技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体装置包括：感测部，其设置于所述半导体基板，且检测预先设定的物理信息；感测焊盘部，其设置于所述半导体基板的上表面的上方，并且与所述感测部连接；栅极流道，其设置在所述半导体基板的上表面的上方，且被施加栅极电位；以及分离导电部，其设置在所述感测焊盘部与所述半导体基板之间，且与所述栅极流道分离。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述分离导电部的至少一部分具有与所述栅极流道的厚度相同的厚度。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述分离导电部由与所述栅极流道的材料相同的材料而形成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述分离导电部与所述感测焊盘部电连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述感测部检测在所述半导体基板流通的电流。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在所述感测焊盘部的下方的所述半导体基板设置有晶体管。7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述感测部设置在所述半导体基板的所述上表面的上方，并且检测温度。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：导线布线部，其与所述感测焊盘部的上表面的连接区域连接；层间绝缘膜，其设置在所述分离导电部和所述感测焊盘部之间，且在所述连接区域的下方具有贯通孔；钨部，其设置在所述贯通孔的内部，且将所述分离导电部和所述感测焊盘部电连接，所述钨部包含钨；以及阻挡金属层，其被设置为覆盖所述层间绝缘膜的上表面，且所述阻挡金属层包含钛。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，在俯视时与所述连接区域重叠的连接下方区域，设置有所述钨部的区域的面积为所述连接下方区域的面积的20％以上。10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，所述贯通孔和所述钨部的至少一部分沿着与所述半导体基板的上表面平行的第一延伸方向设置。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述贯通孔和所述钨部的一部分沿着与所述半导体基板的上表面平行且与所述第一延伸方向不同的第二延伸方向设置。
技术总结
本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体装置包括：感测部，其设置于半导体基板，且检测预先确定的物理信息；感测焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与感测部连接；栅极流道，其设置在半导体基板的上表面的上方，且被施加栅极电位；以及分离导电部，其设置在感测焊盘部与半导体基板之间，且与栅极流道分离。且与栅极流道分离。且与栅极流道分离。
技术研发人员：白川彻 阿形泰典 三枝直树 三塚要
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：2021.04.08
技术公布日：2022/10/11