1.本发明涉及背面研磨用粘着性膜以及电子装置的制造方法。
背景技术：
：：2.在电子装置的制造工序中，在磨削电子部件的工序中，为了固定电子部件或防止电子部件的损伤，会在电子部件的电路形成面粘贴粘着性膜。3.这样的粘着性膜一般使用基材膜上层叠有粘着性树脂层的膜。4.伴随着高密度安装技术的进步，要求半导体晶片等电子部件的薄厚化，例如要求薄厚加工至50μm以下的厚度。5.作为这样的薄厚加工之一，有先切割法，即，在电子部件的磨削加工之前，在电子部件的表面形成预定深度的槽，接着进行磨削，从而将电子部件单片化。此外，还有先隐形法，即，在磨削加工之前，对电子部件内部照射激光，从而形成改性区域，接着进行磨削，从而将电子部件单片化。6.作为这样的先切割法、先隐形法用的粘着性膜相关的技术，可举出例如，专利文献1(日本特开2014-75560号公报)和专利文献2(日本特开2016-72546号公报)所记载的技术。7.专利文献1中记载了一种表面保护片，其为在基材上具有粘着剂层的表面保护片，满足下述要件(a)～(d)。8.(a)上述基材的杨氏模量为450mpa以上9.(b)上述粘着剂层的25℃时的储能模量为0.10mpa以上10.(c)上述粘着剂层的50℃时的储能模量为0.20mpa以下11.(d)上述粘着剂层的厚度为30μm以上12.专利文献1中记载了：这样的表面保护片在工件的背面磨削工序时，能够抑制从工件被割断而形成的间隙向工件的被保护表面的水的浸入(淤渣浸入)，防止工件的被保护表面的污染。13.专利文献2中记载了一种半导体晶片表面保护用胶粘带，其特征在于，具有基材树脂膜以及形成于上述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性粘着剂层，上述基材树脂膜具有至少1层抗拉弹性模量为1～10gpa的刚性层，使上述粘着剂层放射线固化之后的剥离角度30°时的剥离力为0.1～3.0n/25mm。14.专利文献2中记载了：根据这样的半导体晶片表面保护用胶粘带，能够在应用了先切割法或先隐形法的半导体晶片的背面磨削工序中，抑制被单片化后的半导体芯片的划痕移动(kerfshift)，并将半导体晶片没有破损、污染地加工。15.现有技术文献16.专利文献17.专利文献1：日本特开2014-75560号公报18.专利文献2：日本特开2016-72546号公报技术实现要素：19.发明所要解决的课题20.根据本发明人等的研究，例如，明确了在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件剥离粘着性膜时，电子部件侧易于产生残胶。21.本发明是鉴于上述情况而提出的，提供能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶的背面研磨用粘着性膜。22.用于解决课题的方法23.本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果发现，在具备基材层和紫外线固化型的粘着性树脂层的粘着性膜中，通过使用紫外线固化后的断裂伸长率处于特定范围的粘着性树脂层，从而能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶，由此完成本发明。24.根据本发明，提供以下所示的背面研磨用粘着性膜及电子装置的制造方法。25.1.26.一种背面研磨用粘着性膜，其具备基材层以及设置于上述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层，并且用于保护电子部件的表面，27.紫外线固化后的上述粘着性树脂层的断裂伸长率为20％以上200％以下。28.2.29.根据上述[1]所述的背面研磨用粘着性膜，[0030]上述粘着性树脂层包含分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂以及光引发剂。[0031][3][0032]根据上述[1]或[2]所述的背面研磨用粘着性膜，[0033]上述电子部件被半切割或形成有改性层。[0034][4][0035]根据上述[1]～[3]中任一项所述的背面研磨用粘着性膜，[0036]上述粘着性树脂层的厚度为10μm以上100μm以下。[0037][5][0038]根据上述[1]～[4]中任一项所述的背面研磨用粘着性膜，[0039]构成上述基材层的树脂包含选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏1,1-二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、离子交联聚合物、聚砜、聚醚砜和聚苯醚中的一种或两种以上。[0040][6][0041]一种电子装置的制造方法，其至少具备下述工序：[0042]工序(a)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的电子部件以及贴合于上述电子部件的上述电路形成面侧的粘着性膜，[0043]工序(b)，将上述电子部件的与上述电路形成面侧相反侧的面进行背面研磨，以及[0044]工序(c)，对于上述粘着性膜照射紫外线之后，从上述电子部件除去上述粘着性膜，[0045]上述粘着性膜为上述[1]～[5]中任一项所述的背面研磨用粘着性膜。[0046][7][0047]根据上述[6]所述的电子装置的制造方法，[0048]上述工序(a)包括下述工序：[0049]工序(a1)，选自将上述电子部件进行半切割的工序(a1-1)以及对上述电子部件照射激光而在上述电子部件形成改性层的工序(a1-2)中的至少一种，[0050]工序(a2)，在上述工序(a1)之后，在上述电子部件的上述电路形成面侧粘贴上述背面研磨用粘着性膜。[0051]发明的效果[0052]根据本发明，能够提供在背面研磨工序之后，能够抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶的背面研磨用粘着性膜。附图说明[0053]图1为示意性表示本发明涉及的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。[0054]图2为示意性表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。具体实施方式[0055]以下，对于本发明的实施方式，使用附图进行说明。另外，全部附图中，同样的构成要素附上共同的符号，适当省略说明。此外，图为概略图，与实际的尺寸比率不一致。另外，数值范围的“a～b”只要没有特别规定，就表示a以上b以下。此外，本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸和甲基丙烯酸这两者。[0056]1.粘着性膜[0057]图1为示意性表示本发明涉及的实施方式的粘着性膜50的结构的一例的截面图。[0058]如图1所示那样，本实施方式涉及的背面研磨用粘着性膜50为具备基材层10以及设置于基材层10的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层20，并且用于保护电子部件30的表面的背面研磨用粘着性膜50，紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率为20％以上200％以下。[0059]这里，紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率为利用以下方法测定得到的值。[0060](方法)[0061]在被电晕处理后的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜(mfr：1.7g/10min，乙酸乙烯酯含量：9质量％，厚度：140μm)的电晕处理面，层叠与本实施方式涉及的背面研磨用粘着性膜50的粘着性树脂层20厚度、组成等相同的层，进一步制作在该粘着性树脂层20侧层叠有被有机硅脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等脱模膜(隔膜(separator))的状态的测定用样品。[0062]作为层叠方法，可举出例如以下方法。[0063]在被有机硅脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的脱模处理面形成粘着性树脂层20，接着，在粘着性树脂层20上贴合被电晕处理后的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜以获得层叠体。接着，将所得的层叠体利用烘箱在40℃，加热3天，使其熟化。[0064]接着，从所得的层叠体的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜侧，对于粘着性树脂层20，在25℃的环境下使用高压水银灯，以照射强度100mw/cm2照射紫外线量1080mj/cm2的主波长365nm的紫外线，使粘着性树脂层20光固化。接着，将使粘着性树脂层20光固化后的层叠体切为长度110mm、宽度10mm，将作为隔膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜从层叠体剥离。[0065]接着，将粘着性树脂层20与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜一起，以使初始的夹盘间距离lo成为50mm的方式，利用拉伸试验机(例如，岛津制作所，自动绘图仪ags-x)夹持。将样品以30mm/分钟的速度进行拉伸，将目视时观测到粘着性树脂层20断裂的点设为断裂点，将此时的夹盘间距离设为l。断裂伸长率(％)通过(l-lo)/lo×100(％)而求出。[0066]如上述那样，根据本发明人等的研究，明确了例如，在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件剥离粘着性膜时，电子部件侧易于产生残胶。[0067]其理由还不清楚，但是与通常的电子部件的背面研磨工序不同，需要从被割断的电子部件剥离背面研磨用粘着性膜50，因此认为在被割断的电子部件的边缘部易于产生残胶。[0068]本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果首次发现，在具备基材层10以及紫外线固化型的粘着性树脂层20的粘着性膜50中，通过使用紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率处于上述范围的粘着性树脂层20，从而能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件30剥离粘着性膜50时的电子部件30侧的残胶。[0069]本实施方式涉及的粘着性膜50中，紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率为20％以上200％以下，但是从通过使粘着性树脂层20保持适度的韧性来设计难以产生残胶的粘着性树脂层20的观点考虑，优选为30％以上，更优选为40％以上，而且，优选为150％以下，更优选为100％以下，进一步优选为80％以下。[0070]紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率例如，能够通过控制构成粘着性树脂层20的粘着性树脂、交联剂、光引发剂的种类、配合比例、粘着性树脂中的各单体的种类、含有比例来控制于上述范围内。[0071]从机械特性与操作性的平衡考虑，本实施方式涉及的粘着性膜50整体的厚度优选为50μm以上600μm以下，更优选为50μm以上400μm以下，进一步优选为50μm以上300μm以下。[0072]本实施方式涉及的粘着性膜50可以在不损害本发明的效果的范围内，在各层之间设置凹凸吸收性树脂层、粘接层、抗静电层(未图示)等其它层。通过凹凸吸收性树脂层，能够提高粘着性膜50的凹凸吸收性。通过粘接层，能够提高各层之间的粘接性。此外，通过抗静电层，能够提高粘着性膜50的抗静电性。[0073]本实施方式涉及的粘着性膜50在电子装置的制造工序中用于保护电子部件30的表面，更具体而言，在作为电子装置的制造工序之一的磨削电子部件30的工序(也称为背面研磨工序)中，作为用于保护电子部件30的电路形成面30a(即，包含电路图案的电路面)的背面研磨带来使用。具体而言，在电子部件30的电路形成面30a粘贴粘着性膜50并进行保护，用于将与该电路形成面30a相反侧的面进行磨削的工序。特别是在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件30剥离粘着性膜50时，电子部件30侧易于产生残胶，因此能够在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，适合使用本实施方式涉及的粘着性膜50。[0074]这里，先切割法中，电子部件30如图1所示那样被半切割。此外，先隐形法中，电子部件30形成有通过激光照射而形成的改性层(在电子部件30的内部通过激光而被内部加工后的区域)。[0075]接下来，对于构成本实施方式涉及的粘着性膜50的各层进行说明。[0076]＜基材层＞[0077]基材层10是以使粘着性膜50的操作性、机械特性、耐热性等特性变得更良好为目的而设置的层。[0078]基材层10只要具有能够耐受加工电子部件30时施加的外力的机械强度，就没有特别限定，例如，可举出树脂膜。[0079]作为构成基材层10的树脂，可举出选自例如聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龙-6、尼龙-66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺；(甲基)丙烯酸系树脂；聚氯乙烯；聚偏1,1-二氯乙烯；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；离子交联聚合物；聚砜；聚醚砜；聚醚醚酮等中的一种或两种以上。[0080]这些之中，从使机械物性和透明性变得良好的观点考虑，优选为选自聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚对苯二甲酸丁二醇酯中的一种或两种以上，更优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或两种以上。[0081]基材层10可以为单层，也可以为两种以上的层。[0082]此外，作为用于形成基材层10的树脂膜的形态，可以为拉伸膜，也可以为沿单轴方向或双轴方向拉伸的膜，但从提高基材层10的机械强度的观点考虑，优选为沿单轴方向或双轴方向拉伸的膜。从抑制磨削后的电子部件的翘曲的观点考虑，基材层10优选为被预先退火处理的层。为了改良与其它层的粘接性，基材层10可以进行表面处理。具体而言，可以进行电晕处理、等离子体处理、下涂(undercoat)处理、底涂(primercoat)处理等。[0083]从获得良好的膜特性的观点考虑，基材层10的厚度优选为20μm以上250μm以下，更优选为30μm以上200μm以下，进一步优选为50μm以上150μm以下。[0084]＜粘着性树脂层＞[0085]本实施方式涉及的粘着性膜50具备紫外线固化型的粘着性树脂层20。[0086]粘着性树脂层20是设置于基材层10的一面侧的层，是在将粘着性膜50粘贴于电子部件30的电路形成面30a时，与电子部件30的电路形成面30a接触而粘着的层。[0087]构成粘着性树脂层20的粘着剂可举出(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂、苯乙烯系粘着剂等。这些之中，从能够容易地调整粘接力方面等考虑，优选为将(甲基)丙烯酸系树脂作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸系粘着剂。[0088]此外，作为构成粘着性树脂层20的粘着剂，优选使用通过紫外线以使粘着力降低的紫外线交联型粘着剂。[0089]由紫外线交联型粘着剂构成的粘着性树脂层20由于通过紫外线的照射而交联，粘着力显著地减少，因此易于从粘着性膜50剥离电子部件30。[0090]作为(甲基)丙烯酸系粘着剂所包含的(甲基)丙烯酸系树脂，可举出例如，(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸酯化合物，可举出例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。这些(甲基)丙烯酸酯化合物可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。[0091]此外，作为构成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚单体，可举出例如，乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺、羟甲基(甲基)丙烯酰胺、马来酸酐等。这些共聚单体可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。[0092]作为紫外线交联型的(甲基)丙烯酸系粘着剂，能够例示如下的粘着剂：包含分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂以及光引发剂，根据需要通过交联剂以使上述(甲基)丙烯酸系树脂进行交联而得的粘着剂。紫外线交联型的(甲基)丙烯酸系粘着剂可以进一步包含分子内具有2个以上聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。[0093]分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂具体如以下那样操作而得。首先，使具有烯属双键的单体与具有官能团(p)的共聚性单体进行共聚。接着，使该共聚物所包含的官能团(p)和具有与该官能团(p)能够发生加成反应、缩合反应等的官能团(q)的单体在残留该单体中的双键的状态下进行反应，向共聚物分子中导入聚合性碳-碳双键。[0094]作为上述具有烯属双键的单体，例如，从(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯和甲基丙烯酸烷基酯单体、乙酸乙烯酯那样的乙烯基酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、苯乙烯等具有烯属双键的单体中，使用1种或2种以上。[0095]作为上述具有官能团(p)的共聚性单体，可举出(甲基)丙烯酸、马来酸、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、n-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等。它们可以为1种，也可以将2种以上组合使用。[0096]上述具有烯属双键的单体与具有官能团(p)的共聚性单体的比例优选的是：上述具有烯属双键的单体为70～99质量％，具有官能团(p)的共聚性单体为1～30质量％。进一步优选的是：上述具有烯属双键的单体为80～95质量％，具有官能团(p)的共聚性单体为5～20质量％。[0097]作为上述具有官能团(q)的单体，能够举出例如，与上述具有官能团(p)的共聚性单体同样的单体。[0098]作为在具有烯属双键的单体与具有官能团(p)的共聚性单体的共聚物中导入聚合性碳-碳双键时发生反应的官能团(p)与官能团(q)的组合，期望为羧基与环氧基、羧基与吖丙啶基、羟基与异氰酸酯基等容易发生加成反应的组合。另外，不限于加成反应，只要是羧酸基与羟基的缩合反应等能够容易导入聚合性碳-碳双键的反应，则可以使用任何反应。[0099]作为分子中具有2个以上聚合性碳-碳双键的低分子量化合物，可举出例如，三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、双(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯等。它们可以使用1种或2种以上。分子中具有2个以上聚合性碳-碳双键的低分子量化合物的添加量相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，优选为0.1～20质量份，更优选为5～18质量份。[0100]作为光引发剂，可举出例如，苯偶姻、异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯乙酮二乙基缩酮、苯偶酰二甲基缩酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-4’‑吗啉代苯丁酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-二甲基氨基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-吗啉-4-基-苯基)丁烷-1-酮等。它们可以使用1种或2种以上。光引发剂的添加量相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，优选为0.1～15质量份，更优选为1～10质量份，进一步优选为4～10质量份。[0101]可以在上述紫外线固化型粘着剂中添加交联剂。作为交联剂，可举出例如，山梨糖醇聚缩水甘油基醚、聚甘油聚缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚、二甘油聚缩水甘油基醚等环氧系化合物、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、n,n’‑二苯基甲烷-4,4’‑双(1-氮丙啶羧基酰胺)、n,n’‑六亚甲基-1,6-双(1-氮丙啶羧基酰胺)等氮丙啶系化合物、四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、多异氰酸酯等异氰酸酯系化合物等。上述紫外线固化型粘着剂可以为溶剂型、乳液型、热熔型等的任一者。[0102]交联剂的含量通常优选交联剂中的官能团数不多于(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团数的程度的范围。然而，在因交联反应而新产生官能团的情况下、交联反应慢的情况下等，可以根据需要过量地含有。[0103]从提高粘着性树脂层20的耐热性、与密合力的平衡的观点考虑，(甲基)丙烯酸系粘着剂中的交联剂的含量相对于(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，优选为0.1质量份以上15质量份以下，更优选为0.5质量份以上5质量份以下。[0104]粘着性树脂层20例如，能够通过在基材层10上涂布粘着剂涂布液而形成。[0105]作为涂布粘着剂涂布液的方法，能够采用例如，辊式涂布机法、反向辊式涂布机法、凹版辊法、棒涂法、逗点涂布机法、模头涂布机法等以往公知的涂布方法。被涂布的粘着剂的干燥条件没有特别限制，一般而言，优选在80～200℃的温度范围内，干燥10秒～10分钟。进一步优选在80～170℃，干燥15秒～5分钟。为了充分地促进交联剂与(甲基)丙烯酸系树脂的交联反应，也可以在粘着剂涂布液的干燥结束之后，在40～80℃加热5～300小时左右。[0106]本实施方式涉及的粘着性膜50中，粘着性树脂层20的厚度优选为10μm以上100μm以下，更优选为10μm以上50μm以下。如果粘着性树脂层20的厚度在上述范围内，则对于电子部件30的表面的粘着性、与操作性的平衡良好。[0107]2.电子装置的制造方法[0108]图2为示意性表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。[0109]本实施方式涉及的电子装置的制造方法例如至少具备以下3个工序。[0110](a)工序，准备结构体100，所述结构体100具备具有电路形成面30a的电子部件30以及贴合于电子部件30的电路形成面30a侧的粘着性膜50，[0111](b)工序，将电子部件30的与电路形成面30a侧相反侧的面进行背面研磨，以及[0112](c)工序，对于粘着性膜50照射紫外线之后，从电子部件30除去粘着性膜50。[0113]而且，作为粘着性膜50，使用本实施方式涉及的粘着性膜50。本实施方式涉及的电子装置的制造方法的特征在于，将电子部件30的背面进行磨削时，使用本实施方式涉及的粘着性膜50作为所谓背面研磨带。[0114]以下，对于本实施方式涉及的电子装置的制造方法的各工序进行说明。[0115](工序(a))[0116]首先，准备结构体100，所述结构体100具备：具有电路形成面30a的电子部件30以及贴合于电子部件30的电路形成面30a侧的粘着性膜50。[0117]这样的结构体100例如能够如下制作：从粘着性膜50的粘着性树脂层20剥离脱模膜，使粘着性树脂层20的表面露出，在该粘着性树脂层20上粘贴电子部件30的电路形成面30a而制作。[0118]这里，向粘着性膜50粘贴电子部件30的电路形成面30a时的条件没有特别限定，例如能够是：温度为20～80℃，压力为0.05～0.5mpa，粘贴速度为0.5～20mm/秒。[0119]工序(a)优选进一步包括工序(a1)和工序(a2)，工序(a1)是选自将电子部件30进行半切割的工序(a1-1)以及对电子部件30照射激光而在电子部件30形成改性层的工序(a1-2)中的至少一种，工序(a2)是在工序(a1)之后在电子部件30的电路形成面30a侧粘贴背面研磨用粘着性膜50。[0120]如上述那样，本实施方式涉及的粘着性膜50能够适合用于使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺。因此，优选为进行作为先切割法的上述工序(a1-1)、作为先隐形法的上述工序(a1-2)的制造方法。[0121]在工序(a2)中，能够将粘着性膜50加热而粘贴在电子部件30的电路形成面30a。由此，能够使粘着性树脂层20与电子部件30的粘接状态长时间为良好。作为加热温度，没有特别限定，例如，为60～80℃。[0122]将粘着性膜50粘贴于电子部件的操作有时通过人工来进行，但一般能够通过安装有卷状粘着性膜的被称为自动粘贴机的装置来进行。[0123]作为粘贴于粘着性膜50的电子部件30，没有特别限定，优选为具有电路形成面30a的电子部件30。可举出例如，半导体晶片、环氧模塑晶片、模塑面板、模塑阵列封装、半导体基板等，优选为半导体晶片和环氧模塑晶片。[0124]此外，半导体晶片例如，可举出硅晶片、蓝宝石晶片、锗晶片、锗-砷晶片、镓-磷晶片、镓-砷-铝晶片、镓-砷晶片、钽酸锂晶片等，适合用于硅晶片。关于环氧模塑晶片，可举出：通过作为扇出(fanout)型wlp的制作方法之一的ewlb(embeddedwaferlevelballgridarray)工艺来制作的晶片。[0125]作为具有电路形成面的半导体晶片和环氧模塑晶片，没有特别限定，例如，用于表面形成有配线、电容器、二极管或晶体管等电路的晶片。此外，可以对于电路形成面进行等离子体处理。[0126]电子部件30的电路形成面30a例如可以通过具有凸块电极等而成为凹凸面。[0127]此外，凸块电极例如是：将电子装置安装于安装面时，与安装面所形成的电极接合，形成电子装置与安装面(印刷基板等的安装面)之间的电连接的凸块电极。[0128]作为凸块电极，可举出例如，球凸块、印刷凸块、钉头凸块(stubbump)、镀覆凸块、立柱凸块等。即，凸块电极通常为凸电极。这些凸块电极可以单独使用1种，也可以并用2种以上。[0129]凸块电极的高度和直径没有特别限定，分别优选为10～400μm，更优选为50～300μm。此时的凸块间距也没有特别限定，优选为20～600μm，更优选为100～500μm。[0130]此外，构成凸块电极的金属种类没有特别限定，可举出例如，焊料、银、金、铜、锡、铅、铋和它们的合金等，粘着性膜50适合用于凸块电极为焊料凸块的情况。这些金属种类可以单独使用1种，也可以并用2种以上。[0131](工序(b))[0132]接下来，将电子部件30的与电路形成面30a侧相反侧的面(也称为背面。)进行背面研磨。[0133]这里，所谓进行背面研磨，是指没有将电子部件破损而薄化加工至预定的厚度。[0134]例如，在磨削机的夹盘台(table)等上固定结构体100，将电子部件的背面(电路非形成面)进行磨削。[0135]在这样的背面磨削操作中，电子部件30被磨削至厚度成为所期望的厚度以下。磨削之前的电子部件的厚度根据电子部件30的直径、种类等适当确定，磨削后的电子部件30的厚度根据所得的芯片的尺寸、电路的种类等适当确定。[0136]此外，在电子部件30被半切割或通过激光照射形成改性层的情况下，如图1所示那样通过工序(b)，电子部件30被单片化。[0137]作为背面磨削方式，没有特别限定，能够采用公知的磨削方式。各个磨削能够一边将水施与电子部件与磨削石进行冷却一边进行。根据需要，在磨削工序的最后，能够进行作为不使用磨削水的磨削方式的干式抛光(drypolishing)工序。背面磨削结束后，根据需要进行化学蚀刻。化学蚀刻通过如下方法进行：在选自由包含氢氟酸、硝酸、硫酸、乙酸等单独或混合液的酸性水溶液、包含氢氧化钾水溶液、氢氧化钠水溶液等碱性水溶液组成的组中的蚀刻液中，以贴着有粘着性膜50的状态浸渍电子部件等方法。该蚀刻出于以下目的而进行：电子部件的背面产生的应变的除去、电子部件的进一步薄层化、氧化膜等的除去、将电极形成于背面时的前处理等目的。蚀刻液根据上述目的而适当选择。[0138](工序(c))[0139]接着，对于粘着性膜50照射紫外线之后，从电子部件30除去粘着性膜50。可以在从电子部件30除去粘着性膜之前，在切割带或带有晶片粘结膜的切割带上安装电子部件30。从电子部件30除去粘着性膜50的操作有时通过人工来进行，但是一般能够通过被称为自动剥离机的装置来进行。[0140]剥离粘着性膜50之后的电子部件30的表面可以根据需要进行洗涤。作为洗涤方法，可举出水洗涤、溶剂洗涤等湿式洗涤、等离子体洗涤等干式洗涤等。在湿式洗涤的情况下，可以并用超声波洗涤。这些洗涤方法能够根据电子部件的表面的污染状况来适当选择。[0141]在工序(c)中，对于粘着性膜50，例如，照射200mj/cm2以上2000mj/cm2以下的剂量的紫外线，从而使粘着性树脂层20光固化以降低粘着性树脂层20的粘着力之后，从电子部件30除去粘着性膜50。[0142]此外，紫外线照射例如能够使用高压水银灯，使用主波长365nm的紫外线来进行。[0143]紫外线的照射强度例如为50mw/cm2以上500mw/cm2以下。[0144](其它工序)[0145]在进行工序(a)～工序(c)之后，可以进一步进行将所得的半导体芯片安装于电路基板的工序等。这些工序能够基于公知的信息来进行。[0146]以上，对于本发明的优选实施方式进行了描述，但是它们是本发明的例示，也能够采用上述以外的各种构成。[0147]实施例[0148]以下，通过实施例和比较例具体地说明本发明，但是本发明并不限定于此。[0149]关于粘着性膜的制作的详细情况如下。[0150]＜基材层＞[0151]基材层1：聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制，制品名：e7180，厚度：50μm，单面电晕处理品)[0152]基材层2：包含低密度聚乙烯膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/低密度聚乙烯膜的层叠膜(总厚度：110μm)[0153]在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽公司制，制品名：lumirrors10，厚度：50μm)的两侧层压低密度聚乙烯膜(密度：0.925kg/m3，厚度：30μm)而得。对于所得的层叠膜的单侧实施了电晕处理。[0154]基材层3：包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜/丙烯酸膜的层叠膜(总厚度：145μm)[0155]将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制，制品名：e7180，厚度：50μm)与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井-陶氏聚合化学株式会社制，mfr：2.5g/10分钟)膜(厚度：70μm)，通过对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的贴合面侧实施电晕处理而层叠。进一步，对于乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜相反面侧，也实施了电晕放电处理。[0156]接下来，在被脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔膜)的脱模面上，将以下所示的基材用的丙烯酸系树脂涂布液以干厚度成为20μm的方式涂布并干燥，隔着乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜贴合在上述包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的层叠膜上，进行熟化(40℃，3天)。接着，剥离隔膜，获得了基材层3。[0157]＜基材用的丙烯酸系树脂涂布液＞[0158]作为聚合引发剂，使用4,4’‑偶氮二-4-氰基戊酸(大塚化学公司制，制品名：acva)0.5质量份，使丙烯酸丁酯74质量份、甲基丙烯酸甲酯14质量份、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯9质量份、甲基丙烯酸2质量份、丙烯酰胺1质量份、聚氧乙烯壬基丙烯基苯基醚硫酸铵的水溶液(第一工业制药公司制，制品名：aquaronhs-1025)3质量份在去离子水中在70℃乳液聚合9小时。聚合结束后，利用氨水调整为ph＝7，获得了固体成分浓度42.5％的丙烯酸聚合物水系乳液。接下来，对于该丙烯酸聚合物水系乳液100质量份，使用氨水调整为ph＝9以上，并且配合氮丙啶系交联剂(日本触媒化学工业制，chemititepz-33)0.75质量份和二甘醇单丁基醚5质量份，获得了基材用的涂布液。[0159]＜(甲基)丙烯酸系树脂溶液＞[0160](甲基)丙烯酸系树脂溶液1：[0161]使丙烯酸乙酯49质量份、丙烯酸-2-乙基己酯20质量份、丙烯酸甲酯21质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯10质量份和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.5质量份在甲苯65质量份和乙酸乙酯50质量份中，在80℃反应10小时。反应结束后，将所得的溶液冷却，在冷却后的溶液中添加二甲苯25质量份、丙烯酸5质量份和十四烷基二甲基苄基氯化铵0.5质量份，一边吹入空气一边在85℃反应32小时，获得了(甲基)丙烯酸系树脂溶液1。[0162](甲基)丙烯酸系树脂溶液2：[0163]使丙烯酸正丁酯77质量份、甲基丙烯酸甲酯16质量份、丙烯酸2-羟基乙酯16质量份和作为聚合引发剂的叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯0.3质量份在甲苯20质量份和乙酸乙酯80质量份中，在85℃反应10小时。反应结束后，将该溶液冷却，在其中添加甲苯30质量份、甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工制，制品名：karenzmoi)7质量份和二月桂基酸二丁基锡0.05质量份，一边吹入空气一边在85℃反应12小时，获得了(甲基)丙烯酸系树脂溶液2。[0164](甲基)丙烯酸系树脂溶液3：[0165]使丙烯酸乙酯30质量份、丙烯酸甲酯11质量份、丙烯酸-2-乙基己酯26质量份、甲基丙烯酸2-羟基乙酯7质量份和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.8质量份在甲苯7质量份和乙酸乙酯50质量份中，在80℃反应9小时。反应结束后，将所得的溶液冷却，在冷却后的溶液中添加甲苯25质量份，获得了(甲基)丙烯酸系树脂溶液3。[0166]＜断裂伸长率评价用粘着性膜＞[0167]通过在丙烯酸系树脂溶液中添加表1所示的添加剂，从而调制粘着性树脂层用的粘着剂涂布液。将该涂布液涂布于被有机硅脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔膜)的脱模处理面，在120℃干燥3分钟，形成厚度20μm的粘着性树脂层。接着，在粘着性树脂层上，贴合被电晕处理后的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜(mfr：1.7g/10min，乙酸乙烯酯含量：9质量％，厚度：140μm)的电晕处理面，获得了层叠体。接着，利用烘箱将所得的层叠体在40℃加热3天，使其熟化。[0168]＜粘着力和先切割评价用粘着性膜＞[0169]通过在丙烯酸系树脂溶液中添加表1所示的添加剂，从而调制粘着性树脂层用的粘着剂涂布液。将该涂布液涂布于被有机硅脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔膜)。接着，在120℃干燥3分钟，形成厚度20μm的粘着性树脂层，贴合于基材层。对于基材层1和2，贴合于电晕处理面。对于基材层3，剥离隔膜，贴合于丙烯酸层侧。利用烘箱将所得的层叠体在40℃加热3天，使其熟化。[0170]＜评价方法＞[0171](1)紫外线固化后的粘着性树脂层的断裂伸长率[0172]从断裂伸长率评价用粘着性膜的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜侧，对于粘着性树脂层，在25℃的环境下使用高压水银灯，以照射强度100mw/cm2照射紫外线量1080mj/cm2的主波长365nm的紫外线。接着，切为长度110mm、宽度10mm，将作为隔膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜从层叠体剥离。[0173]接着，将粘着性树脂层与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜一起，以使初始的夹盘间距离lo成为50mm的方式，利用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：自动绘图仪ags-x)夹持。将样品以30mm/分钟的速度进行拉伸，将目视时观测到粘着性树脂层断裂的点设为断裂点，将此时的夹盘间距离设为l。断裂伸长率(％)通过(l-lo)/lo×100(％)而求出。评价以n＝2来实施，将该值进行平均而设为测定值。[0174](2)粘着力评价[0175]被粘物晶片：[0176]将硅镜面晶片(sumco公司制，4英寸单面镜面晶片)的镜面通过uv臭氧洗涤装置(technovision公司制，uv-208)进行了臭氧洗涤(臭氧处理时间：60秒)。然后，将用乙醇擦拭晶片镜面后的晶片设为被粘物晶片。[0177]紫外线照射前粘着力：[0178]在23℃、50％rh的环境下，将粘着力评价用粘着性膜切为横宽50mm，剥离隔膜，使用手动辊，将粘着性膜隔着其粘着性树脂层粘贴于被粘物晶片镜面，放置1小时。放置后，使用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：自动绘图仪ags-x)，夹持粘着性膜的一端，以剥离角度：180度，剥离速度：300mm/分钟从被粘物晶片的表面剥离粘着性膜。测定此时的应力，换算为n/25mm，求出粘着力。评价以n＝2来实施，将该值进行平均而设为测定值。[0179]紫外线照射后粘着力：在23℃、50％rh的环境下，将粘着力评价用粘着性膜切为横宽50mm，剥离隔膜，使用手动辊，将粘着性膜隔着其粘着性树脂层粘贴于被粘物晶片镜面，放置1小时。放置后，在25℃的环境下，使用高压水银灯，以照射强度100mw/cm2，对于粘着性膜照射紫外线量1080mj/cm2的主波长365nm的紫外线。然后，使用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：自动绘图仪ags-x)，夹持粘着性膜的一端，以剥离角度：180度，剥离速度：300mm/分钟从被粘物晶片的表面剥离粘着性膜。测定此时的应力，换算为n/25mm，求出粘着力。评价以n＝2来实施，将该值进行平均而设为测定值。[0180]残胶评价：[0181]通过目视观察上述剥离后的被粘物晶片，按照以下基准进行了评价。[0182]〇：没有确认到残胶的情况[0183]×：确认到残胶的情况[0184](3)先切割法评价[0185]评价晶片1：[0186]使用划片机，将镜面晶片(kstworld公司制，8英寸镜面晶片，直径：200±0.5mm，厚度：725±50μm，单面镜面)的镜面进行半切割，获得了评价晶片1。(刀片：zh05-sd3500-n1-70-dd，芯片尺寸：5mm×8mm，切口深度：58μm，刀片旋转速度：30000rpm)。将评价晶片1利用光学显微镜进行了观察，结果划痕宽度为35μm。[0187]评价晶片2：[0188]使用划片机，对于镜面晶片(kstworld公司制，8英寸镜面晶片，直径：200±0.5mm，厚度：725±50μm，单面镜面)的镜面实施第1阶段的半切割(刀片：z09-sd2000-y158×0.25a×40×45e-l，芯片尺寸：5mm×8mm，切口深度：15μm，刀片旋转速度：30000rpm)。利用光学显微镜进行了观察，结果划痕宽度为60μm。接着，实施第2阶段的半切割(刀片：zh05-sd3500-n1-70-dd，芯片尺寸：5mm×8mm，切口深度：58μm，刀片旋转速度：30000rpm)，获得了评价晶片2。[0189]先切割法：[0190]使用带贴合机(日东电工公司制，dr3000ii)，将先切割评价用粘着性膜粘贴于上述评价晶片的被半切割的面(23℃，粘贴速度：5mm/分钟，粘贴压力：0.36mpa)。[0191]接着，使用研磨机(grinder)(disco公司制，dgp8760)，将上述晶片进行背面磨削(粗切削和精密切削，精密切削量：40μm，无抛光，磨削后厚度：38μm)，进行了单片化。[0192]关于先切割时的芯片飞散，在实施背面磨削之后，利用目视按照以下基准进行了评价。[0193]〇：包括三角角部在内，没有确认到芯片飞散的情况[0194]×：包括三角角部在内，确认到芯片飞散的情况[0195]进一步，进行uv照射和先切割评价用粘着性膜剥离，评价先切割法后的残胶。[0196]uv照射是在25℃的环境下使用高压水银灯，以照射强度100mw/cm2，对于先切割评价用粘着性膜照射紫外线量1080mj/cm2的主波长365nm的紫外线。[0197]先切割评价用粘着性膜的剥离按照以下步骤来进行。首先，使用晶片装配机(日东电工公司制，msa300)，将另行准备的切割带(作为安装用带来利用)隔着该切割带的粘着面，粘贴于8英寸晶片用环框架和上述被单片化后的晶片的晶片侧。接着，使用带剥离机(日东电工公司制，hr3000iii)，通过剥离带(lastingsystem公司制，pet38rel)，从晶片刻痕部剥离先切割评价用粘着性膜。装置剥离性按照以下基准来评价。[0198]〇：第1次就能将先切割评价用粘着性膜从晶片剥离的情况[0199]×：第1次未能将先切割评价用粘着性膜从晶片剥离的情况[0200]关于先切割法后的被单片化了的晶片上的残胶，使用光学显微镜(奥林巴斯公司制)，按照以下基准进行了评价。[0201]〇：没有确认到残胶的情况[0202]×：确认到残胶的情况[0203][实施例1][0204]对于(甲基)丙烯酸系树脂溶液1(固体成分)100质量份，添加作为光引发剂的苯偶酰二甲基缩酮(igm公司制，商品名：omnirad651)6.9质量份、异氰酸酯系交联剂(三井化学公司制，商品名：olesterp49-75s)0.93质量份，获得了粘着性树脂层用的粘着剂涂布液1。通过上述方法，制作断裂伸长率评价用粘着性膜、粘着力评价用粘着性膜和先切割评价用粘着性膜。此外，基于先前描述的评价方法，实施紫外线固化后的粘着材的断裂伸长率、粘着力评价和先切割法评价。将结果示于表1中。[0205][实施例2～10和比较例1和2][0206]将粘着性树脂层和基材层的种类变更为表1所示的种类，除此以外，与实施例1同样地操作，分别制作粘着性膜。此外，与实施例1同样地分别进行各评价。将所得的结果分别示于表1中。[0207]另外，表1所记载的化合物如下。[0208]omnirad651(igm公司制)：2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮[0209]omnirad369(igm公司制)：2-苄基-2-二甲基氨基-4’‑吗啉代苯丁酮[0210]aronixm400(东亚合成公司制)：二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物[0211]nk酯ad-tmp(新中村化学工业公司制)：双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯[0212][表1][0213][0214]本技术主张于2020年4月23日申请的日本技术特愿2020-076702号作为基础的优先权，将其公开的全部内容援引入本技术中。[0215]符号的说明[0216]10ꢀꢀꢀꢀꢀ基材层[0217]20ꢀꢀꢀꢀꢀ粘着性树脂层[0218]30ꢀꢀꢀꢀꢀ电子部件[0219]30aꢀꢀꢀꢀ电路形成面[0220]50ꢀꢀꢀꢀꢀ粘着性膜[0221]100ꢀꢀꢀꢀ结构体。当前第1页12当前第1页12