半导体封装结构及其制备方法、电子设备与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体封装结构及其制备方法、电子设备。


背景技术：

2.以氮化镓为代表的功率半导体器件通常具有较厚的衬底。以氮化镓hemt为例，氮化镓基材料生长在较厚的硅、蓝宝石或碳化硅衬底上。由于硅与蓝宝石衬底价格较低，所以对于很多应用都是优选的衬底材料。但是硅衬底和蓝宝石衬底的热导率较低，蓝宝石衬底的导热能力尤其差。因此，在制作该类型器件时，衬底的散热能力较差成为了一个重要的挑战。
3.现有一种提升器件散热的办法是降低衬底的厚度，但是在衬底较薄的情况下，晶圆的机械强度极差，并且晶圆的翘曲度很大，非常不利于后续的工艺。同时，由于在衬底和氮化镓外延层内存在较高的应力，所以在衬底较薄的情况下，晶圆非常脆弱，很容易破裂。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其制备方法、电子设备，以解决现有衬底减薄工艺容易导致晶圆翘曲或者破裂的问题。
5.第一个方面，本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：衬底、器件功能层、第一电极层、支撑层和第二电极层。所述器件功能层位于所述衬底的一侧，包括至少一个半导体器件；所述第一电极层位于所述器件功能层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层对应于同一所述半导体器件的区域包括多个第一电极结构，所述第一电极结构与所述半导体器件的电极对应连接；所述支撑层位于所述器件功能层远离所述衬底的一侧，并且覆盖所述第一电极层；所述支撑层包括注塑结构和位于所述注塑结构内部的多个导电支撑结构，所述导电支撑结构的一端与对应区域的所述第一电极结构连接，所述导电支撑结构的另一端与所述注塑结构远离所述衬底的一侧平齐；所述第二电极层位于所述支撑层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层对应于同一所述半导体器件的区域包括多个第二电极结构，所述第二电极结构与所述第一电极结构一一对应，且与所述导电支撑结构连接。
6.在一个可选的实施例中，所述注塑结构包围所述导电支撑结构；所述导电支撑结构为金属网格结构或者间隔布置的多个金属球结构。
7.在一个可选的实施例中，所述衬底的厚度与所述支撑层的厚度总和为120微米～150微米；和/或，所述衬底的厚度为0微米～100微米。
8.在一个可选的实施例中，所述第二电极结构与所述第一电极结构在所述衬底上的正投影重叠。
9.在一个可选的实施例中，多个所述金属球结构呈线性阵列间隔排布。
10.在一个可选的实施例中，所述注塑结构内部还分散有纳米颗粒，所述纳米颗粒的材料包括氧化硅、氧化钛或者碳化硅。
11.在一个可选的实施例中，所述注塑结构的材料包括树脂材料；和/或，所述导电支撑结构的材料包括锡。
12.在一个可选的实施例中，所述半导体封装结构还包括：背金层；所述背金层位于所述衬底远离所述器件功能层的一侧，用于与框架的基岛连接。
13.第二个方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括如第一个方面所述的半导体封装结构。
14.第二个方面，本发明实施例还提供了一种半导体封装结构的制备方法，用于制备第一个方面所述的半导体封装结构，包括：
15.提供一衬底；
16.在所述衬底的一侧制备器件功能层；所述器件功能层包括至少一个半导体器件；
17.在所述器件功能层远离所述衬底的一侧制备第一电极层；所述第一电极层对应于同一所述半导体器件的区域包括多个第一电极结构；
18.在所述第一电极结构远离所述衬底的一侧制备导电支撑结构；
19.在所述第一电极层远离所述衬底的一侧注塑形成注塑结构，使得所述注塑结构包围所述导电支撑结构，且所述导电支撑结构远离所述衬底的一端与所述注塑结构远离所述衬底的一侧平齐；
20.对所述衬底进行减薄；
21.在所述注塑结构远离所述衬底的一侧制备第二电极结构。
22.可选地，所述在所述衬底的一侧制备器件功能层；所述器件功能层包括至少一个半导体器件，包括：
23.去除所述器件功能层位于切割道区域的部分结构，使得相邻的所述半导体器件相互独立；
24.以及，所述在所述第一电极层远离所述衬底的一侧注塑形成注塑结构，使得所述注塑结构包围所述导电支撑结构，且所述导电支撑结构远离所述衬底的一端与所述支撑层远离所述衬底的一侧平齐，包括：
25.所述注塑结构覆盖所述第一电极结构以及所述切割道区域。
26.本发明实施例至少具有以下技术效果：
27.本发明实施例提供的半导体封装结构，通过在第一电极层上制备支撑层，由于该支撑层包括注塑结构和置于注塑结构内部的导电支撑结构，利用导电支撑结构作为第一电极结构和第二电极结构的电连接通道，从而将电极结构引出，方便外部引线连接；同时导电支撑结构与注塑结构结合可极大增加晶圆的结构强度，从而为衬底减薄提供较好的机械支撑能力，可防止晶圆翘曲或者破损，而且衬底减薄后有利于提升半导体封装器件的散热性能，可增加产品的使用寿命。
附图说明
28.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的结构示意图；
30.图2本发明实施例提供的一种半导体封装结构的导电支撑结构的俯视图；
31.图3本发明实施例提供的另种半导体封装结构的结构示意图；
32.图4发明实施例提供的另一种半导体封装结构的导电支撑结构的俯视图；
33.图5为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法的流程图；
34.图6为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中步骤s200所对应的工艺结构图；
35.图7为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中步骤s300所对应的工艺结构图；
36.图8为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中步骤s400所对应的工艺结构图；
37.图9为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中步骤s500所对应的工艺结构图；
38.图10为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中步骤s600所对应的工艺结构图；
39.图11为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中步骤s700所对应的工艺结构图；
40.图12为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中制备背金层所对应的工艺结构图；
41.图13为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中切割晶圆所对应的工艺结构图；
42.图14为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中安装框架所对应的工艺结构图；
43.图15为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中打线所对应的工艺结构图；
44.图16为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中二次注塑封装所对应的工艺结构图；
45.图17为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中电镀锡所对应的工艺结构图；
46.图18为本发明实施例提供的一种半导体封装结构的制备方法中封装芯片切割所对应的工艺结构图。
47.图标：100-衬底；200-器件功能层；300-第一电极层；310-第一电极结构；400-支撑层；410-导电支撑结构；420-注塑结构；421-纳米颗粒；500-第二电极层；510-第二电极结构；600-背金层；700-框架；800-塑封结构；900-焊接层。
具体实施方式
48.下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范
围。
49.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
50.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
51.结合图1和图2所示，本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：衬底100、器件功能层200、第一电极层300、支撑层400和第二电极层500。其中，器件功能层200位于衬底100的一侧，包括至少一个半导体器件。本实施例中的半导体器件为氮化镓hemt(高电子迁移率晶体管)或者肖特基二极管器件。
52.具体地，第一电极层300位于器件功能层200远离衬底100的一侧，第一电极层300对应于同一半导体器件的区域包括多个第一电极结构310，第一电极结构310与半导体器件的电极对应连接。例如：半导体器件的电极分别包括源极、漏极和栅极，对应于该半导体器件的第一电极结构310为三个(参阅图2中三个独立的区域)，这三个第一电极结构310的面积可以不相同，具体根据半导体封装结构的尺寸和性能要求进行设计。为了便于描述，本实施例中将对应于源极的第一电极结构310当作第一子电极，将对应于漏极的第一电极结构310当作第二子电极，将对应于栅极的第一电极结构310当作第三子电极。
53.进一步地，本实施例中的支撑层400位于器件功能层200远离衬底100的一侧，支撑层400覆盖第一电极层300的各第一电极结构310，用于提升整个半导体封装结构的机械性能和耐弯折性能，以便于衬底100的减薄。其中，支撑层400具体包括注塑结构420和位于注塑结构420内部的多个导电支撑结构410，导电支撑结构410的一端与对应区域的第一电极结构310连接，导电支撑结构410的另一端与注塑结构420远离衬底100的一侧平齐，用于与第二电极层500包括的第二电极结构510电连接。
54.需要说明的是，第二电极层500位于支撑层400远离衬底100的一侧，第二电极层500对应于同一半导体器件的区域包括多个第二电极结构510，第二电极结构510与第一电极结构310一一对应，且与导电支撑结构410远离衬底100的一端连接。
55.本实施例提供的半导体封装结构，通过在第一电极层300上制备支撑层400，由于该支撑层400包括注塑结构420和置于注塑结构420内部的导电支撑结构410，利用导电支撑结构410作为第一电极结构310和第二电极结构510的电连接通道，从而将电极结构引出，方便外部引线连接；同时导电支撑结构410与注塑结构420结合可极大增加晶圆的结构强度，从而为衬底100减薄提供较好的机械支撑能力，可防止晶圆翘曲或者破损，而且衬底100减薄后有利于提升半导体封装器件的散热性能，可增加产品的使用寿命。
56.在一个可选的实施例中，继续参阅图1和图2，本实施例中的导电支撑结构410包括金属网格结构，注塑结构420将金属网格结构包围。
57.具体地，对于同一半导体器件，每个第一电极结构310上均设置金属网格结构，金属网格结构通过电镀结合图形化工艺制备得到，或者通过打印工艺制备得到其中，金属网格结构靠近衬底100的一端与第一电极结构310电连接。
58.进一步地，注塑结构420通过注塑工艺制备得到，用于制备注塑结构420的材料填充在金属网格结构的周边间隙(包括网格结构内侧的间隙和网格结构外侧的间隙)中，并且使金属网格结构远离衬底100的表面与注塑结构420远离衬底100的表面平齐，可方便与第二电极结构510接触导电。
59.本实施例中，利用金属网格结构作为导电支撑结构410，使得支撑层400的整体性更强，进一步提升整个支撑层400的结构强度和耐弯折性能，有利于衬底100的进一步减薄。
60.可选地，如图3和图4所示，本实施例中的导电支撑结构410包括间隔布置的多个金属球结构，注塑结构420将多个金属球结构包围。
61.具体地，对于同一半导体器件，每个第一电极结构310上均设置至少一个金属球结构，金属球结构可以通过电镀、植球、装片或者打印工艺制备得到。其中，金属球结构靠近衬底100的一端与第一电极结构310电连接。
62.进一步地，注塑结构420通过注塑工艺制备得到，用于制备注塑结构420的材料填充在金属球结构的周边间隙中，并且使金属球结构远离衬底100的表面与注塑结构420远离衬底100的表面平齐，可方便与第二电极结构510接触导电。
63.本实施例中，利用金属球结构作为导电支撑结构410，同时金属球结构的球形表面与周边的注塑结构420的结合更为紧密，使得支撑层400的整体性更强，进一步提升整个支撑层400的结构强度和耐弯折性能，有利于衬底100的进一步减薄。
64.在一个可选的实施例中，发明人通过试验发现，支撑层400的整体厚度不同，对应的衬底100可减薄的厚度也不同。具体地，当衬底100的厚度与支撑层400的厚度总和控制在120微米～150微米(包括端点值120微米和150微米)时，既能保证整个半导体封装结构的整体厚度，同时也能保证衬底100减薄后的晶圆不发生翘曲。
65.可选地，本实施例中衬底100的厚度可以减薄至0微米～100微米(包括端点值0微米和100微米)，相比于现有硅上氮化镓或者蓝宝石氮化镓器件的衬底100厚度一般在150微米以上而言，本实施例中的衬底100由于支撑层400的结构设计，极大地减小了衬底100减薄后晶圆的翘曲。
66.示例性的：最小衬底100厚度理想情况下可以为0微米(即衬底100在减薄过程中被全部去除)，当衬底100厚度需要减薄到0um时，支撑层400的厚度按照实验数据需要大于130微米；当衬底100厚度需要减薄到50微米时，支撑层400的厚度需要大于80微米；当衬底100厚度需要减薄到100微米时，支撑层400厚度需要大于30um；即衬底100的厚度和支撑层400的厚度相加需要高于一个值(例如：130微米)，从而确保晶圆有足够的强度。
67.本实施例中通过严格控制衬底100和支撑层400的厚度总和，可以预先根据需要减薄的衬底100厚度来制备支撑层400的厚度，保证衬底100减薄后晶圆不发生翘曲的情况下，简化了工艺流程，同时也能很好地控制半导体封装结构的厚度。
68.在一个可选的实施例中，继续参阅图1，本实施例中多个第二电极结构510与多个第一电极结构310一一对应设置，并且在衬底100上的正投影重叠。这样对于通过图形化工艺制备的电极层而言，第一电极层300和第二电极层500可以通过同一掩膜板制备得到，从
而节约制造成本。
69.可选地，对于导电支撑结构410为多个金属球结构而言，多个金属球结构呈线性阵列间隔排布，有利于进一步增加支撑层400的结构强度，而且可简化制备工艺，进一步降低半导体封装结构的制造成本。
70.在一个可选的实施例中，继续参阅图1，本实施例中的注塑结构420包括若干纳米级别的颗粒物(即纳米颗粒421)，纳米颗粒421分散在注塑结构420内部。具体地，在形成注塑结构420之前，可以在注塑材料中预先混合一定量的纳米颗粒421，当注塑材料成型称为注塑结构420之后，纳米颗粒421即分散在注塑结构420中。
71.可选地，纳米颗粒421的材料包括氧化硅、氧化钛或者碳化硅，这些纳米颗粒421材料能够有效提升注塑结构420的机械强度。
72.本实施例提供的半导体封装结构，通过在注塑结构420中掺杂一定数量的纳米颗粒421，纳米颗粒421进一步提升支撑层400的结构强度，有利于衬底100的减薄，在保证结构强度的前提下，也能进一步降低整个半导体封装结构的厚度。
73.可选地，本实施例中注塑结构420的材料(即注塑材料)包括树脂材料，树脂材料为高分子绝缘材料，可以为第一电极层300和第二电极层500以及各导电支撑结构410之间提供较好的绝缘性能，避免短路。树脂材料通常在受热后会软化，在外力作用下有流动倾向，便于注塑成型；注塑材料成型之后的注塑结构420具有良好的刚性和韧性，便于提升晶圆的机械支撑性能。
74.可选地，本实施例提供的导电支撑结构410的材料包括锡，利用锡材料作为导电支撑结构410，一方面由于锡材料的可塑性较好，便于通过电镀或者打印的方式制备，而且可以根据设计需要制作出不同的形状结构；另一方面由于锡材料具有较好的可焊性，使得导电支撑结构410与第一电极结构310和第二电极结构510的连接更为紧密，提升了整个半导体封装结构的稳定性。
75.在一个可选的实施例中，继续参阅图1，本实施例提供的半导体封装结构还包括：背金层600；背金层600位于衬底100远离器件功能层200的一侧，用于与框架700的基岛连接。其中，背金层600与第一电极层300和第二电极层500均可以采用铜材料制备得到，背金层600的设置可方便半导体器件与框架700连接固定，尤其是当衬底100较薄或者衬底100被完全去除的情况下，背金层600可以起到保护器件功能层200的作用。
76.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括了本发明实施例前述的半导体封装结构，该电子设备可以是手机、平板电脑或者照明装置等。
77.本实施例提供的电子设备，包括了前述实施例中的半导体封装结构，该半导体封装结构通过在第一电极层300上制备支撑层400，由于该支撑层400包括注塑结构420和置于注塑结构420内部的导电支撑结构410，利用导电支撑结构410作为第一电极结构310和第二电极结构510的电连接通道，从而将电极结构引出，方便外部引线连接；同时导电支撑结构410与注塑结构420结合可极大增加晶圆的结构强度，从而为衬底100减薄提供较好的机械支撑能力，有利于提升半导体封装器件的散热性能。
78.基于同一发明构思，如图5所示，本发明实施例还提供了一种半导体封装结构的制备方法，用于制备本发明实施例中前述的半导体封装结构，包括以下步骤：
79.s100，提供一衬底100。
80.可选地，根据需要制作的半导体器件的不同，衬底100可以选用硅衬底100或者蓝宝石衬底100。
81.s200，在衬底100的一侧制备器件功能层200；器件功能层200包括至少一个半导体器件。
82.可选地，参阅图6，本实施例中示例出了两个半导体器件，本实施例中的半导体器件可以为氮化镓hemt或者肖特基二极管器件。半导体器件的制备方法可参照现有氮化镓半导体器件的制备工艺。
83.s300，在器件功能层200远离衬底100的一侧制备第一电极层300；第一电极层300对应于同一半导体器件的区域包括多个第一电极结构310。
84.可选地，参阅图7，在器件功能层200上制备第一电极层300的方法参照现有的制备工艺，需要保证对应与半导体器件的电极的各第一电极结构310为单独的结构即可，避免各第一电极结构310之间短路或者信号串扰。
85.s400，在第一电极结构310远离衬底100的一侧制备导电支撑结构410。
86.可选地，参阅图8，在各第一电极结构310上分别制备导电支撑结构410，导电支撑结构410的制备方法可以根据其形状和结构特点进行选择，包括但不限于电镀、打印、植球或者装片工艺。
87.s500，在第一电极层300远离衬底100的一侧注塑形成注塑结构420，使得注塑结构420包围导电支撑结构410，且导电支撑结构410远离衬底100的一端与注塑结构420远离衬底100的一侧平齐。
88.可选地，参阅图9，对器件功能层200、第一电极层300以及导电支撑层400进行注塑封装，使得导电支撑结构410远离衬底100的一端与注塑结构420远离衬底100的一侧平齐。具体可以通过严格控制注塑厚度实现，也可以先注塑的厚度超过导电支撑层400的厚度，然后再通过研磨工艺实现。
89.s600，对衬底100进行减薄。
90.可选地，参阅图10，本实施例可以通过研磨、腐蚀或者激光等方法减薄背面的衬底100，减薄后衬底100保留的厚度可根据半导体封装结构的设计需要进行调整。
91.s700，在注塑结构420远离衬底100的一侧制备第二电极结构510，继续参阅图11。
92.本实施例提供的半导体封装结构的制备方法，通过在第一电极层300上制备支撑层400，由于该支撑层400包括注塑结构420和置于注塑结构420内部的导电支撑结构410，利用导电支撑结构410作为第一电极结构310和第二电极结构510的电连接通道，从而将电极结构引出，方便外部引线连接；同时导电支撑结构410与注塑结构420结合可极大增加晶圆的结构强度，从而为衬底100减薄提供较好的机械支撑能力，有利于提升半导体封装器件的散热性能。
93.在一个可选的实施例中，基于上述实施例的内容，步骤s200进一步包括：
94.去除器件功能层200位于切割道区域的部分结构，使得相邻的半导体器件相互独立。
95.以及，步骤s500进一步包括：
96.注塑结构420覆盖第一电极结构310以及切割道区域。
97.本实施例中，通过预先去除切割道上的器件功能层200，能够进一步降低衬底100
和外延层之间的应力，而且通过注塑结构420将半导体器件之间的间隙填充，起到绝缘和密封保护的作用。
98.可选地，在步骤s600和步骤s700之间还包括：
99.参阅图12，在衬底100远离器件功能层200的一侧制作制备背金层600。背金层600位于衬底100远离器件功能层200的一侧，用于与框架700的基岛连接。
100.可选地，在步骤s700之后，还包括以下步骤：
101.参阅图13，对晶圆进行切割，形成单颗半导体封装芯片。
102.参阅图14，将切割好的半导体封装芯片用胶水或者烧结的方式装在框架700的基岛上。
103.参阅图15，进行打线作业，将需要连接的第二电极结构510用焊线进行连接。
104.参阅图16，对框架700进二次注塑封装，从而形成塑封结构800，以实现整个器件的封装保护。
105.参阅图17，对露出的引脚制作焊接层900(焊接层900的材料一般为金属锡，可通过电镀工艺制备焊锡层)，便于与外部电路连接。
106.参阅图18，对完成塑封的框架700进行切割，并测试出货。
107.本技术领域技术人员可以理解，本发明中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本发明中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本发明中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
108.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
109.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
110.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体状况理解上述术语在本发明中的具体含义。
111.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
112.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他
步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
113.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。