技术特征：
1.一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：s1：玻璃正面涂抗hf的腐蚀的胶膜，并进入s2步骤；s2：玻璃衬底经背面研磨减薄，并进入s3步骤；s3：通过化学机械抛光，并进入s4步骤；s4：玻璃衬底背面经一定比例的hf酸和氨水的混合溶液做同性刻蚀，形成碗状的凹槽，并进入s5步骤；s5：再用离子束蚀刻垂直导通形成深槽，刻穿玻璃衬底，并进入s6步骤；s6：蒸镀tin/cu种子层，并进入s7步骤；s7：通过带胶电镀形成细长的凸起，并进入s8步骤；s8：再次通过回流焊接工艺，形成球状，并进入s9步骤；s9：通过划片道切割，并进入s10步骤；s10：将单个单元的裸片与pcb高温焊接贴合。2.根据权利要求1所述的基于玻璃衬底的芯片封装工艺，其特征在于，所述s5步骤中细长的凸起用于裸片与pcb连接引线。3.根据权利要求1所述的基于玻璃衬底的芯片封装工艺，其特征在于，所述s6步骤中通过回流焊接工艺形成球状用于增强引线接触。4.一种多器件集成玻璃芯片，其特征在于，通过权利要求1至3中任意一项所述的基于玻璃衬底的芯片封装工艺对所述多器件集成玻璃芯片进行加工。5.根据权利要求4所述的多器件集成玻璃芯片，其特征在于，所述多器件集成玻璃芯片包括钝化层(1)、器件工作区(2)、玻璃衬底(3)、电路板(4)及铜线(5)；所述钝化层(1)的一面和所述玻璃衬底(3)连接，所述玻璃衬底(3)另一面和所述电路板(4)连接；在所述玻璃衬底(3)上设有多个器件工作区(2)，所述钝化层(1)覆盖在所述器件工作区(2)上，所述玻璃衬底(3)上设有两个玻璃通孔(6)，所述铜线(5)上连接有多个器件，所述铜线(5)的两端分别穿过所述玻璃通孔(6)和所述电路板(4)电性连接。6.根据权利要求5所述的多器件集成玻璃芯片，其特征在于，所述玻璃衬底(3)在和所述电路板(4)连接的一面为光滑平面。7.根据权利要求5所述的多器件集成玻璃芯片，其特征在于，所述玻璃通孔(6)呈圆柱形。8.根据权利要求5所述的多器件集成玻璃芯片，其特征在于，在所述铜线(5)的端部设有细长凸起(7)，所述细长凸起(7)用于将单个单元的裸片与所述电路板(4)连接。9.根据权利要求8所述的多器件集成玻璃芯片，其特征在于，所述细长凸起(7)上设有回流焊接球(8)，所述回流焊接球(8)用于增强所述细长凸起(7)和所述电路板(4)之间的连接强度。
技术总结
本发明涉及一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片，包括以下步骤：玻璃正面涂抗HF的腐蚀的胶膜；玻璃衬底经背面研磨减薄；通过化学机械抛光；玻璃衬底背面经一定比例的HF酸和氨水的混合溶液做同性刻蚀，形成碗状的凹槽；再用离子束蚀刻垂直导通形成深槽，刻穿玻璃衬底；蒸镀TiN/Cu种子层；通过带胶电镀形成细长的凸起；再次通过回流焊接工艺，形成球状；通过划片道切割；将单个单元的裸片与PCB高温焊接贴合。其优点在于：基于硅衬底的TSV原理对玻璃衬底3背面开孔的技术，其3D/TGV的原理是在玻璃芯片的背面做铜走线的连接以及芯片与PCB板的焊接；从而实现器件堆叠减少集成芯片尺寸以及体积，缩短铜走线，降低功耗，提高电气性能。提高电气性能。提高电气性能。
技术研发人员：胡孝伟 代文亮 张竞颢 袁琳
受保护的技术使用者：上海芯波电子科技有限公司
技术研发日：2022.01.26
技术公布日：2022/5/17