一种天线结构及传感器的制作方法

文档序号:28618005发布日期:2022-01-22 13:07阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种天线结构,其特征在于,包括:第一介质基片(10),所述第一介质基片(10)的表面设有辐射金属贴片(11);第二介质基片(20),所述第二介质基片(20)的表面设有接地金属片(21);若干个第三介质基片(31)叠层形成的中间介质基片(30),所述中间介质基片(30)位于所述第一介质基片(10)和所述第二介质基片(20)之间;所述中间介质基片(30)上设有挖空部(40);所述第一介质基片(10)、所述第二介质基片(20)以及所述第三介质基片(31)的材料的等级相同。2.根据权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述挖空部(40)为设于所述中间介质基片(30)上的凹槽,所述凹槽与所述第一介质基片(10)形成空气腔体。3.根据权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述挖空部(40)为设于所述中间介质基片(30)上的通孔,所述通孔、所述第一介质基片(10)以及所述第二介质基片(20)形成空气腔体。4.根据权利要求1所述的天线结构,其特征在于,所述挖空部(40)为设于所述中间介质基片(30)内的中空腔,所述中空腔形成空气腔体。5.根据权利要求1-4任一项所述的天线结构,其特征在于,还包括至少一个馈电端口(50),所述馈电端口(50)从所述第一介质基片(10)靠近所述辐射金属贴片(11)的表面上引出,或者通过金属通孔贯穿所述接地金属片(21),从所述第二介质基片(20)远离所述接地金属片(21)的表面上引出。6.根据权利要求5所述的天线结构,其特征在于,所述辐射金属贴片(11)位于所述第一介质基片(10)远离所述中间介质基片(30)的一侧表面上;所述接地金属片(21)位于所述第二介质基片(20)靠近所述中间介质基片(30)的一侧表面上。7.根据权利要求5所述的天线结构,其特征在于,所述辐射金属贴片(11)位于所述第一介质基片(10)靠近所述中间介质基片(30)的一侧表面上;所述接地金属片(21)位于所述第二介质基片(20)靠近所述中间介质基片(30)的一侧表面上。8.根据权利要求5所述的天线结构,其特征在于,所述辐射金属贴片(11)位于所述第一介质基片(10)远离所述中间介质基片(30)的一侧表面上;所述接地金属片(21)位于所述第二介质基片(20)远离所述中间介质基片(30)的一侧表面上。9.根据权利要求6-8任一项所述的天线结构,其特征在于,所述辐射金属贴片(11)的形状为矩形、圆形以及多边形中的任一种。10.一种传感器,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的天线结构。

技术总结
本申请提供了一种天线结构及传感器,天线结构包括:第一介质基片,所述第一介质基片的表面设有辐射金属贴片;第二介质基片,所述第二介质基片的表面设有接地金属片;若干个第三介质基片叠层形成的中间介质基片,所述中间介质基片位于所述第一介质基片和所述第二介质基片之间;所述中间介质基片上设有挖空部;所述第一介质基片、所述第二介质基片以及所述第三介质基片的材料的等级相同。本申请解决了现有传感器中的天线不能同时满足高增益和低成本的问题。本的问题。本的问题。


技术研发人员:李霞 李敏
受保护的技术使用者:深圳市易探科技有限公司
技术研发日:2021.12.06
技术公布日:2022/1/21
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