回收机构、基板处理装置以及回收方法与流程

文档序号:31321811发布日期:2022-08-31 02:29阅读:71来源:国知局
回收机构、基板处理装置以及回收方法与流程

1.本公开涉及回收机构、基板处理装置以及回收方法。


背景技术:

2.在专利文献1中公开了如下内容:使在外周部设有磨粒的圆板状的磨削工具旋转,使磨削工具的至少外周面与半导体晶圆呈线状抵接,将半导体晶圆的周端部磨削为大致l字状。半导体晶圆是通过将两张硅晶圆贴合而制成的。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1:日本特开平9-216152号公报


技术实现要素:

6.发明要解决的问题
7.本公开的技术适当地回收自基板去除了的周缘部。
8.用于解决问题的方案
9.本公开的一技术方案是在周缘去除机构中去除了的基板的周缘部的回收机构,该回收机构具备:排出部,其将对去除了的所述周缘部进行回收的回收部与所述周缘去除机构连接;以及路径切换部,其构成为能够切换所述排出部中的所述周缘部的排出路径。
10.发明的效果
11.根据本公开,能够适当地回收自基板去除了的周缘部。
附图说明
12.图1是表示重合晶圆的结构例的侧视图。
13.图2是表示晶圆处理系统的结构例的俯视图。
14.图3是表示晶圆处理的主要工序的一个例子的说明图。
15.图4是表示晶圆处理的主要工序的一个例子的流程图。
16.图5是表示改性层相对于重合晶圆的形成例的说明图。
17.图6是表示本实施方式的周缘去除装置的结构的概略的侧视图。
18.图7是表示本实施方式的闸门部的结构的概略的放大图。
19.图8是表示本实施方式的回收机构的动作例的说明图。
20.图9是表示本实施方式的回收机构的动作例的说明图。
21.图10是表示本实施方式的回收机构的动作例的说明图。
22.图11是表示回收机构的其他的结构例的说明图。
23.图12是表示回收机构的其他的结构例的说明图。
24.图13是表示另一实施方式的回收部的结构的概略的说明图。
具体实施方式
25.近年来,在半导体器件的制造工序中,对将表面形成有多个电子电路等器件的半导体基板(以下,称为“第1基板”)与第2基板接合而成的重合基板进行对该第1基板的背面进行磨削而使其薄化的处理。
26.另外,通常,第1基板的周缘部进行有倒角加工,但也如专利文献1所公开的那样,当对第1基板的背面进行磨削处理时,第1基板的周缘部成为尖锐的形状(所谓的刀刃形状)。于是,在第1基板的周缘部产生破片,第1基板有可能受到损伤。因此,在磨削处理前预先进行对第1基板的周缘部进行削去的、所谓的边缘裁切。
27.上述专利文献1所记载的端面磨削装置是进行该边缘裁切的装置。然而,在该端面磨削装置中,利用磨削来进行边缘裁切,因此在该磨削处理时会产生大量的粉尘(以下,称为“微粒”)。于是,在该微粒在装置的内部飞散的情况下,有可能污染进行处理的基板。
28.因此,本发明人们通过使激光束聚光于作为边缘裁切的去除对象的周缘部与中央部之间的边界,从而形成改性层,并沿着该改性层进行周缘部的剥离(激光裁切加工)。根据这样的激光裁切加工,不用进行如专利文献1那样的磨削就能够进行周缘部的去除,因此能够减少在边缘裁切中产生的微粒量。
29.另外,在像这样利用激光裁切加工来进行周缘部的去除的情况下,去除了的周缘部例如在回收箱被暂时回收、积存之后,自该回收箱废弃。然而,在废弃像这样积存于回收箱的周缘部时,需要中断后续的激光裁切加工,即,在废弃周缘部时,需要使进行激光裁切加工的装置暂时停止。
30.因此,本公开的技术适当地回收自基板去除了的周缘部。以下,参照附图,对作为本实施方式的基板处理装置的周缘去除装置和该周缘去除装置所具备的回收机构进行说明。此外,在本说明书和附图中,对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记,从而省略重复说明。
31.在具备本实施方式的后述的周缘去除装置70的后述的晶圆处理系统中,如图1所示,对将作为第1基板的第1晶圆w与作为第2基板的第2晶圆s接合而成的作为重合基板的重合晶圆t进行处理。而且,在周缘去除装置70中,去除第1晶圆w的周缘部we,并且回收该去除了的周缘部we。以下,在第1晶圆w中,将与第2晶圆s接合的一侧的面称作表面wa,将与表面wa相反的一侧的面称作背面wb。同样地,在第2晶圆s中,将与第1晶圆w接合的一侧的面称作表面sa,将与表面sa相反的一侧的面称作背面sb。
32.第1晶圆w例如是硅基板等半导体晶圆,且在表面wa形成有包含多个器件的器件层d。在器件层d还形成有表面膜fw,隔着该表面膜fw与第2晶圆s接合。作为表面膜fw,例如可举出氧化膜(sio2膜、teos膜)、sic膜、sicn膜或粘接剂等。此外,第1晶圆w的周缘部we进行有倒角加工,周缘部we的截面随着朝向其前端而厚度变小。另外,周缘部we是在后述的边缘裁切部中被去除的部分,例如为从第1晶圆w的外端部起沿径向0.5mm~3mm的范围。
33.第2晶圆s例如是支承第1晶圆w的晶圆。在第2晶圆s的表面sa形成有表面膜fs,周缘部进行有倒角加工。作为表面膜fs,例如可举出氧化膜(sio2膜、teos膜)、sic膜、sicn膜或粘接剂等。另外,第2晶圆s作为保护第1晶圆w的器件层d的保护件(支承晶圆)发挥功能。此外,第2晶圆s不需要是支承晶圆,也可以是与第1晶圆w同样地形成有器件层的器件晶圆。在该情况下,在第2晶圆s的表面sa隔着器件层形成有表面膜fs。
34.此外,在以后的说明所使用的附图中,为了避免图示的烦杂,有时省略器件层d和表面膜fw、fs的图示。
35.首先,对具备本实施方式的后述的周缘去除装置70的晶圆处理系统1的结构进行说明。
36.如图2所示,晶圆处理系统1具有将送入送出站2与处理站3连接为一体的结构。送入送出站2例如与外部之间送入送出能够收纳多个重合晶圆t的盒ct。处理站3具备对重合晶圆t实施期望的处理的各种处理装置。
37.在送入送出站2设有盒载置台10。在图示的例子中,多个、例如3个盒ct在盒载置台10沿y轴方向呈一列地载置自如。此外,载置于盒载置台10的盒ct的个数并不限定于本实施方式,而能够任意地确定。
38.在送入送出站2中,在盒载置台10的x轴负方向侧,与该盒载置台10相邻地设有晶圆输送装置20。晶圆输送装置20构成为在沿y轴方向延伸的输送路径21上移动自如。另外,晶圆输送装置20具有保持并输送重合晶圆t的例如两个输送臂22、22。各输送臂22构成为在水平方向上、在铅垂方向上、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。此外,输送臂22的结构并不限定于本实施方式,而能够采用任意的结构。于是,晶圆输送装置20构成为能够相对于盒载置台10的盒ct和后述的传送装置30输送重合晶圆t。
39.在送入送出站2中,在晶圆输送装置20的x轴负方向侧,与该晶圆输送装置20相邻地设有用于交接重合晶圆t的传送装置30。
40.在处理站3例如设有三个处理块b1~b3。第1处理模块b1、第2处理模块b2以及第3处理模块b3自x轴正方向侧(送入送出站2侧)向负方向侧依次排列配置。
41.在第1处理模块b1设有对由后述的加工装置90磨削了的第1晶圆w的磨削面进行蚀刻的蚀刻装置40、对第1晶圆w的磨削面进行清洗的清洗装置41、以及晶圆输送装置50。蚀刻装置40和清洗装置41层叠地配置。此外,蚀刻装置40和清洗装置41的数量、配置并不限定于此。例如,蚀刻装置40和清洗装置41也可以分别在x轴方向上排列地载置。此外,这些蚀刻装置40和清洗装置41也可以分别层叠。
42.晶圆输送装置50例如配置于蚀刻装置40和清洗装置41的y轴负方向侧。晶圆输送装置50具有保持并输送重合晶圆t的例如两个输送臂51、51。各输送臂51构成为在水平方向上、在铅垂方向上、绕水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。另外,输送臂51的结构并不限定于本实施方式,而能够采用任意的结构。于是,晶圆输送装置50构成为能够相对于传送装置30、蚀刻装置40、清洗装置41、后述的改性装置60以及后述的周缘去除装置70输送重合晶圆t。
43.在第2处理模块b2设有在第1晶圆w的内部形成改性层的改性装置60、进行第1晶圆w的边缘裁切的作为基板处理装置的周缘除去装置70、以及晶圆输送装置80。改性装置60和周缘去除装置70层叠地配置。此外,改性装置60和周缘去除装置70的数量、配置并不限定于此。例如,改性装置60和周缘去除装置70也可以分别在x轴方向上排列地载置。此外,这些改性装置60和周缘去除装置70也可以分别层叠。此外,周缘去除装置70的详细结构随后叙述。
44.晶圆输送装置80例如配置于改性装置60和周缘去除装置70的y轴正方向侧。晶圆输送装置80具有利用未图示的吸附保持面对重合晶圆t进行吸附保持并输送的例如两个输送臂81、81。各输送臂81支承于多关节的臂构件82,构成为在水平方向上、在铅垂方向上、绕
水平轴线以及绕铅垂轴线移动自如。此外,输送臂81的结构并不限定于本实施方式,而能够采用任意的结构。于是,晶圆输送装置80构成为能够相对于蚀刻装置40、清洗装置41、改性装置60、周缘去除装置70以及后述的加工装置90输送重合晶圆t。
45.在第3处理模块b3设有加工装置90。
46.加工装置90具有旋转台91。在旋转台91上设有四个用于吸附保持重合晶圆t的卡盘92。通过旋转台91以旋转中心线93为中心旋转,从而四个卡盘92能够向交接位置a0和加工位置a1~a3移动。另外,四个卡盘92分别构成为能够利用旋转机构(未图示)绕铅垂轴线旋转。
47.在交接位置a0,由晶圆输送装置80进行重合晶圆t的交接。在加工位置a1配置有粗磨削单元94,对第1晶圆w进行粗磨削。在加工位置a2配置有中磨削单元95,对第1晶圆w进行中磨削。在加工位置a3配置有精磨削单元96,对第1晶圆w进行精磨削。此外,在交接位置a0,也可以还进行第1晶圆w的背面wb的清洗。
48.在以上的晶圆处理系统1中设有控制装置100。控制装置100例如是计算机,具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有用于控制晶圆处理系统1中的重合晶圆t的处理的程序。另外,在程序存储部还存储有用于控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作来实现晶圆处理系统1中的后述的晶圆处理的程序。此外,上述程序也可以存储于可由计算机读取的存储介质h,并自该存储介质h加载于控制装置100。
49.接着,对使用如以上这样构成的晶圆处理系统1进行的晶圆处理进行说明。此外,在本实施方式中,在晶圆处理系统1的外部的接合装置(未图示)中将第1晶圆w与第2晶圆s接合,而预先形成重合晶圆t。
50.首先,将收纳有多个图3的(a)所示的重合晶圆t的盒ct载置于送入送出站2的盒载置台10。接着,利用晶圆输送装置20取出盒ct内的重合晶圆t,并向传送装置30输送。
51.接着,利用晶圆输送装置50取出传送装置30的重合晶圆t,并向改性装置60输送。在改性装置60中,向第1晶圆w的内部照射激光束(内部用激光束,例如yag激光),如图3的(b)和图5所示,形成周缘改性层m1和分割改性层m2(图4的步骤p1、步骤p2)。周缘改性层m1在后述的边缘裁切中成为去除周缘部we时的基点。分割改性层m2成为将除去的周缘部we小片化时的基点。
52.当在第1晶圆w的内部形成周缘改性层m1和分割改性层m2时,接着,利用晶圆输送装置80将重合晶圆t自改性装置60向周缘去除装置70输送。在周缘去除装置70中,如图3的(c)所示,以周缘改性层m1和自周缘改性层m1伸展的裂纹c1为基点,去除第1晶圆w的周缘部we(图4的步骤p3)。此外,此时,以分割改性层m2和自分割改层m2伸展的裂纹c2为基点,将周缘部we小片化并分离。此外,周缘去除装置70的边缘裁切的详细方法随后叙述。
53.接着,利用晶圆输送装置80将去除了第1晶圆w的周缘部we的重合晶圆t自周缘去除装置70向加工装置90的交接位置a0的卡盘92输送。接着,使旋转台91旋转,使卡盘92依次向加工位置a1~a3移动。
54.在加工位置a1,利用粗磨削单元94对第1晶圆w的背面wb进行粗磨削(图4的步骤p4)。在加工位置a2,利用中磨削单元95对第1晶圆w的背面wb进行中磨削(图4的步骤p5)。而且,在加工位置a3,利用精磨削单元96对第1晶圆w的背面wb进行精磨削(图4的步骤p6)。
55.如图3的(d)所示,在利用磨削处理将第1晶圆w薄化至期望的厚度时,接着,使卡盘
92向交接位置a0移动。接着,利用晶圆输送装置80将移动到交接位置a0的重合晶圆t向清洗装置41输送。在清洗装置41中,对第1晶圆w的磨削面(背面wb)进行擦洗(图4的步骤p7)。此外,在清洗装置41中,也可以进一步将第2晶圆s的背面sb与第1晶圆w的磨削面一起清洗。
56.接着,利用晶圆输送装置50将重合晶圆t向蚀刻装置40输送。在蚀刻装置40中,利用药液对第1晶圆w的磨削面(背面wb)进行湿式蚀刻(图4的步骤p8)。
57.之后,利用晶圆输送装置50将实施了所有处理的重合晶圆t向传送装置30输送,进而利用晶圆输送装置20向盒载置台10的盒ct输送。这样一来,晶圆处理系统1中的一系列晶圆处理结束。
58.接着,对上述的周缘去除装置70的详细结构进行说明。
59.如图6所示,周缘去除装置70具有将周缘去除机构110与回收机构120相互连接而成的结构。周缘去除机构110去除第1晶圆w的周缘部we。回收机构120对由周缘去除机构110去除了的第1晶圆w的周缘部we进行回收、积存。此外,在回收机构120的回收量超过预先确定的可积存量时,废弃回收了的周缘部we。
60.周缘去除机构110具有在上表面保持重合晶圆t的卡盘111。卡盘111以使第1晶圆w配置于上侧且使第2晶圆s配置于下侧的状态保持该第2晶圆s。另外,卡盘111构成为能够利用旋转机构112绕铅垂轴线旋转。
61.在卡盘111的侧方设有对第1晶圆w的周缘部we施加冲击来去除该周缘部we的插入构件113。插入构件113构成为能够利用移动机构(未图示)朝向保持于卡盘111的重合晶圆t移动,并且构成为能够利用旋转机构(未图示)绕铅垂轴线旋转。插入构件113自第1晶圆w和第2晶圆s的外侧端部向该第1晶圆w与第2晶圆s之间的界面插入。于是,周缘部we被插入于界面的插入构件113上推,之后,在插入构件113插入于界面的状态下使卡盘111旋转,从而该周缘部we以周缘改性层m1为基点自第1晶圆w分离并去除。另外,此时,周缘部we以分割改性层m2为基点被小片化。
62.在卡盘111的侧方以包围保持于卡盘111的重合晶圆t的方式设有杯体114。杯体114的下部与后述的回收机构120连接。杯体114承接利用插入构件113去除了的周缘部we和去除周缘部we时产生的微粒,并向回收机构120排出。
63.回收机构120自上方起依次具有排出部130、闸门部140、回收部150。
64.排出部130具有将周缘去除机构110的杯体114与后述的回收部150连接的配管131,构成由周缘去除机构110去除了的周缘部we和去除周缘部we时产生的微粒的排出流路。配管131的材质没有特别限定,但优选由具有导电性的构件构成,以防止由静电的产生引起的周缘部we、微粒的附着。
65.在构成排出流路的配管131的至少局部的周面形成有作为分离机构的筛网131a(或冲孔)。另外,在配管131的径向外侧以至少覆盖形成有筛网131a的周面的方式设有盖体132。盖体132与具备用于回收微粒的过滤器(未图示)的作为排气部的排气机构133连接。于是,在排出部130,通过启动排气机构133,从而对配管131的内部和所连通的周缘去除机构110的杯体114的内部进行排气,能够经由筛网131a利用上述的过滤器将微粒回收。
66.此外,由周缘去除机构110去除了的周缘部we不被排气机构133抽吸,而是在自重的作用下经过配管131的内部,并在后述的回收部150被回收。换言之,优选以能够像这样使周缘部we适当地落下至回收部150的方式确定筛网131a的开口率和排气机构133的排气量。
67.此外,分离机构的结构并不限定于上述的筛网131a和盖体132,只要能够将周缘部we与微粒适当地分离即可。例如,分离机构也可以由迷宫构造、旋风分离器构造构成。
68.在盖体132的下方形成有在后述的闸门部140的封闭时暂时保管周缘部we的缓冲空间134。缓冲空间134的周面由配管131的设于盖体132的下方的部分构成。另外,缓冲空间134的底面由闸门部140的后述的板状构件141构成。此外,也可以在缓冲空间134的内部设有用于检测缓冲空间134中的周缘部we的积存量的检测部135。作为检测部135,例如能够采用负荷传感器、光电传感器、照相机等。
69.如图7所示,作为路径切换部的闸门部140具有在排出部130与后述的回收部150之间的边界部设置的板状构件141。板状构件141能够利用例如气缸等驱动机构142沿着线性引导件143移动,由此闸门部140构成为开闭自如。于是,在回收机构120中,通过使板状构件141移动而使闸门部140开放,从而能够使排出部130与回收部150连通。
70.此外,如图7所示,在闸门部140的板状构件141与形成缓冲空间134的配管131之间形成有间隙g,以使板状构件141适当地移动。在此,在像这样形成有间隙g的状态下进行闸门部140的开闭动作、即板状构件141的移动的情况下,如上述那样在缓冲空间134中积存于板状构件141的上表面的周缘部we向间隙g侵入,有可能阻碍板状构件141的移动。
71.因此,在本实施方式中,设有用于抑制周缘部we向间隙g侵入的密封构件144。密封构件144的上端部与形成缓冲空间134的配管131的下端连接。另外,密封构件144的下端部至少在闸门部140的开闭动作时与板状构件141接触。作为密封构件144,能够采用在与板状构件141接触时能够适当地抑制周缘部we向间隙g侵入的构件,例如刷、橡胶等。
72.回收部150具有回收箱151、箱收纳体152、连接管153以及重量传感器154。
73.回收箱151将由周缘去除机构110去除了的周缘部we回收于内部。在回收箱151的上表面,在与闸门部140相对的面形成有开口部151a,经由该开口部151a将自排出部130落下的周缘部we回收于内部。回收箱151构成为相对于箱收纳体152(回收部150)装卸自如。
74.此外,上述闸门部140根据该回收箱151相对于回收部150的装卸状态来控制其开闭动作。具体而言,在回收箱151相对于回收部150安装时,使闸门部140开放,在回收箱151相对于回收部150拆卸时,使闸门部140封闭。
75.另外,在回收箱151设有用于封闭开口部151a而使回收箱151的内部密闭的滑动门151b,以在废弃周缘部we时将回收箱151自回收部150拆卸之际,抑制周缘去除装置70所设置于的清洁室内的污染。滑动门151b在回收箱151相对于回收部150安装时开放,在回收箱151相对于回收部150拆卸时封闭。
76.箱收纳体152固定设置于排出部130(闸门部140)的下方,构成为能够在内部收纳回收箱151。于是,通过像这样将回收箱151自箱收纳体152拆卸,从而能够废弃回收于回收箱151的内部的周缘部we。
77.连接管153在回收部150的回收箱151与箱收纳体152之间设置,用以将自排出部130落下的周缘部we适当地回收于回收箱。连接管153的上端的开口部形成为至少大于闸门部140的开口和配管131。另外,连接管153的下端的开口部形成为至少小于回收箱151的开口部151a。
78.作为检测部的重量传感器154设于箱收纳体152的底部,在回收箱151相对于箱收纳体152安装时,该重量传感器154在上表面载置回收箱151。于是,重量传感器154检测在所
载置的回收箱151的内部回收了的周缘部we的积存量(重量)。
79.此外,回收箱151根据由重量传感器154检测的周缘部we的积存量来控制装卸。具体而言,当周缘部we的积存量超过回收箱151的可积存量时,将回收箱151自回收部150拆卸。然后,在将积存于内部的周缘部we废弃了之后,再次向回收部150安装。
80.此外,对回收箱151进行的周缘部we的回收量的检测也可以代替利用重量传感器154进行的周缘部we的重量的检测、或者在此基础上如图6所示那样利用作为检测部的检测传感器155进行。作为检测传感器155,例如能够采用光电传感器、照相机等。
81.此外,回收部150的内部期望具有密闭构造,以抑制对周缘去除装置70所设置于的清洁室造成污染。
82.接着,对使用如以上那样构成的周缘去除装置70进行的周缘部we的去除和回收方法进行说明。
83.首先,利用晶圆输送装置80将重合晶圆t向周缘去除机构110的卡盘111交接、保持。在重合晶圆t的第1晶圆w,在改性装置60中预先形成有周缘改性层m1和分割改性层m2。
84.接着,使插入构件113朝向重合晶圆t移动,并抵接于第1晶圆w与第2晶圆s之间的界面。此时,使插入构件113和卡盘111(重合晶圆t)分别向相反方向旋转。另外,此时,期望利用驱动机构142使板状构件141移动,而使闸门部140开放。
85.接着,使插入构件113进一步朝向重合晶圆t的中心移动,并插入于第1晶圆w与第2晶圆s之间的界面。由此,第1晶圆w的周缘部we被上推,周缘部we以周缘改性层m1为基点自第1晶圆w分离。此时,周缘部we以分割改性层m2为基点小片化并分离。
86.在此,利用插入构件113去除了的周缘部we在自重的作用下向与杯体114的下部连接的回收机构120落下。另外,在去除周缘部we时,如上述那样进行排气机构133的抽吸。由此,经由排出部130对杯体114的内部进行排气,在去除周缘部we时产生的微粒被适当地向回收机构120抽吸。
87.如图8所示,向回收机构120落下的周缘部we在自重的作用下分别经过配管131、盖体132以及缓冲空间134,而向回收部150回收。另外,被抽吸到回收机构120的微粒由于排气机构133的抽吸而分别经过配管131、盖体132以及筛网131a,而向排气机构133的过滤器回收。
88.在本实施方式的周缘去除装置70中,利用重量传感器154、检测传感器155来检测向回收箱151的内部回收的周缘部we的回收量。然后,当检测到的周缘部we的回收量超过回收箱151的可积存量时,将回收箱151自回收部150拆卸,并废弃所积存的周缘部we。
89.在此,如图9所示,在废弃回收于回收箱151的周缘部we时,在拆卸回收箱151之前,利用驱动机构142使板状构件141移动而使闸门部140封闭。于是,通过像这样使闸门部140封闭,从而即使在将回收箱151自回收部150拆卸了的情况下,在周缘去除机构110中去除了的周缘部we也会积存于板状构件141的上表面、即缓冲空间134。即,在自回收箱151废弃周缘部we时,无需使周缘去除装置70的动作停止,而能够继续利用周缘去除机构110去除周缘部we。
90.当积存于回收箱151的内部的周缘部we被废弃时,将回收箱151安装于回收部150。之后,利用驱动机构142使板状构件141移动而使闸门部140开放,如图10所示,使暂时积存于缓冲空间134的周缘部we向回收箱151落下。此时,由于在闸门部140的板状构件141与缓
冲空间134的配管131之间的间隙g设有密封构件144,因此周缘部we不会侵入于间隙g而是适当地向回收箱151回收。
91.而且,当利用闸门部140的开放而将排出部130与回收部150互相连通时,利用插入部件113去除了的周缘部we再次不积存于缓冲空间134地直接回收于回收部150。
92.此外,在本实施方式的周缘去除装置70中,在拆卸回收箱151时,封闭闸门部140而将周缘部we暂时积存于缓冲空间134,从而继续进行周缘去除机构110的边缘裁切。然而,例如,在由检测部135检测到的周缘部we的积存量超过缓冲空间134的可积存量的情况下,也可以中断周缘去除机构110的边缘裁切。此时,也可以在中断边缘裁切之前发出警告。在该情况下,将回收箱151安装于回收部150,在闸门部140开放后再次开始边缘裁切。
93.另外,例如,在由重量传感器154检测到的周缘部we的积存量超过回收箱151的可积存量的情况、且是无法执行回收箱151的拆卸的情况下,也可以中断边缘裁切。在该情况下,执行回收箱151的拆卸,废弃周缘部we,在将回收箱151安装于回收部150之后再次开始边缘裁切。
94.另外,而且,在由重量传感器154检测到的周缘部we的积存量超过回收箱151的可积存量的情况、且是无法执行回收箱151的拆卸的情况下,也可以以暂时封闭闸门部140的方式进行控制。由此,即使在无法拆卸回收箱151的情况下,也能够将周缘部we积存于缓冲空间134,因此能够继续进行边缘裁切。而且,之后,进而在缓冲空间134中也超过周缘部we的可积存量的情况下,也可以中断边缘裁切。在该情况下,执行回收箱151的拆卸,废弃周缘部we,在将回收箱151安装于回收部150之后再次开始边缘裁切。
95.此外,在以上的实施方式中,以针对排出部130仅连接有一个回收部150的情况为例进行了说明,但也可以在排出部130连接多个回收部150。
96.例如,如图11所示,也可以在排出部130连接有两个回收部150。在该情况下,如图11所示,设置两个闸门部140,在一回收箱151的更换时,以向另一回收箱151回收周缘部we的方式切换排出路径,从而不用中断周缘去除机构110的边缘裁切,就能够进行积存于回收箱151的周缘部we的废弃。另外,例如,如图12所示,也可以构成为在排出部130设置两个回收部150,并能够利用一个闸门部140切换周缘部we的排出路径。
97.如上所述,根据本实施方式的周缘去除装置70,通过在回收周缘部we的回收箱151的拆卸时封闭闸门部140,从而能够将周缘部we暂时保管于缓冲空间134。于是,由此,无需使周缘去除装置70的动作停止,不用中断周缘去除机构110的边缘裁切,就能够进行积存于回收箱151的周缘部we的废弃。
98.另外,暂时积存于缓冲空间134的周缘部we能够通过在回收箱151安装后开放闸门部140而适当地向回收部150回收。此时,由于在板状构件141与缓冲空间134之间的间隙g设有密封构件144,因此能够伴随着闸门部140的开放动作,一边清扫所积存的周缘部we一边更适当地使周缘部we向回收部150落下并回收。另外,而且,在闸门部140的下方设有连接管153,该连接管153具有至少比闸门部140的开口大的开口部,因此能够更适当地将周缘部we向回收部150回收。
99.另外,根据本实施方式,在排出部130的盖体132连接排气机构133,由此,能够对回收机构120和杯体114的内部进行抽吸,因此,能够将在去除周缘部we时产生的微粒适当地向排气机构133回收。另外,而且,由于回收机构120具有密闭构造,因此能够适当地抑制微
粒自回收机构120流出。
100.此外,在以上的实施方式中,回收部150构成为将由周缘去除机构110去除了的周缘部we直接回收于回收箱151的内部,但例如也可以构成为能够在回收箱151的内部安装回收袋(未图示)。在该情况下,仅通过更换回收袋,就能够将所回收的周缘部we自回收箱151废弃,因此能够更容易地进行周缘部we的废弃。
101.另外,回收部150也可以构成为能够代替回收箱151而设置回收袋(未图示)。即,也可以构成为能够在连接管153直接安装回收袋。即使在该情况下,也能够通过封闭闸门部140而容易地进行回收袋的更换。
102.另外,例如,在以上的实施方式中,以将周缘去除机构110、排出部130以及回收部150设于同一清洁室内的情况为例进行了说明,但周缘去除机构110与排出部130和/或回收部150也可以设于不同的层。在该情况下,回收部也可以是辅助间(sub-fab)。即,也可以构成为将由周缘去除机构110去除了的周缘部we直接废弃至辅助间。
103.具体而言,如图13所示,回收部250具有相当于回收箱151的滑动框架251、相当于箱收纳体152的框架收纳体252、安装于滑动框架251的内部的回收袋253、以及重量传感器254。框架收纳体252形成密闭区域。在回收部250中,利用重量传感器254检测向回收袋253回收的周缘部we的回收量,在该检测到的回收量超过回收袋253的可回收量时,将滑动框架251自框架收纳体252拆卸并废弃周缘部we。周缘部we的废弃通过更换回收袋253来进行。
104.此外,也可以在回收部250还设有用于检测回收袋253中的周缘部we的回收量的检测机构(未图示)。作为检测机构,例如能够采用光电传感器、照相机等。
105.此外,在上述实施方式中,周缘去除机构110通过将插入构件113插入于第1晶圆w与第2晶圆s之间的界面来去除周缘部we,但周缘去除机构110的结构并不限于此。
106.另外,在上述实施方式中,闸门部140利用驱动机构142滑动移动来进行开闭,但闸门部140的开闭方法也不限于此。例如,闸门部140也可以利用节流机构进行开闭,也可以在回收部150侧进行开闭。
107.应该认为,本次公开的实施方式在所有方面都是例示而不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的方式进行省略、置换、变更。
108.附图标记说明
109.110、周缘去除机构;120、回收机构;130、排出部;140、闸门部;150、回收部;w、第1晶圆;we、周缘部。
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