技术特征：
1.一种钙钛矿化合物的薄膜的制造方法，该方法包含使选自胺基化合物和脒基化合物中的至少一种化合物、包含二价正离子的有机金属化合物以及至少一卤化氢进行反应的过程。2.如权利要求1所述的方法，其中该钙钛矿化合物包含abx3的化合物，a由该胺基化合物的单价有机正离子或是该脒基化合物的单价有机正离子所组成，b由该二价正离子所组成，并且x由至少一卤素化合物组成。3.如权利要求1所述的方法，其中该钙钛矿化合物包含abx3的化合物，a在以x比例添加胺基化合物的单价有机正离子且以y比例添加脒基化合物的单价有机正离子的结构中组成，x及y的每一者大于0，且x+y＝1，b由该二价正离子所组成，并且x由至少一卤素化合物组成。4.如权利要求1所述的方法，其中包含该二价正离子的该有机金属化合物由以下化学式1所表示的化合物组成：化学式1于化学式1中，r1至r
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各自独立地由氢或烷基所组成，且x选自由铅、锡、锗、锑、铋及钡组成的群组。5.如权利要求1所述的方法，其中包含该二价正离子的该有机金属化合物选自由pb(ch3)4、pb(c2h5)4、pb(scn)、(c2h5)3pboch2c(ch3)3、pb(c
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o2)2、pb((ch3)3c-cochcoc(ch3)3)2、pb((c6h5)2pch2p(c6h5)2)2、pb(n(ch3)2c(ch3)2oh)2及c
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n2o2pb组成的群组。6.如权利要求1所述的方法，其中进行反应的该过程是藉由添加至少一碱金属基化合物所进行。7.如权利要求6所述的方法，其中该碱金属基化合物由以下化学式2所表示的化合物所组成：化学式2
在化学式2中，r1至r6各自独立地由氢或烷基所组成，且y为烷基金属。8.如权利要求1所述的方法，其中在反应中会得到作为副产物的六甲基二硅氮烷。9.如权利要求1所述的方法，其中该方法是在介于室温至摄氏200度的温度范围内藉由化学气相沉积过程所进行。10.一种钙钛矿化合物的薄膜的制造方法，该方法包含：第一步骤，供应作为第一来源材料的一胺基化合物、一脒基化合物以及一包含二价正离子的有机金属化合物中的至少一种化合物；第二步骤，吹除该第一来源材料；第三步骤，供应作为第一反应物的至少一卤化氢；以及第四步骤，吹除该第一反应物。11.如权利要求10所述的方法，更包含：第五步骤，在该第四步骤之后供应第二来源材料；第六步骤，吹除该第二来源材料；第七步骤，供应作为第二反应物的至少一卤化氢；以及第八步骤，吹除该第二反应物，其中，该第一来源材料为选自该胺基化合物及该脒基化合物中的至少一种化合物且该第二来源材料为包含该二价正离子的该有机金属化合物，或是该第一来源材料为包含该二价正离子的该有机金属化合物且该第二来源材料为选自该胺基化合物及该脒基化合物中的至少一种化合物。12.如权利要求10所述的方法，更包含：第五步骤，在该第四步骤之后同时供应第二来源材料以及包含至少一卤化氢的第二反应物；以及第六步骤，吹除该第二来源材料以及该第二反应物，其中，该第一来源材料为选自该胺基化合物及该脒基化合物中的至少一种化合物且该第二来源材料为包含该二价正离子的该有机金属化合物，或是该第一来源材料为包含该二价正离子的该有机金属化合物且该第二来源材料为选自该胺基化合物及该脒基化合物中的至少一种化合物。13.如权利要求10所述的方法，其中该第一步骤更包含供应至少一碱金属基化合物的过程。14.如权利要求10所述的方法，其中该第三步骤是在等离子体状态中进行。15.如权利要求10所述的方法，其中该第一步骤供应该胺基化合物及该脒基化合物中的至少一种化合物，且该第三步骤同时供应该至少一卤化氢以及包含该二价正离子的该有机金属化合物，或是该第一步骤供应包含该二价正离子的该有机金属化合物，且该第三步骤同时供应该至少一卤化氢以及该胺基化合物与该脒基化合物中的至少一种化合物。16.一种太阳能电池的制造方法，该方法包含：形成晶体太阳能电池的过程；在该晶体太阳能电池上形成缓冲层的过程；在该缓冲层上形成钙钛矿太阳能电池的过程；以及
在该钙钛矿太阳能电池上形成第一电极并在该晶体太阳能电池上形成第二电极的过程，其中形成该钙钛矿太阳能电池的该过程包含使选自一胺基化合物及一脒基化合物中的至少一种化合物、包含一二价正离子的一有机金属化合物以及至少一卤化氢进行反应的过程。17.如权利要求16所述的方法，其中该缓冲层及该钙钛矿太阳能电池形成为凹凸结构，并且该方法更包含在该钙钛矿太阳能电池上形成具有凹凸结构的钝化层的过程。18.如权利要求16所述的方法，其中该缓冲层以及该钙钛矿太阳能电池形成为平坦结构，并且该方法更包含在该钙钛矿太阳能电池上形成具有凹凸结构的钝化层的过程。
技术总结
本发明关于一种钙钛矿化合物的薄膜的制造方法，包含使选自胺基化合物及脒基化合物中的至少一种化合物、包含二价正离子的有机金属化合物以及至少一卤化氢进行反应的过程，和一种使用其制造太阳能电池的方法。根据本发明，因为是藉由通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition:CVD)过程及原子层沉积(Atomic Layer Deposition；ALD)过程进行反应来制造钙钛矿化合物，所以可加强阶梯覆盖率，因此可形成具有均匀厚度的薄膜且也可解决溶剂残留的问题。问题。问题。
技术研发人员：金宰湖
受保护的技术使用者：周星工程股份有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2022/6/10