一种硅压阻芯片的制作方法

1.本实用新型涉及压力传感器技术领域，特别是涉及一种硅压阻芯片。


背景技术：

2.现有芯片在制作完成后，其上的焊盘数量是一定的，每一个焊盘对应的电阻也是确定的。在一些情况下，不同的应用场景对于电阻的要求不同，而上述现有的焊盘通常无法满足用户不同的要求，灵活性较差。为了解决这一问题，现有技术中在芯片使用时，需要根据实际要求对一些焊盘进行键合，而键合过程中使用的材料昂贵，这增加了使用成本。可见，现有的芯片无法在灵活性和使用成本之间平衡。
3.因此，如何提供一种灵活性较高、能够减少使用成本的芯片，成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

4.本实用新型提供了一种硅压阻芯片，灵活性较高、能够减少使用成本。
5.本实用新型提供了如下方案：
6.一种硅压阻芯片，包括：
7.硅片，呈片状，所述硅片的第一表面上设置有向其内部凹陷形成的背腔，所述背腔的侧面与所述第一表面之间具有预设角度；
8.至少一个电阻，设置在所述硅片上；
9.至少一个金焊盘，设置在所述硅片与所述第一表面向背的第二表面上，所述金焊盘包括至少一个第一焊盘和至少两个第二焊盘，每一所述第一焊盘由至少两个相互之间具有预设间隙的小焊盘拼接而成，每一所述小焊盘均与至少一个所述第二焊盘连接，且每一所述小焊盘连接的所述第二焊盘均不同。
10.可选地，所述预设角度为90
°
，所述背腔采用干法腐蚀工艺刻蚀得到。
11.可选地，所述第一焊盘由两个所述小焊盘拼接而成，且两个小焊盘的形状相同。
12.可选地，两个所述小焊盘均为s型且互为首尾相邻。
13.可选地，所述金焊盘为方形结构。
14.可选地，所述金焊盘通过金线与所述电阻电连接。
15.可选地，所述硅片为方形，所述金焊盘设置在所述硅片的角和/或四周上。
16.可选地，所述第二焊盘与所述第一焊盘的大小相同。
17.根据本实用新型提供的具体实施例，本实用新型公开了以下技术效果：
18.本实用新型提供的硅压阻芯片上设置金焊盘，所述金焊盘包括第一焊盘，其由至少两个小焊盘拼接而成，小焊盘之间具有预设间隙，且将每一小焊盘均与至少一个第二焊盘连接。在实际使用时，当需要将某两个第二焊盘合并使用时，仅需要将设置在该两个第二焊盘之间的小焊盘连接即可，通过将小焊盘连接可以使得芯片满足用户的不同要求，既增加了芯片的灵活性，又无需键合，减少了键合材料的使用，降低了成本，因此，可以在灵活性
和使用成本之间平衡。
19.进一步地，采用金焊盘，也即金材质制成的焊盘，与铝焊盘相比，金焊盘具有更好的抗氧化性、可靠性及熔点高等优点。
20.当然，本实用新型的实施例并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
21.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1是本实用新型一个实施例提供的硅压阻芯片的剖面结构示意图；
23.图2是本实用新型一个实施例提供的硅压阻芯片的结构示意图；
24.图3是本实用新型一个实施例提供的硅压阻芯片的第一焊盘的结构示意图。
具体实施方式
25.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.需要说明的是，本实用新型关于“左”、“右”、“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”“顶部”“底部”等方向上的描述均是基于附图所示的方位或位置的关系定义的，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所述的结构必须以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
27.在本实用新型的描述中，除非另有明确规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
28.图1是本实用新型一个实施例提供的硅压阻芯片的剖面结构示意图。图2是本实用新型一个实施例提供的硅压阻芯片的结构示意图。如图1所示，同时参见图2，本实用新型提供了一种硅压阻芯片，其一般性地包括硅片10、至少一个电阻20和至少一个金焊盘30。所述硅片10呈片状，其第一表面11上设置有向其内部凹陷形成的背腔13，所述背腔13的侧面与所述第一表面11之间具有预设角。所述至少一个电阻20设置在所述硅片10上。所述至少一个金焊盘30设置在所述硅片10与所述第一表面11向背的第二表面12上，所述金焊盘30包括至少第一焊盘31和至少两个第二焊盘32，每一所述第一焊盘31由至少两个相互之间具有预设间隙31b的小焊盘31a拼接而成，每一所述小焊盘31a均与至少一个所述第二焊盘32连接，且每一所述小焊盘31a连接的所述第二焊盘均不同。
29.上述硅压阻芯片上设置金焊盘30，所述金焊盘30包括第一焊盘31，其由至少两个小焊盘31a拼接而成，小焊盘31a之间具有预设间隙31b，且将每一小焊盘31a均与至少一个
第二焊盘32连接。在实际使用时，当需要将某两个第二焊盘32合并使用时，仅需要将设置在该两个第二焊盘32之间的小焊盘31a连接即可，通过将小焊盘31a连接可以使得芯片满足用户的不同要求，既增加了芯片的灵活性，又无需键合，减少了键合材料的使用，降低了成本，因此，可以在灵活性和使用成本之间平衡。
30.常规的芯片采用铝焊盘，一方面，铝本身导电性一般，易氧化形成氧化铝al2o3。铝和硅在高温(577℃)下会产生共熔现象，容易破坏浅结形成短路，即“铝钉”；另一方面，大规模集成电路里面的铝导线很细长，经常要承受很高密度的电流，内部的铝容易在在电场作用和热作用下扩散，甚至断开，出现“电迁移”现象。为了解决这一问题，本技术采用金焊盘30，也即金材质制成的焊盘，与铝焊盘相比，金焊盘30具有更好的抗氧化性、可靠性及熔点高等优点。
31.目前芯片腐蚀的方法主要分为湿法腐蚀和干法腐蚀两种。湿法腐蚀是把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去，湿法腐蚀工艺简单，但是在湿法腐蚀中所进行的化学反应没有特定方向，所以会形成各向异性的腐蚀效果，通常还会使位于光刻胶边缘下边的薄膜也被腐蚀，这也会使腐蚀后的线条宽度难以控制，一些腐蚀剂溶解单晶硅中给定晶面的速度比其他晶面快得多，因此造成定向性的刻蚀，腐蚀角度为∠54
°
。干法腐蚀是指利用等离子体激活的化学反应或者是利用高能离子束轰击去除物质的方法，因为在刻蚀中并不使用溶液，所以称之为干法刻蚀。干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比，精度更高、具有明显的各向异性，并且具有较好的可重复性、可控性、在硅片加工中易实现连续生产，环保等优点。本实用新型充分利用干法腐蚀的优点，通过干法腐蚀工艺刻蚀得到所述背腔13，其预设角度为90
°
。具体地，在干法腐蚀中，纵向上的刻蚀速率远大于横向的刻蚀速率。如此位于光刻胶边缘下边的材料，由于受到光刻胶的保护就不会被刻蚀，控制腐蚀气体为六氟化硫(sf6)和八氟环丁烷(c4f8)的腐蚀方向和角度，从而可以达到腐蚀角度为∠90
°
的理想状态。进一步地，使用干法腐蚀更加能准确的控制膜的厚度，减少腐蚀过程中造成芯片损坏的因素，从而达到更高的良品率。
32.具体地，在一个实施例中，本实用新型提供的硅压阻芯片采用以下流程制备：在所述硅片10上的第二表面12上设置所述金焊盘30；在所述硅片10的第一表面11上涂覆光刻胶；采用干法腐蚀刻蚀，并采用六氟化硫(sf6)和八氟环丁烷(c4f8)两种气体进行腐蚀从而位于光刻胶边缘下边的材料，由于受到光刻胶的保护就不会被刻蚀；去胶，避免硅压阻芯片在工作过程中因光刻胶残留受热导致性能受损。
33.在一个具体的实施例中，所述第一焊盘31由两个所述小焊盘31a拼接而成，且两个小焊盘31a的形状相同。
34.图3是本实用新型一个实施例提供的硅压阻芯片的第一焊盘的结构示意图。如图3所示，在一个更加具体的实施例中，两个所述小焊盘31a均为s型且互为首尾相邻。在使用过程中可以通过在两个所述小焊盘31a的中间位置上设置焊点来将两者连接，从而可以使对应的第二焊盘32连接，将两个小焊盘31a设置成s型且互为首尾相邻，可以保证两个小焊盘31a之间的稳定性，避免焊接在两个小焊盘31a之间的金线断裂或脱落。
35.在一个可选的实施例中，所述金焊盘30为方形结构。
36.在一个优选的实施例中，所述金焊盘30通过金线与所述电阻20电连接，金线与所
述金焊盘30的匹配性更好。
37.在一个可选的实施例中，所述硅片10为方形，所述金焊盘30设置在所述硅片10的角和/或四周上。当然，在其他实施例中，所述金焊盘30也可以根据需要的设置在所述硅片10的其他位置上。
38.在一个优选的实施例中，所述第二焊盘32与所述第一焊盘31的大小相同，如此，使得所述硅片的表面整齐，外表美观性较好。
39.在一个具体的实施例中，所述硅片10内嵌入导线14，已将所述金焊盘30与所述电阻20连接。
40.以上对本实用新型所提供的技术方案，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的结构及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。