晶圆分析方法及晶圆分析装置与流程

本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆分析方法及晶圆分析装置。

背景技术：

1、目前，半导体集成电路(ic)产业已经经历了指数式增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了数代ic，其中，每代ic都比前一代ic具有更小和更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了ic部件变得更小和更复杂之外，在其上制造ic的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。

2、曝光制程是半导体工艺中的重要制程技术之一。曝光机的曝光品质对晶圆的曝光质量(例如曝光图案的特征尺寸)有重要影响。单位面积上的曝光强度偏差(dose error)是评估曝光机的曝光品质的关键参数之一。曝光机的dose error过高会导致产品特征尺寸的异常，若不能及时的对异常产品进行拦截，会导致产品流到下一处理站，从而造成产品良率的降低。当前工程师并没有有效的方法获取在曝光机曝光过程中出现异常的晶圆产品，只能通过人工排查，效率低下，耗时耗力，严重影响机台产能。

3、因此，如何实现异常晶圆产品的自动化定位，从而提高晶圆产品的良率与半导体机台的产能，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本公开提供一种晶圆分析方法及晶圆分析装置，用于解决当前无法实现异常晶圆产品自动化定位的问题，以提高晶圆产品的良率和半导体机台的产能。

2、根据一些实施例，本公开提供了一种晶圆分析方法，包括如下步骤：

3、获取晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理信息；

4、解析所述处理信息，查找所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段，以及查找所述晶圆在所述半导体机台内进行半导体制程的处理时间段；

5、所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段与所述晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理时间段重叠，确认所述晶圆为异常晶圆。

6、在一些实施例中，查找所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段的具体步骤包括：

7、查找所述半导体机台的处理参数超出阈值范围的时刻段，作为所述半导体机台的机台异常时刻段。

8、在一些实施例中，查找所述晶圆在所述半导体机台内进行半导体制程的处理时间段的具体步骤包括：

9、查找与多个批次的晶圆一一对应的多个处理时间段，所述处理时间段为每一批次的晶圆从进入所述半导体机台至退出所述半导体机台的时间段，每一批次的所述晶圆包括多片所述晶圆。

10、在一些实施例中，所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段与所述晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理时间段重叠，确认所述晶圆为异常晶圆的具体步骤包括：

11、设置单一批次的所述晶圆在所述半导体机台内进行所述半导体制程处理的预设时长；

12、根据所述机台异常时刻段和所述预设时长获取所述半导体机台产生异常晶圆的晶圆异常时间范围；

13、获取至少与所述晶圆异常时间范围部分重叠的所述处理时间段作为目标处理时间段，并确认与所述目标处理时间段对应批次的所述晶圆为异常批次晶圆。

14、在一些实施例中，确认与所述目标处理时间段对应批次的所述晶圆为异常批次晶圆之后，还包括如下步骤：

15、自动拦截所述异常批次晶圆。

16、在一些实施例中，查找所述晶圆在所述半导体机台内进行半导体制程的处理时间段的具体步骤包括：

17、查找每片所述晶圆开始进行所述半导体制程处理时的开始时间点、以及结束所述半导体制程处理时的结束时间点，并以所述开始时间点与所述结束时间点之间的时间段作为所述处理时间段。

18、在一些实施例中，所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段与所述晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理时间段重叠，确认所述晶圆为异常晶圆的具体步骤包括：

19、以所述机台异常时刻段作为所述半导体机台生成异常晶圆的晶圆异常时间范围；

20、获取包含所述晶圆异常时间范围的所述处理时间段作为目标处理时间段，并确认与所述目标处理时间段对应的所述晶圆为异常晶圆。

21、在一些实施例中，确认与所述目标处理时间段对应的所述晶圆为异常晶圆之后，还包括如下步骤：

22、自动标记所述异常晶圆。

23、根据另一些实施例，本公开还提供了一种晶圆分析装置，包括：

24、获取电路，用于获取晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理信息；

25、解析电路，用于解析所述处理信息，查找所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段，以及查找所述晶圆在所述半导体机台内进行半导体制程的处理时间段；

26、处理器，用于在所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段与所述晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理时间段重叠时，确认所述晶圆为异常晶圆。

27、在一些实施例中，还包括：

28、所述解析电路用于查找所述半导体机台的处理参数超出阈值范围的时刻段，作为所述半导体机台的机台异常时刻段。

29、在一些实施例中，所述解析电路还用于查找与多个批次的晶圆一一对应的多个处理时间段，所述处理时间段为每一批次的晶圆从进入所述半导体机台至退出所述半导体机台的时间段，每一批次的所述晶圆包括多片所述晶圆。

30、在一些实施例中，还包括：

31、设置电路，所述设置电路还用于设置单一批次的所述晶圆在所述半导体机台内进行所述半导体制程处理的预设时长；

32、所述处理器还用于根据所述机台异常时刻段和所述预设时长获取所述半导体机台产生异常晶圆的晶圆异常时间范围，并获取至少与所述晶圆异常时间范围部分重叠的所述处理时间段作为目标处理时间段，并确认与所述目标处理时间段对应批次的所述晶圆为异常批次晶圆。

33、在一些实施例中，所述处理器还用于在确认与所述目标处理时间段对应批次的所述晶圆为异常批次晶圆之后，自动拦截所述异常批次晶圆。

34、在一些实施例中，所述解析电路用于查找每片所述晶圆开始进行所述半导体制程处理时的开始时间点、以及结束所述半导体制程处理时的结束时间点，并以所述开始时间点与所述结束时间点之间的时间段作为所述处理时间段。

35、在一些实施例中，所述处理器用于以所述机台异常时刻段作为所述半导体机台生成异常晶圆的晶圆异常时间范围，获取包含所述晶圆异常时间范围的所述处理时间段作为目标处理时间段，并确认与所述目标处理时间段对应的所述晶圆为异常晶圆。

36、在一些实施例中，所述处理器还用于自动标记所述异常晶圆。

37、本公开一些实施例提供的晶圆分析方法及晶圆分析装置，通过收集并解析晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理信息，根据所述处理信息中的机台异常时刻段与所述晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理时间段是否有重叠，来自动化判断晶圆是否为异常晶圆，从而实现了对异常晶圆的自动化定位，以便及时对异常晶圆产品采取拦截等措施，避免异常晶圆产品流入下一处理站，进而达到提高晶圆产品良率的效果。同时，由于能够自动化定位异常晶圆，避免了人工查找的繁琐操作，进而提高了半导体机台的产能。