一种下部电极组件及面板蚀刻设备的制作方法

1.本实用新型涉及面板生产技术领域，尤其涉及一种下部电极组件及面板蚀刻设备。


背景技术：

2.在面板制造过程中，蚀刻是一种常用的技术手段。在生产过程中，需要将面板放置在上电极组件和下部电极组件之间，两个电极组件之间产生的离子束就能够对面板进行蚀刻。
3.如图1所示，现有技术中，在生产过程中，面板3’放置在下电极1’的支撑面上，面板’的一端延伸出下电极1’的支撑面并悬空在陶瓷件2’的上方，陶瓷件2安装在下电极1’上，由于面板3’和陶瓷件2’之间具有缝隙，蚀刻过程中产生的杂物可能会堆积在这个缝隙内，当杂物较多时，填满缝隙后会顶起面板3’，使得面板3’翘起，从而降低生产良率。


技术实现要素：

4.本实用新型的第一个目的在于提出一种下部电极组件，该下部电极组件上设有收集杂物的收集槽，能够避免蚀刻产生的杂物堆积在面板和陶瓷件的缝隙内，避免了面板翘起的现象发生，确保了生产良率。
5.本实用新型的第二个目的在于提出一种面板蚀刻设备，该面板蚀刻设备能够较好地避免蚀刻过程中面板翘起的现象发生，提升了生产良率。
6.为实现上述技术效果，本实用新型的技术方案如下：
7.一种下部电极组件，包括：电极本体，所述电极本体具有支撑面板的第一端面，且所述面板的一部分伸出所述第一端面；陶瓷件，所述陶瓷件设在所述电极本体上，所述陶瓷件的一部分位于所述面板的下方；其中：所述陶瓷件位于所述面板的下方的部分设有收集槽，所述收集槽用于收集蚀刻所述面板时产生的异物。
8.作为下部电极组件的一种优选方案，所述陶瓷件的上表面与所述第一端面之间的距离为d1，d1满足关系式：0.3mm≤d1≤0.5mm。
9.作为下部电极组件的一种优选方案，所述收集槽的横截面为圆形或者多边形；和/或，所述收集槽的长度沿所述面板位于所述陶瓷件上方的端面的长度方向延伸。
10.作为下部电极组件的一种优选方案，所述收集槽的深度为h，h满足关系式：4mm≤h≤6mm。
11.作为下部电极组件的一种优选方案，所述收集槽的宽度为d2，d2满足关系式：1.2mm≤d2≤1.5mm。
12.作为下部电极组件的一种优选方案，所述陶瓷件位于所述面板下方的部分长度为d3，d3满足关系式：1.7≤d3≤2mm。
13.作为下部电极组件的一种优选方案，所述收集槽的内侧壁上设有可更换的膜层，所述膜层能够收集蚀刻所述面板时产生的异物。
14.作为下部电极组件的一种优选方案，所述电极本体包括支撑部和安装部，所述支撑部和所述安装部垂直设置，所述支撑部用于支撑所述面板，所述安装部用于安装所述陶瓷件。
15.作为下部电极组件的一种优选方案，所述陶瓷件通过连接件固定在所述安装部上。
16.本实用新型还公开了一种面板蚀刻设备，包括前文所述的下部电极组件。
17.本实用新型实施例的下部电极组件的有益效果：由于陶瓷件位于面板的下方的部分设有收集槽，收集槽用于收集蚀刻面板时产生的异物，在实际蚀刻生产过程中，蚀刻产生的异物能够从缝隙内进入到收集槽内，并且沉积在收集槽底部，避免了陶瓷件和面板之间的缝隙内堆积过多异物的现象发生，避免了蚀刻过程中陶瓷件和面板之间的缝隙内的异物顶起面板，使得面板朝向陶瓷件的一端翘起的现象发生，从而降低了由于面板翘起造成的蚀刻误差，降低了面板蚀刻不良率，提升了面板蚀刻质量。
18.本实用新型的面板蚀刻设备的有益效果，由于具有前文所述的下部电极组件，该面板蚀刻设备能够较好地避免蚀刻过程中面板翘起的现象发生，提升了生产良率。
19.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
20.图1是现有技术中的下部电极组件的结构示意图；
21.图2是本实用新型实施例的下部电极组件的结构示意图。
22.附图标记：
23.图1中：
[0024]1’
、下电极；2’、陶瓷件；3’、面板；
[0025]
图2中：
[0026]
1、电极本体；11、安装部；12、支撑部；
[0027]
2、陶瓷件；21、收集槽；22、膜层；
[0028]
3、面板。
具体实施方式
[0029]
参考下面结合附图详细描述的实施例，本实用新型的优点和特征以及实现它们的方法将变得显而易见。然而，本实用新型不限于以下公开的实施例，而是可以以各种不同的形式来实现，提供本实施例仅仅是为了完成本实用新型的公开并且使本领域技术人员充分地了解本实用新型的范围，并且本实用新型仅由权利要求的范围限定。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的构成要素。
[0030]
以下，参照附图2来详细描述本实用新型的下部电极组件的具体结构。
[0031]
本实用新型公开了一种下部电极组件，如图2所示，该下部电极组件包括电极本体1和陶瓷件2，电极本体1具有支撑面板3的第一端面，且面板3的一部分伸出第一端面，陶瓷件2设在电极本体1上，陶瓷件2的一部分位于面板3的下方。陶瓷件2位于面板3的下方的部分设有收集槽21，收集槽21用于收集蚀刻面板3时产生的异物。可以理解的是，在实际蚀刻
生产过程中，陶瓷件2和面板3之间具有缝隙，在缝隙的一端设置有收集槽21，蚀刻产生的异物能够从缝隙内进入到收集槽21内，并且沉积在收集槽21底部。由此，避免了陶瓷件2和面板3之间的缝隙内堆积过多异物的现象发生，避免了蚀刻过程中陶瓷件2和面板3之间的缝隙内的异物顶起面板3，使得面板3朝向陶瓷件2的一端翘起的现象发生，从而降低了由于面板3翘起造成的蚀刻误差，降低了面板3蚀刻不良率，提升了面板3蚀刻质量。
[0032]
在一些实施例中，陶瓷件2的上表面与第一端面之间的距离为d1，d1满足关系式：0.3mm≤d1≤0.5mm。可以理解的是，陶瓷件2的上表面与第一端面的距离越小越不利于杂物穿过陶瓷件2与面板3之间的缝隙，也就是说，陶瓷件2的上表面与第一面板3的距离越小，越容易出现杂物堆积在陶瓷件2和面板3之间的缝隙内的现象。而陶瓷件2的上表面和第一端面的距离过远会导致面板3伸出下电极的一端容易出现下垂的现象，从而导致整个面板3朝向陶瓷件2倾斜。在本实施例中，将陶瓷件2的上表面与第一端面之间的距离控制在0.3mm-0.5mm之间，一方面能够方便杂物穿过陶瓷件2与面板3之间的缝隙，避免杂物堆积在陶瓷件2和面板3之间的缝隙内的现象发生，另一方面避免面板3伸出下电极的一端容易出现下垂导致面板3朝向陶瓷件2倾斜。也就是说，将陶瓷件2的上表面与第一端面之间的距离控制在0.3mm-0.5mm之间能够最大限度保证在整个蚀刻过程中，面板3保持水平状态，从而降低面板3蚀刻不良率，提升面板3蚀刻质量。
[0033]
当然，在本实用新型的其他实施例中，陶瓷件2的上表面与第一端面之间的距离可以根据实际需要选择，并不限于本实施例的0.3mm-0.5mm。
[0034]
在一些实施例中，收集槽21的横截面为圆形或者多边形。可以理解的是，在本实用新型的实施例中，收集槽21的横截面可以为正圆形，也可以是椭圆形，可以是三角形也可以是正方形。也就是说，收集槽21的横截面形状可以根据实际需要来选择。
[0035]
优选的，收集槽21的横截面面积可以在向下的方向上逐渐增大，这样能够使得更多的杂物沉积在收集槽21内，延长了收集槽21的清理周期。
[0036]
在一些实施例中，收集槽21的长度沿面板3位于陶瓷件2上方的端面的长度方向延伸设置。收集槽21能够较好地收集到面板3位于陶瓷件2上方的底面上的异物，从而较好地避免面板3翘起的现象发生。
[0037]
在一些实施例中，收集槽21的深度为h，h满足关系式：4mm≤h≤6mm。可以理解的是，收集槽21的深度越深，在实际工作过程中清理起来就越费劲，且越不容易清理干净，收集槽21的深度过浅，一方面缩短了收集槽21的清理周期，使得操作人员需要频繁清理收集槽21，从而影响蚀刻面板3的效率，另一方面，容易造成杂物溢出的现象，从而提升了面板3翘起的风险。在本实施例中，将收集槽21的深度控制在4mm-6mm之间，一方面使得收集槽21能够收集足够多蚀刻产生的异物，避免了操作人员频繁清理收集槽21，从而保证蚀刻面板3的效率，另一方面最大限度地避免了杂物溢出的现象，从而避免面板3翘起的现象，降低了面板3蚀刻不良率，提升了面板3蚀刻质量。
[0038]
当然，在本实用新型的其他实施例中，收集槽21的深度可以根据实际需要来选择，并不限于本实施例的4mm-6mm。
[0039]
在一些实施例中，收集槽21的宽度为d2，d2满足关系式：1.2mm≤d2≤1.5mm。可以理解的是，收集槽21的宽度过小，就会使得陶瓷件2和面板3之间的缝隙的长度过长，提升了蚀刻产生的杂物堆积在陶瓷件2和面板3之间的缝隙的几率，从而提升了面板3翘起的几率；
而收集槽21的宽度过大，会导致面板3伸出下电极的一端容易出现下垂的现象，从而导致整个面板3朝向陶瓷件2倾斜。在本实施例中，将收集槽21的宽度控制在1.2mm-1.5mm之间，一方面确保蚀刻产生的杂物能够穿过陶瓷件2和面板3之间的缝隙进入收集槽21内，另一方面避免面板3伸出下电极的一端容易出现下垂导致面板3朝向陶瓷件2倾斜。也就是说，将收集槽21的宽度控制在1.2mm-1.5mm之间能够最大限度保证在整个蚀刻过程中，面板3保持水平状态，从而降低面板3蚀刻不良率，提升面板3蚀刻质量。
[0040]
当然，在本实用新型的其他实施例中，收集槽21的宽度可以根据实际需要选择，并不限于本实施例的1.2mm-1.5mm。
[0041]
在一些具体的实施例中，陶瓷件2位于面板3下方的部分长度为d3，d3满足关系式：1.7≤d3≤2mm。可以理解的是，陶瓷件2位于面板3下方的部分长度过小，就会使得陶瓷件2和面板3之间的缝隙的长度过长，提升了蚀刻产生的杂物堆积在陶瓷件2和面板3之间的缝隙的几率，从而提升了面板3翘起的几率；而陶瓷件2位于面板3下方的部分长度过大，会导致面板3伸出下电极的一端容易出现下垂的现象，从而导致整个面板3朝向陶瓷件2倾斜。在本实施例中，将陶瓷件2位于面板3下方的部分长度控制在1.7mm-2mm之间，一方面确保蚀刻产生的杂物能够穿过陶瓷件2和面板3之间的缝隙进入收集槽21内，另一方面避免面板3伸出下电极的一端容易出现下垂导致面板3朝向陶瓷件2倾斜。也就是说，将陶瓷件2位于面板3下方的部分长度控制在1.7mm-2mm之间能够最大限度保证在整个蚀刻过程中，面板3保持水平状态，从而降低面板3蚀刻不良率，提升面板3蚀刻质量。
[0042]
在一些实施例中，收集槽21的内侧壁上设有可更换的膜层22，膜层22能够收集蚀刻面板3时产生的异物。可以理解的是，在实际清洁过程中，需要采用工具将收集槽21内的异物聚拢，然后进行收集，这样的操作非常麻烦，不利于操作人员清洁收集槽21。在本实施例中，收集槽21的内侧壁上设有可更换的膜层22，膜层22能够收集蚀刻面板3时产生的异物，当需要清洁收集槽21时，只需要将旧的膜层22撕下，换上新的膜层22即可，操作非常方便。
[0043]
需要说明的是，在本实施例的膜层22可以是双面胶层，或者是采用喷涂的方式在收集槽21内形成可以撕下的膜层22，在异物需要收集时，只需要撕下膜层22即可清理收集槽21内的异物，然后再喷涂新的膜层22以收集异物。
[0044]
在一些实施例中，电极本体1包括支撑部12和安装部11，支撑部12和安装部11垂直设置，支撑部12用于支撑面板3，安装部11用于安装陶瓷件2。可以理解的是，支撑部12能够确保对面板3的稳定支撑，从而确保面板3能够稳定地进行蚀刻，安装部11能够用来安装陶瓷件2，确保陶瓷件2的稳定性。
[0045]
在一些具体的实施例中，陶瓷件2通过连接件固定在安装部11上。由此，方便更换或者维护陶瓷件2。当然在本实用新型的其他实施例中，陶瓷件2还可以根据实际需要选择粘接等连接方式连接在安装部11上。
[0046]
本实用新型还公开了一种面板蚀刻设备，包括如上任意实施例的下部电极组件，下部电极组件的具体结构不再赘述。
[0047]
本实用新型的面板蚀刻设备，由于具有前文所述的下部电极组件，该面板蚀刻设备能够较好地避免蚀刻过程中面板3翘起的现象发生，提升了生产良率。
[0048]
尽管上面已经参考附图描述了本实用新型的实施例，但是本实用新型不限于以上
实施例，而是可以以各种形式制造，并且本领域技术人员将理解，在不改变本实用新型的技术精神或基本特征的情况下，可以以其他特定形式来实施本实用新型。因此，应该理解，上述实施例在所有方面都是示例性的而不是限制性的。