等离子处理装置以及等离子处理方法与流程

1.本发明涉及等离子处理装置或等离子处理方法。


背景技术：

2.在半导体器件的制造中，进行以下的工序：在半导体晶片的表面上形成起到种种功能的电路的作为一个整体的组件、将多个组件相互连接的布线。通过重复进行包含预先形成于在半导体晶片等基板状的样品表面的导体、或者半导体或绝缘体的种种材料的膜层的形成、和这些膜层的不需要的部分的除去等处理，来进行这些组件、布线的形成。在这样的不需要的部分的除去的处理，广泛使用利用了等离子的干式蚀刻的处理(工艺)。
3.在这样的利用了等离子的蚀刻(也称作等离子蚀刻)中，对处理装置的真空容器内部所具备的处理室内导入处理用的气体，并对处理室内供给基于从高频电源供给的高频电力的高频电场，将导入的气体的原子或分子激发使其电离或解离从而等离子化，使样品表面暴露于等离子从而与其接触，来引发并进行等离子中的粒子与处理对象的膜层的反应。这时，通过等离子中的离子等带电粒子所引起的溅射等物理的反应、自由基(具有反应活性的粒子、活性种)所引起的化学的反应等，来进行处理对象的膜层的各向异性或各向同性的蚀刻。在晶片表面上适当选择运用这样的各自具有不同特性的处理，来形成具有发挥上述种种功能的电路的构造的组件、布线。
4.在等离子蚀刻的加工形状与设计不同的情况下，所形成的各种组件有可能不能实现其功能。因此，提出许多对蚀刻处理进行监视/稳定化的工艺监控技术。例如，通过测量来自处理中的晶片的反射光来测定成膜于晶片上的膜的膜厚、形成于晶片上的槽、孔的深度的工艺监控被称作膜厚/深度监控，能利用在蚀刻处理的终点判定等中。
5.在专利文献1中记载了利用该膜厚/深度监控的加工精度高精度化方法。在该方法中，使用以等离子光为光源的膜厚/深度监控来探测即将完全除去处理对象的膜前这一时机，将该蚀刻处理结束。之后，通过选择性地切换进行蚀刻的条件来对处理对象部分和处理非对象部分进行蚀刻处理，将整体的处理时间抑制得短，且没有晶片面内的处理偏差，实现了处理对象膜完全的除去。
6.此外在专利文献2中记载了膜厚/深度监控的膜厚、深度的测定精度的高精度化技术。在该方法中，作为对晶片进行照射的光源，取代等离子光而使用外部光源。由此，光源的光量变动变小，实现了高精度的膜厚/深度的测定。这些膜厚/深度监控预先取得来自在蚀刻中得到的晶片的反射光的模式(pattern)作为数据库(称作db)，通过将蚀刻中测定的晶片的反射光与db进行比较，来估计该晶片的加工状态。因此，在db取得时的晶片的器件构造和评价对象的晶片的器件构造不同的情况下，在db的反射光模式和评价对象的反射光模式中引起不一致，有不能实现正确的膜厚/深度测定的问题。
7.针对该问题，在专利文献3中公开了与上述那样的晶片间的器件构造偏差对应的膜厚/深度的测量方法。在该现有技术中，在蚀刻对象膜的基底膜的膜厚按每个晶片不同的情况下，预先取得基底膜厚的情况和薄的情况的晶片反射光模式作为db，通过使用这2个
db，来对种种基底膜的膜厚的晶片实现正确的膜厚/深度的测定。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：jp特开平11-260799号公报
11.专利文献2：jp特表2004-507070号公报
12.专利文献3：jp特开2014-195005号公报


技术实现要素：

13.发明要解决的课题
14.但在专利文献3的现有技术中，有如下所示的课题。
15.即，在专利文献3中，在晶片上表面的膜的构造为已知的情况下，使用将蚀刻对象膜的基底膜的厚度各自不同的多个晶片的反射光所引起的干涉光的强度的波长作为参数的模式的数据，作为数据库(db)，但在晶片的膜构造为未知的情况下，不能实现正确的膜厚/深度的测定。
16.例如，在多个晶片之间膜构造的蚀刻对象膜以外的膜的厚度、形状中存在偏差的情况下，对具有与这样的晶片同等的膜构造的多个试验用的晶片预先进行处理，得到反射光的干涉光的数据作为基准数据，从这些数据中针对半导体器件的制造中所用的晶片的处理中的处理的深度、剩余膜厚度，适当选择多个数据，作为利用于终点的判定的db。
17.另一方面，在晶片的膜的构造为未知的情况下，难以基于晶片间的构造的差异选择合适的数据。例如，在使用任意选择的多个数据来进行处理中的剩余膜厚度、处理的深度的检测的情况下，在具有与对应的膜构造不同的构造的晶片中，精度显著降低。
18.因此，存在若不预先取得与所产生的晶片的膜构造的形状、尺寸、材质等的偏差的全部对应的反射光的干涉光的强度的数据，就不能使用具有这样的数据的db以高的精度检测剩余膜厚度、处理深度这样的问题。作为这样的膜构造的偏差，不仅包含蚀刻对象膜的基底膜的厚度，还包含构成膜构造的掩模层的厚度、宽度等尺寸、蚀刻对象膜的下层的膜的形状、尺寸、槽、沟槽的宽度、间距、蚀刻对象的膜的周围的膜层的形状、尺寸等构造，包含给蚀刻对象膜的剩余膜厚度、深度与来自晶片的反射光的干涉光的强度的关系带来变动的全部要因。
19.此外，存在根据晶片上的反射光的检测位置、范围，引发反射光的膜的构造不同的情况，这时，也与上述同样地，在具有不同于与db中所含的反射光的干涉光的数据对应的膜构造的膜构造的晶片的处理中，存在不能使用来自该晶片的反射光实现高的精度的剩余膜厚度、处理的深度的检测的问题。此外，在多个晶片各自中蚀刻对象膜与周边材料的蚀刻处理的选择比发生偏差的情况下，在反射光所引起的干涉光的强度中也会产生偏差。在不使用与具有这样的选择比的偏差的多个膜构造对应的反射光的数据的情况下，与上述同样，会有损处理中的剩余膜厚度、处理的深度的检测的精度。
20.进而，在为了得到来自晶片的反射光而从配置于处理容器的外部的光源对晶片照射光的情况下，在有光源的光谱的偏差、处理中形成于处理容器内的等离子光的强度的伴随时间的经过的变化的情况下，也会出现与上述同样的问题。该问题的原因不仅在于晶片表面的膜，也在于使光变动的膜，难以预先取得这样的变动的模式。因此，即使预先实际处
理晶片来取得反射光的数据，也由于光的变动与多个晶片各自之间相关较小，因此不能合适地选择反射光所涉及的数据，有损与这些变动对应地检测剩余膜厚度、处理深度的精度。
21.如以上叙述的那样，在现有技术中，在无法充分得到晶片上的膜构造、检测到反射光的位置、范围、蚀刻对象与其他材料的选择比的偏差、光源的光谱、等离子光时间变化的变动的大小的信息的情况下，不能从与这些偏差/变动对应的晶片表面合适地选择反射光的数据，会出现有损使用晶片的处理中的该反射光检测剩余膜厚度、处理深度等处理的量的精度的问题。
22.本发明的目的在于，提供能以高的精度检测晶片处理中的处理对象的膜层的剩余膜厚度等处理的量的等离子处理装置或等离子处理方法。
23.用于解决课题的手段
24.为了解决上述课题，代表性的本发明的等离子处理装置之一通过如下达成，等离子处理装置对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，所述等离子处理装置具备：受光器，其在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片表面接受多个波长的光；和检测器，其使用将表示所接受的所述多个波长的光的强度的数据和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的比较数据进行比较的结果，来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量，所述检测器基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据，将各晶片彼此之间的相似度数值化，基于被数值化的所述相似度选择至少1个数据，并将其作为比较数据，将该比较数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较，来检测所述处理的量。
25.代表性的本发明的等离子处理方法之一通过如下达成，对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在所述等离子处理方法中，具有：测定工序，在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片表面接受多个波长的光；和检测工序，使用将表示该接受的多个波长的光的强度的数据和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的比较数据进行比较的结果来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量，在所述检测工序中，基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据，来将各晶片彼此之间的相似度数值化，基于被数值化的所述相似度选择至少1个数据，并将其作为比较数据，将该比较数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较，来检测所述处理的量。
26.发明的效果
27.根据本发明，能提供能以高的精度检测晶片处理中的处理对象的膜层的剩余膜厚度等处理的量的等离子处理装置或等离子处理方法。
28.上述以外的课题、构成以及效果会通过以下的实施方式的说明而得以明确。
附图说明
29.图1是示意表示本发明的实施方式所涉及的等离子处理装置的构成的概略的图，(a)是其整体图，(b)表示膜厚/深度算出部的结构。
30.图2是示意表示预先配置于图1所示的实施方式的处理对象即半导体晶片上表面
且层叠了包含处理对象的膜层的多层的膜的膜构造的结构的概略的纵截面图，(a)表示处理前后的状态，(b)表示膜厚发生偏差的状态。
31.图3是表示对多片具有图2所示的膜构造的处理对象的晶片进行蚀刻处理的情况下得到的反射光以及从其检测到的剩余膜厚度的值的变动的示例的图表，(a)表示波长与反射强度的关系，(b)表示在对多片晶片的处理中检测膜厚/深度并实施终点判定的结果。
32.图4是表示图1所示的实施方式对具备图2所示的膜构造的晶片实施蚀刻处理的处理中的剩余膜厚度、和以多个波长为参数的来自晶片的反射光的强度的值的模式的图表，(a)表示绘图(map)，(b)表示膜厚光谱。
33.图5是表示图1所示的本实施方式所涉及的等离子处理装置处理的多个晶片各自的处理中检测到的反射光的光谱与各光谱间的差的总和的示例的图表，(a)表示光强度与波长的关系，(b)表示误差与波长的关系，(c)表示误差总和与掩模膜厚的关系。
34.图6是表示图1所示的本实施方式所涉及的等离子处理装置处理的多个晶片各自的处理中所检测到的反射光的光谱的误差的总和的图表，(a)表示误差总和与晶片编号的关系，(b)表示处理后膜厚与处理晶片片数的关系。
35.图7是表示与图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的变形例对图2所示的膜构造进行处理时得到的来自晶片表面的光相关的量的图表，(a)表示光强度与厚度的关系，(b)表示误差总和与掩模膜厚的关系。
36.图8是将图7所示的变形例对具有图2所示的膜构造的多个晶片进行处理的处理中得到的反射光的数据的误差的总和的值按各晶片的每个编号来表示的图表。
37.图9是将图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的其他变形例对具备图2所示的膜构造的晶片进行的蚀刻处理的处理中的剩余膜厚度、与以多个波长为参数的来自晶片的反射光的强度的值的模式的关系作为绘图而示出的图表。
38.图10是表示相对于图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的其他变形例对具备图2所示的膜构造的晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的处理对象的膜的剩余膜厚度的变化的、特定的波长的光的强度下的1次微分的值的变化的一例的图表。
39.图11是表示图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的处理对象的膜为给定的剩余膜厚度的情况下的多个波长的反射光的强度的一例的图表。
40.图12是表示第1以及第2主分量值的与各晶片的掩模层的初始的厚度的关系的一例的图表，(a)表示第1主分量与掩模膜厚的关系，(b)表示第2主分量与掩模膜厚的关系，其中，该第1以及第2主分量是对图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度的多个数据进行主分量分析而得到的。
41.图13是表示对图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度的多个数据使用等距映射(isometric mapping)而得到的各数据彼此的距离的方差的最大值、与各晶片的掩模层的初始的厚度的关系的一例的图表。
42.图14是表示以使用来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度下的多个数据各自而检测到的其他晶片的给定的剩余膜厚度的误差的值为分量的数据表格的一例的表，该
来自晶片表面的膜构造的反射光是图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行蚀刻处理，在处理中得到的。
43.图15是表示能检测从图14所示的本发明的实施方式的其他变形例所涉及的数据表格选择的n个晶片的剩余膜厚度的数据库晶片的组合的表。
44.图16是示意表示检测图1所示的实施方式的又一其他变形例所涉及的等离子处理装置对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行蚀刻处理时的来自晶片的反射光的晶片表面的位置的顶视图。
45.图17是按多个等离子处理装置的每一者示出使用来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度的多个数据的各自而检测到的其他晶片的给定的剩余膜厚度的误差的总和的图表，其中该来自晶片表面的膜构造的反射光是图1所示的实施方式的又一其他变形例所涉及的多个等离子处理装置对具备图2所示的膜构造的多个晶片的各自进行蚀刻处理，在处理中得到的。
46.图18是表示图1所示的实施方式的又一其他变形例所涉及的等离子处理装置对具备图2所示的膜构造的晶片进行蚀刻的处理中使用来自晶片的反射光而检测到的晶片上的处理对象的膜层中的剩余膜厚的伴随时间的经过的变化的示例的图表。
47.图19是示意表示监视图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的系统的结构的概略的框图。
具体实施方式
48.(实施方式的概要)
49.在以下叙述的本发明的等离子处理方法或等离子处理装置的实施方式中，取得表示对多个晶片实施蚀刻等处理时的来自晶片表面的反射光的强度或其变化的数据，基于该各晶片的反射光的强度的数据来算出各晶片彼此之间的相似度，作为数值。进而，使用算出的这些相似度的数值，来选择或算出建立了以来自晶片的光的波长为参数的光的强度与剩余膜厚度或处理的深度的关系的多个数据，使用这些数据来进行处理中的剩余膜厚度或深度的检测。
50.取得来自其表面的反射光的数据的多个晶片是相同的处理的工序中的多个(2片以上)晶片即可，例如适于使用实施量产成为产品的半导体器件的工序的晶片(产品用晶片)。此外，也可以取代使用这些产品用晶片，使用为了取得上述反射光的数据的目的而在与产品用晶片的处理时的条件同等的条件下处理的测试用晶片。或者，也可以使用基于仿真的数据，其中该仿真重现了处理的工序实施中的反射光，特别是重现了处理中产生的晶片反射光的偏差。
51.作为反射光的数据，使用表示来自处理中的晶片表面的反射光的强度的伴随时间的经过的值的一个整体的多个数据(数据集)。例如，可以将来自蚀刻中的晶片的反射光在各时刻分光成预先确定的多个波长的各自，使用表示按各波长检测到的光的强度的信号作为各时刻的信号而建立了关系的所谓时间序列数据，作为反射光的数据。此外，也可以使用表示在各时间得到的预先确定的波长或给定的范围的每个波长的光的强度的值的时间变化的数据，作为反射光的数据。
52.关于各晶片间的相似度的算出中所用的数据，将至少反映了成为蚀刻处理的对象
的膜的剩余的膜厚度或深度的光的强度作为指标来示出即可。例如，作为该数据，可以使用检测到的来自包含对象的膜层的晶片的表面的反射光的光量的值、将对该光量实施数字信号处理所重叠的噪声、偏移除去或减少从而修正过的数据。在多个晶片的每一者中产生光量的倍率的变动、蚀刻速度的变动等的情况下，该数据也可以是以特定的光的量为基准得到的将光量进行归一化的结果。
53.表示光的强度的指标可以是被整形成能比较多个晶片各自间的差异的形式的数据。例如，在多个晶片彼此之间各自的蚀刻处理中的剩余膜厚度的值的范围、蚀刻的速度不同的情况下，将检测各晶片的光量的各时刻换算成剩余膜厚度，在该晶片彼此间成为相同剩余膜厚度的范围内，使用光量的数据作为表示光的强度的指标即可。此外，在各晶片的处理中所检测的膜厚度的数据的数量(进行检测的处理中的时刻的点数)不同的情况下，可以使用通过样条插值等插值的处理得到的数据来进行点数的插值/重采样处理，使用使数据点数相等的数据，作为表示光的强度的指标。
54.在所得到的反射光的波长的范围或波长的个数在晶片中存在差异的情况下，能进行与上述膜厚度不同的情况同样的处理。另外，作为表示光的强度的指标，不仅可以是以膜厚和波长为参数的所谓二维的数据，也可以是提取了特定的剩余膜厚度下的数据或特定的波长下的数据的一维的数据。
55.算出晶片彼此的光强度的差的值来进行利用了从在各晶片的处理中得到的表面反射的光的强度的晶片间的相似度的算出。例如，算出关于算出相似度的对象的全部晶片得到的二维或一维的数据所表示的光的强度的平均值，对各晶片的光强度数据计算与该平均的光强度的误差绝对值或误差平方等，将它们的总和的值用作相似度的指标。或者，也可以使用相对于平均的光强度的值的从各晶片得到的反射光的光强度的余弦相似度。
56.此外，也可以将通过全晶片的光强度数据的主分量分析算出的主分量值作为相似度的指标。进而，也可以使用对全晶片的光强度数据运用降维手法而得到的值。具体地，能使用isomap，lle、拉普拉斯固有绘图、黑塞固有绘图、谱聚类、扩散绘图、核pca等。
57.基于表示所算出的相似度的数值选择或算出的多个数据是从相似度的数值不同的多个(2个以上)晶片得到的，且选择为包含数值化结果的特定轴的最小以及最大或它们近旁的晶片。例如，从包括数值化轴的最小以及最大在内且具有被它们所夹的数值的晶片在数值化轴上以大致等间隔提取即可。
58.此外，也可以通过在db设定各晶片并对其他晶片实施膜厚估计，来用各晶片的db算出能进行膜厚/深度测定的晶片范围，决定能进行全晶片的膜厚/深度测定的晶片组合，使用所决定的晶片组合内的晶片数成为最小的组合来选择多个db。
59.在此，膜厚/深度的测定可否以膜厚/深度的估计结果与实测结果的误差是否收在任意的目标误差内为基准来决定即可。此外，关于从决定的晶片组合的多个db的选择，可以选择为晶片片数最小且膜厚/深度能测定的晶片的累计片数成为最大。进而，在包含明显的异常的晶片数据的情况下，将该晶片从膜厚/深度的测定可否的判断中除外即可。
60.利用了通过这些方法设定的多个db的膜厚/深度的确定方法通过将从评价对象晶片得到的反射光数据和多个db进行比较来进行即可。例如，将评价对象晶片的反射光和各db进行比较，算出各db中的膜厚/深度的估计值，将与各db的反射光的匹配误差最小的db的膜厚/深度的估计值作为当前时刻的膜厚/深度的值即可。匹配误差并不限于该时刻的误
差，可以设为包括过去时刻在内的总和。
61.根据本发明的实施方式，能取得对多个晶片进行蚀刻时的反射光数据，基于各晶片的反射光数据的光强度来将各晶片间的相似度数值化，使用相似度的数值化结果来选择多个db，使用所选择的db来实施膜厚/深度的测量。
62.以下参考附图来说明本发明的实施方式所涉及的检测剩余膜厚度或处理深度并对处理对象的晶片进行处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。在本实施方式中，示出对配置于真空容器内部的处理室内的晶片进行蚀刻处理且具有在处理中检测剩余膜厚/处理深度的单元的半导体制造装置，说明在该半导体制造装置所实施的蚀刻处理中检测剩余膜厚度或处理深度的工序。
63.[实施方式1]
[0064]
以下使用图1到图6来具体说明本发明的实施方式。图1是示意表示本发明的实施方式所涉及的等离子处理装置的构成的概略的图。特别是图1的(a)表示本实施方式所涉及的等离子处理装置的纵截面图的概略。
[0065]
在图中所示的等离子处理装置中，从气体导入单元(不图示)对真空处理室10的内部导入的蚀刻气体通过使用高频电源(不图示)等产生的电力、微波而激发、分解，成为等离子12，通过该等离子12对设置于样品台14的半导体晶片等处理对象16进行蚀刻处理(等离子处理)。
[0066]
气体向真空处理室10内的导入、等离子12的生成以及控制、由未图示的高频电源等进行的向处理对象的电压施加等通过控制部40来进行，实施各设备间的同步/定时调整，以使得实现所期望的蚀刻处理。在将等离子12脉冲化的情况下，脉冲化的控制也通过控制部40进行。这时，关于等离子12，通过将蚀刻气体等离子化的高频电源等所进行的电压施加、微波照射等调制，来切换它们的开启/关闭，等离子被脉冲化。此外，还通过对蚀刻气体的导入进行时间调制，来实施等离子的脉冲化。
[0067]
等离子处理装置具备测定处理对象16的膜厚/深度的机构。从光源18射出的光经由光学系统50以及导入镜头20被导入真空处理室10内，作为照射光22照射到处理对象16。光源部18使用从紫外到红外波长连续的连续光谱光，但在使用特定的波长实施膜厚/深度测定的情况下，使用特定波长的光源即可。来自处理对象16的反射光24经由检测镜头26以及光学系统50被导入检测部28。
[0068]
检测部28由分光器构成，将所导入的光进行分光，检测每个波长的光量。在使用特定波长进行膜厚/深度测定的情况下，检测器并不限于分光器，也可以使用光探测器等。这时，若导入检测部28的光仅是所期望的特定波长，则直接使用光探测器即可，在导入连续光谱光的情况下，在光探测器前级设置用单色仪等仅选择特定波长的机构即可。
[0069]
在此，在图1的(a)中，对真空处理室10导入光的导入镜头20和检测反射光的检测镜头26设置于错开的位置。在该结构的情况下，为了最有效率地检测反射光24，期望将导入镜头20和检测镜头26倾斜设置成朝向以处理对象16为反射面的相同光线上。
[0070]
导入镜头20和检测镜头26的结构并不限于图1的(a)，也可以设为完全同轴构成，将导入镜头20和检测镜头26设为1个来共用。在该情况下，期望构成为镜头的光线方向与处理对象16垂直，能检测作为垂直照射的结果所得到的垂直反射光。此外，在图1的(a)中，记载了1对外部光的导入系统和反射光24的检测系统，但在处理对象16的多个位置测定膜厚/
深度的情况下，设置多个测定系统即可。
[0071]
在图1的(a)中，说明了来自作为光源的外部的光源部18的光进行了入射的情况，但在作为光源而使用等离子12的光的情况下，也可以不使用光源部18。在将等离子12用作光源的情况下，从等离子12放出的光也通过处理对象16反射，与利用光源部18的情况同样地检测反射光24。将检测部28的数据导入膜厚/深度算出部30，来决定膜厚/深度。
[0072]
从数据库选择部60对膜厚/深度算出部30提供在膜厚/深度的决定中所用的数据库。数据库选择部60在有成为多个数据库候补的晶片的数据的情况下，通过将这些晶片数据的光强度进行比较来将各候补的相似度数值化。例如，使用距光强度的平均值的误差绝对值、误差平方的总和、余弦相似度、主分量分析、isomap，lle、拉普拉斯固有绘图、黑塞固有绘图、谱聚类、扩散绘图、核pca等来进行相似度的数值化。使用数值化的各晶片的相似度来进行数据库的选择。
[0073]
使用图1的(b)来说明膜厚/深度算出部30的结构。本图是框图，将图1的(a)所示的膜厚/深度算出部30的结构按起到各功能的每个部分划分成方块，以线或箭头表示彼此之间的数据、信息的交换、流动。
[0074]
如图所示那样，从检测部28导入膜厚/深度算出部30的各波长的光量的时间序列数据d1被数字信号处理部100除去、修正各种噪声、变动，作为时间序列数据d2而供给到波形比较器102。数字信号处理部100中的信号处理在各波长的时间轴上的噪声的除去中使用低通滤波器。低通滤波器例如能使用2次巴特沃斯型的低通滤波器，时间序列数据d2通过下式求取。
[0075]
d2(i)＝b1
·
d1(i)+b2
·
d1(i-1)+b3
·
d1(i-2)-[a2
·
d2(i-1)+a3
·
d2(i-2)]
[0076]
在此，dk(i)表示各数据dk的任意的采样时刻i的数据，系数a、b根据采样频率以及截止频率，数值不同。此外，数字滤波器的系数值例如是a2＝-1.143、a3＝0.4218、b1＝0.067455、b2＝-0.013491、b3＝0.067455(采样频率10hz、截止频率1hz)。
[0077]
在进行表示在各采样时刻得到的光的强度的数据dk的特定的波长域中的噪声的除去的情况下，可以将数据dk经过低通滤波器来实施滤波，也可以使用s-g法(savitzky-golay-method)。此外，在针对数据dk除去各波长的光量偏移，检测相对于时间的经过的光量的变化(时间变化)的情况下，能使用算出多个时刻i的数据dk(i)彼此之间的光量(光的强度)的差分、各时刻i的光强度的变化率(微分值)的信号处理。例如，使用在各采样时刻i得到的数据dk(i)和前后的给定的点数的采样时刻的数据并运用s-g法，将数据dk(i)多项式化且平滑化，来算出微分值，由此得到各采样时刻i的每一个的微分值的时间序列数据d2(i)。
[0078]
这样的数据的处理是称作多项式拟合平滑化微分法的处理，通过下式给出。
[0079]
【数式1】
[0080][0081]
在此，关于权重系数wj，在1次微分计算中例如使用w-2＝-2、w-1＝-1、w0＝0、w1＝1、w2＝2。此外，在2次微分计算中，例如使用w-2＝2、w-1＝-1、w0＝-2、w1＝-1、w2＝2。
[0082]
此外，在任意的采样时刻的数据dk(i)中，在该数据当中所检测的对象的全部波长的光量的值以相同比例进行时间变化的情况下，能运用将各波长的光量的值通过该全部波长的光量的平均值、绝对值的总和的值进行归一化的处理。
[0083]
在本实施方式中，从数字信号处理部100输出的时间序列数据d2(i)在波形比较器102被接收，在该波形比较器102中，使用运算器来进行与作为存放于形模式数据库122内的数据的表示预先取得的膜厚/深度与各波长的光量的相关的至少1个模式数据的比较。在此，所谓模式，是指光谱模式。
[0084]
在波形比较器102中，将模式数据和时间序列数据d2的各采样时刻i的数据d2(i)比较，将在各膜厚或处理的深度或处理的开始后的每个时间的多个波长的光量(光的强度)的模式数据当中与数据d2(i)的模式的差最小的模式数据检测为最接近的模式数据，其中，该模式数据将使波形模式数据库122内的膜厚或处理的深度或处理的开始后的时间的多个值与多个波长的光的强度的值建立对应的波长作为参数。
[0085]
作为差最小的模式的数据，例如能使用多个波长的数据彼此之间的标准偏差最小的数据。算出该最接近的模式的数据的对应的膜厚或处理的深度，作为该采样时刻i的剩余膜厚或处理的深度。将波形比较器102中算出的各采样时刻i的剩余膜厚或处理的深度的值发送到膜厚/深度存储部104，作为时间序列数据d3(i)存放到能与膜厚/深度存储部104通信数据地进行连接的硬盘、半导体制的ram、rom等存储装置内。
[0086]
波形模式数据库122中的各波长的光量数据是通过在数字信号处理部100中实施的信号处理而被处理过的数据。在此，在波形模式数据库122中存在多个膜厚/深度与各波长的光量的模式数据的数据库的情况下，存在将使用各数据库决定的膜厚/深度d3供给到膜厚/深度存储部104的情况。
[0087]
膜厚/深度存储部104将膜厚/深度的时间序列数据d4供给到最佳膜厚/深度决定器106。
[0088]
在最佳膜厚/深度决定器106中，使用从最佳数据库决定器124供给的数据来决定最佳的膜厚/深度，并输出到膜厚/深度算出部30的外部。例如，从最佳膜厚/深度决定器106输出通过从最佳数据库决定器124供给的数据库编号决定的膜厚/深度。
[0089]
在此，在最佳数据库决定器124中，使用从波形比较器102及/或膜厚/深度存储部104供给的数据来决定最佳数据库。例如，将相互的差最小的模式的数据判定为“最佳的”数据，将其选择为用在剩余膜厚度/处理深度的检测中的模式数据，其中，该相互的差最小的模式是作为对最接近从波形比较器102供给的各数据库的模式和当前的模式进行模式匹配的结果。在模式数据的选择中，也可以不仅使用在处理中的当前的时刻i得到的光强度的数据，还使用对过去的时刻的该光强度的数据进行模式匹配的结果所得到的差的合计。在该情况下，选择相对于以还包括过去的时刻在内的多个时刻的波长为参数的光强度的模式数据而差成为最小的模式数据。
[0090]
此外，例如，可以使用从膜厚/深度存储部104供给的各数据库的膜厚/深度的时间序列数据，来将时间与膜厚/深度的相关系数最小的数据库决定为最佳数据库。
[0091]
波形模式数据库122可以使用包含从拟合数据库算出器120供给的多个数据的数据，作为数据库。例如，在拟合数据库算出器120中，使用时间序列数据d1及/或时间序列数据d2、以及从波形模式数据库122供给的数据，来生成包含与表示在当前的时刻i得到的光
强度的数据的模式一致或模式匹配的结果的差的值成为给定的容许范围内的模式数据的数据库，发送并供给到波形模式数据库122。此外，例如，可以将在拟合数据库算出器120中基于预先决定的运算生成的数据库供给到波形模式数据库122。作为算出数据库的预先决定的运算，能使用对2个数据库进行线形插值的方法、对2个以上的数据库以多项式进行插值的运算处理。
[0092]
在图1的(b)的膜厚/深度算出部30中，不仅在波形模式数据库122中存在多个数据库的情况下，而且在仅使用1个数据库的情况下，根据在处理中的任意的时刻i检测到的来自处理对象16的反射光的强度，检测剩余膜厚或处理的深度，并输出表示其的数据。在存放于波形模式数据库122的数据库为1个的情况下，不使用拟合数据库算出器120、最佳数据库决定器124，将表示在膜厚/深度存储部104中检测或算出的膜厚/深度的值的数据原样不变地从膜厚/深度算出部30输出。
[0093]
图1的(a)所示的等离子处理装置使用表示从膜厚/深度算出部30输出的膜厚/深度的信号来实施终点判定。即，在接收到来自膜厚/深度算出部30的信号的终点判定器中，将该信号所示的剩余膜厚度或处理深度的值和预先确定的目标的膜厚度或处理深度的值进行比较，在判定为是给定的容许范围内的情况下，判定为处理到达终点，此外，在处于容许范围外的情况下，判定为未达到。在判定为到达目标的剩余膜厚度或处理深度的情况下，通过未图示的监视器、灯、信号机等报知器报知上述到达，并通过接收到表示到达的信号的控制部40来对等离子处理装置发送蚀刻处理的停止或变更处理的条件的信号。
[0094]
在等离子处理装置中，基于接收到的蚀刻停止信号来使检测到该膜厚度或处理深度的处理对象16的表面的对象膜层的蚀刻处理停止，或者在变更处理的条件后实施接下来的对处理对象16的处理的工序。通过该动作，本实施方式的等离子处理装置能使用检测膜厚/深度的结果来进行终点判定。
[0095]
使用图2来说明膜的构造，其中该膜的构造是将在利用了上述实施方式所涉及的等离子处理装置的检测膜厚/深度并实施的蚀刻处理的对象即处理对象16的表面预先形成的多层的膜层叠而得到的。图2是示意表示预先配置于图1所示的实施方式所处理的处理对象即半导体晶片上表面且层叠包含处理对象的膜层的多层的膜的膜构造的结构的概略的纵截面图。
[0096]
如图2的(a)的左图所示那样，在该处理对象16的表面的处理前的膜构造中，在si制的基板1的上表面上将基底膜2、处理对象膜3作为下层以及上层，在上下方向上重叠，来进行制膜。在处理对象膜3的上表面上方，在未被覆盖的部位、区域的处理对象的膜层配置有由用于形成预先确定的电路的图案的树脂或处理对象的膜的材料到具有高的选择比的材料构成的掩模4。
[0097]
作为对这样的膜构造进行了蚀刻处理的结果，如图2的(a)的右图所示那样，在处理后的膜构造中，形成处理对象膜3的一部分被除去的构造。另一方面，在这样的成为蚀刻处理的对象的实际的膜构造中，如图2的(b)所示那样，在掩模4的膜厚度的大小中有偏差。即，对于多个处理对象16即晶片，处理前的(处理的初期的)掩模层的膜层存在比平均厚度薄的(厚度小的)情况或比平均厚度厚的(大的)情况。
[0098]
使用图3来说明这样的掩模膜厚的偏差给处理对象16的处理的剩余膜厚/深度或终点的判定带来的影响。图3是示意表示对具有图2所示的膜构造的处理对象的晶片多片进
行蚀刻处理的情况下得到的反射光以及从其检测到的剩余膜厚度的值的变动的示例的图表。
[0099]
图3的(a)是表示处理对象16的晶片表面的处理对象膜的剩余膜厚度相同而掩模的初始的膜厚度不同的情况的来自多个晶片的反射光的量的图表。在本图中，纵轴是将反射光的量变换成晶片反射率时的值。根据图3的(a)，可以看到由于掩模的膜厚度变动，即使处理对象膜的剩余膜厚度的值相同，反射率的大小也不同。即，可知，表示剩余膜厚度的多个波长的反射光的强度的分布、轮廓(profile)(光谱)对应于掩模的厚度而不同。
[0100]
针对上述膜构造的掩模的初始的膜厚度中具有偏差的多片处理对象16的晶片，预先取得对1片晶片进行处理时在处理中的各采样时刻得到的、表示来自晶片的多波长的反射光的量的值的模式与从这些检测到的各时刻的剩余膜厚度或处理深度的相关关系的模式的数据，仅使用这1个数据来在对多片处理对象16的晶片处理中检测膜厚/深度，实施终点判定，将结果在图3的(b)示出，其中，该1片晶片具有具备掩模的膜构造，该掩模具有初始的膜厚度的平均值。
[0101]
在本例中，将对具有掩模的膜厚度的偏差的多片晶片进行了蚀刻处理的情况下的成为终点判定的目标的剩余膜厚度设为130nm。在图中，纵轴取为剩余膜厚度，将在各晶片的蚀刻处理后通过破坏检查等而使用电子显微镜测定剩余膜厚度的结果的值示出为图中的圆点。
[0102]
如本图所示那样，在使用利用从对预先取得的1片晶片的处理中得到的1个模式数据而检测到的剩余膜厚或处理深度判定了终点的情况下，在各晶片的每一个，处理后的实际的处理对象的膜的厚度相对于目标膜厚(130nm)发生偏差，可知有损基于蚀刻处理的膜构造的加工的精度。
[0103]
如此地，在每个处理对象16中在掩模的初始的膜厚度中存在大的变动的情况下，若使用从特定的晶片的处理作为1例而得到的数据来检测膜厚/深度，就会有损终点判定的精度和加工的精度，进而有损处理的成品率，有可能不能实现高的集成度的半导体器件的制造。
[0104]
因此，在本实施方式所涉及的等离子处理装置中，根据在各处理对象16的晶片的处理中得到的反射光，使用多个模式数据来检测膜厚/深度，基于检测到的剩余膜厚或处理深度来判定处理的终点。在本实施方式中，与图3的(b)的示例所示同等地，关于对具有相同材料的膜层在上下方向上层叠的相同种类的膜构造的多片处理对象16的晶片进行蚀刻处理时的、将在处理中的多个时刻从晶片表面得到的多个波长的反射光的强度的数据和剩余膜厚(或处理的工序开始后的时间)建立相关的多个模式数据，预先算出晶片相互的相似度，作为数值。
[0105]
图4的(a)是以绘图表示以对处理对象16的晶片实施的蚀刻处理的处理中的剩余膜厚度和多个波长为参数的来自晶片的反射光的强度的值、与模式的关系的图表。
[0106]
在该图中，表示处理中检测到的反射光的强度的数据并不是与剩余膜厚度建立对应而检测的，而是在处理的工序开始后的处理中的各采样时刻作为多个波长的反射光的光谱而取得。在将各采样时刻换算成剩余膜厚度的处理中，根据初期(时刻0)的膜厚和最终(最终的时刻)的膜厚的值，通过线性内插来分配各时刻的膜厚的值。在各晶片的每个处理中得到图4的(a)所示那样的绘图的数据，由于在各晶片中处理后膜厚、蚀刻速度不同，因此
在图上横轴所取的膜厚度的范围、其点数有可能不同。
[0107]
因此，在本实施方式中，使用预先得到的关于多个处理对象16的晶片的上述反射光的数据来设定这全部晶片中共通的膜厚范围。由此，在该膜厚范围内作成表示每个膜厚1nm的给定的多个波长的光的强度的模式数据。在能对任意的膜厚的值利用预先得到的数据的值的情况下，利用该数据的值，在预先得到的数据中没有该膜厚度的情况下，使用根据关于前后的膜厚的数据通过插值处理算出的值。插值处理例如使用样条插值。
[0108]
如此地，关于膜构造的掩模的初始的膜厚度发生偏差的这多片晶片，根据需要，使用插值处理来作成以处理中的波长为参数的反射光的模式数据。从作成的这些模式数据中提取上述那样使用任意的1个相同的模式数据进行终点判定时的、与处理后的实际的剩余膜厚度最小的晶片对应的数据。以该数据为基准来比较与其他晶片对应的模式数据，算出基于模式数据的晶片间的相似度。
[0109]
在图4的(b)示出如此算出的以某1个剩余膜厚下的波长为参数的光的强度的数据(膜厚的光谱)的示例。图4的(b)的膜厚光谱是图4的(a)中的特定的1个膜厚的光谱。
[0110]
图5是表示基于图1所示的本实施方式所涉及的等离子处理装置处理的多个晶片各自的处理中检测到的反射光而得到的膜厚的光谱与各光谱间的差的总和的示例的图表。在图5的(a)重叠显示从多个晶片各自得到的给定的膜厚的光谱。如本图那样，与各个晶片对应的膜厚的光谱在多个波长下示出不同的值。在图5的(b)中，示出各波长下各个膜厚的光谱的值与它们的平均值的差的值(误差量)。在该图中，作为误差量的大小，示出各晶片彼此之间的相似度，作为数值。
[0111]
进而，对各晶片算出全波长的误差的绝对值的总和，在图5的(c)示出这些值和各晶片的掩模的初始的膜厚度建立了对应的结果。图上的纵轴是表示误差总和的量的值，横轴是各晶片的蚀刻处理工序的开始前的掩模的膜厚(初始的剩余膜厚度)的值。
[0112]
在本例中，前提是构成各晶片的膜构造的各膜层的规格的偏差、例如掩模的初始的膜厚的偏差的大小未知，但在图5的(c)中示出上述算出的每个晶片的相似度的值与掩模的初始的膜厚对应。在本图中，为了方便，将各晶片的掩模的初始的膜厚的值和该各晶片的任意的膜厚的光谱中的多个波长的每一者的误差的总和的值建立对应来绘制，各晶片的膜厚的光谱中的给定的多个波长的误差的总和表示与该晶片各个掩模的初始的膜厚有高的相关。根据本图可知，能使用各晶片的膜厚的光谱的相似度来检测各晶片的膜构造间的构造上的差异的大小。
[0113]
接下来，将多个晶片排序成给定的顺序，附注符号或编号来序列化。例如，将多个晶片按照从各晶片算出的误差的总和的值按从小到大的顺序序列化。在图6的(a)示出如此排序而序列化的多个晶片的各晶片的编号与误差的总和的关系。如上述那样，由于误差的总和与掩模的初始的膜厚有高的相关，因此在本例中，按照晶片的编号越小则掩模的初始的膜厚越厚，越大则掩模的初始的膜厚越小的顺序而附上了顺序。
[0114]
在本实施方式中，选择如此序列化的多个晶片的附注最大编号的晶片、最小编号的晶片、和具有这些晶片之间的编号且其误差的总和与最大编号以及最小编号的晶片的误差的总和之差相等的晶片，使用与这3个选择的晶片对应的上述根据需要使用插值算出的以波长为参数的反射光的强度的模式的3个数据，作为数据库。通过如此地选择用作数据库的反射光中的光谱的模式的数据，能使用与具有偏差的掩模的初始的膜厚度的最小以及最
大的晶片对应的反射光的数据作为数据库。
[0115]
使用如此选择而得到的数据库来选择比较数据，通过将该比较数据和实测数据进行比较来检测晶片的膜厚/深度，在图6的(b)示出基于其结果实施终点判定的结果。在本例中，通过图1的(a)所示的最佳数据库决定器124来选择与各数据库的匹配残差最小的模式数据。进而，在本例中，与图3的(b)同样地使用在掩模的初始的膜厚中有偏差的多个晶片。
[0116]
可知，如本图所示那样，在全部晶片中，处理后的剩余膜厚是其目标的130nm的前后，该误差的大小也成为给定的容许范围内即0.5nm以下，能以高的精度实现目标的处理对象的膜层的加工。从该结果明确了，根据上述本实施方式，在包含处理对象的膜层的晶片上的膜构造的尺寸、形状、材质等的偏差未知的情况下，也能以高的精度检测与处理中的剩余膜厚度、处理深度等的处理相关的量(以下设为处理量)，能使用其以高的精度进行处理的终点的判定。
[0117]
上述多个晶片彼此之间的膜构造的形状、尺寸、材质等的偏差是在处理中检测处理的量上的压力之源之一，本实施方式并不限于上述的种类的偏差，能对在多个晶片彼此之间产生蚀刻处理对象膜的基底膜厚度、沟槽宽度、深度、处理对象膜的下方的膜的构造、周边的构造等这样膜构造的特性的偏差、检测反射光的位置、范围的变动、蚀刻对象膜和其他膜的材料的选择比的变动、光源光谱的变动、等离子光的时间变化的变动等处理的条件的变动的情况适用。此外，显而易见，本实施方式的光强度的指标、各晶片的数据整形、信号处理、晶片相似度的数值化方法、多个数据库的选择方法也并不限于上述。
[0118]
在本实施方式中，将从序列化的多个晶片中选择的3个晶片的数据用作数据库，但数据库数并不限于3个。例如显而易见，通过将序列化的晶片编号的最大、最小以及将这些编号大致等间隔地分割的编号的晶片的反射光的强度的模式的3个以上的数据用作数据库，也能得到与本实施方式同样的效果。此外，显而易见，通过将序列化的晶片的误差的总和的最大值、最小值以及具有将这些值实质等间隔地分割的误差的总和的值的多个晶片的数据用在数据库中，也能得到与本实施方式同样的效果。
[0119]
以下叙述作为各晶片的相似度的数值而使用来自晶片的特定波长的反射光的强度的相对于时间经过的变化(时间变化)的值的情况的示例。在本例中，也进行基于使用多个数据检测到的晶片的处理中的处理的量的处理的终点的判定。关于这些以外的条件，设为与上述的实施方式1相同的结构。
[0120]
图7是表示与图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的变形例对图2所示的膜构造进行处理时得到的来自晶片表面的光相关的量的图表。图7的(a)是表示在晶片的处理中来自晶片表面的反射光的特定波长的光的强度的时间变化的一例的图表。在本图中，作为表示时间变化的参数，将处理中的剩余膜厚度设为横轴，表征光的强度的变化。
[0121]
与上述的实施方式同样地，对于表示在多个晶片的处理中得到的各个晶片的反射光的光谱的数据进行膜厚的分配、膜厚范围的决定，对光谱数据进行插值处理，在图7的(a)示出基于所得到的插值处理数据的特定波长下的膜厚的光强度的变化的一例。可知光强度根据膜厚而振动地变化。
[0122]
图7的(b)是表示相对于图7的(a)所示的特定的波长的反射光的光中的强度的时间变化的全晶片的平均的各晶片的误差与掩模膜厚的相关的一例的图表。与上述实施方式的特定膜厚下的晶片间的光谱比较同样地，提取各晶片的相同波长下的光量的时间变化，
在图7的(b)示出关于各晶片算出距该平均值的平方误差的总和的结果。从该图可知，在利用了光量的时间变化的情况下，各晶片中的误差的总和也示出与掩模膜厚的高的相关，能根据各晶片的光谱的相似度将构造的差异明确化。
[0123]
对多个晶片各自按照误差的总和的值从小到大的顺序附注编号来进行序列化，在图8示出绘制了该晶片的编号与误差的总和值的关系的结果。如图7的(b)所示那样，误差的总和的值与掩模的膜厚度有高的相关，晶片的编号越小，掩模的膜厚度越大，编号越大，掩模的膜厚度越小。据此，在图8中，示出按照晶片的编号的顺序，误差的总和的值一样地增大。
[0124]
在本例中，使用如此序列化的结果，从多个晶片中选择它们的编号最大以及最小的晶片、和处于它们之间且误差的总和的值(图8的纵轴的值)成为相等或近似为能视作相等程度的间隔的晶片这3个晶片，将这些选择的晶片的数据用作波形模式数据库122的数据。通过使用这样的数据，能与值发生偏差的初始的掩模膜厚度的最小值以及最大值对应地，以高的精度进行利用了来自晶片的反射光的处理量的检测。
[0125]
作为基于使用包含这样选择并决定的多个数据而构成的数据库在处理中检测处理量的结果实施了终点判定的结果，与实施方式1的图6的(b)同样，处理后的膜厚在全部晶片都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，显而易见，在本实施方式的利用了多个数据的处理量的检测中，在构造偏差为未知的情况下也能进行正确的处理量的检测，能实现高精度的终点判定。
[0126]
接下来，说明作为用于将预先处理过的各晶片的相似度作为数值进行表征的参数而使用晶片上的膜构造中所含的处理对象的剩余膜厚度与来自该膜构造的反射光的多个波长的二维数据(绘图)的相关的情况的示例。关于除了对多个晶片算出这些相似度的参数以外的条件，设为与上述实施方式、图7、8所示的实施方式相同的结构。
[0127]
与上述的实施方式同样，在图9示出通过对处理过的多个晶片各自的光谱的数据进行膜厚的分配、膜厚范围的决定、对光谱数据进行插值处理而得到的膜厚、波长和强度的插值处理数据的一例。图9是将图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的其他变形例对具备图2所示的膜构造的晶片进行的蚀刻处理的处理中的剩余膜厚度、以多个波长为参数的来自晶片的反射光的强度的值与模式的关系作为绘图来示出的图表。
[0128]
本图所示的数据是与将图4的(a)的绘图的一部分裁出的绘图同样的图表。根据本图的数据，与图4所涉及的上述实施方式的特定膜厚下的晶片间的光谱比较同样，作为算出插值处理数据的全晶片平均值与各晶片的误差绝对值的总和的结果，能得到与图5的(c)同样的掩模膜厚与误差量的相关。
[0129]
因此，通过使用这样的误差量，也能决定与图6的(a)同样的波形模式数据库122的数据库，其结果可知，与图6的(b)同样，对掩模偏差也能实现高精度的膜厚估计。因此，在本例中，显而易见，在包含处理对象的膜的膜构造的特性的偏差为未知的情况下，也能进行正确的处理量的检测，能实现高精度的终点判定。
[0130]
接下来，对根据使用表示反射光的光的强度的数据来检测处理中的处理的量的结果来进行终点判定的示例进行说明，其中，反射光的光的强度通过对预先处理过的多个晶片各自的反射光的数据实施低通滤波、微分值算出、光量归一化等信号处理，基于进行了该信号处理的数据将各晶片的相似度作为数值表征而得到。在本例中，关于实施了上述的信
号处理以外的条件，设为与图1到图9所示的实施方式或变形例相同的结构。
[0131]
与实施方式同样地，对在各晶片的处理中的多个采样时刻得到的光谱数据进行剩余膜厚度的对应建立、剩余膜厚度范围的决定，对光谱数据进行插值处理，在由此得到的数据的各时刻用反射光的多个波长的光的量的平均值将多个各波长的光的量归一化。进而，对于各晶片，从进行该归一化而得到的数据提取相对于剩余膜厚度的变化的特定的波长的光的强度的变化，对于所提取的各晶片的光的量的时间变化，在时间方向上用lpf、s-g法算出1次微分值。在图10示出其结果的示例。
[0132]
图10是表示相对于在图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的其他变形例对具备图2所示的膜构造的晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的处理对象的膜的剩余膜厚度的变化的、特定的波长的光中的强度的1次微分的值的变化的一例的图表。图10所示的与反射光的特定的波长的光相关的光的强度的量的时间变化示出将图7的(a)针对膜厚度方向进行微分而得到的形状。作为算出该光的量的时间变化的微分值的全晶片平均值与各晶片的误差平方和的总和的结果，得到与图7的(b)相同的误差总和与掩模膜厚的相关。
[0133]
因此，通过使用该误差量，也能选择与图8同样的波形模式数据库122的数据，作为其结果可知，与图6的(b)同样，对掩模偏差也能实现高精度的膜厚估计。因此，在本例中，显而易见，在构造偏差为未知的情况下也能进行正确的处理量的检测，能实现高精度的终点判定。
[0134]
接下来，对使用表示反射光的光的强度的数据来检测处理中的处理的量并使用其结果来进行终点判定的示例进行说明，其中，该反射光的光的强度通过将使用实施了与波长轴相关的数据整形的来自晶片的反射光的数据预先处理过的多个晶片彼此的相似度作为数值来表征而得到。在本例中，关于实施了上述的信号处理以外的条件，设为与图1到图9所示的实施方式或变形例相同的结构。
[0135]
在本例中，对于在与上述的示例同样地进行了处理的多个晶片各自的处理中的各个采样时刻得到的反射光的光谱的数据，将剩余膜厚度与其建立对应，实施剩余膜厚度的范围的决定、光谱数据的时间轴(膜厚轴)方向的插值处理。进而，关于波长轴，也对波长方向的数据进行插值处理，以使得在波长240～840nm，波长刻度成为5nm，削减了数据。在图11示出作为其结果得到的多个晶片当中与任意的1个晶片的最薄的剩余膜厚度对应的光谱的数据的一例。
[0136]
图11是表示图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的处理对象的膜为给定的剩余膜厚度的情况下的多个波长的反射光的强度的一例的图表。该光谱成为将图4的(b)中的光谱的一部分裁出的形状。
[0137]
在本例中，也使用该光谱的数据与上述实施方式同样地将多个晶片各自彼此之间的构造的相似度序列化并进行数据选择，使用该选择的数据来检测处理中的晶片的剩余膜厚度，并进行了终点的判定。其结果，能得到与上述实施方式同样的晶片的处理后的剩余膜厚度的偏差。因此，在本例中，也显而易见，在构造偏差为未知的情况下也能进行正确的处理量的测量，能实现高精度的终点判定。
[0138]
接下来，说明作为用于将预先处理过的各晶片的相似度作为数值来表征的参数而使用主分量分析的主分量值的情况的示例。除了为了示出晶片间的相似度而使用主分量分
析这点以外，设为与上述的图1到12所示的实施方式、变形例相同的结构。
[0139]
与上述实施方式同样，对于表示在多个晶片各自的处理中的多个采样时刻得到的反射光的光谱的数据，进行处理对象的剩余膜厚度的对应建立、剩余膜厚度的范围的决定、光谱数据的插值处理，从各晶片提取与相同的剩余膜厚度对应的反射光的光谱的数据。使用所提取的各晶片的光谱来实施主分量分析，在图12的(a)、(b)示出各晶片的掩模膜层的初始的膜厚度与第i主分量、第2主分量的关系。
[0140]
图12是表示对图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的来自晶片表面的膜构造的反射光中的多个光的强度的数据进行主分量分析而得到的第1以及第2主分量值的与各晶片的掩模层的初始的厚度的关系的一例的图表。
[0141]
在这些图中，可知图12的(a)所示的第1主分量值、图12的(b)的第2主分量值均与掩模层的初始的膜厚度示出高的相关。进而，第1主分量值如相对于掩模的初始的膜厚度的值包含极小值并增减的2次函数那样变化。因此，从表示具有图12的(a)那样的相关的多个晶片的反射光的光谱的数据的第1主分量值，无法唯一地确定掩模层的初始的膜厚。
[0142]
另一方面，图12的(b)所示的第2主分量值相对于掩模的初始的膜厚度的变化如1次函数那样，具有实质固定的倾斜度地变化。据此，能使用本图所示的第2主分量值与掩模层的初始的膜厚度的对应建立，来检测多个晶片各自掩模层的初始的膜厚度、和基于其的晶片的相似度。因此，在本例中，根据在多个晶片各自的处理中的各采样时刻得到的反射光的数据算出第2主分量值，使用基于其得到的各晶片彼此之间的相似度来将多个晶片序列化。进而，基于该序列化的结果来选择表示反射光的多个波长的光的强度的模式的数据，将该选择的晶片的数据用作波形模式数据库122的数据。
[0143]
在本例中，使用这些波形模式数据库122的多个数据，根据表示任意的晶片的处理中得到的来自晶片的反射光的光的强度的数据来检测处理中的各采样时刻的处理量，实施了处理的终点的判定。其结果，与图6的(b)同样，处理后的剩余膜厚度在全部晶片中都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，在本例中，也显而易见，在膜构造的特性的偏差为未知的情况下，也能进行正确的处理量的检测，能实现高精度的终点判定。
[0144]
接下来，说明在构成晶片的膜构造的掩模层的初始的膜厚度和配置于处理对象膜的下方的基底的膜厚度中有偏差的情况下将预先处理过的来自多个晶片的干涉光的数据的相似度使用流形学习来数值化的情况的示例。在本例中，也是关于对相似度使用流形学习来数值化这点以外的条件，设为与图1到图12所示的实施方式以及变形例相同的结构。
[0145]
在本例中，也与上述的示例同样地，对于预先处理过的表示在多个晶片各自的处理中的多个采样时刻得到的反射光的光谱的数据进行处理对象的剩余膜厚度的对应建立、剩余膜厚度的范围的决定、光谱数据的插值处理，从各晶片提取相同的剩余膜厚度的光谱的数据。
[0146]
进而在本例中，使用该提取的光谱的数据，将各晶片的相似度用流形学习的非线形降维手法即等距映射来数值化。在等距映射中，将各晶片的光谱作为各数据点，使用该数据点将基于k邻近法(k-nearest neighbor algorithm)的各数据点的近旁关系作为值来进行算出。
[0147]
接下来，使用算出的近旁关系的值来算出k近旁图表上的各数据点间的测地线距
离(geodesic distance)，作成以这些测地线距离的值为分量的测地线距离矩阵。对所作成的测地线距离矩阵通过多维尺度构成法(mds：multi dimensional scaling)来将各数据点投影到低维度的空间。通过以上的过程，各晶片基于对应的光谱的数据的相似度而被映射到低维度的空间，能选择为了使用映射结果估计剩余膜厚度等处理的量所用的数据库的多个数据。
[0148]
在本例中，基于相似度来映射使用等距映射预先处理过的多个晶片各自的反射光的光谱的数据。进而，在图13示出在所映射的低维度的空间上绘制与各晶片对应的多个数据的方差成为最大的第1分量与各晶片的掩模层的初始的膜厚度的相关的结果。
[0149]
图13是示出对于图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行的蚀刻处理的处理中得到的来自晶片表面的膜构造的反射光中的光的强度的多个数据使用等距映射得到的各数据彼此的距离的方差的最大值、与各晶片的掩模层的初始的厚度的关系的一例的图表。能确认基于等距映射的第1分量与掩模膜厚示出高的相关。
[0150]
在本例中，进而，基于所得到的第1分量值，对应于晶片各自之间的相似度的值来将这些晶片序列化，基于其结果来选择反射光的光谱的数据库，作为波形模式数据库122的数据。使用这些多个数据来在任意的晶片的处理中的多个采样时刻检测处理量，使用其结果来实施终点判定，作为该实施终点判定的结果，与图6的(b)同样地，处理后的剩余膜厚度在全部晶片中都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，在本例中，也显而易见，在膜构造的特性的偏差的量为未知的情况下，也能进行正确的处理量的检测，能实现高精度的终点判定。
[0151]
在上述的实施方式或变形例中，如图6或图8所示那样，对应于表示预先处理过的多个晶片各自的处理中得到的来自晶片的反射光的数据之间的相似度的参数的值的大小来对该多个晶片附注编号，进行序列化，将对应于针对多个晶片的该编号而变化的参数的各个值与和该参数的值的平均值的差(误差)或误差的总和的值当中的最大值以及最小值和将它们之间的差实质等分的参数值所对应的晶片的反射光的数据，用在任意的晶片的处理中的多个采样时刻的处理的量的检测中。
[0152]
在取代这样的数据的选择，从上述预先处理过的多个晶片所涉及的数据当中选择与某晶片对应的反射光的数据作为用在处理的量的检测中的数据的情况下，可以使用能以给定的容许范围内的误差检测处理的量的晶片的范围的信息，来选择波形模式数据库122的数据。以下说明选择这样的数据来检测处理的量的示例。
[0153]
在本例中，在选择波形模式数据库122的数据之前，对于成为数据库的候补的多个晶片的处理中得到的多波长的反射光的光的强度数据，以与任意的1个晶片对应的数据为基准数据，将剩余的其他晶片作为进行检测的对象，通过仿真等手法算出该处理中的给定的处理的量(例如终点等的特定的剩余膜厚度)，作为估计膜厚度。进而，对作为检测的对象的其他晶片各自算出特定的剩余膜厚度的实际的值与估计膜厚度的误差。
[0154]
将多个晶片各自作为基准数据用的晶片，将其他晶片作为检测的对象的晶片，来重复上述的误差的算出，关于多个晶片各自，得到将以其为基准而检测到的其他晶片各自的给定的剩余膜厚度的误差的值作为分量的表格或矩阵。在图14示出这样的表格的示例。
[0155]
图14是表示将使用来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度的多个数据的各
自而检测到的其他晶片的给定的剩余膜厚度的误差的值作为分量的数据表格的一例的表，其中，该来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度是图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的又一其他变形例对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行蚀刻处理，在处理中得到的。在本例中，使用图14所示的表格来选择波形模式数据库122的数据。
[0156]
进而，在本例中，在图14所示的表格的估计膜厚度的误差为给定的容许范围(例如1nm以下)的情况下，判定为能检测剩余膜厚度。即，通过将使用与各自被附注1个编号(数据库晶片编号)的n个晶片当中任意的1个晶片对应的反射光的数据检测到的其他(n-1)个晶片的估计膜厚度的误差、和容许范围的上限值的1nm进行比较，能针对上述任意的1个晶片得到在其他(n-1)个晶片当中判定为能使用该1个晶片的数据(比较数据)检测剩余膜厚度的晶片的组合。换言之，能对n个膜厚估计对象的晶片选择能以上述的容许范围内的误差进行膜厚的检测的数据库晶片的组合。
[0157]
这样的数据库晶片的组合存在多个，这些组合成为图15所示的数据表格。图15是表示从图14所示的本发明的实施方式的其他变形例所涉及的数据表格选择的能检测n个晶片的剩余膜厚度的数据库晶片的组合的表。在此，图15的表(表格)从多个组合当中所用的数据库晶片的数量少的组合起依次列举。例如，若选择数据库晶片的数量最少的图15的第1个上的组合，就选择与数据库晶片对应的反射光的数据，作为波形模式数据库122的数据。
[0158]
作为使用这样选择的波形模式数据库122的数据来检测任意的晶片的处理中的处理的量而实施了终点判定的结果，与图6的(b)同样，处理后的膜厚在全部晶片中都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，在本例中，也显而易见，在膜构造的特性的偏差为未知的情况下，也能进行正确的处理量的检测，能实现高精度的终点判定。
[0159]
接下来，说明使用图1的(b)的拟合数据库算出器120在晶片的处理中的多个采样时刻检测处理的量并进行处理的终点判定的示例。在本例中，关于使用拟合数据库算出器120以外的条件，也设为与上述图1到图15所示的实施方式或变形例相同的结构。
[0160]
与实施方式1同样地选择数据库，将所选择的晶片的数据决定为波形模式数据库122的数据库。使用所决定的多个数据库来决定基于处理量监控的终点判定，但在本实施方式中，使用图1的(b)的拟合数据库算出器120来算出在膜厚估计中使用的波形模式数据库122的数据库，将其使用在膜厚估计中。具体的过程在以下叙述。
[0161]
取得从膜厚估计对象的晶片测定的1时刻的光谱，将对该光谱在数字信号处理部100进行信号处理而得到的数据d2供给到拟合数据库算出器120。在拟合数据库算出器120中，从波形模式数据库122也供给多个数据库，例如生成将各2组数据库dbn和dbm以任意的混合率α进行混合的混合数据库dbnm(α)(＝α
×
dbn+(1-α)
×
dbm)。在拟合数据库算出器120中，将数据d2和混合数据库dbnm(α)进行比较，来决定与数据d2误差最小的数据库编号n与m的组合、以及混合率α。
[0162]
将所决定的混合数据库dbnm(α)供给到波形模式数据库122，在波形比较器102中，使用包含混合数据库dbnm(α)的波形模式数据库122的数据库来决定当前时刻的膜厚。此外，将在当前时刻使用的混合数据库dbnm(α)和数据库编号n与m的组合、以及混合率α一起，供给到最佳数据库决定器124。
[0163]
最佳数据库决定器124中的最佳数据库的决定可以与实施方式1同样地选择与测定光谱的误差成为最小的数据库。此外，在本实施方式中，由于生成具有与各时刻的测定光
谱接近的光谱的混合数据库，因此可以将各时刻的混合数据库决定为最佳数据库。
[0164]
基于所决定的最佳数据库，来从最佳膜厚/深度决定器106决定各时刻的膜厚。在本实施方式中，作为将各时刻的混合数据库作为最佳数据库实施了膜厚估计的结果，与实施方式1的图6的(b)同样地，处理后的膜厚在全部晶片中都是目标130nm近旁，膜厚估计误差比实施方式1减少。
[0165]
如本实施方式那样，通过由拟合数据库算出器120生成接近于膜厚估计对象的晶片的光谱的数据库，能进行比将预先处理过的晶片的数据设为数据库更高精度的膜厚估计。根据以上，在利用了本实施方式的多个数据库的处理量监控中，也显而易见，在构造偏差为未知的情况下，也能进行正确的处理量的测量，能实现高精度的终点判定。
[0166]
在上述的示例中，说明了在晶片的膜构造的特性的信息为未知的情况下检测晶片的处理中的处理量的技术。接下来，能在该晶片的处理的开始前取得关于晶片的处理对象膜以外的膜构造的特性的信息的情况。在本例中，关于这点以外的条件，设为与实施方式1相同的结构。
[0167]
本例中，在处理开始前得到例如各晶片的掩模层的初始膜厚来作为处理对象膜以外的膜构造的特性的信息的情况下，使用该掩模层的初始膜厚度的信息来决定存放于波形模式数据库122且用在处理量的检测中的数据。首先，对应于各晶片的掩模层的初始的膜厚度的值的大小来将晶片序列化，按照膜厚度从大到小的顺序赋予晶片编号，对多个晶片各自决定与图6的(a)中的横轴同样的晶片编号。与上述实施方式同样地，选择与掩模层的初始的膜厚度的最大、最小值以及将它们之间实质等间隔地分割的各个值对应的编号的晶片的反射光的数据，作为波形模式数据库122的数据。
[0168]
作为使用所选择的多个数据对对象的晶片进行处理，检测处理中的处理量，基于其结果来实施终点判定的结果，与上述实施方式的图6的(b)同样，处理后的膜厚在全部晶片中都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，在利用了本实施方式的多个数据库的处理量监控中，也显而易见，在构造偏差为未知的情况下，也能进行正确的处理量的测量，能实现高精度的终点判定。
[0169]
如本实施方式那样，在图19示出管理能在处理前取得该晶片的信息特别是与膜构造的特性相关的信息的情况下的处理装置以及处理装置间的信息的监视系统的结构的示例。图19是示意表示监视图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置的系统的结构的概略的框图。
[0170]
在该图所示的示例中，通过处理装置a中未图示的检测器检测包含处于加工状态1的晶片的处理前的掩模的初始的膜厚度的膜构造的尺寸等特性，将表示该检测到的结果的数据供给到处理装置a，使用该数据来在处理装置a中处理晶片。处于该加工状态1的晶片的膜构造的特性的信息、包含处理中的处理对象的膜层的处理量的处理的状态的信息通过被供给到与各处理装置能通信地连接的监视系统例如监视装置a或b，还能在与这些监视装置能通信地连接的其他处理装置例如处理装置b、c、d等中利用。
[0171]
此外，各处理装置中的各晶片的处理的条件等信息也能经由监视系统来在接下来的处理装置中利用。因此，在各处理装置中，能基于比该处理靠前的处理、测量的信息进行与本例同样的数据库的选择，通过在各处理装置中实施利用了该晶片的加工状态的信息的数据库的选择等，能实现高精度的加工。
[0172]
接下来，说明检测处理中的晶片的反射光的晶片上的位置、范围发生变动的情况下选择用在处理量的检测中的反射光的数据的示例。关于该点以外的条件，设为与图1到图15所示的实施方式或变形例相同的结构。
[0173]
图16是示意表示检测图1所示的实施方式的又一其他变形例所涉及的等离子处理装置对具备图2所示的膜构造的多个晶片进行蚀刻处理时的来自晶片的反射光的晶片表面的位置的顶视图。特别是，本图在1个假想的晶片上示出不同的2个等离子处理装置检测晶片上的反射光的位置。
[0174]
如本例那样，在多个等离子处理装置的各自中检测反射光的位置、所检测的波长、光强度的范围不同的情况下，所检测的掩模的初始的膜厚度有可能产生图2的(b)所示那样的偏差，由于该偏差，各装置中的蚀刻对象膜的膜厚度与来自其的反射光的光谱的相关发生变化。此外，由于通过反射光的光谱的波长、强度的范围不同，进入能检测的范围内的图2的(a)所示的模式的比例、其他模式的比例发生变化，因此蚀刻对象膜的膜厚与反射光的光谱的关系有可能根据晶片而变动。
[0175]
发明者们在具备与图1所示的实施方式所涉及的等离子处理装置同等的结构且各自中检测反射光的位置不同的10台等离子处理装置中，与实施方式同样地，对各个等离子处理装置预先处理过的多个晶片各自的处理中得到的反射光的光谱的数据进行剩余膜厚度的对应建立、剩余膜厚度的范围的决定、光谱数据的插值处理，提取多个晶片的与相同的剩余膜厚度对应的反射光的光谱的数据。使用所提取的数据，用与实施方式同样的方法算出各等离子处理装置处理过的晶片的光谱的误差量，在图17示出按等离子处理装置的识别用的每个编号绘制与该误差量的关系的结果。
[0176]
图17是按多个等离子处理装置的每一者示出使用来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度的多个数据的各自检测到的其他晶片的给定的剩余膜厚度的误差的总和的图表，其中，来自晶片表面的膜构造的反射光的光的强度是图1所示的实施方式的又一其他变形例所涉及的多个等离子处理装置对具备图2所示的膜构造的多个晶片各自进行蚀刻处理，在处理中得到的。可知，误差的总和的值在各等离子处理装置中不同，与相同的剩余膜厚度对应的反射光光谱在每个装置中不同。在本例中，选择与这样的误差量的最大值以及最小值和其中间的值对应的等离子处理装置的晶片的反射光的数据，作为存放于波形模式数据库122且用在处理量的检测中的数据。
[0177]
作为使用所选择的多个数据来检测任意的晶片的处理中的在多个采样时刻的处理的量，使用检测结果实施了终点判定的结果，与实施方式的图6的(b)同样，处理后的膜厚在全部晶片中都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，也显而易见，在装置间，在膜厚与光谱的关系不同的情况下，在本例中能进行正确的处理量的测量，能实现高精度的终点判定。
[0178]
接下来，说明在晶片上的膜构造的处理对象的膜层与其他膜层的材料的选择比发生变动的情况下选择用在处理量的检测中的反射光的数据的示例。关于这点以外的条件，设为与图1到图17所示的实施方式或变形例相同的结构。
[0179]
在本例中，包含晶片上的蚀刻对象的膜层的膜构造也与图2的(a)所示的膜构造同样，掩模层的初始的膜厚度在多个晶片间实质相同。另一方面，在本例中，在各晶片的处理中，掩模层与处理对象的膜层的选择比发生变动。因此，存在如下情况：在各晶片中处理对
象的膜层的剩余膜厚度相同时，掩模层的削除量在这些晶片之间不同，从而各晶片的掩模的剩余膜厚度不同。在该情况下，即使在多个晶片中处理对象的膜层的剩余膜厚度相同，来自这些晶片表面的反射光的光谱的数据也不同，产生与在上述实施方式中的掩模层的初始的膜厚度中有变动的情况同样的课题。
[0180]
在本例中，与图1的实施方式同样地，对预先处理过的多个晶片各自的处理中得到的反射光的光谱的数据进行剩余膜厚度的对应建立、膜厚度范围的决定、光谱数据的插值处理，从多个晶片各自的处理中的数据提取相同的剩余膜厚度的光谱的数据。作为对所提取的光谱的数据算出与全部晶片的平均的误差的值，将所算出的误差和各晶片的掩模的膜厚度建立对应的结果，与图5的(c)同样，误差和掩模的剩余膜厚度得到高的相关。基于误差量将晶片排序并序列化，基于排序的结果，与实施方式同样地选择与多个晶片对应的反射光的光谱的数据，作为波形模式数据库122的数据。
[0181]
作为使用所选择的多个数据实施了终点判定的结果，与实施方式的图6的(b)同样，处理后的膜厚在全部晶片中都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，也显而易见，在装置间，在膜厚与光谱的关系不同的情况下，在本例中能进行正确的处理量的测量，能实现高精度的终点判定。
[0182]
接下来，说明在图1的(b)所示的最佳数据库决定器124的最佳数据库决定中使用检测到的剩余膜厚度的时间推移的示例。关于这点以外的条件，设为与实施方式1相同的结构。
[0183]
在图1所示的膜厚/深度算出部30中使用数据库检测的蚀刻中的各采样时刻的剩余膜厚度的时间变化例如成为图18的数据1以及2。图18是表示图1所示的实施方式的又一其他变形例所涉及的等离子处理装置对具备图2所示的膜构造的晶片进行蚀刻的处理中使用来自晶片的反射光检测到的晶片上的处理对象的膜层的剩余膜厚的伴随时间的经过的变化的示例的图表。在本例中，基于各数据所示的检测到的剩余膜厚度与处理中的时刻之间的一次线性地示出的相关性，来估计剩余膜膜厚度。
[0184]
例如，在处理中的各采样时刻，根据到该时刻为止的处理中在过去的多个时刻检测到的多个剩余膜的值和该过去的时刻来算出相关系数，选择相关系数大的数据，作为最佳数据库的数据。例如，在得到图18所示的2个数据1、2所示那样的能实质表征为一次直线的相互的关系的情况下，数据1的相关系数的绝对值是0.99，但数据2的相关系数的绝对值是0.95。因此在本例中，选择相关系数大的数据1，作为最佳数据库的数据。
[0185]
作为使用这样选择为最佳数据库的数据的反射光的光谱的数据在任意的处理中的多个采样时刻检测处理的量，并使用该结果实施了终点判定的结果，与实施方式的图6的(b)同样，处理后的膜厚在全部晶片中都是目标130nm近旁，误差也是0.5nm以下。因此，在本例中，也显而易见，在构造偏差为未知的情况下，也能进行正确的处理量的测量，能实现高精度的终点判定。
[0186]
附图标记的说明
[0187]
10
…
处理室
[0188]
12...等离子
[0189]
14
…
样品台
[0190]
16
…
处理对象
[0191]
18
…
光源部
[0192]
20...导入镜头
[0193]
22
…
照射光
[0194]
24
…
反射光
[0195]
26...检测镜头
[0196]
28
…
检测部
[0197]
30
…
膜厚/深度算出部
[0198]
40
…
控制部
[0199]
50
…
光学系统
[0200]
60...数据库选择部
[0201]
100...数字信号处理部
[0202]
102
…
波形比较器
[0203]
104
…
膜厚/深度存储部
[0204]
106
…
最佳膜厚/深度决定器
[0205]
120...拟合数据库算出器
[0206]
122...波形模式数据库
[0207]
124...最佳数据库决定器
[0208]
d1...从检测部供给的时间序列数据
[0209]
d2...从数字信号处理部供给的时间序列数据
[0210]
d3
…
从波形比较器供给的膜厚/深度数据
[0211]
d4
…
从膜厚/深度存储部供给的膜厚/深度数据。