承载组件以及晶圆生产设备的制作方法

1.本技术涉及晶圆加工设备技术领域，尤其涉及一种承载组件以及晶圆生产设备。


背景技术：

2.刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从晶圆表面去除不需要材料的过程，通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤；其中，干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应) 的方式将表面材料去除，由于具有良好的各向异性和工艺可控性被广泛应用于芯片制造领域，晶圆刻蚀过程中由承载组件对晶圆进行固定。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种承载组件，其能够防止因保护件上的副产品聚合物接触承载件而使晶圆边缘产生缺陷，提高晶圆的加工质量。
4.第一方面，本技术实施例提供了一种承载组件，承载组件包括：
5.承载件；
6.保护件，套设于所述承载件至少部分上；
7.连接件，连接所述承载件以及所述保护件，所述承载件周向上的各个位置与所述保护件之间在所述承载件的径向上留有间隙。
8.在本技术的一些实施例中，所述连接件设置为连接杆。
9.在本技术的一些实施例中，所述连接杆的数量为两个，沿所述承载件的周向，两个所述连接杆间隔设置；或者
10.所述连接杆的数量为三个以上，沿所述承载件的周向，三个以上所述连接杆间隔设置。
11.在本技术的一些实施例中，所述承载件上开设有第一连接孔，所述保护件上开设有第二连接孔；
12.所述连接杆的一端插接于所述第一连接孔内，所述连接杆的另一端插接于所述第二连接孔内。
13.在本技术的一些实施例中，所述连接杆的两端分别与所述第一连接孔的孔壁和第二连接孔的孔壁之间留有间隙；或者
14.所述连接杆一端与所述第一连接孔的孔壁之间留有间隙，且所述连接杆另一端与所述第二连接孔过盈配合；或者
15.所述连接杆的两端分别与所述第一连接孔的孔壁以及所述第二连接孔的孔壁过盈配合。
16.在本技术的一些实施例中，所述保护件或所述承载件中的其中一者上开设有第三连接孔，所述连接件包括：
17.凸设部，凸设于所述保护件或所述承载件中的另一者，所述凸设部处于所述第三连接孔内。
18.在本技术的一些实施例中，所述承载件包括：
19.主体部，经由所述连接件连接所述保护件；
20.凸出部，所述凸出部靠近所述主体部一侧与所述主体部靠近所述凸出部一侧共面设置，且凸设于所述主体部一侧；
21.其中，所述保护件套设于所述凸出部，且沿所述主体部的轴线方向，所述保护件的外边缘在主体部上的正投影与所述主体部的外边缘重合，所述凸出部的周向上的各个位置与所述保护件的内边缘之间在所述承载件的径向留有间隙。
22.在本技术的一些实施例中，所述承载组件还包括：
23.位置调节件，可滑动套设于所述主体部外周；
24.磁场调节件，位于所述保护件远离所述主体部一侧，且与所述位置调节件固定连接。
25.在本技术的一些实施例中，所述承载组件还包括：
26.限位件，绕设于所述位置调节件外侧，且与所述主体部之间留有间隙形成滑道，所述位置调节件可滑动设于所述滑道内。
27.在本技术的一些实施例中，所述保护件上开设有第一限位槽，沿所述承载件的轴线方向，所述第一限位槽于所述保护件远离所述主体部一侧形成第一开口，沿所述承载件的径向，所述第一限位槽于所述保护件远离所述凸出部一侧形成第二开口，所述第一开口连通所述第二开口，至少部分所述磁场调节件处于所述第一限位槽内；
28.所述限位件上开设有第二限位槽，沿所述承载件的轴向方向，所述第二限位槽于所述限位件远离所述主体部一侧形成第三开口，沿所述承载件的径向，所述第二限位槽于所述限位件靠近所述凸出部一侧形成第四开口，所述第三开口连通所述第四开口，至少部分所述磁场调节件处于所述第二限位槽内；
29.其中，沿所述承载件的轴线方向，所述第一限位槽靠近所述主体部的侧壁平齐于所述第二限位槽靠近主体部的侧壁。
30.第二方面，本技术实施例提供了一种晶圆生产设备，包括：
31.壳体；
32.如上所述的承载组件，所述承载组件设置于所述壳体内。
33.基于本技术实施例的承载组件，承载组件包括承载件、保护件和连接件，承载件用于承载待加工晶圆，由外部磁场控制等离子气体对待加工晶圆的不同位置进行刻蚀，但是等离子气体可能会轰击到保护件并在保护件上产生副产品聚合物；由于保护件套设于承载件的至少部分上，那么，在待加工晶圆的加工过程中，若保护件沿承载件的径向发生移动，保护件将接触到放置在承载件上的代加工晶圆，进而使保护件上的副产品聚合物接触到放置在承载件上的晶圆，本技术实施例中，通过连接件分别连接承载件和保护件后，对保护件沿承载件任意轴向的位移范围进行限定，保证保护件与承载件之间留有间隙，防止保护件接触到承载件的边缘后，保护件上的副产品对放置在承载件上的待加工晶圆的边缘造成损伤，提高承载组件对待加工晶圆加工过程中的可靠性。
附图说明
34.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
35.图1为本技术一实施例中的承载组件的剖视图；
36.图2为本技术另一种实施例中承载组件连接连接件后的俯视图；
37.图3为图1所示的承载组件部分结构的剖视图；
38.图4为图1中a部结构放大示意图；
39.图5为本技术另一种实施例中的承载组件的剖视图；
40.图6为本技术再一种实施例中的承载组件的剖视图；
41.图7为图6所示的承载组件部分结构剖视图。
42.附图标记：10、承载件；11、主体部；111、第一连接孔；12、凸出部；20、保护件；21、第二连接孔；22、第一限位槽；30、连接件；31、凸设部；40、第三连接孔；50、位置调节件；60、磁场调节件；70、限位件；71、第二限位槽；80、滑道；a、承载件的轴线方向。
具体实施方式
43.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
44.在相关技术的超声波刻蚀中，晶圆放置在承载件上，由位于承载组件上方的喷头喷出的等离子气体对晶圆进行刻蚀，由外部磁场(例如通电线圈)控制等离子气体轰击在保护件上的位置，但是等离子气体可能会对保护件产生轰击刻蚀在保护件上产生副产品聚合物，那么，在晶圆的刻蚀过程中，若保护部件产生移动并接触到承载件的边缘，将导致保护部件上的副产品聚合物接触到晶圆的边缘，造成晶圆的损伤。
45.为了解决上述技术问题，请参照图1-图7所示，本技术实施例第一方面提出了一种承载组件，用于承载晶圆，且因连接件30使承载件10周向上的各个位置与保护件20之间始终留有间隙，因此保护件20不能接触到承载件10的边缘，避免了保护件20上的副产品聚合物接触到位于承载件10上的晶圆，提高了晶圆的加工质量。
46.请参照图1所示，承载组件包括承载件10、保护件20和至少一连接件30，保护件20套设于承载件10至少部分上，连接件30连接承载件10以及保护件20，以使承载件10周向上的各个位置10与保护件20之间在承载件10的径向上留有间隙。
47.承载件10用于放置待加工晶圆，作为待加工晶圆的承载平台，为进一步加强承载件10对晶圆的固定效果，防止晶圆在承载件10上进行移动使晶圆自身接触到保护件20上的副产品聚合物而使晶圆产生缺陷，因此，在本技术的一些实施例中，承载件10包括静电吸盘，由静电吸盘产生的吸力对晶圆进行固定。
48.在本技术一些实施例中，保护件20套设在整个承载件10上，且覆盖承载件10的周壁；在本技术的另一些实施例中，承载件10可以套设在承载件10的部分上，本技术实施例对此不做限定，只要保护件20能够实现对承载件10的保护即可。
49.如图1所示，保护件20套设于部分承载件10的外周，用于保护承载件10 未被晶圆遮挡的边缘部分，在本技术的一些实施例中，保护件20由碳化硅制成，碳化硅化学性能稳定能够减少副产品聚合物的产生。在本技术的一些实施例中，当保护件20与承载件10同轴时，沿承载件10的任意径向，保护件20与承载件10之间的间隙处处相等。
50.基于上述实施例的承载组件，承载组件包括承载件10、保护件20和连接件 30，承载件10用于承载待加工晶圆，由外部磁场控制等离子气体对待加工晶圆的不同位置进行刻蚀；保护件20套设于至少部分承载件10上，用于保护承载件10，避免未被晶圆遮挡的承载件受到等离子气体的轰击，进而对承载台造成损坏；在待加工晶圆的加工过程中，由于等离子气体可能会对保护件20产生轰击刻蚀，进而在保护件20上产生副产品聚合物，在控制等离子气体轰击到晶圆上的具体位置的过程中，保护件会随之发生移动，通过连接件30分别连接承载件10和保护件20后，对保护件20沿承载件10任意径向的位移范围进行限定，防止保护件20接触到承载件10的边缘后，保护件20上的副产品聚合物转移至待加工晶圆上，进而保证等离子气体轰击晶圆的准确性，从而提高了晶圆的加工质量。
51.请参照图1所示，在本技术的一些实施例中，连接件30设置为连接杆，在其他实施例中连接件也可以是任意形状和状态的物件，如胶体、十字架结构等。
52.本技术实施例中对连接杆的具体形状不做限定，在本技术的一些实施例中，连接杆可以设置为等截面方杆，此时，对应的第一连接孔111和第二连接孔21 开设为等截面方孔；在本技术的另一些实施例中，连接杆可以设置为变截面圆杆，此时，对应的第一连接孔111和第二连接孔21则应当对应连接杆的两端形状进行设置。具体的，在本实施例中，连接杆设置为等截面圆杆，对应的第一连接孔111和第二连接孔21设置为等截面圆孔。本技术实施例中对连接杆的材质、长度等也不做限定，只要连接件能够实现对保护件沿承载件任意径向的移动即可。
53.在本技术的一些实施例中，连接杆的轴线平行承载件10的轴线。
54.通过上述方案，连接件30设置为连接杆后，使连接杆的轴线平行承载件10 的轴线，那么，第一连接孔111的轴线、第二连接孔21的轴线也将与承载件10 的轴线平行，这样便于保护件20和连接杆的拆卸。
55.请参照图1所示，在本技术的一些实施例中，连接杆设置有两个，两个连接杆即可较好地限制保护件20沿承载件10的任意径向发生过大位移，防止保护件20接触到承载件10的边缘，进而防止保护件20上的副产品聚合物接触到承载件10上的晶圆；进一步的，在本技术的一些实施例中，当承载件10为轴对称物体时，两个连接杆关于承载件10的中轴线对称设置，使得保护件20受到的连接杆的限制力较为均匀；进一步的，在本技术的另一些实施例中，当承载件10为非轴对称物体时，两个连接杆关于承载件10的周向等间隔设置，使得保护件20受到的连接杆的限制力较为均匀。
56.通过上述方案，当连接杆的数量为两个时，两个连接杆关于承载件10的中轴线对称设置或沿承载件10的周向等间隔设置时，两个连接杆即可实现对保护件20沿承载件10任意径向位移范围的限制，防止保护件20接触到承载件10 的边缘，这样，不仅使得该承载组件结构简单，而且成本低廉，进一步，使两个连接杆关于承载件10的中轴线对称设置后，使得保护件20受力均匀。
57.请参照图2所示，在本技术的再一些实施例中，连接杆设置有三个以上，三个以上
连接杆进一步限制保护件20相对于承载件10沿承载件10任意径向发生位移，以防止保护件20接触到承载件10的边缘，即使三个以上连接杆中一个连接杆产生损坏，剩余连接杆仍能实现对保护件20和承载件10相对位置的固定，提高了该承载组件的可靠性；进一步，在本技术的一些实施例中，沿承载件10的周向，三个以上连接杆等间隔设置，使得保护件20受到的连接杆的限制力更为均匀。
58.通过上述方案，当连接杆数量为三个以上，且沿承载件10的周向，多个连接杆等间隔设置时，三个以上连接杆加强了对保护件20沿承载件10任意径向位移范围的限制，以防止保护件20接触到承载件10的边缘，即使三个以上连接杆中一个连接杆产生损坏，剩余连接杆仍能实现对保护件20和承载件10相对位置的固定，提高了该承载组件的可靠性。
59.请参照图1-图3所示，在本技术的一些实施例中，承载件10上开设有第一连接孔111，保护件20上开设有第二连接孔21；连接杆的一端插接于第一连接孔111内，连接杆的另一端插接于第二连接孔21内。
60.本技术实施例中对第一连接孔111、第二连接孔21和连接杆的具体形状不做限定，只需连接杆的两端分别插接至第一连接孔111内和第二连接孔21内后，对保护件20沿承载件10的任意径向的移动范围进行限制，防止保护件20接触到承载件10的边缘即可；本技术实施例中对第一连接孔111和第二连接孔21 各自的孔径也不做限定，只需要满足连接杆的两端分别能够插接至第一连接孔 111内和第二连接孔21内即可，在本技术的一些实施例中，当连接件30设置为连接杆时，第一连接孔111和第二连接孔21可以同轴设置。
61.通过上述方案，在承载件10上开设用于插接连接杆的第一连接孔111，在保护件20上开设用于插接连接杆的第二连接孔21，当连接杆的两端分别插接至第一连接孔111和第二连接孔21内后即可实现对保护件20沿承载件10任意径向位移范围的限制，防止保护件20接触到承载件10的边缘，便于实现保护件 20和承载件10的连接。
62.请参照图3和图4所示，在本技术的一些实施例中，连接杆的两端分别与第一连接孔111的孔壁和第二连接孔21的孔壁之间留有间隙；假设，当连接杆、第一连接孔111和第二连接孔21同轴设置时，a1为连接杆和第一连接孔111的孔壁之间的间隙；a2为连接杆和第二连接孔21得到孔壁之间的间隙，a为当承载件10与保护件20同轴设置时承载件10与保护件20之间的间隙，则承载组件满足关系式：a1+a2＜a。
63.这样，连接杆与第一连接孔111孔壁之间存在间隙a1，连接杆与第二连接孔21的孔壁之间也存在间隙a2，即连接杆与第一连接孔111和第二连接孔21 均为间隙配合，便于连接杆两端分别穿设至第一连接孔111内和第二连接孔21 内，那么为保证保护件20沿承载件10的任意径向的移动范围小于保护件20与承载件10之间的间隙，假设保护件20与承载件10之间的间隙为a，当a1+a2 ＜a，即可保证保护件20沿承载件10的任意径向的移动范围小于保护件20与承载件10之间的间隙，以使保护件20不能接触到承载件10的边缘。
64.本技术实施例中对a1、a2和a的大小不做限定，只需满足a1+a2＜a即可，但是为减小保护件20不必要的移动，a1、a2均不宜过大，以防止保护件20沿承载件10的径向移动距离过大。
65.通过上述方案，当连接杆的两端分别与第一连接孔111的孔壁和第二连接孔21的孔壁之间均留有间隙时，连接杆的两端分别插接至第一连接孔111和第二连接孔21内即可实现对保护件20沿承载件10任意径向位移范围的限制，对连接杆与第一连接孔111和第二
连接孔21之间的装配工艺无任何要求，不仅便于连接杆和承载件10以及连接杆和保护件20之间实现相互连接，而且便于连接杆的拆装，另外，由于保护件20作为消耗件，也便于保护件20的更换。
66.在本技术的另一些实施例中，当连接杆的一端与第一连接孔111的孔壁之间留有间隙，且连接件的另一端与第二连接孔21过盈配合；假设，a1为当连接杆、第一连接孔111和第二连接孔21同轴设置时连接杆和第一连接孔111的孔壁之间的间隙；a为当承载件10与保护件20同轴设置时承载件10与保护件20 之间的间隙，则承载组件满足关系式：a1＜a。
67.这样，连接杆与第一连接孔111为间隙配合，与第二连接孔21为过盈配合，因此，只需要a1＜a即可保证保护件20沿承载件10的任意径向的移动范围小于保护件20与承载件10之间的间隙，以使保护件20不能接触到承载件10的边缘；而且由于连接杆与第一连接孔111为间隙配合，便于将保护件20以及连接杆从承载件10上拆装。
68.在本技术的再一些实施例中，连接杆的一端30与第二连接孔21的孔壁之间留有间隙，且连接杆的另一端与第一连接孔111过盈配合，假设，a2为当连接杆、第一连接孔111和第二连接孔21同轴设置时，连接杆和第二连接孔21 的孔壁之间的间隙，a为当承载件10与保护件20同轴设置时，承载件10与保护件20之间的间隙，则承载组件满足关系式：a2＜a。
69.同理，连接杆与第二连接孔21为间隙配合，与承载件10经由第一连接孔 111过盈配合，因此，只需要a2＜a即可保证保护件20沿承载件10的任意径向的移动范围小于保护件20与承载件10之间的间隙；而且由于连接杆与第二连接孔21为间隙配合，便于将保护件20从承载件10上拆装，且由于连接杆与承载件10为过盈配合，连接杆无需随着保护件20的更换而更换，节约了更换成本。
70.通过上述方案，当连接杆一端与第一连接孔111的孔壁之间留有间隙，且连接杆另一端与第二连接孔21过盈配合时，只需要连接杆与第一连接孔111的孔壁之间的间隙不大于保护件20与承载件10之间的间隙即可实现使保护件20 不能接触到承载件10的边缘，且便于保护件20的更换。
71.请参照图3和图5所示，在本技术的又一些实施例中，连接件的两端分别 30与第一连接孔111的孔壁以及第二连接孔21的孔壁过盈配合。
72.连接杆与第一连接孔111和第二连接孔21过盈配合，这样，直接将保护件 20固定在承载件10上，使保护件20不能沿承载件10的任意径向进行移动，防止保护件20接触到承载件10，其中，过盈配合指轴与孔配合时孔的公差带在轴的公差带之下，本技术实施例中，连接杆与第一连接孔111和第二连接孔21过盈配合采用冷装配，即对连接杆进行冷却，使连接杆的外形尺寸收缩，然后将连接杆的两端分别插接至第一连接孔111和第二连接孔21内，待连接杆恢复常温后，则连接杆的外形尺寸恢复与第一连接孔111和第二连接孔21形成过盈装配。
73.在本技术的另一些实施例中，连接件可以是弹性材料，以实现连接件的两端分别30与第一连接孔111的孔壁以及第二连接孔21的孔壁过盈配合。
74.通过上述方案，当所述连接杆的两端与所述第一连接孔111的孔壁以及所述第二连接孔21的孔壁过盈配合时，连接杆与第一连接孔111的孔壁以及第二连接孔21的孔壁过盈配合后，保护件20将不能沿承载件10的任意径向进行移动，对保护件20的沿承载件10任意径向的移动限定更加明确，提高了对保护件20和承载件10之间位置关系的限定。
75.请参照图6及图7所示，在本技术的一些实施例中，连接杆包括凸设部31，凸设部31凸设于保护件20上；承载件10上开设有第三连接孔40，凸设部31 处于第三连接孔40内。进一步的，在本技术的一些实施例中，凸设部31与保护件20可一体设置。
76.本技术实施例中对凸设部31的具体形状、长度不做限定，只要凸设部31 穿设于第三连接孔40后，保证保护件20与承载件10之间存在间隙即可，对应的，本技术实施例中，对第三连接孔40的具体形状、深度不做限定。
77.本技术实施例中对凸设部31与第三连接孔40孔壁之间的配合关系不做限定，例如，过盈配合或间隙配合，只要凸设部31穿设于第三连接孔40后，保证保护件20与承载件10之间即使发生相对移动也始终存在间隙即可；应当注意的是，当凸设部31与第三连接孔40的孔壁为间隙配合时，凸设部31与第三连接孔40的孔壁之间的间隙必须小于保护件20与承载件10之间的间隙。
78.通过上述方案，凸出部12凸设在保护件20后，在承载件10上开设第三连接孔40，将凸出部12插接至第三连接孔40内后即可实现对保护件20的沿承载件10任意径向移动范围的限定，以使保护件20不能接触到承载件10的边缘。在本技术的另一些实施例中，凸设部31也可以凸设于承载件10上，同时在保护件20上开设有第三连接孔40，连接杆处于第三连接孔40内。
79.同理，通过上述方案，凸出部12凸设在承载件10后，在保护件20上开设第三连接孔40，将凸出部12插接至第三连接孔40内后即可实现对保护件20的沿承载件10任意径向移动范围的限定，以使保护件20不能接触到承载件10的边缘，同时，便于保护件20的拆装。
80.请参照图1所示，在本技术的一些实施例中，承载件10包括主体部11和凸出部12，主体部11经由连接件30连接保护件20；凸出部12靠近主体部11 一侧与主体部11靠近凸出部12一侧共面设置，且凸设于主体部11一侧；其中，保护件20套设于凸出部12上，且沿主体部11的轴线方向，保护件20的外边缘在主体部11上的正投影与主体部11的外边缘重合，凸出部12的周向上的各个位置与保护件20的内边缘之间在承载件10的径向留有间隙。
81.凸出部12用于承载待加工晶圆，因此，在本技术的一些实施例中，凸出部 12可设置为用于吸附待加工晶圆的静电吸盘，以加强承载件10对待加工晶圆的固定作用。
82.本技术实施例中对凸出部12的具体形状不做限制，例如圆台形、长方体、圆柱体或者多面体，只需保证承载件10放置晶圆一侧为平面即可，但是，相关技术中晶圆通常呈圆片状，为适应晶圆形状，因此，在本技术的一些实施例中，凸出部12远离主体部11一侧可设置为圆形；进一步的，为简化凸出部12的加工难度以及简化该承载组件的结构，因此，在本技术的一些实施例中，凸出部 12可设置为圆柱体。
83.本技术实施例中对主体部11的具体形状不做限制，例如圆台形、长方体、圆柱体或者多面体，只需保证主体部11经由连接杆连接保护件20，防止保护件 20接触到凸出部12即可；为减轻主体部11的重量，在本技术的一些实施例中，主体部11由铝制成，进一步的，考虑到主体部11可能接触到等离子气体的工作环境，为了增加主体部11的化学稳定性，在本技术的一些实施例中，主体部 11由三氧化二铝制成。在本技术的一些实施例中，主体部11设置为圆柱体，且主体部11的直径大于凸出部12的直径，使承载件10形成一变截面杆，保护件 20套设在凸出部12外侧后，保护件20靠近主体部11一侧将抵接主体部11靠近凸出部12一侧，对保护件20进行轴向限位；由于保护件20靠近主体部11 一侧将抵接主体部11靠近凸出
部12一侧，便于第一连接孔111和第二连接孔 21的开设，因此，为简化连接件30与保护件20以及主体部11之间的连接方式，在本技术的一些实施例中，第一连接孔111开设于主体部11靠近凸出部12一侧，第二连接孔21开设于保护件20靠近主体部11一侧；为便于连接杆穿设至第一连接孔111和第二连接孔21内，无论连接杆与第一连接孔111和/或第二连接孔21之间为间隙配合或过盈配合，都可保证连接杆顺利穿设至第一连接孔111和/ 或第二连接孔21内，因此，在本技术的一些实施例中，第一连接孔111和第二连接孔21同轴设置。
84.结合上述凸出部12设置为圆柱体，由于保护件20套设在凸出部12外侧，因此，在本技术的一些实施例中，保护件20的内部空间对应凸出部12设置为圆孔状。在本技术的另一些实施例中，若凸出部12设置为长方体，对应的，保护件20的内部空间设置为方孔状。
85.另外，由于待加工晶圆为一圆片状，且沿待加工晶圆的轴线方向，待加工晶圆的中心朝向待加工晶圆的一侧凸出设置，那么，晶圆放置在凸出部11上后，一种情况是待加工晶圆突出的中心处接触凸出部11，而待加工晶圆的边缘与凸出部11之间具有间隙，二是待加工晶圆的边缘处接触凸出部11，而待加工晶圆的中心处距凸出部11具有间隙；本技术实施例中待加工晶圆采用上述第一种方式放置在凸出部11上，因此为了防止待加工晶圆在等离子气体的冲击下发生晃动，主体部12吹出惰性气体以对保护件的边缘进行支撑，为防止等离子气体对未被晶圆遮挡的主体部12造成破坏，因此，沿主体部12的轴线方向，保护件 20的外边缘在主体部12上的正投影与主体部12的外边缘重合，以防止主体部 12受等离子气体的破坏。
86.通过上述方案，承载件10包括主体部11和凸出部12，待加工晶圆放置于凸出部12远离主体部11一侧，保护件20套设在凸出部12的外围，以防止主体部12受等离子气体的破坏，且沿承载件10的径向，保护件20与凸出部12 之间留有间隙，主体部11经由连接杆连接保护件20，通过连接杆限制保护件 20沿主体部11任意径向的移动距离，防止保护件20接触到凸出部12的边缘。
87.请参照图1所示，在本技术的一些实施例中，承载组件还包括位置调节件 50和磁场调节件60，位置调节件50可滑动套设于主体部11外周；磁场调节件 60位于保护件20远离主体部11一侧，且与位置调节件50固定连接。
88.磁场调节件60用于调节凸出部12周边的磁场倾斜度，进而调整等离子气体落在待加工晶圆上的位置，由于待加工晶圆通常为圆片状，因此，在本技术的一些实施例中，磁场调节件60设置为圆环状。
89.由于位置调节件50滑动套设在主体部11外周，因此，位置调节件50的内部空间应当与主体部11的周壁适配，结合上述主体部11设置为圆柱体，在本技术的一些实施例中，位置调节件50的内部空间设置为圆孔状。
90.本技术实施例中对磁场调节件60和位置调节件50的连接关系不做限定，例如，螺纹连接、胶合、焊接等，只要位置调节件50沿承载件10的轴线方向移动时能够带动磁场调节件60同步进行移动即可。
91.通过上述方案，位置调节件50滑动套设在主体部11外周后，使得位置调节件50可沿主体部11的轴线方向进行移动，由于，磁场调节件60与位置调节件50固定连接，那么，位置调节件50沿主体部11的轴线方向进行移动时便可带动磁场调节件60沿主体部11的轴线方向进行移动，以调节磁场调节件60的位置，进而调节等离子气体喷射在代加工晶圆上的
位置。
92.请参照图1所示，在本技术的一些实施例中，承载组件还包括限位件70，限位件70绕设于位置调节件50外侧，且与主体部11之间留有间隙以形成滑道 80，位置调节件50可滑动设于滑道80内。
93.结合上述主体部11设置为圆柱体，在本技术的一些实施例中，限位件70 的内部空间设置为圆孔状；为进一步简化限位件70的加工难度，在本技术的一些实施例中，限位件70设置为圆环状。
94.在如下的情况中：
95.保护件20上开设有第一连接孔111，主体部11上开设有第二连接孔21，且连接杆与第一连接孔111和第二连接孔21之间为间隙配合；
96.保护件20上开设有第一连接孔111，主体部11上开设有第二连接孔21，且连接杆与第一连接孔111或第二连接孔21之间为间隙配合；
97.凸出部12与第三连接孔40为间隙配合；
98.此时，为使保护件20不干扰位置调节件50在主体部11上沿主体部11的轴线方向进行移动，在本技术的一些实施例中，当保护件20与主体部11同轴设置时，保护件20的外径小于主体部11的外径。
99.在如下的两种情况下：
100.保护件20上开设有第一连接孔111，主体部11上开设有第二连接孔21，且连接杆与第一连接孔111和第二连接孔21之间为过盈配合；
101.凸出部12与第三连接孔40过盈配合；
102.此时，由于保护件20不会沿主体部11的任意径向发生移动，那么，在本技术的另一些实施例中，保护件20的外径可以等于所述主体部11的外径，承载组件还包括限位件70，限位件70绕设于主体部11和保护件20外侧，且与主体部11和保护件20之间留有间隙形成滑道80，位置调节件50可滑动设于滑道 80内，这样增加了滑道80的长度。
103.基于上述实施例，限位件70绕设在主体部11外侧后，且与所述主体部11 和/或所述保护件20之间留有间隙，使主体部11与限位件70之间形成滑道80，以供位置调节件50在滑道80内进行滑动。
104.请参照图1和图3所示，在本技术的一些实施例中，保护件20上开设有第一限位槽22，沿承载件10的轴线方向，第一限位槽22于保护件20远离主体部 11一侧形成第一开口，沿承载件10的径向，第一限位槽22于保护件20远离凸出部12一侧形成第二开口，第一开口连通第二开口，至少部分磁场调节件60 处于第一限位槽22内；限位件70上开设有第二限位槽71，沿承载件10的轴向方向，第二限位槽71于限位件70远离主体部11一侧形成第三开口，沿承载件 10的径向，第二限位槽71于限位件70靠近凸出部12一侧形成第四开口，第三开口连通第四开口，至少部分磁场调节件60处于第二限位槽71内；其中，沿承载件10的轴线方向，第一限位槽22靠近主体部11的侧壁平齐于第二限位槽 71靠近主体部11的侧壁。
105.在该承载组件不进行工作时，第一限位槽22和第二限位槽71用于容纳磁场调节件60，第一限位槽22和第二限位槽71的形状应当与磁场调节件60的形状适配，结合上述磁场调节件60设置为圆环状，因此，在本技术的一些实施例中，第一限位槽22和第二限位槽71均设置为圆环槽。
106.基于上述实施例，在磁场调节件60未进行磁场调节时，部分磁场调节件60 位于第一限位槽22和第二限位槽71内，且磁场调节件60抵接第一限位槽22 和第二限位槽71靠近主体部11一侧，用于容纳保护磁场调节件60。
107.本技术实施例第二方面提出了一种晶圆生产设备，包括壳体和如上的承载组件，所述承载组件设置于所述壳体内。
108.基于上述实施例的承载组件，该晶圆生产设备在对晶圆的加工过程中能够使承载件10和保护件20之间留有间隙，因此保护件20不能接触到承载件10 的边缘，避免了保护件20上的副产品聚合物接触到位于承载件10上的晶圆，提高了晶圆的加工质量。
109.本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
110.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。