技术特征：
1.一种半导体模块，具备：层叠基板，在所述层叠基板中，在绝缘板的上表面配置有多个电路板；半导体元件，其配置在规定的电路板上，在所述半导体元件的上表面具有主电极、栅极焊盘以及与所述栅极焊盘电连接的栅极流道；以及布线构件，其将所述主电极与其它电路板电连接，所述栅极流道以将所述主电极分割为一方侧和另一方侧的方式延伸，所述布线构件以跨越所述栅极流道的上方的方式配置。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述半导体元件具有在俯视时呈矩形的形状，所述栅极焊盘配置在所述半导体元件的与所述一方侧对应的一边上，所述其它电路板隔着所述半导体元件的与所述另一方侧对应的另一边配置于所述栅极焊盘的相反侧，所述栅极流道与所述布线构件在俯视时交叉。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述栅极流道以将所述半导体元件的上表面中央分割的方式延伸，将所述主电极分割为至少2个。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体模块，其中，所述布线构件由多个导体线构成。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块，其中，还具备第二布线构件，所述第二布线构件比所述布线构件短，且在所述另一方侧具有至少1个连接点。6.根据权利要求5所述的半导体模块，其中，所述布线构件在所述半导体元件的上表面的所述一方侧具有至少1个连接点。7.根据权利要求5或6所述的半导体模块，其中，所述布线构件和所述第二布线构件的在所述另一方侧的连接点的数量比在所述一方侧的连接点的数量多。8.根据权利要求5或6所述的半导体模块，其中，所述布线构件和所述第二布线构件的在所述一方侧的连接点的数量与在所述另一方侧的连接点的数量相同。9.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体模块，其中，所述半导体元件是将绝缘栅双极型晶体管即igbt与续流二极管即fwd一体化而成的逆导型igbt元件即rc-igbt元件，所述半导体元件还具有在俯视时呈带状地延伸的多个igbt区和fwd区，多个所述igbt区与所述fwd区交替地配置。10.根据权利要求9所述的半导体模块，其中，所述igbt区及fwd区沿与所述栅极流道交叉的方向延伸。11.根据权利要求9或10所述的半导体模块，其中，所述igbt区具有比所述fwd区的宽度大的宽度。12.根据权利要求9至11中的任一项所述的半导体模块，其中，
所述布线构件在俯视时相对于所述igbt区和所述fwd区的延伸方向倾斜。13.根据权利要求9至11中的任一项所述的半导体模块，其中，所述布线构件具有至少1个在俯视时与所述igbt区及所述fwd区这双方重叠的连接点。14.根据权利要求1至13中的任一项所述的半导体模块，其中，所述半导体元件具有在俯视时呈矩形的形状，所述半导体元件还具有配置在矩形形状的一边上的栅极焊盘，所述栅极流道具有：外周部，其从所述栅极焊盘起沿着所述半导体元件的外周缘延伸；以及直线部，其与所述外周部相连，且以将所述半导体元件的中央分割的方式延伸，所述布线构件以跨越所述直线部和/或外周部的上方的方式配置。15.一种半导体模块，具备：层叠基板，在所述层叠基板中，在绝缘板的上表面配置有多个电路板；半导体元件，其配置在规定的电路板上，在所述半导体元件的上表面具有主电极、栅极焊盘以及与所述栅极焊盘电连接的栅极流道；以及布线构件，其将所述主电极与其它电路板电连接，所述半导体元件是将绝缘栅双极型晶体管即igbt与续流二极管即fwd一体化而成的逆导型igbt元件即rc-igbt元件，所述半导体元件还具有在俯视时呈带状地延伸且交替地配置的多个igbt区和fwd区，所述栅极流道具有：第一直线部，其以将所述主电极分割为一方侧和另一方侧的方式延伸；以及第二直线部，其与所述第一直线部相向地配置，且沿着所述半导体元件的外周缘延伸，所述第一直线部及所述第二直线部沿与所述igbt区及所述fwd区交叉的方向延伸，所述布线构件以至少跨越所述第一直线部的上方的方式配置，所述布线构件的与所述主电极的连接点的至少一部分在俯视时同位于与所述第一直线部及所述第二直线部等距离的位置的中心线重叠。16.根据权利要求15所述的半导体模块，其中，所述中心线在所述第一直线部与所述第二直线部之间与所述第一直线部及所述第二直线部平行地延伸。17.根据权利要求15或16所述的半导体模块，其中，所述半导体元件具有在俯视时呈矩形的形状，所述半导体元件在矩形形状的一边上配置有所述栅极焊盘，所述第二直线部由从所述栅极焊盘起沿着所述半导体元件的外周缘延伸的外周部的一部分构成，所述外周部构成所述半导体元件的耐热构造部，所述第一直线部与所述外周部相连，且以将所述半导体元件的中央分割的方式延伸。18.根据权利要求15至17中的任一项所述的半导体模块，其中，所述布线构件沿在俯视时与所述第一直线部交叉的方向延伸，所述布线构件的连接点具有在俯视时在所述布线构件的延伸方向上长的长圆形状。19.根据权利要求15至18中的任一项所述的半导体模块，其中，
所述布线构件的连接点在俯视时与所述igbt区重叠。20.根据权利要求15至19中的任一项所述的半导体模块，其中，所述布线构件的连接点在俯视时与所述fwd区重叠。
技术总结
确保主布线的连接根数来提高对热的耐性。半导体模块(1)具备：层叠基板(2)，在所述层叠基板(2)中，在绝缘板(20)的上表面配置有多个电路板(22、23)；半导体元件(3)，其配置在规定的电路板(22)上，在所述半导体元件(3)的上表面具有主电极、栅极焊盘(30)以及与栅极焊盘电连接的栅极流道(31)；以及布线构件(4)，其将主电极与其它电路板(23)电连接。栅极流道以将主电极分割为一方侧和另一方侧的方式延伸。布线构件以跨越栅极流道的上方的方式配置。构件以跨越栅极流道的上方的方式配置。构件以跨越栅极流道的上方的方式配置。
技术研发人员：山野彰生
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：2021.06.07
技术公布日：2022/8/11