光接收元件和电子设备的制作方法

1.本公开涉及光接收元件和电子设备。更具体地，本公开涉及检测来自对象的光的光接收元件和使用光接收元件的电子设备。


背景技术：

2.在现有技术中，使用设置有各自具有检测来自对象的光的光电转换单元的多个像素的光接收元件。该光接收元件例如用于测量到对象的距离的距离测量装置。通过将来自附接的光源的光照射至对象以检测从对象反射的光，并且测量来自光源的光使光源与对象之间的距离往复运动所花费的时间，可执行到对象的距离的测量。用于测量到这种对象的距离的光接收元件需要以高灵敏度和高速检测光，并且使用雪崩光电二极管(apd)或单光子雪崩二极管(spad)作为光电转换单元，雪崩光电二极管(apd)或单光子雪崩二极管(spad)是光电二极管的种类。这些二极管中的每个是在施加击穿电压附近的反向偏置电压的状态下执行光电转换的光电二极管，并且能够高灵敏度和高速响应。
3.作为这种光接收元件，例如，使用在每个像素中设置apd作为光电转换单元、设置用于分离相邻像素的分离区域，并且在分离区域的侧壁中设置空穴累积区域的光电检测器(例如，参见专利文献1)。从形成在像素之间的边界处的半导体基板的端面上的界面态(interface state)发射的电子被空穴累积区域捕获，因此可减小由来自界面态的电子引起的暗电流。在此，暗电流是与入射光无关地生成的基于电荷的电流，并且导致传感器输出的误差(噪声)。
4.引用列表
5.专利文献
6.专利文献1：jp 2018-201005 a。


技术实现要素：

7.技术问题
8.上述现有技术存在设置为与形成有像素的光电转换单元的半导体基板相邻的布线与像素的分离区域之间的耐压降低的问题。分离区域通过遮挡从相邻像素倾斜入射的光来减少串扰，并且形成为穿透半导体基板的形状。该分离区域由嵌入在半导体基板中的金属形成。这是为了提高遮光能力。由该金属形成并穿透半导体基板的分离区域靠近设置在半导体基板的前表面侧的布线层，并且因此绝缘电阻降低并且耐压降低。因此，存在在布线层与分离区域之间的绝缘层中发生绝缘击穿，并且光学传感器损坏的问题。
9.考虑到上述问题做出了本公开，并且本公开的目的是防止分离区域和布线层之间的绝缘电阻降低。
10.问题的解决方案
11.已经做出本公开以解决上述问题，并且本公开的第一方面是一种光接收元件，包括：具有光电转换单元的像素，每个光电转换单元设置在半导体基板中以执行入射光的光
电转换；分离区域，设置在光电转换单元之间的边界处并将光电转换单元彼此分离；布线层，布线至像素；以及布线层保护膜，设置在分离区域与布线层之间以保护布线层。
12.此外，在第一方面中，分离区域可以包括金属。
13.此外，在第一方面中，分离区域可以包括设置在形成在半导体基板中的凹槽中的金属膜。
14.此外，在第一方面中，分离区域可以进一步包括设置在半导体基板与金属膜之间的绝缘膜。
15.此外，在第一方面中，分离区域可以形成为其底部与布线层保护膜接触的形状。
16.此外，在第一方面中，分离区域可以包括具有穿透半导体基板的形状的金属膜。
17.此外，在第一方面中，光接收元件可进一步包括固定电荷膜，该固定电荷膜是设置在与分离区域相邻的半导体基板中并且具有固定电荷的膜。
18.此外，在上述第一方面中，布线层保护膜由形成槽时抑制半导体基板的蚀刻的膜构成。
19.此外，在第一方面中，布线层保护膜可以由包含氮化硅、碳化硅、氧化硅、氧氮化硅、碳、钨、钛和氮化钛中的任一种的膜形成。
20.此外，在第一方面中，布线层保护膜可被配置为多层。
21.此外，第一方面可以进一步设置在半导体基板与布线层保护膜之间的缓冲层。
22.此外，在第一方面中，缓冲层可以由绝缘材料形成。
23.此外，在第一方面中，缓冲层可以由氧化硅形成。
24.此外，在第一方面中，分离区域可形成为其底部与缓冲层接触的形状。
25.此外，在第一方面中，分离区域可形成为穿透缓冲层的形状。
26.此外，在第一方面中，光电转换单元可以由光电二极管构成。
27.此外，在第一方面中，光电转换单元可以由以高反向偏置电压使通过入射光的光电转换生成的电荷倍增的光电二极管构成。
28.此外，在第一方面中，在光电转换单元中，所生成的电荷可以在由p型半导体区域和n型半导体区域构成的pn结中倍增。
29.此外，在第一方面中，光电转换单元可以包括由n型半导体区域构成的阴极区域。
30.此外，在第一方面中，光电转换单元可包括设置在半导体基板的前表面侧的阴极区域。
31.此外，在第一方面中，光电转换单元可包括设置在半导体基板的前表面侧的分离区域附近的阳极区域。
32.此外，在第一方面中，布线层连接到阳极区域。
33.本公开的第二方面是一种电子设备，包括：具有光电转换单元的像素，每个光电转换单元设置在半导体基板中以执行入射光的光电转换；分离区域，设置在光电转换单元之间的边界处并将光电转换单元彼此分离；布线层，布线至像素；布线层保护膜，设置在分离区域与布线层之间以保护布线层；以及处理电路，处理基于光电转换生成的信号。
34.此外，在第二方面中，光电转换单元可以执行入射在其上的入射光的光电转换，该入射光是通过从光源发射的光被对象反射获得的，并且处理电路可以执行用于通过测量从来自光源的光的照射到信号的生成的时间来测量距对象的距离的处理。
35.此外，在第二方面中，处理电路可执行用于检测信号的变化量的处理。
36.此外，在第二方面中，处理电路可通过与预定阈值进行比较来检测变化量。
37.此外，在第二方面中，处理电路设置在接合到半导体基板的另一半导体基板上。
38.根据本公开的各方面，可获得布线层保护膜设置在分离区域与布线层之间的效果。假设保护布线层。
附图说明
39.图1是示出根据本公开的第一实施例的光接收元件的配置示例的示图。
40.图2是示出根据本公开的第一实施例的像素的配置示例的示图。
41.图3是示出根据本公开的第一实施例的像素的配置示例的截面图。
42.图4是示出根据本公开的第一实施例的分离区域的配置示例的截面图。
43.图5是示出根据本公开的第二实施例的分离区域的配置示例的截面图。
44.图6是示出根据本公开的第三实施例的分离区域的配置示例的截面图。
45.图7是示出根据本公开的第三实施例的分离区域的另一配置示例的截面图。
46.图8是示出根据本公开的第三实施例的分离区域的另一配置示例的截面图。
47.图9是示出根据本公开的第三实施例的分离区域的另一配置示例的截面图。
48.图10是示出根据本公开的第四实施例的像素的配置示例的截面图。
49.图11是示出根据可以应用根据本公开的技术的距离测量装置的光接收元件的配置示例的示图。
50.图12是示出根据可以应用根据本公开的技术的距离测量装置的像素的配置示例的电路图。
51.图13是示出根据可以应用根据本公开内容的技术的距离测量装置的成像装置的配置示例的示图。
52.图14是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的光接收元件的配置示例的示图。
53.图15是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的像素的配置示例的示图。
54.图16是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的电流电压转换电路的配置示例的示图。
55.图17是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的差分器和量化器的配置示例的示图。
56.图18是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的成像装置的配置示例的示图。
具体实施方式
57.接下来，将参考附图描述用于实现本公开的实施例(下文称为实施例)。在以下附图中，相同或相似的部分由相同或相似的参考标记表示。此外，将按照以下顺序描述实施例。
58.1.第一实施例
59.2.第二实施例
60.3.第三实施例
61.4.第四实施例
62.5.距离测量装置的应用示例
63.6.dvs的应用示例
64.《1.第一实施例》
65.[光接收元件的配置]
[0066]
图1是示出根据本公开的第一实施例的光接收元件的配置示例的示图。该图是示出光接收元件2的配置示例的平面图，并且是示出光接收元件2的光接收表面的配置的平面图，光接收元件2的光接收表面是用入射光照射的表面。
[0067]
像素阵列单元10设置在光接收元件2的光接收表面上。该像素阵列单元10是设置在光接收元件2的中心部分中并且用于检测入射光的像素(后面将描述的像素100)以二维网格形状布置的区域。执行入射光的光电转换的光电转换单元(后面将描述的光电转换单元101)设置在像素100中。与通过该光电转换单元101的光电转换生成的电荷对应的光接收信号被生成并从像素100输出。利用该光接收信号可以检测入射光。此外，多个焊盘开口180设置在光接收元件2的端部处。电极焊盘(后面将描述的电极焊盘148)设置在这些焊盘开口180的底部。如后面将要描述的，光接收元件2通过将两个半导体芯片彼此接合来配置。
[0068]
[像素的配置]
[0069]
图2是示出根据本公开的第一实施例的像素的配置示例的示图。该图是示出像素100的配置示例的平面图。在该图中的像素100中，描述了形成在半导体基板110中的半导体区域(半导体区域111和113)、设置在像素100之间的边界处并具有穿透半导体基板110的形状的分离区域150、以及布线层122至124。
[0070]
如后面将要描述的，分离区域150可以形成为壁形状。此外，布线层122至124是为每个像素100设置的布线并且电连接至光电转换单元101等。在图中，具有点阴影线的区域表示半导体区域111等，并且具有阴影线的对角线的区域表示布线层122等。
[0071]
半导体区域111设置在像素100的中心部分中并构成阴极区域。半导体区域113设置在像素100的外围边缘部分中并且构成阳极区域。布线层122构成阳极布线，并连接到半导体区域113。布线层123构成阴极布线，并连接到半导体区域111。布线层124是用于屏蔽的接地线。这种屏蔽抑制了电噪声的影响。该布线层124设置在布线层122与123之间的区域中。
[0072]
[像素的截面的配置]
[0073]
图3是示出根据本公开的第一实施例的像素的配置示例的截面图。该图是沿着图1中的线a-a’的截面图，并且是示出光接收元件2和像素100的配置示例的截面图。此外，如图所示，光接收元件2通过将传感器芯片191和逻辑芯片192彼此粘合而配置。传感器芯片191是设置有后面将描述的光电转换单元101的半导体芯片。逻辑芯片192是设置有用于处理由光电转换单元101生成的信号的处理电路的半导体芯片。
[0074]
图中的像素100包括半导体基板110、布线区域120、半导体基板130、布线区域140、分离区域150、保护膜171和片上透镜172。半导体基板110、绝缘层121和布线层122至124设置在传感器芯片191中。半导体基板130、绝缘层141和布线层142设置在逻辑芯片192中。
[0075]
半导体基板110是设置有执行入射光的光电转换的光电转换单元101的半导体基
板。作为该半导体基板110，例如，可以使用由硅(si)构成的半导体基板。图中的光电转换单元101示出了由spad构成的示例。该光电转换单元101由半导体基板110的阱区域111和设置在阱区域111中的n型半导体区域112、p型半导体区域113和半导体区域114构成。构成阴极区域的n型半导体区域112与p型半导体区域113一起构成pn结。经由阱区域111向该pn结施加反向偏置电压以形成耗尽层。
[0076]
图中的光电转换单元101的光电转换在阱区域111中执行。当由光电效应生成的电荷的电子通过漂移到达pn结的耗尽层时，电子被基于反向偏置电压的电场加速。超过击穿电压的反向偏置电压被施加至构成spad的光电转换单元101。具体地，施加约20v的反向偏置电压。由于该反向偏置电压引起的强电场引起电子雪崩，并且电子雪崩连续发生，并且因此电荷急剧增加。因此，光电转换单元101可以检测单个光子的入射。通过设置这种光电转换单元101，可以制造高灵敏度像素100。半导体区域112和113之间的界面处的pn结附近的区域是执行电荷倍增的区域，并且被称为倍增区域。p型半导体区域114被设置为与阱区域111相邻并且构成阳极区域。该p型半导体区域114形成为包围n型半导体区域112附近的阱区域111的形状。
[0077]
半导体基板110被配置为具有相对厚的膜厚度。这是通过厚地形成构成spad的阱区域111来提高光电转换单元101的灵敏度。半导体基板110可以形成为具有例如几μm的厚度。该阱区域111设置在半导体基板110的背面侧，并且入射光从半导体基板110的背面入射。该半导体基板110的背面相当于光入射面。另一方面，后面将描述的布线区域120设置在前表面上，该前表面是与半导体基板110的后表面相对的表面。分别构成阴极区域和阳极区域的半导体区域112和114设置在半导体基板110的前表面侧。另外，构成阳极区域的半导体区域114设置在后面将描述的分离区域150附近。
[0078]
光电转换单元101的配置不限于该示例。例如，半导体区域112、113和114的导电类型可以彼此互换。具体地，可以采用使用p型半导体区域112和n型半导体区域113和114的配置。在这种情况下，半导体区域112变成阳极区域，并且半导体区域114变成阴极区域。此外，后面将描述的空穴累积区域115变为电子累积区域115。该电子累积区域115是为了累积电子而由n型半导体形成的区域。半导体区域的导电类型可以被描述为第一导电类型和第二导电类型，而不是p型和n型。
[0079]
空穴累积区域115可设置在与后面将描述的分离区域150相邻的半导体基板110中。该空穴累积区域115捕获从形成在半导体基板的端面上的界面态发出的电子。空穴累积区域115可由p型半导体区域构成。来自界面态的电子通过与空穴累积区域115中累积的空穴复合而被捕获。通过设置该空穴累积区域115，可以减小由来自界面态的电子引起的暗电流。另外，如果来自界面态的电子被加速并倍增，则发生故障。通过设置空穴累积区域115，可以防止发生暗电流或故障。图中的空穴累积区域115被设置为与构成阳极的半导体区域114相邻并且电连接到阳极。空穴累积区域可进一步设置在半导体基板110的背面侧的界面处。
[0080]
布线区域120是设置在半导体基板110的前表面侧并且布置有像素100的布线的区域。该布线相当于例如用于将信号发送到光电转换单元101等的布线、用于屏蔽的布线和虚设布线。绝缘层121和布线层122至124设置在该图的布线区域120中。布线层122至124是用于发送来自光电转换单元101的信号等的布线。该布线层122等可以由诸如铜(cu)的金属形
成。绝缘层121使布线层122等彼此绝缘。该绝缘层121可由例如氧化硅(sio2)形成。用于将半导体基板110的半导体区域与布线层122相互连接的接触插头125进一步设置在该布线区域120中。布线层122经由接触插头125连接至构成光电转换单元101的阳极区域的半导体区域114。类似地，布线层123连接到构成阴极区域的半导体区域112。接触插头125可例如由钨(w)形成。此外，图中的布线层122示出了布线层122设置在分离区域150正下方的布线区域120中的示例。
[0081]
在布线区域120中，还设置有焊盘127和通孔插头126。焊盘127是设置在布线区域120的前表面中的电极。该焊盘127例如可以由cu形成。通孔插头126将布线层122等与焊盘127彼此连接。该通孔插头126可例如由cu形成。
[0082]
该图示出了布线层122至124设置在布线区域120的同一层中的示例。对于布线区域120，可采用具有多个布线层的配置，并且还可将布线层122至124设置在布线区域120的不同层中。设置在不同层中的布线可通过通孔插头连接。
[0083]
半导体基板130是接合至半导体基板110的半导体基板。在该半导体基板130中可形成诸如处理电路的元件的扩散区域，处理电路处理由光电转换单元101生成的信号。
[0084]
布线区域140是设置在半导体基板130的前表面侧的布线区域。布线层142和绝缘层141设置在布线区域140中。焊盘147设置在布线区域140的前表面并且通过通孔插头146连接至布线层142。此外，布线层142和半导体基板130通过接触插头145彼此连接。当传感器芯片191接合到逻辑芯片192时，焊盘147和焊盘127彼此接合。信号可经由焊盘147及127在设置于半导体基板110及130中的元件之间交换。可以配置连接光电转换单元和上述处理电路的布线。以这种方式，可以将光电转换单元101和电路彼此电连接的布线设置在布线区域120和140中。此外，构成反射透射穿过半导体基板110的入射光并使入射光再次进入半导体基板110的光学屏蔽的布线层可设置在布线区域120和140中。
[0085]
分离区域150设置在半导体基板110中光电转换单元101之间的边界处，以将光电转换单元101彼此分离。图中的分离区域150示出了分离区域150设置在像素100的边界处的示例。该分离区域150以包围像素100的壁形状形成以将相邻像素100的光电转换单元101彼此分离。此外，分离区域150进一步遮挡入射光。通过相邻像素100倾斜入射的入射光被分离区域150遮挡。因此，可以减少串扰的发生。如图2所述，分离区域150设置成网格状。分离区域150可形成为包括金属。具体地，分离区域150可以通过将w、铝(al)等的金属膜嵌入穿过半导体基板110形成的凹槽部分而形成。
[0086]
保护膜171设置在半导体基板110的背面侧以保护半导体基板110。该保护膜171例如可以由sio2形成。
[0087]
固定电荷膜可设置在半导体基板110与保护膜171之间。该固定电荷膜设置在半导体基板110的表面，并且具有用于固定半导体基板110的界面态的固定电荷。固定电荷膜可例如由氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)、氧化锆(zro2)、氧化钽(ta2o5)和氧化钛(tio2)形成。
[0088]
固定电荷膜还可设置在半导体基板110的设置有分离区域150的凹槽部分中。此外，使由金属形成的分离区域150彼此绝缘的绝缘膜可设置为与分离区域150相邻。该绝缘膜可以在形成上述保护膜171的同时形成。
[0089]
片上透镜172是会聚入射光的透镜。该片上透镜172形成为半球形，设置在半导体基板110的后表面侧，并将入射光会聚在光电转换单元101上。片上透镜172可由诸如氮化硅
(sin)的无机材料或者诸如丙烯酸树脂的有机材料形成。
[0090]
此外，电极焊盘148和焊盘开口180设置在光接收元件2的端部处。电极焊盘148是用于在光接收元件2与光接收元件2外部的电子电路之间发送信号的电极。该电极焊盘148设置在逻辑芯片192的布线区域中并且连接至布线层142。焊盘开口180形成为穿透传感器芯片191和逻辑芯片192的绝缘层141的前表面侧的孔形状，并且形成为从光接收元件2的光接收表面到达电极焊盘148的表面的形状。通过经由该焊盘开口180引线接合至电极焊盘148，电极焊盘148和外部电子电路可以彼此电连接。电极焊盘148可例如由诸如al或au的金属形成。
[0091]
分离区域150a可设置在焊盘开口180周围。该分离区域150a形成为包围焊盘开口180并且将焊盘开口180彼此分离的形状。此外，分离区域150b可以设置在传感器芯片191的端部处的半导体基板110中。该分离区域150b是沿着半导体基板110的外周设置的分离区域。通过设置这些分离区域150a和150b，可以防止从半导体基板110的端面吸收湿气，并且可以防止在半导体基板110的端面上生成的裂纹的生长。
[0092]
像素100的配置不限于该示例。例如，还可以采用在像素100中设置多个光电转换单元的配置。在这种像素100中，用于将光电转换单元彼此分离的分离区域可以设置在像素100的内部。用于将光电转换单元彼此分离的分离区域可以形成为穿透半导体基板110的形状。此外，分离区域可设置在多个光电转换单元与片上透镜172之间的边界处的半导体基板110之间。该分离区域是遮挡光电转换单元之间的边界处的区域以免光的分离区域，并且可以由金属膜等形成。此外，即使在具有这种多个光电转换单元的像素100中，也可以采用分离区域仅设置在像素100之间的边界处的配置。此外，也可以采用在半导体基板110的背面侧设置空穴累积区域115的配置。
[0093]
[分离区域的配置]
[0094]
图4是示出根据本公开的第一实施例的分离区域的配置示例的截面图。该图是示出在图3描述的分离区域150的配置示例的截面图。将参考该图描述分离区域150的配置的细节。
[0095]
如上所述，分离区域150设置在像素100之间的边界处以将每个设置在半导体基板110中的光电转换单元101彼此分离。在该图中，省略半导体基板110和光电转换单元101的配置。该图中的分离区域150由设置在形成在半导体基板110中的凹槽部分151中的金属膜154构成。如上所述，金属膜可以由w等形成。该图中的金属膜154示出了在中心部分中形成空隙155的示例。
[0096]
凹槽部分151形成为从半导体基板110的背面侧向表面侧贯通的形状。该凹槽部分151可以通过从背面侧朝向前表面侧蚀刻半导体基板110来形成。该蚀刻例如可以通过各向异性干式蚀刻来进行。
[0097]
在该图中，固定电荷膜152设置在半导体基板110的背面侧和凹槽部分151的壁面上。该固定电荷膜152可以通过例如通过原子层沉积(ald)沉积诸如hfo2的材料膜而形成。
[0098]
绝缘膜153设置在固定电荷膜152与金属膜154之间。该绝缘膜153可以通过例如通过化学气相沉积(cvd)沉积诸如sio2的材料膜而形成。
[0099]
布线层保护膜156设置在该图中的像素100中。该布线层保护膜156设置在凹槽部分151的正下方的半导体基板110与布线层122之间，以保护布线层122。如上所述，可以通过
蚀刻半导体基板110来形成凹槽部分151。布线层保护膜156通过在该蚀刻期间抑制与布线层122相邻的绝缘层121的蚀刻来保护布线层122。布线层保护膜156可以由被称为蚀刻制动器的构件形成，该构件相对于形成作为蚀刻对象的半导体基板110的si具有高选择比。具体地，布线层保护膜156可以由sin、碳化硅(sic)、sio2、氮氧化硅(sion)、碳(c)、w、钛(ti)、氮化钛(tin)等形成。该图示出由sin构成的布线层保护膜156的示例。布线层保护膜156可形成为具有超过10nm至几十nm的膜厚度。
[0100]
在过度执行用于形成凹槽部分151的蚀刻的情况下，布线区域120的绝缘层121被刮掉，并且凹槽部分151的底部接近布线层122。然后，金属膜154与布线层122之间的绝缘材料(绝缘层121)的厚度变薄，并且绝缘电阻减小。在该图中，存在与光电转换单元101的阳极连接的布线层122和分离区域150的金属膜154短路的可能性。如图2所述，除了布线层122之外，布线层124还设置在分离区域150的正下方。当这些布线层与分离区域中的金属膜154之间的绝缘电阻减小时，通过金属膜154施加到阳极的电压将被施加到布线层124。
[0101]
在构成spad的光电转换单元101的阳极与阴极之间施加约20v的相对高的反向偏置电压。在构成屏蔽的布线层124接地的情况下，过电流从向光电转换单元101提供反向偏置电压的电源流动。此外，由于布线层124被设置为靠近连接到光电转换单元101的阴极的布线层123，所以当将阳极的电压提供给布线层124时，布线层124和布线层123短路的可能性高。即使在这种情况下，过电流从电源流出，并且像素100和光接收元件2损坏。这降低了光接收元件2的可靠性。
[0102]
通过设置布线层保护膜156，可以防止绝缘层121的过度蚀刻，并且可以防止凹槽部分151和布线层122等彼此接近。
[0103]
光接收元件2的配置不限于该示例。例如，也可以使用由apd构成的光电转换单元101。
[0104]
通过以这种方式在分离区域150与布线层122等之间设置布线层保护膜156，可以防止金属膜154与布线层122等之间的绝缘电阻降低。可以防止耐压的降低，并且可以防止对光接收元件2的损坏。
[0105]
《2.第二实施例》
[0106]
上述第一实施例的光接收元件2使用单层布线层保护膜156。另一方面，本公开的第二实施例的光接收元件2与上述第一实施例的光接收元件的不同之处在于使用以多层配置的布线层保护膜。
[0107]
[分离区域的配置]
[0108]
图5是示出根据本公开的第二实施例的分离区域的配置示例的截面图。与图4一样，该图是示出分离区域150的配置示例的截面图。图5中的分离区域150与图4中描述的分离区域150的不同之处在于进一步设置布线层保护膜157。
[0109]
布线层保护膜157是由与布线层保护膜156不同的材料形成的布线层保护膜。该图中的布线层保护膜157可以由sio2形成。通过堆叠多个布线层保护膜，可以使布线层保护膜更厚。此外，通过组合由不同构件形成的布线层保护膜，可以抑制根据用于干蚀刻的蚀刻气体的类型的蚀刻。因此，可以防止绝缘层121的蚀刻。
[0110]
布线层保护膜156和157的配置不限于该示例。例如，布线层保护膜156可以由ti形成，布线层保护膜157也可以由tin形成。此外，布线层保护膜也可以由其他构件形成。此外，
布线层保护膜也可以堆叠三层或更多层。
[0111]
由于除此之外不同的光接收元件2的配置与本公开的第一实施例中描述的光接收元件2的配置相同，因此将省略其描述。
[0112]
如上所述，在本公开的第二实施例的光接收元件2中，通过设置以多层配置的布线层保护膜，可以防止绝缘层121的蚀刻，并且可以进一步抑制绝缘电阻的降低。
[0113]
《3.第三实施例》
[0114]
在上述第一实施例的光接收元件2中，设置布线层保护膜156。另一方面，本公开的第三实施例的光接收元件2与上述第一实施例的光接收元件的不同之处在于缓冲层设置在半导体基板110与布线层保护膜156之间。
[0115]
[分离区域的配置]
[0116]
图6是示出根据本公开的第三实施例的分离区域的配置示例的截面图。与图4一样，该图是示出分离区域150的配置示例的截面图。图6中的分离区域150与图4中描述的分离区域150的不同之处在于进一步设置缓冲层158。
[0117]
缓冲层158设置在半导体基板110与布线层保护膜156之间以形成布线层保护膜156的缓冲。当在半导体基板110上沉积由sin等形成的布线层保护膜156时，在半导体基板110的前表面上形成许多界面态，并且暗电流增加。因此，缓冲层158被设置成抑制在半导体基板110的前表面上形成界面态。因此，可以防止暗电流的增加。该图中的分离区域150示出了分离区域150以其底部经由固定电荷膜152与缓冲层158接触的形状形成的示例。缓冲层158可例如由绝缘材料形成。具体地，缓冲层158可由sio2形成。缓冲层158可以根据用于蚀刻的蚀刻气体的类型来蚀刻。在这种情况下，如图所示，凹槽部分151的底部侵入缓冲层158的区域。即使在这种情况下，布线层保护膜156也抑制过度蚀刻。
[0118]
[分离区域的另一配置]
[0119]
图7至图9中的每一个是示出根据本公开的第三实施例的分离区域的另一配置示例的截面图。与图6一样，图7至图9中的每一个是示出分离区域150的配置示例的截面图。图7至图9中的每一个中的分离区域150与图6中的分离区域150的不同之处在于凹槽部分151的底部进一步侵入缓冲层158的区域。
[0120]
图7是示出固定电荷膜152的一部分和绝缘膜153的一部分嵌入在缓冲层158的区域中的示例的示图。
[0121]
图8是示出通过蚀刻去除分离区域150正下方的缓冲层158，并且分离区域150形成为与布线层保护膜156接触的形状的示例的示图。在这种情况下，分离区域150具有穿透缓冲层158的形状。该图中的分离区域150形成为其底部经由固定电荷膜152与布线层保护膜156接触的形状。
[0122]
图9是示出通过蚀刻去除分离区域150正下方的缓冲层158，并且金属膜154部分形成为到达半导体基板110的前表面侧的形状的示例的示图。在这种情况下，金属膜154具有穿透半导体基板110的形状。像素100之间的边界由金属膜154划分，并且相邻像素100由金属膜154遮光。可以进一步减少由于像素100之间的漏光引起的颜色混合的发生。
[0123]
如图7至图9所示，即使在通过形成凹槽部分151来蚀刻缓冲层158的情况下，布线层保护膜156也可以防止绝缘层121被蚀刻。
[0124]
像素100的配置不限于该示例。例如，可以使用以多层配置的缓冲层。
[0125]
由于除此之外不同的光接收元件2的配置与本公开的第一实施例中描述的光接收元件2的配置相同，因此将省略其描述。
[0126]
如上所述，在本公开的第三实施例的光接收元件2中，缓冲层158设置在半导体基板110与布线层保护膜156之间。因此，可以防止暗电流的增加。
[0127]
《4.第四实施例》
[0128]
在上述第一实施例的光接收元件2中，使用由诸如spad或apd的光电二极管构成的光电转换单元101，该光电转换单元101将通过光电转换生成的电荷与反向偏置电压相乘。另一方面，本公开的第四实施例的光接收元件2与上述第一实施例的光接收元件的不同之处在于使用由正常光电二极管构成的光电转换单元。
[0129]
[像素的截面的配置]
[0130]
图10是示出根据本公开的第四实施例的像素的配置示例的截面图。与图3一样，该图是示出像素100的配置示例的截面图。图10中的像素100与图3中的像素100的不同之处在于设置由光电二极管构成的光电转换单元201。
[0131]
该图中的光电转换单元201由半导体基板110的p型阱区域111和设置在阱区域111中的n型半导体区域116构成。由n型半导体区域116与周围的p型阱区域111之间的界面处的pn结形成的光电二极管相当于光电转换单元201。阱区域111和半导体区域116分别构成阳极区域和阴极区域。
[0132]
此外，在该图中，在半导体基板110中进一步设置半导体区域117和半导体区域118。半导体区域117是形成为具有相对高的杂质浓度的n型半导体区域，并且是设置为与半导体区域116相邻并且电连接到半导体区域116的半导体区域。接触插头125连接至半导体区域117。半导体区域118是形成为具有相对高的杂质浓度的p型半导体区域，并且是与阱区域相邻设置并与阱区域电连接的半导体区域。接触插头125还连接至半导体区域118。半导体区域118是构成所谓的阱接触的半导体区域。
[0133]
布线层122和123设置在布线区域120中。布线层122经由接触插头125和半导体区域118连接至构成阳极区域的阱区域111。布线层123经由接触插头125和半导体区域117连接到构成阴极区域的半导体区域116。此外，省略布线层124。
[0134]
此外，在该图的分离区域150中，设置图4中描述的布线层保护膜156，并且可以防止构成分离区域150的金属膜154与布线层122之间的绝缘电阻降低。
[0135]
由于除此之外不同的光接收元件2的配置与本公开的第一实施例中描述的光接收元件2的配置相同，因此将省略其描述。
[0136]
如上所述，在本公开的第四实施例的光接收元件2中，在使用由光电二极管构成的光电转换单元101的情况下，布线层保护膜156可以防止金属膜154与布线层122等之间的绝缘电阻的降低。可以防止耐压的降低，并且可以防止对光接收元件2的损坏。
[0137]
《5.距离测量装置的应用示例》
[0138]
根据本公开的技术可以应用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以应用于距离测量装置。在此，距离测量装置是测量到对象的距离的装置。
[0139]
[光接收元件的配置]
[0140]
图11是示出根据本公开的技术可应用的距离测量装置的光接收元件的配置示例的示图。该图中的光接收元件2包括像素阵列单元10、偏置电源单元20和光接收信号处理单
元30。
[0141]
像素阵列单元10通过以二维网格形状设置各自具有对入射光执行光电转换的光电转换单元的多个像素100来配置。该像素100检测入射光并且输出光接收信号作为检测结果。例如，apd或spad可以用于光电转换单元。在下文中，假设spad设置在作为光电转换单元的像素100中。信号线21和31连接到每个像素100。信号线21是提供像素100的偏置电压的信号线。信号线31是发送来自像素100的光接收信号的信号线。在该图中的像素阵列单元10中，描述了像素100设置在4行和5列中的示例，但是设置在像素阵列单元10中的像素100的数量不限于该示例。
[0142]
偏置电源单元20是向像素100提供偏置电压的电源。偏置电源单元20经由信号线21提供偏置电压。
[0143]
光接收信号处理单元30处理从设置在像素阵列单元10中的多个像素100输出的光接收信号。例如，光接收信号处理单元30的处理相当于基于由像素100检测的入射光来检测距对象的距离的处理。具体地，光接收信号处理单元30可以执行当在诸如车载相机的成像装置中测量到远处对象的距离时使用的飞行时间(tof)类型的距离检测处理。该距离检测处理是通过将来自设置在成像装置中的光源的光照射到对象以检测被对象反射的光，并且测量来自光源的光在光源与对象之间往复运动所花费的时间来检测距离的处理。能够进行高速光检测的spad用作用于执行这种距离检测处理的装置。光接收信号处理单元30是权利要求中描述的处理电路的示例。
[0144]
将描述设置在上述实施例的像素阵列单元10中的像素100的电路配置。
[0145]
[像素的配置]
[0146]
图12是示出根据可以应用根据本公开的技术的距离测量装置的像素的配置示例的电路图。该图是示出在图11描述的像素100的配置示例的电路图。该图中的像素100包括光电转换单元101、电阻器102和反相缓冲器103。此外，该图中的信号线21由通过其施加光电转换单元101的击穿电压的信号线vbd和通过其提供用于检测光电转换单元101的击穿状态的电源的信号线vd构成。
[0147]
光电转换单元101的阳极连接到信号线vbd。光电转换单元101的阴极连接到电阻器102的一端和反相缓冲器103的输入端。电阻102的另一端连接到信号线vd。反相缓冲器103的输出连接到信号线31。
[0148]
反向偏置电压通过信号线vbd和信号线vd被施加至该图中的光电转换单元101。
[0149]
电阻器102是用于执行淬火的电阻器。该淬火是将处于击穿状态的光电转换单元101返回至处于稳定状态的光电转换单元101的处理。当光电转换单元101由于光入射引起的倍增动作而处于击穿状态时，突然的反向电流流过光电转换单元101。该反向电流使电阻器102的端子电压上升。由于电阻器102与光电转换单元101串联连接，因此由于电阻器102而发生电压降，并且光电转换单元101的端子电压变得低于能够保持击穿状态的电压。因此，光电转换单元101可以从击穿状态返回到稳定状态。代替电阻器102，也可以使用具有mos晶体管的恒流电路。
[0150]
反相缓冲器103是对基于光电转换单元101到击穿状态的转变和返回的脉冲信号进行整形的缓冲器。反相缓冲器103根据照射光基于流过光电转换单元101的电流生成光接收信号并将所生成的信号输出到信号线31。
[0151]
[成像装置的配置]
[0152]
图13是示出了根据可以应用根据本公开的技术的距离测量装置的成像装置的配置示例的示图。该图是示出构成距离测量装置的成像装置1的配置示例的框图。该图中的成像装置1包括光接收元件2、控制单元3、光源装置4和透镜5。在该图中，描述了用于距离测量的对象601。
[0153]
透镜5是在光接收元件2上形成对象的图像的透镜。图11中描述的光接收元件2可以用作光接收元件2。
[0154]
光源装置4向对象照射光来进行距离测量。例如，发射红外光的激光光源可以用作光源装置4。
[0155]
控制单元3控制整个成像装置1。具体地，控制单元3控制光源装置4向对象601发射发射光602，并且向光接收元件2通知发射的开始。被通知发射光602的发射的光接收元件2检测来自对象601的反射光603，测量从发射光602的发射到反射光603的检测的时间，并且测量到对象601的距离。该测量距离作为距离数据输出到成像装置1的外部。成像装置1是权利要求中描述的电子设备的示例。
[0156]
《6.dvs的应用示例》
[0157]
根据本公开的技术可以应用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以应用于动态视觉传感器(dvs)。在此，dvs是输出关于亮度已经改变的像素的信息的成像装置。
[0158]
[光接收元件的配置]
[0159]
图14是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的光接收元件的配置示例的示图。该图中的光接收元件2包括像素阵列单元10、行驱动电路50、列驱动电路60和信号处理电路70。
[0160]
像素阵列单元10通过以二维网格形状布置各自具有对入射光执行光电转换的光电转换单元的多个像素100来配置。像素100检测入射光并在所检测的入射光改变的情况下输出检测信号。在下文中，假设光电二极管设置在像素100中作为光电转换单元。信号线51、61和71连接到每个像素100。信号线51是通过其发送行驱动信号的信号线。信号线51是通过其发送列驱动信号的信号线。信号线71是通过其发送来自像素100的检测信号的信号线。在该图中的像素阵列单元10中，描述了像素100设置在4行和4列中的示例，但是设置在像素阵列单元10中的像素100的数量不限于该示例。
[0161]
行驱动电路50是选择像素阵列单元10的行地址并且使像素100输出与所选择的行地址对应的检测信号的电路。行驱动电路50将控制信号(行驱动信号)输出至信号线51。
[0162]
列驱动电路60是选择像素阵列单元10的列地址并且使像素100输出与所选择的列地址对应的检测信号的电路。列驱动电路60将控制信号(列驱动信号)输出至信号线61。
[0163]
信号处理电路70对来自像素100的检测信号执行预定信号处理。信号处理电路70通过将检测信号与像素阵列单元10的像素100的排列相关联来生成二维图像数据，并且执行诸如图像识别的处理。信号处理电路70是权利要求中描述的处理电路的示例。
[0164]
[像素的配置]
[0165]
图15是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的像素的配置示例的示图。该图中的像素100包括光电转换单元201、电流电压转换电路210、缓冲器220、差分器230、量化器240和发送电路250。
[0166]
光电转换单元201检测入射光。光电转换单元201将与入射光对应的吸收电流输出到后级的电流电压转换电路210。
[0167]
电流电压转换电路210是将来自光电转换单元201的输出电流转换成电压的电路。在该转换期间，执行对数压缩并且将压缩的电压信号输出至缓冲器220。
[0168]
缓冲器220是放大电流电压转换电路210的电压信号并将电压信号输出到后级的差分器230的缓冲器。
[0169]
差分器230通过检测从缓冲器220输出的电压信号的差来检测电压信号的变化量。差分器230在从行驱动电路50输入行驱动信号之后开始检测电压信号的变化量。检测出的电压信号的变化量经由信号线239输出。
[0170]
量化器240对来自差分器230的电压信号进行量化并且将其作为检测信号输出。检测信号经由信号线249输出。
[0171]
发送电路250是基于来自列驱动电路60的列驱动信号将检测信号输出至信号处理电路70的电路。
[0172]
[电流电压转换电路的配置]
[0173]
图16是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的电流电压转换电路的配置示例的示图。该图是示出电流电压转换电路210的配置示例的电路图。该图中的电流电压转换电路210包括mos晶体管211至213和电容器214。n沟道mos晶体管可以用于mos晶体管211和213。p沟道mos晶体管可以用于mos晶体管212。此外，电源线vdd和电源线vbias设置在该图中的电流电压转换电路210中。电源线vdd是通过其向电流电压转换电路210提供电力的电源线。电源线vbias是通过其提供偏置电压的电源线。在该图中，还描述了光电转换单元201。
[0174]
光电转换单元201的阳极接地，并且其阴极连接到mos晶体管211的源极、mos晶体管213的栅极和电容器214的一端。电容器214的另一端连接到mos晶体管211的栅极、mos晶体管212的漏极、mos晶体管213的漏极以及信号线219。mos晶体管211的源极连接到电源线vdd，mos晶体管213的源极接地。mos晶体管212的栅极连接至电源线vbias，并且其源极连接至电源线vdd。
[0175]
mos晶体管211是向光电转换单元201提供电流的mos晶体管。与入射光对应的吸收电流流过光电转换单元201。mos晶体管211提供该吸收电流。此时，mos晶体管211的栅极由后面将描述的mos晶体管213的输出电压驱动，并且输出等于光电转换单元201的吸收电流的源级电流。因为mos晶体管的栅极源极电压vgs变为与源极电流对应的电压，所以mos晶体管的源极电压变为与光电转换单元201的电流对应的电压。因此，光电转换单元201的电流被转换为电压信号。
[0176]
mos晶体管213是放大mos晶体管211的源极电压的mos晶体管。此外，mos晶体管212构成mos晶体管213的恒流负载。放大的电压信号被输出到mos晶体管213的漏极。该电压信号被输出到信号线219，并且被反馈到mos晶体管211的栅极。在mos晶体管211的vgs等于或小于阈值电压的情况下，源极电流相对于vgs的变化呈指数变化。因此，反馈到mos晶体管211的栅极的mos晶体管213的输出电压变成电压信号，在该电压信号中，等于mos晶体管211的源极电流的来自光电转换单元201的输出电流被对数压缩。
[0177]
电容器214是用于相位补偿的电容器。该电容器214连接在mos晶体管213的漏极与
栅极之间，并且对构成放大器电路的mos晶体管213进行相位补偿。
[0178]
[差分器和量化器的配置]
[0179]
图17是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的差分器和量化器的配置示例的示图。该图是示出差分器230和量化器240的配置示例的电路图。
[0180]
该图中的差分器230包括反相放大器231、电容器232和233、以及开关234。
[0181]
电容器232连接在信号线229与反相放大器231的输入之间。反相放大器231的输出连接至信号线239。并联连接的电容器233和开关234连接在反相放大器231的输入与输出之间。开关234的控制输入连接到信号线51。
[0182]
电容器232是移除从缓冲器220输出的电压信号的dc分量的耦合电容器。与电压信号的变化量相对应的信号由电容器232发送。
[0183]
反相放大器231是根据由电容器232发送的电压信号的变化量对电容器233充电的放大器。反相放大器231和电容器232构成积分电路并且对由电容器232发送的电压信号的变化量进行积分。
[0184]
开关234是使电容器233放电的开关。该开关234变为导通，使电容器232放电，并且将集成在电容器232中的电压信号的变化量重置为0v。开关234由通过信号线51发送的行驱动信号控制。
[0185]
差分器230对与行驱动信号复位后的期间中的入射光对应的电压信号的变化量进行积分，并输出。其结果，能够降低噪声的影响。
[0186]
量化器240包括比较器241和242。信号线239连接至比较器241的非反相输入和比较器242的反相输入。预定阈值电压vth1被施加到比较器241的反相输入，并且预定阈值电压vth2被施加到比较器242的非反相输入。比较器241和242的输出各自构成信号线249。
[0187]
比较器241将阈值电压vth1与来自差分器230的输出电压进行比较。在来自差分器230的输出电压高于阈值电压vth1的情况下，输出值“1”。
[0188]
比较器242将阈值电压vth2与来自差分器230的输出电压进行比较。在来自差分器230的输出电压低于阈值电压vth2的情况下，输出值“1”。
[0189]
通过将阈值电压vth1设定为高于差分器230被复位时的输出电压的阈值电压，并且将阈值电压vth2设定为低于差分器230被复位时的输出电压的阈值电压，可以检测来自光电转换单元201的输出信号的增大和减小两者的变化量。此外，来自差分器230的输出电压被二值化以被比较器241和242量化。
[0190]
由量化器240量化的信号被输入到发送电路250。当输入值“1”的信号时，发送电路250可以将其作为指示入射光量的变化超过预定阈值的检测信号发送到信号处理电路70。当由发送电路250发送检测信号时，信号处理电路70保持信号的发送作为地址事件，并且使行驱动单元50将行驱动信号输出至像素100以重置差分器230。因此，在已经发生地址事件的像素100中，再次开始根据入射光的电压信号的变化量的积分。
[0191]
[成像装置的配置]
[0192]
图18是示出根据可以应用根据本公开的技术的dvs的成像装置的配置示例的示图。该图是示出构成dvs的成像装置1的配置示例的框图。该图中的成像装置1包括光接收元件2、控制单元3、透镜5和记录单元6。
[0193]
透镜5是在光接收元件2上形成对象的图像的透镜。在图14中描述的光接收元件2
可以用作光接收元件2。
[0194]
控制单元3控制光接收元件2以捕获图像数据。记录单元6通过光接收元件2记录图像数据。
[0195]
光接收元件2可以通过获取检测到地址事件的像素100来检测亮度已经变化的区域。通过仅更新该区域中的图像数据并生成图像数据，可以进行高速成像。成像装置1是权利要求中描述的电子设备的示例。
[0196]
第二实施例和第三实施例的光接收元件2的配置可以与第四实施例的光接收元件2组合。具体地，图5和图6的分离区域150的配置可以应用于图10的像素100。
[0197]
最后，上述实施例的描述仅是本公开的示例，并且本公开不限于上述实施例。因此，不言而喻，在不背离本公开的技术精神的范围内，可根据设计等做出除了上述实施例之外的各种变化。
[0198]
此外，本说明书中描述的效果仅是示例而不是限制。也可以获得其他效果。
[0199]
另外，上述实施例中的附图是示意性的，并且各部分的尺寸比等不必与实际一致。另外，不言而喻，在附图相互之间也包括相互的尺寸关系、和比率不同的部分。
[0200]
本技术还可以具有以下配置。
[0201]
(1)一种光接收元件，包括：
[0202]
具有光电转换单元的像素，每个光电转换单元设置在半导体基板中以执行入射光的光电转换；
[0203]
分离区域，设置在光电转换单元之间的边界处并将光电转换单元彼此分离；
[0204]
布线层，布线至像素；以及
[0205]
布线层保护膜，设置在分离区域与布线层之间以保护布线层。
[0206]
(2)根据(1)的光接收元件，其中，分离区域包括金属。
[0207]
(3)根据(2)的光接收元件，其中，分离区域包括设置在形成在半导体基板中的凹槽中的金属膜。
[0208]
(4)根据(3)的光接收元件，其中，分离区域进一步包括设置在半导体基板与金属膜之间的绝缘膜。
[0209]
(5)根据(1)至(4)中任一项的光接收元件，其中，分离区域形成为其底部与布线层保护膜接触的形状。
[0210]
(6)根据(3)或(4)的光接收元件，其中，分离区域包括具有穿透半导体基板的形状的金属膜。
[0211]
(7)根据(3)至(6)中任一项的光接收元件，进一步包括固定电荷膜，该固定电荷膜是设置在与分离区域相邻的半导体基板中并且具有固定电荷的膜。
[0212]
(8)根据(3)至(7)中任一项的光接收元件，其中，布线层保护膜由形成凹槽时抑制半导体基板的蚀刻的膜形成。
[0213]
(9)根据(8)所述的光接收元件，其中，布线层保护膜由包含氮化硅、碳化硅、氧化硅、氧氮化硅、碳、钨、钛和氮化钛中的任一种的膜形成。
[0214]
(10)根据(1)至(9)中任一项的光接收元件，其中，布线层保护膜被配置为多层。
[0215]
(11)根据(1)至(10)中任一项的光接收元件，进一步包括设置在半导体基板与布线层保护膜之间的缓冲层。
[0216]
(12)根据(11)的光接收元件，其中，缓冲层由绝缘材料形成。
[0217]
(13)根据(12)的光接收元件，其中，缓冲层由氧化硅形成。
[0218]
(14)根据(11)至(13)中任一项的光接收元件，其中，分离区域形成为其底部与缓冲层接触的形状。
[0219]
(15)根据(11)至(13)中任一项的光接收元件，其中，分离区域形成为穿透缓冲层的形状。
[0220]
(16)根据(1)至(15)中任一项的光接收元件，其中，光电转换单元由光电二极管构成。
[0221]
(17)根据(16)的光接收元件，其中，光电转换单元由以高反向偏置电压使通过入射光的光电转换生成的电荷倍增的光电二极管构成。
[0222]
(18)根据(17)的光接收元件，其中，在光电转换单元中，所生成的电荷在由p型半导体区域和n型半导体区域构成的pn结中倍增。
[0223]
(19)根据(18)的光接收元件，其中，光电转换单元包括由n型半导体区域构成的阴极区域。
[0224]
(20)根据(19)的光接收元件，其中，光电转换单元包括设置在半导体基板的前表面侧的阴极区域。
[0225]
(21)根据(19)的光接收元件，其中，光电转换单元包括设置在半导体基板的前表面侧的分离区域附近的阳极区域。
[0226]
(22)根据(21)的光接收元件，其中，布线层连接到阳极区域。
[0227]
(23)一种电子设备，包括：
[0228]
具有光电转换单元的像素，每个光电转换单元设置在半导体基板中以执行入射光的光电转换；
[0229]
分离区域，设置在光电转换单元之间的边界处并将光电转换单元彼此分离；
[0230]
布线层，布线至像素；
[0231]
布线层保护膜，设置在分离区域与布线层之间以保护布线层；以及
[0232]
处理电路，处理基于光电转换生成的信号。
[0233]
(24)根据(23)的电子设备，
[0234]
其中，光电转换单元执行入射在光电转换单元上的入射光的光电转换，该入射光是通过从光源发射的光被对象反射获得的，并且
[0235]
其中，处理电路执行用于通过测量从来自光源的光的照射到信号的生成的时间来测量距对象的距离的处理。
[0236]
(25)根据(23)的电子设备，其中，处理电路执行用于检测信号的变化量的处理。
[0237]
(26)根据(25)的电子设备，其中，处理电路通过与预定阈值进行比较来检测变化量。
[0238]
(27)根据(23)的电子设备，其中，处理电路设置在接合到半导体基板的另一半导体基板上。
[0239]
参考标记列表
[0240]
1 成像装置
[0241]
2 光接收元件
[0242]
4 光源装置
[0243]
10 像素阵列单元
[0244]
30 光接收信号处理单元
[0245]
70 信号处理电路
[0246]
100 像素
[0247]
101、201 光电转换单元
[0248]
110、130 半导体基板
[0249]
120、140 布线区域
[0250]
122至124、142 布线层
[0251]
150、150a、150b 分离区域
[0252]
156、157 布线层保护膜
[0253]
158 缓冲层。