摄像装置的制作方法

文档序号:31945649发布日期:2022-10-26 04:20阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种摄像装置,其具备:半导体基板;多个像素电极,其位于所述半导体基板的上方,分别与所述半导体基板电连接;对置电极,其位于所述多个像素电极的上方;第1光电转换层,其位于所述多个像素电极与所述对置电极之间;和至少1个第1遮光体,其位于所述第1光电转换层内或所述第1光电转换层的上方,所述第1光电转换层包含:半导体量子点,其具有吸收第1波长范围的光的特性;和覆盖材料,其将所述半导体量子点覆盖,具有吸收第2波长范围的光而发出第3波长范围的荧光的特性,所述至少1个第1遮光体将所述第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述至少1个第1遮光体包含光学滤波器,所述光学滤波器位于所述对置电极的上方,将所述第2波长范围的所述至少一部分波长的所述光吸收或反射。3.根据权利要求1或2所述的摄像装置,其中,所述至少1个第1遮光体包含第1电荷输送层,所述第1电荷输送层位于所述第1光电转换层与所述对置电极之间,将所述第2波长范围的所述至少一部分波长的所述光吸收。4.根据权利要求1~3中任一项所述的摄像装置,其中,所述至少1个第1遮光体包含第2光电转换层,所述第2光电转换层位于所述第1光电转换层与所述对置电极之间,将所述第2波长范围的所述至少一部分波长的所述光吸收。5.根据权利要求1~4中任一项所述的摄像装置,其中,所述至少1个第1遮光体包含第1材料,所述第1材料将所述第2波长范围的所述至少一部分波长的所述光吸收,与所述半导体量子点不同,所述第1材料位于所述第1光电转换层内。6.根据权利要求1~5中任一项所述的摄像装置,其中,所述至少1个第1遮光体使所述第1波长范围的至少一部分波长的光透射。7.根据权利要求1~6中任一项所述的摄像装置,其中,所述至少1个第1遮光体将1050nm以下的波长的光吸收或反射。8.根据权利要求1~7中任一项所述的摄像装置,其进一步具备至少1个第2遮光体,所述至少1个第2遮光体位于所述第1光电转换层内、或所述第1光电转换层与所述多个像素电极之间,将所述第3波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。9.一种摄像装置,其具备:半导体基板;多个像素电极,其位于所述半导体基板的上方,分别与所述半导体基板电连接;对置电极,其位于所述多个像素电极的上方;第1光电转换层,其位于所述多个像素电极与所述对置电极之间;和至少1个第2遮光体,其位于所述第1光电转换层内、或所述第1光电转换层与所述多个像素电极之间,所述第1光电转换层包含:
半导体量子点,其具有吸收第1波长范围的光的特性;和覆盖材料,其将所述半导体量子点覆盖,具有吸收第2波长范围的光而发出第3波长范围的荧光的特性,所述至少1个第2遮光体将所述第3波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。10.根据权利要求8或9所述的摄像装置,其中,所述至少1个第2遮光体包含第2材料,所述第2材料将所述第3波长范围的所述至少一部分波长的所述光吸收,与所述半导体量子点不同,所述第2材料位于所述第1光电转换层内。11.根据权利要求8~10中任一项所述的摄像装置,其中,所述至少1个第2遮光体包含第2电荷输送层,所述第2电荷输送层位于所述第1光电转换层与所述多个像素电极之间,将所述第3波长范围的所述至少一部分波长的所述光吸收。12.根据权利要求1~11中任一项所述的摄像装置,其中,所述覆盖材料包含选自由基体材料及具有π共轭性的配体材料构成的组中的至少1者,所述基体材料包含选自由半导体聚合物、半导体共聚物、半导体低聚物、低分子半导体、钙钛矿材料及双钙钛矿材料构成的组中的至少1者。13.根据权利要求1~12中任一项所述的摄像装置,其中,所述第1光电转换层包含相对于所述半导体量子点作为受体发挥功能的第3材料。14.根据权利要求5所述的摄像装置,其中,所述第1光电转换层包含相对于所述半导体量子点及所述第1材料作为受体发挥功能的第3材料。15.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,所述第1光电转换层包含相对于所述半导体量子点及所述第2材料作为受体发挥功能的第3材料。16.根据权利要求1~15中任一项所述的摄像装置,其中,所述半导体基板包含硅。

技术总结
本公开的摄像装置具备:半导体基板;多个像素电极,其位于半导体基板的上方,分别与半导体基板电连接;对置电极,其位于多个像素电极的上方;第1光电转换层,其位于多个像素电极与对置电极之间;和至少1个第1遮光体,其位于第1光电转换层内或第1光电转换层的上方。第1光电转换层包含半导体量子点和覆盖材料,所述半导体量子点将第1波长范围的光吸收,所述覆盖材料将半导体量子点覆盖,吸收第2波长范围的光并发出第3波长范围的荧光。至少1个第1遮光体将第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。或反射。或反射。


技术研发人员:町田真一
受保护的技术使用者:松下知识产权经营株式会社
技术研发日:2021.03.12
技术公布日:2022/10/25
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1