一种顶发射绿色有机电致发光器件及其制备方法

1.本发明属于有机光电技术领域，尤其涉及一种顶发射绿色有机电致发光器件及其制备方法。


背景技术：

2.有机发光二极管(oleds)又被称为有机电致发光器件，是一种自发光器件，当电荷被注入到空穴注入电极(阳极)和电子注入电极(阴极)之间的有机膜时，电子和空穴复合形成激子，随后退激辐射产生光。有机电致发光器件具有低功耗、高对比度、可柔性化等特性，引起来学术界和产业界的广泛关注，在近年来得到了迅猛的发展。
3.有机电致发光器件作为电流驱动的器件，需要借助有源矩阵显示驱动器来再现高质量的图像，因而挑战在于提供稳定的驱动电流背板技术。低温多晶硅薄膜晶体管(ltps-tft)的迁移率和阈值电压是不均匀的，因此通常需要在驱动电路中进行均匀性补偿。目前，大多数解决方案都是增加每个像素中的薄膜晶体管(tft)数量，这大大降低了传统底发射器件(boleds)的孔径比，迫使器件在更高的亮度水平下运行，从而缩短了工作寿命。
4.从器件结构原理上讲，顶部发光的oleds(toleds)不受集成在衬底上的薄膜晶体管数量的影响，因而更符合有源矩阵oleds(amoleds)的需求。此外，toleds是通过一个薄的透明顶部电极而不是厚的玻璃衬底发光，所以不会出现明显的图像模糊问题。因此，有必要构建toleds以保持更大的孔径比，提高光提取效率，减少像素模糊。此外，由于微腔效应，具有半透明金属电极的toleds的发射光谱趋于狭窄，这使得发射光的颜色具有更高的饱和度，改善了颜色稳定性。
5.2007年华侨大学的吴志军等人使用三(8-羟基喹啉)铝分别作为发光材料和电子传输材料、al/ag作为半透明电极设计了绿色顶发射有机电致发光器件。虽然该器件展现出增大的电流密度和窄发射光谱，但是由于不平衡的载流子注入导致器件的效率和亮度较低，因而所得器件的工作电压较高。2018 年fukagawa等人利用一种铂配合物作为发射体制备的绿色磷光顶发射oled 实现了较高的电流效率和颜色饱和度，较长的工作寿命。但是由于微腔效应导致了器件发射的光强度在不同观察角度下会产生较大差异，而且器件的电流效率随着电流密度的增大呈现出较快的衰减。由此可见，顶发射绿色有机电致发光器件在发光效率、颜色饱和度、工作电压和寿命等性能仍然没有得到彻底改善。


技术实现要素：

6.有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种结构简单、具有较高的发光效率、亮度、颜色饱和度、光谱稳定性和工作寿命的顶发射绿色有机电致发光器件及其制备方法。
7.本发明提供了一种顶发射绿色有机电致发光器件，包括依次设置的阳极层、阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层、阴极修饰层与阴极层。
8.优选的，所述阳极层的厚度为80～100nm；所述阳极修饰层的厚度为8～10 nm；所述p型掺杂空穴传输层的厚度为25～40nm；所述空穴传输层的厚度为 5～10nm；所述发光层的厚度为4～12nm；所述空穴阻挡层或电子传输层的厚度为40～80nm；所述阴极修饰层的厚度为1.6～2.4nm；所述阴极层的厚度为 15～30nm。
9.优选的，所述阳极层的材料为银；
10.所述阳极修饰层的材料选自二吡嗪并[2,3-f：2',3'-h]喹喔啉-2，3，6，7， 10，11-己腈、7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基-醌二甲烷、 4,4',4"-三(n-3-甲基苯基-n-苯基-氨基)-三苯胺与铜(ii)酞菁中的一种或多种。
[0011]
优选的，所述阳极层的面阻为0.1～1欧姆。
[0012]
优选的，所述p型掺杂空穴传输层的材料包括p型掺杂材料与空穴传输材料；所述p型掺杂材料为二吡嗪并[2,3-f：2',3'-h]喹喔啉-2，3，6，7，10， 11-己腈；所述p型掺杂材料的掺杂量为0.3％～0.6％。
[0013]
优选的，所述空穴传输层的材料选自n,n'-双(萘-1-基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺、三(4-(喹啉-8-基)苯基)胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺与 n4,n4,n4',n4'-四[(1,1'-联苯)-4-基]-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺中的一种或多种；
[0014]
所述发光层的材料包括绿色有机发光材料与主体材料；所述主体材料为空穴型有机主体材料或电子型有机主体材料；所述绿色有机发光材料的质量为主体材料总质量的8％～12％；
[0015]
所述空穴阻挡层的材料选自1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯和/或1,3,5
‑ꢀ
三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯；
[0016]
所述电子传输层的材料选自1,3,5-三(6-(3-(吡啶-3-基)苯基)吡啶-2-基)苯、三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷与1，3，5-三[(3-吡啶)-3-苯基] 苯中的一种或多种。
[0017]
优选的，所述绿色有机发光材料选自双(2-苯基吡啶-n，c2')铱(2-(2'， 4'-二氟苯基)-4-甲基吡啶)和/或三(苯基吡唑)铱(iii)；
[0018]
所述空穴型有机主体材料选自4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺；
[0019]
所述电子型有机主体材料选自2,4-二苯基-6-双(12-苯基吲哚并[2,3-a]咔唑
ꢀ‑
11-基)-1,3,5-三嗪、2,6-二[3-(9h-9-咔唑基)苯基]吡啶与9-(4-特丁基苯基)
ꢀ‑
3,6-双(三苯基硅基)-9h-咔唑中的一种或多种。
[0020]
优选的，所述阴极修饰层包括氟化锂层与稀土金属层；所述氟化锂层与空穴阻挡层或电子传输层相接触；所述稀土金属层与阴极层相接触；
[0021]
所述阴极层的材料选自金属铝、银与金中的一种或多种。
[0022]
优选的，所述氟化锂层与稀土金属层的厚度各自独立地为0.8～1.2nm。
[0023]
本发明还提供了一种顶发射绿色有机电致发光器件的制备方法，包括：
[0024]
在衬底上依次蒸镀阳极层、阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层、阴极修饰层与阴极层，得到顶发射绿色有机电致发光器件。
[0025]
本发明提供了一种顶发射绿色有机电致发光器件，包括依次设置的阳极层、阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层、阴极修饰层与阴极层。与现有技术相比，本发明提供的顶发射绿色有机电致发光器件的结构大幅度提
高了器件的光耦合输出效率，增大了器件的电流密度和亮度，拓宽了激子复合区宽度，从而提高器件的发光效率、降低了工作电压，延缓器件的效率衰减、提高器件的颜色饱和度、提高器件的工作寿命；并且该顶发射绿色有机电致发光器件结构简单，制作成本较低。
[0026]
进一步，本发明通过优选发光材料、筛选能级能量匹配的有机材料并优化器件结构及制备工艺，大幅提高器件发光效率、亮度、颜色饱和度和工作寿命的同时，降低器件的工作电压，延缓器件的效率衰减。这为制备高稳定性的白光照明和全彩显示面板提供了一种有效的方法。
附图说明
[0027][0028]
图1为本发明提供的顶发射绿色有机电致发光器件的结构示意图；
[0029]
图2为本发明实施例1中制备得到的顶发射绿色有机电致发光器件的电压-电流密度-亮度特性曲线图；
[0030]
图3为本发明实施例2中得到的顶发射绿色有机电致发光器件的电流密度-功率效率-电流效率特性曲线图；
[0031]
图4为本发明实施例2中得到的顶发射绿色有机电致发光器件在电流密度为10ma/cm2时的光谱图。
具体实施方式
[0032]
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033]
本发明提供了一种顶发射绿色有机电致发光器件，包括依次设置的阳极层、阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层、阴极修饰层与阴极层。
[0034]
参见图1，1为衬底，2为阳极层，3为阳极修饰层、4为p型掺杂空穴传输层，5为空穴传输层，6为发光层，7为空穴阻挡层/电子传输层，8、9为缓冲层，10为阴极层。
[0035]
本发明提供的顶发射绿色有机电致发光器件优选还包括衬底；所述衬底优选为玻璃衬底。
[0036]
所述衬底上设置有阳极层；所述阳极层的材料优选为银；所述阳极层的厚度优选为80～100nm；所述阳极层的面阻优选为0.1～1欧姆。
[0037]
所述阳极层上设置有阳极修饰层；所述阳极修饰层的厚度优选为8～10 nm；所述阳极修饰层的材料优选为二吡嗪并[2,3-f：2',3'-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-己腈(简称hat-cn)、7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(简称tcnq)、2,3,5,6
‑ꢀ
四氟-7,7,8,8-四氰基-醌二甲烷(简称f4-tcnq)、4,4',4"-三(n-3-甲基苯基-n
‑ꢀ
苯基-氨基)-三苯胺(简称m-mtdata)与铜(ii)酞菁(简称cupc)中的一种或多种，其分子式如下所示：
[0038][0039]
所述阳极层上设置有p型掺杂空穴传输层；所述p型空穴传输层的厚度优选为25～40nm，更优选为25～30nm；在本发明提供的实施例中，所述p型空穴传输层的厚度具体为25nm、30nm或40nm所述p型掺杂空穴传输层的材料包括p型掺杂材料与空穴传输材料；所述p型掺杂材料优选为二吡嗪并 [2,3-f：2',3'-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-己腈(简称hat-cn)；所述p型掺杂材料的掺杂量优选为0.3％～0.6％；所述空穴传输材料优选为4,4'
–
环己基二[n,n
–
二(4
–
甲基苯基)苯胺](简称tapc)。
[0040]
所述p型掺杂空穴传输层上设置有空穴传输层；所述空穴传输层的厚度优选为5～10nm；所述空穴传输层的材料为本领域技术人员熟知的可作为空穴传输层的材料即可，并无特殊的限制，本发明中优选为4,4'
–
环己基二[n,n
–
二(4
–
甲基苯基)苯胺](简称tapc)、n,n'-双(萘-1-基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺 (简称npb)、三(4-(喹啉-8-基)苯基)胺(简称tqtpa)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺(简称tpd)与n4,n4,n4',n4'-四[(1,1'-联苯)-4
‑ꢀ
基]-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(简称bpbpa)中的一种或多种，其分子式为：
[0041][0042]
所述空穴传输层上设置有发光层；所述发光层的厚度优选为4～12nm，更优选为6～12nm，再优选为8～10nm；所述发光层的材料优选包括绿色有机发光材料与主体材料；所述绿色有机发光材料优选为双(2-苯基吡啶-n，c2') 铱(2-(2'，4'-二氟苯基)-4-甲基吡啶)(简称ir(ppy)2(dfpmpy))和/或三(苯基吡唑)铱(iii)(简称ir(mppy)3)；所述主体材料优选为空穴型有机主体材料或电子型有机主体材料；所述空穴型有机主体材料优选为4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称tcta)；所述电子型有机主体材料优选为2,4-二苯基-6
‑ꢀ
双(12-苯基吲哚并[2,3-a]咔唑-11-基)-1,3,5-三嗪(简称dic-trz)、2,6-二[3
‑ꢀ
(9h-9-咔唑基)苯基]吡啶(简称26dczppy)与9-(4-特丁基苯基)-3,6-双(三苯基硅基)-9h-咔唑(简称czsi)中的一种或多种；所述绿色有机发光材料的质量为主体材料总质量的8％～12％，更优选为9％～11％，再优选为10％。
[0043][0044]
所述发光层上设置有空穴阻挡层或电子传输层；所述空穴阻挡层或电子传输层的厚度优选为40～80nm，更优选为50～80nm；在本发明提供的实施例中，所述空穴阻挡层或电子传输层的厚度具体为50nm、60nm或80nm所述空穴阻挡层的材料优选为1,3-双[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯(简称bmpyphb) 和/或1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯(简称tpbi)；所述电子传输层的材料优选为1,3,5-三(6-(3-(吡啶-3-基)苯基)吡啶-2-基)苯(简称tm3pyp26pyb)、三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷(简称3tpymb)与1，3，5-三[(3
‑ꢀ
吡啶)-3-苯基]苯(简称tmpypb)中的一种或多种。
[0045][0046]
所述空穴阻挡层或电子传输层上设置有阴极修饰层；所述阴极修饰层的的厚度优选为1.6～2.4nm，更优选为1.8～2.2nm，再优选为2nm；在本发明中，所述阴极修饰层优选包括氟化锂层与稀土金属层；所述氟化锂层与空穴阻挡层或电子传输层相接触；所述稀土金属层与阴极层相接触；所述氟化锂层与稀土金属层的厚度优选各自独立地为0.8～1.2nm，更优选各自独立地位 0.9～1.1nm，再优选为1nm；所述稀土金属层优选为稀土镱层。
[0047]
所述阴极修饰层上设置有阴极层；所述阴极层的厚度优选为15～30nm，更优选为18～20nm；所述阴极层的材料优选为金属铝、银与金中的一种或多种。本发明以al、ag和au等金属作为半透明阴极。
[0048]
本发明提供的顶发射绿色有机电致发光器件的结构大幅度提高了器件的光耦合输出效率，增大了器件的电流密度和亮度，拓宽了激子复合区宽度，从而提高器件的发光效率、降低了工作电压，延缓器件的效率衰减、提高器件的颜色饱和度、提高器件的工作寿命；并且该顶发射绿色有机电致发光器件结构简单，制作成本较低。进一步，本发明通过优选发光材料、筛选能级能量匹配的有机材料并优化器件结构及制备工艺，大幅提高器件发光效率、亮度、颜色饱和度和工作寿命的同时，降低器件的工作电压，延缓器件的效率衰减。这为制备高稳定性的白光照明和全彩显示面板提供了一种有效的方法。
[0049]
本发明还提供了一种顶发射绿色有机电致发光器件的制备方法，包括：在衬底上
依次蒸镀阳极层、阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层、阴极修饰层与阴极层，得到顶发射绿色有机电致发光器件。
[0050]
其中，本发明对所有原料的来源并没有特殊的限制，为市售即可；所述衬底、阳极层、阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层、阴极修饰层与阴极层均同上所述，在此不再赘述。
[0051]
在本发明中，优选先将衬底进行清洗烘干后，然后在其上蒸镀阳极层；所述清洗优选为用清洗液、去离子水进行超声清洗；所述超声清洗的时间优选为10～20min；清洗烘干后优选将衬底在金属蒸镀室并适用相应的阳极掩膜版进行阳极层的蒸镀。
[0052]
然后优选在有机蒸镀室中进行阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层的蒸镀；蒸镀的真空度优选为1
×
10-6
～2
×
10-6
帕；所述阳极修饰层、p型掺杂空穴传输层中空穴传输材料、空穴传输层、发光层中主体材料与空穴阻挡层或电子传输层的材料的蒸发速率优选为0.08～0.12纳米/秒；所述p型掺杂空穴传输层中p型掺杂材料的蒸发速率优选为0.0003～0.0006纳米/秒；所述发光层中绿色有机发光材料的蒸发速率优选为0.008～0.012纳米/秒。蒸镀发光层时，有机混合材料中的绿色有机发光材料、有机主体材料在不同的蒸发源中同时蒸发，通过调控两种材料的蒸发速率使得掺杂的绿色有机发光材料和有机主体材料的重量比控制在 8.0％～12.0％之间。
[0053]
最后优选在金属蒸镀室中蒸镀阴极修饰层与阴极层；蒸镀的真空度优选为1
×
10-6
～2
×
10-6
帕；其中阴极修饰层蒸镀氟化锂层时的蒸发速率优选为 0.02～0.03纳米/秒；蒸镀稀土金属层时的蒸发速率优选为0.07～0.12纳米/秒；蒸镀阴极层时的蒸发速率优选为0.1～0.3纳米/秒。
[0054]
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种顶发射绿色有机电致发光器件及其制备方法进行详细描述。
[0055]
以下实施例中所用的试剂均为市售。
[0056]
实施例1
[0057]
先将玻璃衬底1用清洗液、去离子水超声清洗15分钟并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入手套箱，然后传送到金属蒸镀室，并使用相应的阳极掩模板进行阳极电极的蒸镀，然后把它转移到有机蒸镀室。待真空度达到 2
×
10-6
帕时，依次在阳极层2上蒸镀阳极修饰层3、p型掺杂空穴传输层4、空穴传输层5、发光层6、空穴阻挡层/电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在2
×
10-6
帕的真空氛围下依次蒸镀阴极修饰层8、9 和金属阴极层10。
[0058]
在真空度为2
×
10-6
帕的有机蒸镀室中，在阳极电极(100纳米)上依次蒸镀8纳米厚的hat-cn阳极修饰层3、30纳米厚的hat-cn与tapc共掺杂的p型掺杂空穴传输层4、10纳米厚tapc层5、10纳米厚ir(ppy)2(dfpmpy) 与dic-trz共掺杂的发光层6和60纳米厚的tm3pyp26pyb空穴阻挡层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在2
×
10-6
帕的真空氛围下蒸镀 1.0纳米厚的lif阴极修饰层，最后通过特制的掩模版在lif层上1.0纳米厚的yb和18纳米厚的金属ag电极层，制备成结构为ag/hat-cn/hat-cn(0.3 wt％):tapc/tapc/ir(ppy)2(dfpmpy)(10wt％):dic-trz/tm3pyp26pyb/lif/yb/ ag的顶发射绿色有机电致发光器件。p型掺杂空穴传输层4中hat-cn的蒸发速率控制在0.0003～0.0006纳米/秒，阳极修饰层3、p型掺杂空穴传输层4 中的tapc，空穴传输层5、发光层6和空穴阻挡层/电子传输层7
中hat-cn、 tapc、dic-trz、tm3pyp26pyb的蒸发速率控制在0.08～0.12纳米/秒，绿色有机发光材料ir(ppy)2(dfpmpy)的蒸发速率控制在0.008～0.012纳米/秒，阴极修饰层8中lif的蒸发速率控制在0.02～0.03纳米/秒，阴极修饰层9中yb的蒸发速率控制在0.07～0.12纳米/秒，金属阴极层10中ag的蒸发速率控制在 0.1～0.3纳米/秒。
[0059]
对实施例1中得到的顶发射绿色有机电致发光器件的性能进行测试，得到其电压-电流密度-亮度特性曲线图，如图2所示。由图2可知实施例1中所得器件在直流电压驱动下，发射主峰位于516纳米；器件的亮度随着电流密度和驱动电压的升高而升高，器件的启亮亮电压为2.2伏，器件的最大亮度为 328822cd/m2。器件的最大电流效率为168.59cd/a，最大功率效率为186.38 lm/w。
[0060]
实施例2
[0061]
先将玻璃1用清洗液、去离子水超声清洗15分钟并放入烘箱烘干。接着将烘干后的衬底放入手套箱，然后传送到金属蒸镀室，并使用相应的阳极掩模板进行阳极电极的蒸镀，然后把它转移到有机蒸镀室。待真空度达到2
×
10-6
帕时，依次在阳极层2上蒸镀阳极修饰层3、p型掺杂空穴传输层4、空穴传输层5、发光层6、空穴阻挡层/电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在2
×
10-6
帕的真空氛围下依次蒸镀阴极修饰层8、9和金属阴极层10。
[0062]
在真空度为2
×
10-6
帕的有机蒸镀室中，在阳极电极(100纳米)上依次蒸镀8纳米厚的hat-cn阳极修饰层3、25纳米厚的hat-cn与tapc共掺杂的p型掺杂空穴传输层4、10纳米厚tapc层5、10纳米厚的ir(ppy)2(dfpmpy) 与tcta共掺杂和10纳米厚的ir(ppy)2(dfpmpy)与dic-trz共掺杂的发光层6 以及50纳米厚的tm3pyp26pyb空穴阻挡层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在2
×
10-6
帕的真空氛围下蒸镀1.0纳米厚的lif阴极修饰层，最后通过特制的掩模版在lif层上1.0纳米厚的yb和18纳米厚的金属ag电极层，制备成结构为ag/hat-cn/hat-cn(0.3wt％):tapc/tapc/ ir(ppy)2(dfpmpy)(10wt％):tcta/ir(ppy)2(dfpmpy)(10wt％):dic-trz/ tm3pyp26pyb/lif/yb/ag的顶发射绿色有机电致发光器件。p型掺杂空穴传输层4中hat-cn的蒸发速率控制在0.0003～0.0006纳米/秒，阳极修饰层3、 p型掺杂空穴传输层4中的tapc，空穴传输层5、发光层6和空穴阻挡层/ 电子传输层7中hat-cn、tapc、tcta、dic-trz、tm3pyp26pyb的蒸发速率控制在0.08～0.12纳米/秒，绿色有机发光材料ir(ppy)2(dfpmpy)的蒸发速率控制在0.008～0.012纳米/秒，阴极修饰层8中lif的蒸发速率控制在0.02 －0.03纳米/秒，阴极修饰层9中yb的蒸发速率控制在0.07～0.12纳米/秒，金属阴极层10中ag的蒸发速率控制在0.1～0.3纳米/秒。
[0063]
对实施例2中得到的顶发射绿色有机电致发光器件的性能进行测试，得到其电流密度-功率效率-电流效率特性曲线图，如图3所示。
[0064]
对实施例2中得到的顶发射绿色有机电致发光器件的性能进行测试，得到其电流密度为10ma/cm2时的光谱图，如图4所示。
[0065]
由图3与图4可知，实施例2中所得器件在直流电压驱动下，发射主峰位于503纳米。器件的启亮亮电压为2.2伏，器件的最大亮度为371772cd/m2。器件的最大电流效率为111.38cd/a，最大功率效率为133.17lm/w。
[0066]
实施例3
[0067]
先将玻璃1用清洗液、去离子水超声清洗15分钟并放入烘箱烘干。接着将烘干后的
衬底放入手套箱，然后传送到金属蒸镀室，并使用相应的阳极掩模板进行阳极电极的蒸镀，然后把它转移到有机蒸镀室。待真空度达到1-2
×ꢀ
10-6
帕时，依次在阳极层2上蒸镀阳极修饰层3、p型掺杂空穴传输层4、空穴传输层5、发光层6、空穴阻挡层/电子传输层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在2
×
10-6
帕的真空氛围下依次蒸镀阴极修饰层8、9和金属阴极层10。
[0068]
在真空度为2
×
10-6
帕的有机蒸镀室中，在阳极电极(100纳米)上依次蒸镀8纳米厚的hat-cn阳极修饰层3、40纳米厚的hat-cn与tapc共掺杂的p型掺杂空穴传输层4、10纳米厚tapc层5、10纳米厚的ir(mppy)3与tcta 共掺杂的发光层6以及80纳米厚的tm3pyp26pyb空穴阻挡层7。接下来，未完成的器件被转移到金属蒸镀室，在2
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10-6
帕的真空氛围下蒸镀1.0纳米厚的lif阴极修饰层，最后通过特制的掩模版在lif层上1.0纳米厚的yb和18 纳米厚的金属ag电极层，制备成结构为ag/hat-cn/hat-cn(0.3 wt％):tapc/tapc/ir(mppy)3(10wt％):tcta/tm3pyp26pyb/lif/yb/ag的顶发射绿色有机电致发光器件。p型掺杂空穴传输层4中hat-cn的蒸发速率控制在0.0003～0.0006纳米/秒，阳极修饰层3、p型掺杂空穴传输层4中的tapc，空穴传输层5、发光层6和空穴阻挡层/电子传输层7中hat-cn、 tapc、tcta、dic-trz、tm3pyp26pyb的蒸发速率控制在0.08～0.12纳米/ 秒，绿色有机发光材料ir(mppy)3的蒸发速率控制在0.008～0.012纳米/秒，阴极修饰层8中lif的蒸发速率控制在0.02～0.03纳米/秒，阴极修饰层9中 yb的蒸发速率控制在0.07～0.12纳米/秒，金属阴极层10中ag的蒸发速率控制在0.1～0.3纳米/秒。
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实施例3中所得器件在直流电压驱动下，发射主峰位于552纳米。器件的启亮亮电压为2.7伏，器件的最大亮度为289772cd/m2。器件的最大电流效率为161.17cd/a，最大功率效率为159.35lm/w。