙形状。
50.并且，可以采用喷墨打印方式分别制备红、绿量子点像素，而在蓝光部分可以打印tio2分散粒子，以使得光源激发的蓝光可以在量子点转换层中的r-qd中被转换成红光，在g-qd中被转换成绿光，从而可以将转换得到的红光和绿光以及激发出的蓝光通过玻璃基板透出到microled外。
51.本实用新型提供的microled可以包括衬底基板；光源，位于衬底基板一侧；量子点转换层，位于光源背离衬底基板一侧；滤光层，位于量子点转换层背离光源一侧；玻璃基板，位于滤光层背离量子点转换层一侧；缓冲层，位于滤光层与玻璃基板之间；纳米银颗粒层，位于缓冲层上且背离玻璃基板一侧，散射层，位于光源与玻璃基板之间；挡墙，位于滤光层与衬底基板之间；间隔物，位于衬底基板与缓冲层之间。该microled中的纳米银颗粒层是将银颗粒直接在量子点转换层的上方的玻璃基板上制备得到的，结构简单，通过在红绿蓝像
素的出光路径上设置纳米银颗粒层，可以利用表面等离子体效应，减小反射光损失，提高发光效率以及microled的外量子效率。且纳米银颗粒层中的金属银颗粒与蓝光波长相匹配，能够最大地增强蓝光芯片的发光效率，提高蓝光的入射，同时可以对红绿光的背向光有反射作用，并且，与相关技术中采用的会存在角度选择性，对超过一定角度的光会有损失的透蓝反红绿的多层膜层结构相比，这种纳米银颗粒层不会存在角度问题，因此对超过一定角度的光不会有损失。此外，这种纳米银颗粒层在工艺上可以采用纳米压印等方法制备得到。
52.在一种实施例中，本实用新型还提供了一种microled，如图3所示，该microled包括：
53.衬底基板1；
54.光源2，位于衬底基板1一侧；
55.量子点转换层3，位于光源2背离衬底基板1一侧；
56.滤光层4，位于量子点转换层3背离光源2一侧；
57.玻璃基板5，位于滤光层4背离量子点转换层3一侧；
58.封装盖板6，位于光源2与量子点转换层3之间；该封装盖板用于对整个结构进行密封；
59.纳米银颗粒层7，位于封装盖板6上且朝向衬底基板1一侧；
60.散射层8，位于玻璃基板5与封装盖板6之间；
61.挡墙9，位于滤光层4与封装盖板6之间；
62.间隔物10，位于衬底基板01与玻璃基板5之间。
63.在该microled中，可以在cf上面制备bm(black material，黑色材料)挡墙，采用喷墨打印方式分别制备红、绿量子点像素，且在蓝光部分打印tio2分散粒子。在量子点转换层制备完成后，可以采用已经制备好的纳米银颗粒层的封装盖板进行封装，再与下面的驱动基板做对位。
64.在另一种实施例中，本实用新型还提供了一种microled，如图4所示，该microled包括：
65.衬底基板1；
66.光源2，位于衬底基板1一侧；
67.量子点转换层3，位于光源2背离衬底基板1一侧；
68.滤光层4，位于量子点转换层3背离光源2一侧；
69.玻璃基板5，位于滤光层4背离量子点转换层3一侧；
70.封装盖板6，位于光源2与量子点转换层3之间；
71.纳米银颗粒层7，位于封装盖板6上且朝向玻璃基板5一侧；
72.散射层8，位于玻璃基板5与封装盖板6之间；
73.挡墙9，位于滤光层4与纳米银颗粒层7之间；
74.间隔物10，位于衬底基板01与玻璃基板5之间。
75.在另一种实施例中，本实用新型还提供了一种microled，如图5所示，该microled包括：
76.衬底基板1；
77.光源2，位于衬底基板1一侧；
78.量子点转换层3，位于光源2背离衬底基板1一侧；
79.滤光层4，位于量子点转换层3背离光源2一侧；
80.玻璃基板5，位于滤光层4背离量子点转换层3一侧；
81.封装盖板6，位于光源2与量子点转换层3之间；
82.纳米银颗粒层7，位于封装盖板6上且朝向玻璃基板5一侧，以及位于封装盖板6上且朝向衬底基板1一侧；
83.散射层8，位于玻璃基板5与封装盖板6之间；
84.挡墙9，位于滤光层4与纳米银颗粒层7之间；
85.间隔物10，位于衬底基板01与玻璃基板5之间。
86.在上述实施例中，microled可以包括衬底基板；光源，位于衬底基板一侧；量子点转换层，位于光源背离衬底基板一侧；滤光层，位于量子点转换层背离光源一侧；玻璃基板，位于滤光层背离量子点转换层一侧；封装盖板，位于光源与量子点转换层之间；纳米银颗粒层，位于封装盖板上且朝向衬底基板一侧，或者位于封装盖板上且朝向玻璃基板一侧；散射层，位于玻璃基板与封装盖板之间；挡墙，位于滤光层与衬底基板之间；间隔物，位于衬底基板与玻璃基板之间。通过在microled中增加纳米银颗粒层，可以使得更多的蓝光参与激发红、绿量子点，同时还可以调控颗粒大小和周期，对出射方向进行调控，起到增强的作用。
87.在另一种实施例中，本实用新型还提供了一种microled，如图6所示，该microled包括：
88.衬底基板1；
89.光源2，位于衬底基板1一侧；
90.量子点转换层3，位于光源2背离衬底基板1一侧；
91.滤光层4，位于量子点转换层3背离光源2一侧；
92.玻璃基板5，位于滤光层4背离量子点转换层3一侧；
93.封装盖板6，位于光源2与量子点转换层3之间；
94.纳米银颗粒层7，位于滤光层4与玻璃基板5之间；
95.散射层8，位于玻璃基板5与封装盖板6之间；
96.挡墙9，位于滤光层4与封装盖板6之间；
97.间隔物10，位于衬底基板01与玻璃基板5之间。
98.在上述实施例中，microled可以包括衬底基板；光源，位于衬底基板一侧；量子点转换层，位于光源背离衬底基板一侧；滤光层，位于量子点转换层背离光源一侧；玻璃基板，位于滤光层背离量子点转换层一侧；封装盖板，位于光源与量子点转换层之间；纳米银颗粒层，位于滤光层与玻璃基板之间；散射层，位于玻璃基板与封装盖板之间；挡墙，位于滤光层与封装盖板之间；间隔物，位于衬底基板与玻璃基板之间。通过在microled中设置纳米银颗粒层，可以使得纳米银颗粒层中的银颗粒起到表面粗化的作用，减小光在表面的全反射，让更多的光可以透射到microled外。同时，纳米金属颗粒大小与波长匹配时，能够激发sp(surface plasma，表面等离子体)效应，其共振波长匹配，能最大地增强蓝光芯片的发光效率。
99.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修
改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。