技术特征：
1.一种硅片处理设备，其特征在于，包括：湿法站、导片站和高温站；所述湿法站，用于对硼扩散后的硅片依次进行抛光和清洗；或，所述湿法站，用于对硼扩散后的所述硅片依次进行抛光、清洗和氧化；所述导片站设于所述湿法站和所述高温站之间，与所述湿法站和所述高温站均连通；所述导片站内设有隔板，所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室，所述装载室靠近所述湿法站，所述等候室靠近所述高温站，所述隔板上设有第一传送门，所述第一传送门用于将所述硅片从所述装载室输送至等候室；所述高温站与所述导片站之间设有第二传送门，所述第二传送门用于将所述硅片从所述等候室输送至高温站内；当所述湿法站对所述硅片进行抛光和清洗后，所述高温站用于在所述硅片上制备氧化层和多晶硅层；或，当所述湿法站对所述硅片进行进行抛光、清洗和氧化后，所述高温站用于对所述硅片退火并在所述硅片上制备多晶硅层。2.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，所述湿法站包括传动滚轮、容器池和风干室；所述湿法站与所述导片站相接处开设有出口；所述容器池和所述风干室朝向所述装载室依次并排设置，所述风干室靠近所述装载室，所述容器池和所述风干室均具有开口，所述容器池用于盛放反应液；所述传动滚轮设于所述开口，直至延伸至所述出口，所述传动滚轮的部分位于所述容器池内。3.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述装载室包括升降装置和石英舟；所述石英舟设于所述升降装置的伸缩端，所述伸缩端靠近所述出口，所述石英舟用于装载所述硅片；所述第一传送门的两侧设有滑轨，所述升降装置用于将所述石英舟输送至所述滑轨上。4.根据权利要求3所述的硅片处理设备，其特征在于，所述等候室包括运输架和抓取装置；所述第二传送门的两侧分别设有传送桨和输送杆，所述传送桨位于所述等候室内，所述输送杆位于所述高温站内，所述运输架设于所述传送桨上，所述运输架可随着所述传送桨传送至所述输送杆；所述抓取装置用于将在所述滑轨上的所述石英舟抓放至所述运输架上；所述运输架可放置至少一个所述石英舟。5.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述高温站包括炉管和加热线圈，所述加热线圈环形设于所述炉管，用于对所述炉管加热；所述输送杆用于将所述运输架输送至所述炉管内。6.根据权利要求5所述的硅片处理设备，其特征在于，所述湿法站的顶部间隔开设有若干第一排气孔，所述第一排气孔用于排出有害气体。7.根据权利要求6所述的硅片处理设备，其特征在于，所述装载室内开设有第一进气口，所述第一进气口靠近所述第一传送门；
所述等候室内开设有第二进气口和第二排气孔，所述第二进气口靠近所述传送桨，所述第二排气孔远离所述传送桨；其中，所述第一进气口和所述第二进气口用于导入干燥的氮气。8.根据权利要求7所述的硅片处理设备，其特征在于，所述抓取装置包括机械爪和移动杆；所述移动杆垂直设于所述隔板，且位于所述第一传送门的上方；所述机械爪可沿所述移动杆滑动。9.根据权利要求8所述的硅片处理设备，其特征在于，所述高温站的顶部开设有排热孔。10.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，所述导片站采用亚克力板或钢化玻璃制备。
技术总结
本发明提供了一种硅片处理设备，包括湿法站、导片站和高温站。所述湿法站用于对硼扩散后的硅片处理；所述导片站设于所述湿法站和所述高温站之间，与所述湿法站和所述高温站均连通；所述导片站内设有隔板，所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室，所述装载室靠近所述湿法站，所述等候室靠近所述高温站，所述隔板上设有第一传送门，所述第一传送门用于将所述硅片从所述装载室输送至等候室；所述高温站与所述导片站之间设有第二传送门，所述第二传送门用于将所述硅片从所述等候室输送至高温站内；所述高温站用于对所述硅片制备多晶硅层。本发明缩短生产制程的时间，提高了硅片被处理后的可靠性。处理后的可靠性。处理后的可靠性。
技术研发人员：韩培丁 刘运宇 张良
受保护的技术使用者：上海钧乾智造科技有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/4/5