技术特征：
1.一种低通滤波结构，其特征在于，所述低通滤波结构包括：高阻抗段；低阻抗段，所述低阻抗段连接于所述高阻抗段；电容加载部，所述电容加载部位于所述低阻抗段的外围，且所述电容加载部与所述低阻抗段之间形成有间隙；以及导体连接部，所述导体连接部连接于所述低阻抗段与所述电容加载部。2.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于：所述电容加载部为周向封闭的环形结构，所述电容加载部环绕于所述低阻抗段；或所述电容加载部为具有缺口的环形结构，所述电容加载部环绕于所述低阻抗段。3.根据权利要求2所述的低通滤波结构，其特征在于：所述电容加载部与所述低阻抗段同轴设置。4.根据权利要求2所述的低通滤波结构，其特征在于：所述导体连接部的厚度与所述低阻抗段的厚度相同，所述导体连接部相对设置的两个端面分别与所述低阻抗段相对设置的两个端面处于同一平面；和/或所述导体连接部的厚度与所述电容加载部的厚度相同，所述导体连接部相对设置的两个端面分别与所述电容加载部相对设置的两个端面处于同一平面；和/或所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；各所述低阻抗段上设置的所述电容加载部的内径均相同，或，至少一所述低阻抗段上设置的所述电容加载部的内径大于或小于其他所述低阻抗段上设置的所述电容加载部的内径。5.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于：所述导体连接部位于所述低阻抗段与所述电容加载部之间；和/或所述导体连接部的数量为至少一个。6.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于：所述导体连接部与所述低阻抗段为一体式结构；和/或所述导体连接部与所述电容加载部为一体式结构。7.根据权利要求1至6任一项所述的低通滤波结构，其特征在于：所述低阻抗段的横截面积大于所述高阻抗段的横截面积；所述低阻抗段的阻抗小于所述高阻抗段的阻抗；所述低阻抗段为金属柱状结构，所述高阻抗段为金属杆状结构，所述低阻抗段的外径大于所述高阻抗段的外径；和/或所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；至少一所述低阻抗段的厚度大于或小于其他所述低阻抗段的厚度；和/或所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；至少一所述低阻抗段的横截面积大于或小于其他所述低阻抗段的横截面积；和/或所述高阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述高阻抗段之间设有一所述低阻抗段；至少一所述高阻抗段的横截面积大于或小于其他所述高阻抗段的横截面积；和/或所述低阻抗段与所述高阻抗段同轴设置。8.根据权利要求1至6任一项所述的低通滤波结构，其特征在于：所述低通滤波结构包括分别位于所述低通滤波结构的相对两端的信号输入段和信号输出段，所述信号输入段连接于所述低通滤波结构一端的所述高阻抗段或所述低阻抗段，所述信号输出段连接于所述
低通滤波结构另一端的所述高阻抗段或所述低阻抗段；和/或所述高阻抗段的数量为两个，所述低阻抗段的数量为三个，每相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段。9.根据权利要求1至6任一项所述的低通滤波结构，其特征在于：所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；各所述低阻抗段同轴设置，且沿同轴设置的所述低阻抗段的轴线方向的投影，各所述低阻抗段上设置的所述导体连接部的投影完全相重合；或至少两所述低阻抗段同轴设置；沿同轴设置的两所述低阻抗段的轴线方向的投影，其中一所述低阻抗段上设置的所述导体连接部的投影的至少部分与另一所述低阻抗段上设置的所述导体连接部的投影不相重合。10.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括：腔体，所述腔体具有安置槽；如权利要求1至9任一项所述的低通滤波结构；以及绝缘结构，所述低通滤波结构通过所述绝缘结构设置于所述安置槽中。
技术总结
本申请涉及通信技术领域，提供一种低通滤波结构及滤波器，低通滤波结构包括：高阻抗段；低阻抗段，低阻抗段连接于高阻抗段；电容加载部，电容加载部位于低阻抗段的外围，且电容加载部与低阻抗段之间形成有间隙；以及导体连接部，导体连接部连接于低阻抗段与电容加载部。本申请提供的低通滤波结构，电容加载部与低阻抗段之间可形成电容效应，可使采用本申请提供的低通滤波结构的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生传输零点，且无需另外提高低通滤波结构的阶数，从而可在不提高低通滤波结构的阶数的情况下实现较好的高频抑制能力。阶数的情况下实现较好的高频抑制能力。阶数的情况下实现较好的高频抑制能力。
技术研发人员：韦立言
受保护的技术使用者：大富科技（安徽）股份有限公司
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/5/10