显示装置的制作方法

1.本发明的实施例涉及一种显示装置。


背景技术：

2.近来，显示装置其用途正在多样化。另外，显示装置的厚度变薄且重量轻，其使用范围趋向于逐渐广泛，并且对可以在各种领域中应用的显示装置的研究正在不断进行。


技术实现要素：

3.具备于显示装置的显示要件为了提供图像而发出预定颜色的光，此时所发出的光可以通过用于密封显示要件的封装部件。当封装部件为层叠多个层的结构时，从显示要件发出的光由于封装部件的膜厚度而可能产生干扰。
4.本发明所要解决的课题是通过调节封盖层、第一辅助层以及第一无机封装层的所述多个层的折射率的大小来减少整体色温方向的移动量。
5.用于解决所述课题的根据一实施例的显示装置包括：基板；显示要件，配置于所述基板上；封盖层，配置于所述显示要件上；所述封盖层上的第一辅助层；以及所述第一辅助层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括：所述第一辅助层上的第1-1无机封装层；以及所述第1-1无机封装层上的第1-2无机封装层，所述第一辅助层的折射率分别小于所述封盖层的折射率以及所述第1-1无机封装层的折射率，所述第1-2无机封装层的折射率小于所述第1-1无机封装层的折射率。
6.用于解决所述课题的根据另一实施例显示装置，包括：基板；显示要件，配置于所述基板上；封盖层，配置于所述显示要件上；所述封盖层上的第一辅助层；以及所述第一辅助层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括：第一无机封装层；第二无机封装层；以及所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间的有机封装层，所述第一无机封装层包括多个层，所述封盖层、所述第一辅助层以及所述第一无机封装层的所述多个层的折射率反复高低。
7.其它实施例的具体事项包括在详细说明以及附图中。
8.根据本发明的实施例的显示装置可以通过调节封盖层、第一辅助层以及第一无机封装层的至少一个层的折射率的大小来减少整体色温方向的移动量。
9.根据实施例的效果不限于以上所例示的内容，更多种效果包括在本说明书中。
附图说明
10.图1是概要示出根据一实施例的显示装置的平面图。
11.图2示出配置于根据一实施例的显示装置的任一像素区域的显示要件以及与其连接的像素电路。
12.图3是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
13.图4是示出根据图3的显示装置的基于变形例的显示装置的一部分的截面图。
14.图5是概要示出根据一实施例的显示装置的示意图。
15.图6是示出根据一实施例的显示装置的mpcd(minimum perceptible color difference，最小可分辨色差)的图。
16.图7是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
17.图8是概要示出根据图7的显示装置的示意图。
18.图9是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
19.图10是概要示出根据图9的显示装置的示意图。
20.图11是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
21.图12是概要示出根据图11的显示装置的示意图。
22.图13是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
23.图14是概要示出根据图13的显示装置的示意图。
24.图15是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
25.图16是概要示出根据图15的显示装置的示意图。
26.图17是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
27.图18是概要示出根据图17的显示装置的示意图。
28.图19是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
29.图20是概要示出根据图19的显示装置的示意图。
30.(附图标记说明)
31.300：薄膜封装层
32.305：第1-1无机封装层
33.310：第1-2无机封装层
34.313：缓冲层
35.315：第二辅助层
36.320：有机封装层
37.330：第二无机封装层
具体实施方式
38.本发明可以施加各种转换，并可以具有各种实施例，即将在附图中例示特定实施例并在详细的说明中进行详细说明。本发明的效果、特征以及实现它们的方法将参照与附图一起详细后述的实施例就会清楚。然而，本公开不限于下文中公开的实施例，可以以各种形式来实现。
39.以下，参照所附附图详细说明本发明的实施例，在参照附图进行说明时，对相同或对应的构成要件赋予相同的附图标记并省略与之相关的重复说明。
40.在以下的实施例中，第一、第二等术语并非具有限定性含义，而是用于将一个构成要件与其它构成要件加以区分。
41.在以下的实施例中，除非在文脉上明确表示其它含义，单数表述包括复数表述。
42.在以下的实施例中，“包括”或“具有”等术语是意指说明书中记载的特征或构成要件的存在，并不预先排除一个以上的其它特征或构成要件的可附加性。
43.在以下的实施例中，当提到膜、区域、构成要件等部分位于其它部分之上方或上
时，不仅包括直接位于其它部分之上的情形，而且还包括其中间夹设有其它膜、区域、构成要件等的情形。
44.附图中为了便于说明而可能将构成要件的大小放大或缩小。例如，图中所示的各结构的尺寸以及厚度为了便于说明而任意示出，因此本发明并不局限于所图示那样。
45.当某些实施例能够以不同方式实现时，特定的工艺顺序也可以与说明顺序不同地执行。例如，连续说明的两个工艺既可以实质上同时执行，也可以按照与说明顺序相反的顺序进行。
46.在以下的实施例中，当提到层、区域、构成要件等被连接时，不仅包括层、区域、构成要件等直接连接的情况，而且还包括在层、区域、构成要件等中间夹设有其它膜、区域、构成要件而间接连接的情况。例如，在本说明书中，当提到层、区域、构成要件等被电连接时，不仅包括层、区域、构成要件等直接电连接的情况，而且还包括其中间夹设有其它膜、区域、构成要件等而间接电连接的情况。
47.在以下的实施例中，x轴、y轴、z轴并不限于正交坐标系上的三个轴，而是可以解释为包括这种情形的广义的含义。例如，x轴、y轴、z轴当然可以相互正交，但也可以指称互不正交的彼此不同的方向、
48.在本说明书中，“a及/或b”表示a或b，或者a和b的情况。
49.图1是概要示出根据一实施例的显示装置的平面图。
50.参照图1，显示装置10可以包括显示区域da以及与显示区域da相邻的非显示区域nda。显示装置10包括配置于显示区域da的多个像素区域p。可以是，在各像素区域p中配置能够发出预定颜色的光的显示要件，显示要件连接于扫描线sl以及数据线dl。图1可以理解为显示装置10中的基板100的视图。例如，可以理解为基板100具有显示区域da以及非显示区域nda。
51.在非显示区域nda中可以配置通过扫描线sl向各像素区域p提供扫描信号的扫描驱动器1100、通过数据线dl向设置于各像素区域p的显示要件提供数据信号的数据驱动器1200以及用于提供第一以及第二电源电压的主电源布线。
52.图1示出为数据驱动器1200配置于基板100上，但作为另一实施例，数据驱动器1200可以配置于与配置在显示装置10的一侧的焊盘电接通的fpcb(flexible printed circuit board，柔性印刷电路板)上。
53.根据本发明的实施例的显示装置10可以包括有机发光显示装置(organic light emitting display)、无机el显示装置(inorganic light emitting display)、量子点显示装置(quantum dot display)等。以下，作为根据本发明的一实施例的显示装置，将有机发光显示装置作为一例进行说明，但本发明的显示装置不限于此，后述的特征可以适用于如前所述那样的各种方式的显示装置。
54.图2示出配置于根据一实施例的显示装置的任一像素区域的显示要件以及与其连接的像素电路。
55.参照图2，显示要件即有机发光二极管oled连接于像素电路pc。像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2以及存储电容器cst。有机发光二极管oled可以发出例如红色、绿色或蓝色的光，或者发出红色、绿色、蓝色或白色的光。
56.第二薄膜晶体管t2作为开关薄膜晶体管，可以连接于扫描线sl以及数据线dl，并
根据从扫描线sl输入的开关电压，将从数据线dl输入的数据电压向第一薄膜晶体管t1传递。存储电容器cst可以连接于第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并存储相当于从第二薄膜晶体管t2接收的电压和供应于驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之差的电压。
57.第一薄膜晶体管t1作为驱动薄膜晶体管，可以连接于驱动电压线pl和存储电容器cst，并对应于存储在存储电容器cst中的电压值而控制从驱动电压线pl流经有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以通过驱动电流而发出具有预定亮度的光。有机发光二极管oled的对电极(例，阴极)可以接收第二电源电压elvss的供应。
58.图2说明了像素电路pc包括2个薄膜晶体管和1个存储电容器，但在另一实施例中，显然地，薄膜晶体管的数量或者存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计进行各种变更。
59.图3是示出根据一实施例的显示装置的一部分的截面图。
60.参照图3，在基板100上配置包括像素电路的像素电路层pcl，显示要件即有机发光二极管oled配置于像素电路层pcl上，并由薄膜封装层300覆盖。
61.基板100可以包含高分子树脂。包含高分子树脂的基板100可以具有柔性、卷曲或者弯曲特性。
62.作为一实施例，如图3所示，基板100可以包括第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103以及第二阻挡层104。第一基底层101以及第二基底层103可以分别包含高分子树脂。例如，第一基底层101以及第二基底层103可以包含聚醚砜(pes，polyethersulfone)、聚芳酯(par，polyarylate)、聚醚酰亚胺(pei，polyetherimide)、聚亚烯萘(pen，polyethyelenene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet，polyethyeleneterephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide：pps)、聚酰亚胺(polyimide：pi)、聚碳酸酯(pc)，三醋酸纤维素(tac)、醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate：cap)等之类高分子树脂。第一阻挡层102以及第二阻挡层104作为防止外部异物的渗透的阻挡层，可以是包含氮化硅、氧化硅之类无机物的单层或者多层。
63.图4是示出根据图3的显示装置的基于变形例的显示装置的一部分的截面图。
64.作为变形例，基板100可以是如图4所示那样包括玻璃材料的单层。例如，基板100可以是以sio2作为主成分的玻璃基板。
65.再次参照图3，前述的基板100上的像素电路层pcl可以包括薄膜晶体管tft，虽未图示，可以包括与薄膜晶体管tft连接的存储电容器。薄膜晶体管tft的结构可以按每个像素具有相同的结构。各薄膜晶体管tft可以与设置于各像素的显示要件连接。
66.薄膜晶体管tft可以包括包含非晶硅、多晶硅或者有机半导体物质的半导体层act、栅极电极ge、源极电极se以及漏极电极de。为了确保半导体层act和栅极电极ge之间的绝缘性，包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等无机物的栅极绝缘层121可以介于半导体层act和栅极电极ge之间。在栅极电极ge的上方可以配置包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等无机物的层间绝缘层131，源极电极se以及漏极电极de可以配置于前述的层间绝缘层131上。包含无机物的绝缘层可以通过cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)或者ald(atomic layer deposition，原子层沉积)形成。
67.栅极电极ge、源极电极se以及漏极电极de可以由各种导电性物质形成。栅极电极ge可以包含钼或者铝，可以采用单层或者多层结构。例如，栅极电极ge可以是钼的单层，或
者是包括钼层、铝层以及钼层的3层结构。源极电极se以及漏极电极de可以包含钛或者铝，可以采用单层或者多层结构。作为一实施例，源极电极se以及漏极电极de可以是包括钛层、铝层以及钛层的3层结构。
68.包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等之类无机物的下缓冲层110可以介于前述的结构的薄膜晶体管tft和基板100之间。这样的下缓冲层110可以起到提高基板100上面的平滑性或者防止或最小化来自基板100等的杂质渗透到薄膜晶体管tft的半导体层act的作用。
69.在薄膜晶体管tft上可以配置平坦化绝缘层140。平坦化绝缘层140可以由例如丙烯酸、bcb(benzocyclobutene，苯并环丁烯)或者hmdso(hexamethyldisiloxane，六甲基二硅氧烷)等之类有机物形成。图3中示出平坦化绝缘层140为单层，但可以是多层。
70.有机发光二极管oled包括像素电极221、中间层222以及对电极223。
71.像素电极221可以配置于平坦化绝缘层140上，并且按每个像素配置一个。像素电极221可以是反射电极。作为一实施例，像素电极221可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或者它们的化合物的反射膜。作为另一实施例，像素电极221可以具备配置于前述的反射膜之上或者/以及之下的透明或者半透明电极层。前述的透明或者半透明电极层可以具备选自包含氧化铟锡(ito；indium tin oxide)、氧化铟锌(izo；indium zinc oxide)、氧化锌(zno；zinc oxide)、氧化铟(in2o3；indium oxide)、氧化铟镓(igo；indium gallium oxide)以及氧化锌铝(azo；aluminum zinc oxide)的组中的一种以上。在一部分实施例中，像素电极221可以是ito层、ag层、ito层的3层结构。
72.在像素电极221上配置像素界定膜150。像素界定膜150具有暴露各像素电极221的中心部分的开口150op。像素界定膜150可以通过增加像素电极221的边缘和对电极223之间的距离来防止在像素电极221的边缘处产生电弧等。像素界定膜150可以用聚酰亚胺、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸树脂，苯并环丁烯、hmdso(hexamethyldisiloxane，六甲基二硅氧烷)以及酚醛树脂等之类有机绝缘物质通过旋涂等方法形成。
73.在通过像素界定膜150的开口150op暴露的像素电极221上可以配置发光层222b。发光层222b可以是包含能够发出红色、绿色或者红色的光的荧光或者磷光物质的有机物。前述的有机物可以是低分子有机物或者高分子有机物。
74.在发光层222b之下和之上可以分别配置第一功能层222a以及第二功能层222c。第一功能层222a可以包括例如空穴传输层(htl：hole transport layer)，或者空穴传输层以及空穴注入层(hil：hole injection layer)。第二功能层222c作为配置于发光层222b之上的构成要件，可以包括电子传输层(etl：electron transport layer)及/或电子注入层(eil：electron injection layer)。第二功能层222c是可选(optional)的。在一部分实施例中，可以不具备第二功能层222c。
75.发光层222b配置成分别与像素界定膜150的开口150op相对应，相反，第一功能层222a以及第二功能层222c可以是一体形成的公共层以使得与后述的对电极223一样整体覆盖基板100，例如整体覆盖基板100的显示区域。
76.对电极223可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或者它们的合金等的(半)透明层。或者，对电
极223可以在包含前述的物质的(半)透明层上还包括ito、izo、zno或者in2o3之类的层。作为一实施例，对电极223可以包含银(ag)、镁(mg)、或者银(ag)和镁(mg)的合金。
77.封盖层231可以位于对电极223上。例如，封盖层231可以包含氟化锂(lif)，或者包含无机绝缘物或者包含有机绝缘物。封盖层231可以起到从上方覆盖上述的对电极223而保护的作用。图3中示出封盖层231由一个膜形成，但不限于此，也可以由多个层叠膜形成。所述多个层叠膜可以分别选自所述氟化锂(lif)、所述无机绝缘物或者所述有机绝缘物中。
78.例如，封盖层231可以包含无机绝缘物。例如，封盖层231可以包含选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一个以上的无机绝缘物。封盖层231的所述多个层叠膜的物质可以彼此不同，但也可以相同。
79.如上所述，具备于显示装置的显示要件为了提供图像而发出预定颜色的光，此时所发出的光可以通过用于密封显示要件的后述的薄膜封装层300。如一实施例那样，当薄膜封装层300为层叠多个层的结构时，从显示要件发出的光由于薄膜封装层300的膜厚度而可能产生干扰。由于所述已产生的干扰而mpcd(minimum perceptible color difference，最小可分辨色差)上的整体色温方向的移动量可能变大。
80.然而，根据一实施例，通过调节从封盖层231向上方依次层叠的第一辅助层、第1-1无机封装层以及第1-2无机封装层的折射率以及厚度，能够事先防止由于所述已产生的干扰而mpcd(minimum perceptible color difference)上的整体色温方向的移动量变大。对此的详细说明将后述。
81.在封盖层231上可以配置第一辅助层233。第一辅助层233可以包含氟化锂(lif)或者包含无机绝缘物或者包含有机绝缘物。所述无机绝缘物可以包含氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
82.在一实施例中，第一辅助层233可以包含氟化锂(lif)。
83.在第一辅助层233上可以配置薄膜封装层300。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层以及至少一个有机封装层。例如，如图4所示，薄膜封装层300可以包括第一辅助层233上的第一无机封装层、所述第一无机封装层上的缓冲层313、缓冲层313上的第二辅助层315、所述第二辅助层315上的有机封装层320以及有机封装层320上的第二无机封装层330。
84.所述第一无机封装层也可以由多个层叠膜形成。所述多个层叠膜可以包括第一辅助层233上的第1-1无机封装层305、以及第1-1无机封装层305上的第1-2无机封装层310。
85.在本说明书中，说明为所述第一无机封装层仅包括第1-1无机封装层305以及第1-2无机封装层310，但不限于此，也可以是，缓冲层313也是包括在所述第一无机封装层中的结构。在下文中，为了便于说明，将缓冲层313与所述第一无机封装层分开说明。
86.所述第一无机封装层以及第二无机封装层330可以包含选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种以上的无机绝缘物。作为一部分实施例，所述第一无机封装层以及第二无机封装层330可以包括包含非金属元素的无机绝缘层，例如包含氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
87.第1-1无机封装层305的物质和第1-2无机封装层310的物质可以彼此不同。例如，可以是，第1-1无机封装层305包含氮化硅，第1-2无机封装层310包含氮氧化硅。
88.缓冲层313可以配置于第1-2无机封装层310上。缓冲层313可以包含选自氧化铝、
氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种以上的无机绝缘物。在一实施例中，缓冲层313和第1-2无机封装层310可以分别包含氮氧化硅。然而，第1-2无机封装层310的折射率和缓冲层313的折射率可以彼此不同。
89.第二辅助层315可以是包含非金属元素的无机绝缘层。第二辅助层315可以包含选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种以上的无机绝缘物。在一实施例中，第二辅助层315可以包含氮氧化硅或者氧化硅。在第二辅助层315的所述氮氧化硅中，氧和氮之比可以大于1。
90.有机封装层320可以配置于第二辅助层315和第二无机封装层330之间。有机封装层320可以缓解所述第一无机封装层及/或第二无机封装层330的内部应力。有机封装层320可以包含聚合物(polymer)类的物质。聚合物类的材料可以包含聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或者它们的任意组合。
91.有机封装层320可以通过涂覆具有流动性的单体后利用热或紫外线之类的光来固化单体层而形成。或者，有机封装层320可以涂覆前述的聚合物类的物质而形成。
92.从按每个像素配置的有机发光二极管oled发出的光穿过薄膜封装层300而向外部行进。此时，如上所述那样，从与垂直于基板100的方向(例，z方向)倾斜的方向观察时，由于薄膜封装层300的薄膜干扰现象，mpcd(minimum perceptible color difference)上的整体色温方向的移动量可能变大。然而，根据一实施例，通过调节封盖层231、第一辅助层233以及第一无机封装层的至少一个层的折射率的大小，能够事先防止由于所述已产生的干扰而mpcd(minimum perceptible color difference)上的整体色温方向的移动量变大。
93.图5是概要示出根据一实施例的显示装置的示意图。
94.参照图5，显示装置10包括依次层叠的基板100、像素电路层pcl、包括像素电极221、中间层222、对电极223、封盖层231以及第一辅助层233的显示层200、以及薄膜封装层300。
95.薄膜封装层300可以包括第一无机封装层、缓冲层313、第二辅助层315、有机封装层320以及第二无机封装层330，所述第一无机封装层包括沿着光的行进方向(或者，从显示层200朝向薄膜封装层300的方向)依次配置的多个层。
96.所述封盖层231、所述第一辅助层233以及所述第一无机封装层的所述多个层的折射率可以反复高低。
97.封盖层231的折射率可以是1.6以上且2.3以下。例如，封盖层231的折射率可以是约1.97。
98.所述第一辅助层233的折射率可以分别小于所述封盖层231的折射率以及所述第1-1无机封装层305的折射率。
99.所述封盖层231的厚度t1可以是50nm以上且150nm以下。
100.所述第1-1无机封装层305的折射率可以是1.7以上且2.0以下。例如，第1-1无机封装层305的折射率可以是1.8以上且1.9以下。例如，第1-1无机封装层305的折射率可以是1.85或者1.89。
101.如上所述，由于所述第一辅助层233的折射率分别小于所述封盖层231的折射率以及所述第1-1无机封装层305的折射率，所述第一辅助层233的折射率可以是1.2以上且小于
1.6。例如，第一辅助层233的折射率可以是1.39。
102.所述第一辅助层233的厚度t2可以是20nm以上且100nm以下。
103.所述第1-1无机封装层305的厚度t3可以是100nm至200nm。
104.所述第1-2无机封装层310的折射率可以小于所述第1-1无机封装层305的折射率。
105.所述第1-2无机封装层310的折射率可以是1.5以上且小于1.7。例如，第1-2无机封装层310的折射率可以是1.57。
106.所述第1-2无机封装层310的厚度t4可以是400nm以上。
107.在一些实施例中，在第1-1无机封装层305和第1-2无机封装层310之间也可以还配置具有约1.2以上且小于1.6的折射率的低折射层无机封装层。所述低折射层无机封装层可以包含第1-2无机封装层310的所例示的物质中的至少一种。
108.根据本实施例，折射率按依次层叠的封盖层231、第一辅助层233以及第1-1无机封装层305顺序而反复高、低、再次高，从而能够控制mpcd(minimum perceptible color difference)上的整体色温方向的移动轨迹。
109.更具体地，能够事先防止mpcd(minimum perceptible color difference)上的整体色温方向的移动量变大。
110.图6是示出根据一实施例的显示装置的mpcd(minimum perceptible color difference)的图。
111.图6作为mpcd(minimum perceptible color difference)的例子，示出cie1976色坐标(u'，v')。可以是，cie1976色坐标的横轴表示u'坐标，纵轴表示v'坐标。
112.如图6所示，折射率按依次层叠的封盖层231、第一辅助层233以及第1-1无机封装层305顺序而反复高、低、再次高，从而在cie1976色坐标(u'，v')上，30
°
时的u'的坐标值可以小于0
°
时的u'的坐标值，在所述cie1976色坐标(u'，v')上，60
°
时的u'的坐标值可以大于45
°
时的u'的坐标值。
113.即，低角(例如，30
°
)时的u'的坐标值反而小于0
°
时的u'的坐标值，从而低角(例如，30
°
)时，能够减少红移(reddish)现象，高角(例如，60
°
)时的u'的坐标值大于45
°
时的u'的坐标值，从而高角(例如，60
°
)时，能够减少绿移(greenish)现象。
114.另外，所述第1-2无机封装层310的厚度t4设计为400nm以上，从而能够大幅减少mpcd(minimum perceptible color difference)的被控制的色温方向的移动轨迹的散布。
115.再次参照图5，在所述第1-2无机封装层310上可以配置缓冲层313。
116.缓冲层313的物质可以包含第1-2无机封装层310的所例示物质中的至少一种。
117.缓冲层313的折射率可以比第1-2无机封装层310的折射率更小。例如，缓冲层313的折射率可以是约1.57，但不限于此。
118.所述缓冲层313的厚度可以是30nm以上且100nm以下。
119.根据本实施例，所述缓冲层313的厚度是30nm以上且100nm以下，从而能够大幅减少mpcd(minimum perceptible color difference)的被控制的色温方向的移动轨迹(尤其，30
°
、60
°
)的散布。
120.在所述缓冲层313上可以还配置第二辅助层315。所述缓冲层313的折射率可以是所述第二辅助层315的折射率和所述第1-2无机封装层310的折射率之间。
121.所述缓冲层313的折射率n3可以满足以下条件：
122.min(n1，n2)+|n2-n1|
×
0.25《n3《min(n1，n2)+|n2-n1|
×
0.75
123.其中，n1是第1-2无机封装层310的折射率，n2是第二辅助层315的折射率，min(n1，n2)表示n1和n2中的最小值，|n2-n1|表示n2和n1之差的绝对值。
124.以下，针对根据一实施例的显示装置的另一实施例进行说明。在以下的实施例中，针对与已说明的实施例相同的结构指称为相同的附图标记，并省略或简化其说明。
125.图7是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图8是概要示出根据图7的显示装置的示意图。
126.参照图7以及图8，根据本实施例的显示装置省略了图5的第二辅助层315，在这一方面与根据图5的显示装置不同。
127.更具体地说明，根据本实施例的显示装置的薄膜封装层300_1的缓冲层313可以配置于第1-2无机封装层310和有机封装层320之间。
128.其它说明与根据图5以及图6的显示装置相同，以下将省略重复说明。
129.图9示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图10是概要示出根据图9的显示装置的示意图。
130.参照图9以及图10，根据本实施例的显示装置的第一辅助层233_1包含无机绝缘物，在这一方面与根据图5以及图6的显示装置不同。
131.更具体地说明，根据本实施例的显示装置的第一辅助层233_1可以包含无机绝缘物。作为所述无机绝缘物的例子，可以举出氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等。例如，第一辅助层233_1可以包含氮氧化硅。
132.其它说明与根据图5以及图6的显示装置相同，以下将省略重复说明。
133.图11是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图12是概要示出根据图11的显示装置的示意图。
134.参照图11以及图12，根据本实施例的显示装置的第一辅助层233_1包含无机绝缘物，在这一方面与根据图7以及图8的显示装置不同。
135.更具体地说明，根据本实施例的显示装置的第一辅助层233_1可以包含无机绝缘物。作为所述无机绝缘物的例子，可以举出氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等。例如，第一辅助层233_1可以包含氮氧化硅。
136.其它说明与根据图7以及图8的显示装置相同，以下将省略重复说明。。
137.图13是根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图14是概要示出根据图13的显示装置的示意图。
138.参照图13以及图14，根据本实施例的显示装置的薄膜封装层300_2不包括图5的缓冲层313，在这一方面与根据图4以及图5的显示装置不同。
139.更具体地说明，根据本实施例的显示装置的薄膜封装层300_2可以不包括图5的缓冲层313。即，第二辅助层315可以介于第1-2无机封装层310和有机封装层320之间。
140.其它说明与根据图4以及图5中已描述，以下将省略重复说明。。
141.图15是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图16是概要示出根据图15的显示装置的示意图。
142.参照图15以及图16，根据本实施例的显示装置的薄膜封装层300_2不包括图10的缓冲层313，在这一方面与根据图9以及图10的显示装置不同。
143.更具体地说明，根据本实施例的显示装置的薄膜封装层300_2可以不包括图10的缓冲层313。即，第二辅助层315可以介于第1-2无机封装层310和有机封装层320之间。
144.其它说明在根据图9以及图10中已描述，以下将省略重复说明。
145.图17是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图18是概要示出根据图17的显示装置的示意图。
146.参照图17以及图18，根据本实施例的显示装置的第一辅助层233_1包含无机绝缘物，并且省略了第二辅助层315，在这一方面与根据图13以及图14的显示装置不同。
147.更具体地说明，根据本实施例的显示装置的第一辅助层233_1可以包含无机绝缘物。作为所述无机绝缘物的例子，可以举出氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌，氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等。例如，第一辅助层233_1可以包含氮氧化硅。
148.其它说明与根据图13以及图14的显示装置相同，以下将省略重复说明。
149.图19是示出根据又另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图20是概要示出根据图19的显示装置的示意图。
150.参照图19以及图20，根据本实施例的显示装置的第一辅助层233包含氟化锂(lif)，在这一方面与根据图17以及图18的显示装置不同。
151.其它说明在图17以及图18中已描述，以下将省略重复说明。
152.以上，参考如图所示的一实施例说明了本发明，但其只是示例性的，只要是在本技术领域中具有通常知识的人应能理解由此可以实现各种变形以及实施例的变形。因此，应当根据所附的权利要求书的技术构思来确定本发明的真正的技术保护范围。