一种IGZO阵列基板及其配线结构的制作方法

一种igzo阵列基板及其配线结构
技术领域
1.本实用新型属于igzo tft-lcd阵列基板的设计技术领域，具体涉及一种igzo阵列基板及其配线结构。


背景技术：

2.铟镓锌氧化物igzo(indium gallium zinc oxide)，其载流子迁移率为非晶硅的20-30倍，可以实现超高的分辨率的tft-lcd，同时由于其高透明性，低成本，低制造温度等特点，在工业生产中得到广泛应用。
3.tft-lcd显示装置通常由阵列基板、彩膜基板及背光模块组成，其中阵列基板及彩膜基板通过框胶连接。阵列基板中，包括显示区域及非显示区域， 显示区域设置有多个薄膜晶体管（tft）、多条数据线及多条栅极线，为了给显示区域每个tft施加相应的电压，需要在阵列基板的非显示区域设置多条配线，所述配线与数据线或栅极线相连接，将外界电压输入到显示区tft。阵列基板非显示区还包含一封框胶区域，上述配线横跨所述封框胶区域，通过uv光照射使得框胶固化，连接阵列基板与彩膜基板。
4.由于igzo对h离子较为敏感，因此现有igzo-tft工艺中，源漏极上方绝缘保护层pv通常使用siox材料；但tic架构中，触控电极cm上方钝化层va及公共电极上方钝化层ch通常使用sinx材料，像素电极通过开孔工艺与源漏电极相连接，需对pv、va、ch进行蚀刻处理，由于siox与sinx材料蚀刻速率比不同，在开孔工艺中，若采用化学性蚀刻+物理性蚀刻方式，绝缘层界面处易形成undercut，影响后续像素电极与源漏电极搭接；若采用完全物理性蚀刻方式，则易造成过蚀刻导致源漏电极金属减薄，造成阻抗过大等风险。
5.同时现有tft-lcd配线工艺，通常采用double trace或dule trace方式，常规double trace工艺，配线区存在较大寄生电容，dule trace工艺，由于配线过于密集，且配线通常由不透光的金属制成，因此配线会影响封框胶的uv固化效果。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的在于提供一种igzo阵列基板及其配线结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
7.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种igzo阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极，所述金属栅极的上表面紧贴栅极绝缘层的底面，所述金属栅极的外表面被栅极绝缘层包裹，所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面，所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层，所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极，所述金属源漏极的上表面紧贴钝化层pv一的底面，所述钝化层pv一固定安装在栅极绝缘层的上表面，所述钝化层pv一的上表面固定连接钝化层pv二，所述钝化层pv二的上表面左右两侧的位置分别固定连接有机平坦层，所述有机平坦层的上表面固定连接触控电极，所述钝化层pv二上表面中间的位置固定连接钝化层va一，所述钝化层va一的上表面固
定连接钝化层va二，所述钝化层va二的上表面左右两侧的位置分别固定连接公共电极，所述公共电极的上表面固定连接钝化层ch一，所述钝化层ch一的上表面固定连接钝化层ch二，所述钝化层ch二的上表面固定连接像素电极，所述像素电极贯穿钝化层ch二、钝化层ch一、钝化层va二、钝化层va一、钝化层pv二和钝化层pv一的内部，所述玻璃基板的外表面设置封框胶区。
8.所述金属源漏极固定安装在栅极绝缘层的上表面，其中一处所述金属源漏极的上表面固定连接像素电极的底部，金属源漏极固定安装再栅极绝缘层的上表面，能够增加金属源漏极的稳定性，从而方便使用。
9.所述触控电极设置在其中一处所述有机平坦层的上表面，所述触控电极的上表面固定连接公共电极，触控电极与公共电极固定连接，方便二者的电性连接，以便正常使用。
10.所述钝化层pv一包裹两个金属源漏极，所述金属源漏极的一侧面低端设置为开口，所述半导体有源层的左右两端分别设置两个金属源漏极的开口处，将半导体有源层设置在金属源漏极侧面上的开口处，能够对半导体有源层定位，并与金属源漏极稳定连接，方便使用。
11.一种配线结构，应用于所述的igzo阵列基板。该配线结构的配线区采用dual trace与double trace搭配的方式，在封框胶区域外，采用可减小配线区寄生电容的dual trace结构，封框胶区域采用double trace结构。
12.本实用新型的技术效果和优点：
13.1、通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式，解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险；
14.2、通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式，实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。
附图说明
15.图1为现有tic结构igzo技术阵列基板的剖面示意图；
16.图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构剖面示意图；
17.图3为现有配线区double trace结构示意图；
18.图4为本实用新型实施例提供的配线区结构示意图。
19.图中：1、玻璃基板；2、栅极绝缘层；3、金属栅极；4、半导体有源层；5、金属源漏极；6、钝化层pv一；7、钝化层pv二；8、有机平坦层；9、触控电极；10、钝化层va一；11、钝化层va二；12、公共电极；13、钝化层ch一；14、钝化层ch二；15、像素电极；16、封框胶区。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.本实用新型提供了如图1-4所示的一种igzo阵列基板，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1的上表面固定连接栅极绝缘层2，所述栅极绝缘层2与玻璃基板1的之间的位置设置金
属栅极3，所述金属栅极3固定安装在玻璃基板1的上表面，所述栅极绝缘层2的上表面固定连接半导体有源层4，所述半导体有源层4上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极5，所述金属源漏极5的上表面紧贴钝化层pv一6的底面。
22.所述钝化层pv一6固定安装在栅极绝缘层2的上表面，所述钝化层pv一6的上表面固定连接钝化层pv二7，所述钝化层pv二7的上表面左右两侧的位置分别固定连接有机平坦层8，所述有机平坦层8的上表面固定连接触控电极9，所述钝化层pv二7上表面中间的位置固定连接钝化层va一10，所述钝化层va一10的上表面固定连接钝化层va二11，所述钝化层va二11的上表面左右两侧的位置分别固定连接公共电极12，所述公共电极12的上表面固定连接钝化层ch一13，所述钝化层ch一13的上表面固定连接钝化层ch二14，所述钝化层ch二14的上表面固定连接像素电极15，所述玻璃基板1的外表面设置封框胶区16。
23.所述金属源漏极5固定安装在栅极绝缘层2的上表面，其中一处所述金属源漏极5的上表面固定连接像素电极15的底部。所述像素电极15贯穿钝化层ch二14、钝化层ch一13、钝化层va二11、钝化层va一10、钝化层pv二7和钝化层pv一6的内部。所述触控电极9设置在其中一处所述有机平坦层8的上表面，所述触控电极9的上表面固定连接公共电极12。所述金属栅极3的上表面紧贴栅极绝缘层2的底面，所述金属栅极3的外表面被栅极绝缘层2包裹。
24.所述钝化层pv一6包裹两个金属源漏极5，所述金属源漏极5的一侧面低端设置为开口，所述半导体有源层4的左右两端分别设置两个金属源漏极5的开口处。
25.一种配线结构，应用于所述的igzo阵列基板。所述配线结构的配线区采用dual trace与double trace搭配的方式，在封框胶区16域外，采用可减小配线区寄生电容的dual trace结构，封框胶区16域采用double trace结构。
26.具体使用时，图1为现有tic结构igzo技术阵列基板的剖面示意图，由于igzo对h离子较敏感，源漏极上方钝化层通常使用siox结构，但触控电极9上方钝化层va及公共电极12上方钝化层ch通常使用sinx结构，像素电极15与源漏电极通过过孔技术连接，需蚀刻钝化层pv+钝化层va+钝化层ch三层结构，由于siox与sinx蚀刻速率比不同，在开孔工艺中，若采用化学性蚀刻+物理性蚀刻方式，钝化层pv/钝化层va 及钝化层va/钝化层ch界面处易形成undercut，影响后续像素电极15与源漏电极搭接；若采用完全物理性蚀刻方式，则易造成过蚀刻导致源漏电极金属减薄，造成阻抗过大等风险。
27.图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构剖面示意图，通过分别在钝化层pv/钝化层va/钝化层ch下方增加垫层的方式，解决化学性蚀刻+物理性蚀刻中undercut风险，其中，源漏极上方钝化层为钝化层pv一6+钝化层pv二7结构，触控电极9上方钝化层va一10+钝化层va二11结构，公共电极12上方钝化层为钝化层ch一13+钝化层ch二14结构，其中钝化层pv一6、钝化层va一10、钝化层ch一13膜质折射率应大于钝化层pv二7、钝化层va二11、钝化层ch二14。
28.图3为现有配线区double trace结构示意图，由于double trace结构，配线区为ge配线与sd配线堆叠放置，配线区会产生较大寄生电容。
29.图4为本实用新型实施例提供的配线区结构示意图，采用dual trace与double trace搭配的方式，在封框胶区16域外，采用dual trace结构可有效减小配线区寄生电容，封框胶区16采用double trace结构，可增大uv光透过率，提升框胶的uv固化效果。
30.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。