包含杂环化合物的发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

包含杂环化合物的发光装置及包括发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年2月22日提交的第10-2021-0023693号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引据此并入，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.本发明的实施方案总体地涉及显示装置，并且更具体地，涉及包含杂环化合物的发光装置及包括所述发光装置的电子设备。


背景技术：

4.发光装置中的一种类型，自发射装置，具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
5.在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
6.本背景技术章节中公开的以上信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.申请人发现，当发光装置和电子设备包含根据本发明的原理和示例性实施方式制备的杂环化合物时，所述装置具有优异的驱动电压、优异的发光效率和优异的外部量子效率。
8.本发明构思的其它特征将在以下描述中阐述，并且在某种程度上根据所述描述将是显而易见的，或者可以通过本发明构思的实践而获悉。
9.根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及式1的杂环化合物：
10.式1
[0011][0012]
式2
[0013][0014]
其中，在式1和式2中，在本文定义了变量。
[0015]
所述发射层可以包含所述式1的杂环化合物。
[0016]
所述发射层可以进一步包含主体和掺杂剂，并且所述式1的杂环化合物可以是掺杂剂。
[0017]
所述发射层可以进一步包含磷光掺杂剂。
[0018]
电子设备可以包括如以上描述的发光装置。
[0019]
所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。
[0020]
所述电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
[0021]
式1中的变量y1和y2可以各自是b。
[0022]
在式1中，变量a1和a2可以各自是1，a3至a5各自是0，并且式1可以不满足条件(3)至条件(5)。
[0023]
在式1中，变量x1可以是n(ar
1a
)(z
1a
)或n(z
1a
)(z
1b
)，x2可以是n(ar
2a
)(z
2a
)或n(z
2a
)(z
2b
)，x3可以是n(ar
3a
)(z
3a
)或n(z
3a
)(z
3b
),x4可以是n(ar
4a
)(z
4a
)或n(z
4a
)(z
4b
)，x5可以是n(ar
5a
)(z
5a
)或n(z
5a
)(z
5b
)，并且式1可以满足如本文描述的条件(1-1)至条件(5-1)中的一个、条件(6)至条件(9)中的一个或其任意组合。
[0024]
在式1中，x6可以是o或s，x7是o、n(ar7)或n(z7)，x8可以是o、n(ar8)或n(z8)，x9可以是o、n(ar9)或n(z9)，并且式1可以不满足条件(6)。
[0025]
式1可以满足条件(1)和条件(2)中的一个、条件(7)至条件(9)中的一个或其任意组合，并且式1可以不满足条件(3)至条件(6)。
[0026]
式1中的cy1至cy5中的至少一个可以是苯基团。
[0027]
在式2中，cy6可以是苯基团，并且cy7可以是苯基团、芴基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并噻咯基团、二苯并硒吩基团或二苯并碲吩基团。
[0028]
在式1和式2中，变量z
1a
、z
1b
、z
2a
、z
2b
、z
3a
、z
3b
、z
4a
、z
4b
、z
5a
、z
5b
、z6至z9以及r1至r7可以各自彼此独立地是：氢、氘、-f或氰基基团；或者各自未取代的或被氘、-f、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团或其任意组合取代的苯基基团、联苯基基团或三联苯基基团。
[0029]
在式2中，在本文定义了变量l1。
[0030]
式1中的基团可以是如本文定义的式cy1-1至式cy1-4中的一种的基团。
[0031]
式1的基团可以是如本文定义的式cy2-1至式cy2-4中的一种的基团。
[0032]
式2可以是如本文定义的式2-1至式2-4中的一种的基团。
[0033]
式1可以是如本文定义的化合物1至化合物104中的一种。
[0034]
应理解，前述一般描述和以下详细描述两者是示例性且解释性的，并且旨在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
[0035]
包括附图以提供对本发明的进一步理解以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示出本发明的示例性实施方案，并且与描述一起用于解释本发明构思。
[0036]
图1是根据本发明的原理构造的发光装置的实施方案的示意性横截面视图。
[0037]
图2是包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方案的示意性横截面视图。
[0038]
图3是包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一个实施方案的示意性横截面视图。
具体实施方式
[0039]
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的发明构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，
显而易见的是，各种实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同的布置来实践。在其它情况中，以框图形式示出公知的结构和装置以便避免不必要地混淆各种实施方案。此外，各种实施方案可以是不同的，但不必是排它的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方案的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方案中使用或实施。
[0040]
除非另外指明，例示的实施方案应被理解为提供其中可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，在不背离本发明构思的情况下，各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
[0041]
通常提供交叉影线和/或阴影在附图中的使用以明晰相邻元件之间的界线。如此，交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、例示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需要，除非指明。此外，在附图中，出于清晰和/或描述性目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方案可以不同地实施时，具体的过程顺序可以与描述的顺序不同地进行。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。此外，相同的参考数字表示相同的元件，并且省略多余的解释以避免冗余。
[0042]
当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”另一个元件或层、或者“联接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上、直接连接至另一个元件或层、或者直接联接至另一个元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接至”另一个元件或层、或者“直接联接至”另一个元件或层时，不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接的”可以是指物理连接、电连接和/或流体连接，具有或不具有介于中间的元件。此外，d1-轴、d2-轴和d3-轴不局限于直角坐标系的三个轴，例如x-轴、y-轴和z-轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，d1-轴、d2-轴和d3-轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开内容的目的，“x、y和z中的至少一个(种)”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个(种)”可以解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个(种)或多于两个(种)的任意组合，例如，以xyz、xyy、yz和zz为例。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。
[0043]
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。
[0044]
诸如“之下”、“下方”、“下”、“较低”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性目的，并且由此，以描述如附图中例示的一个元件与另一个元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描述的方向之外的在使用、操作和/或制造中的设备的不同方向。例如，如果附图中的设备被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。此外，可以将设备以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方向上)，并且如此，本文使用的空间相对描述符被相应地解释。
[0045]
本文使用的术语出于描述具体实施方案的目的，而不旨在限制。如本文使用，单数
形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当用于本说明书时指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。还注意，如本文使用，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且如此，用于解释本领域普通技术人员会认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
[0046]
参考截面图示和/或分解图示在本文描述各种实施方案，所述截面图示和/或分解图示是理想化的实施方案和/或中间结构的示意性图示。如此，应预期由于例如制造技术和/或公差而产生的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施方案不应必须被解释为局限于区的具体例示的形状，而应包括由例如制造产生的形状的偏差。以这种方式，附图中例示的区可以在本质上是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且如此，不必旨在限制。
[0047]
除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容作为其中一部分的领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在本文明确如此定义。
[0048]
根据本发明的原理和示例性实施方案制备的杂环化合物可以由式1表示：
[0049]
式1
[0050][0051]
式2
[0052][0053]
其中，在式1中，y1可以是b、p(＝o)或p(＝s)，并且y2可以是b、p(＝o)或p(＝s)。在实施方案中，y1和y2可以各自是b。式1中的变量a1至a5分别表示x1至x5的数量，并且可以各自独立地是0至4的整数。
[0054]
当a1是2或大于2时，两个或多于两个的x1可以彼此相同或不同，当a2是2或大于2
时，两个或多于两个的x2可以彼此相同或不同，当a3是2或大于2时，两个或多于两个的x3可以彼此相同或不同，当a4是2或大于2时，两个或多于两个的x4可以彼此相同或不同，并且当a5是2或大于2时，两个或多于两个的x5可以彼此相同或不同。在实施方案中，a1至a5可以各自独立地是0或1的整数。在实施方案中，当a1为0时，x1可以不存在，当a2为0时，x2可以不存在，当a3为0时，x3可以不存在，当a4为0时，x4可以不存在，并且当a5为0时，x5可以不存在。
[0055]
在式1中，x1可以是n(ar
1a
)(ar
1b
)、n(ar
1a
)(z
1a
)或n(z
1a
)(z
1b
)，x2可以是n(ar
2a
)(ar
2b
)、n(ar
2a
)(z
2a
)或n(z
2a
)(z
2b
)，x3可以是n(ar
3a
)(ar
3b
)、n(ar
3a
)(z
3a
)或n(z
3a
)(z
3b
)，x4可以是n(ar
4a
)(ar
4b
)、n(ar
4a
)(z
4a
)或n(z
4a
)(z
4b
)，x5可以是n(ar
5a
)(ar
5b
)、n(ar
5a
)(z
5a
)或n(z
5a
)(z
5b
)，x6可以是o、s、n(ar6)或n(z6)，x7可以是o、s、n(ar7)或n(z7)，x8可以是o、s、n(ar8)或n(z8)，并且x9可以是o、s、n(ar9)或n(z9)。
[0056]
在式1中，ar
1a
、ar
1b
、ar
2a
、ar
2b
、ar
3a
、ar
3b
、ar
4a
、ar
4b
、ar
5a
、ar
5b
和ar6至ar9可以各自是由式2表示的基团。以下将描述式2的细节。
[0057]
式1可以满足条件(1)至条件(9)中的至少一个。
[0058]
条件(1)
[0059]
a1是1或大于1的整数，并且a1的数量的x1中的至少一个是n(ar
1a
)(ar
1b
)或n(ar
1a
)(z
1a
)。
[0060]
条件(2)
[0061]
a2是1或大于1的整数，并且a2的数量的x2中的至少一个是n(ar
2a
)(ar
2b
)或n(ar
2a
)(z
2a
)。
[0062]
条件(3)
[0063]
a3是1或大于1的整数，并且a3的数量的x3中的至少一个是n(ar
3a
)(ar
3b
)或n(ar
3a
)(z
3a
)。
[0064]
条件(4)
[0065]
a4是1或大于1的整数，并且a4的数量的x4中的至少一个是n(ar
4a
)(ar
4b
)或n(ar
4a
)(z
4a
)。
[0066]
条件(5)
[0067]
a5是1或大于1的整数，并且a5的数量的x5中的至少一个是n(ar
5a
)(ar
5b
)或n(ar
5a
)(z
5a
)。
[0068]
条件(6)
[0069]
x6是n(ar6)。
[0070]
条件(7)
[0071]
x7是n(ar7)。
[0072]
条件(8)
[0073]
x8是n(ar8)。
[0074]
条件(9)
[0075]
x9是n(ar9)。
[0076]
在实施方案中，a1和a2可以各自是1，a3至a5可以各自是0，并且可以不满足条件(3)至条件(5)。在实施方案中，不满足条件(3)可以意指a3为0并且x3不存在，不满足条件(4)可以意指a4为0并且x4不存在，并且不满足条件(5)可以意指a5为0并且x5不存在。
[0077]
在实施方案中，在式1中，x1可以是n(ar
1a
)(z
1a
)或n(z
1a
)(z
1b
)，x2可以是n(ar
2a
)(z
2a
)或n(z
2a
)(z
2b
)，x3可以是n(ar
3a
)(z
3a
)或n(z
3a
)(z
3b
)，x4可以是n(ar
4a
)(z
4a
)或n(z
4a
)(z
4b
),并且x5可以是n(ar
5a
)(z
5a
)或n(z
5a
)(z
5b
)。在这种情况下，式1可以满足条件(1-1)至条件(5-1)中的一个、条件(6)至条件(9)中的一个，或其任意组合。
[0078]
条件(1-1)
[0079]
a1是1或大于1的整数，并且a1的数量的x1中的至少一个是n(ar
1a
)(z
1a
)。
[0080]
条件(2-1)
[0081]
a2是1或大于1的整数，并且a2的数量的x2中的至少一个是n(ar
2a
)(z
2a
)。
[0082]
条件(3-1)
[0083]
a3是1或大于1的整数，并且a3的数量的x3中的至少一个是n(ar
3a
)(z
3a
)。
[0084]
条件(4-1)
[0085]
a4是1或大于1的整数，并且a4的数量的x4中的至少一个是n(ar
4a
)(z
4a
)。
[0086]
条件(5-1)
[0087]
a5是1或大于1的整数，并且a5的数量的x5中的至少一个是n(ar
5a
)(z
5a
)。
[0088]
在实施方案中，在式1中，x6可以是o、s或n(z6)，x7可以是o、s、n(ar7)或n(z7)，x8可以是o、s、n(ar8)或n(z8)，x9可以是o、s、n(ar9)或n(z9)，并且式1可以不满足条件(6)。在这种情况下，不满足条件(6)可以意指x6是o、s或n(z6)，而不是n(ar6)。在实施方案中，在式1中，x6可以是o或s，x7可以是o、s、n(ar7)、n(z7)，x8可以是o、s、n(ar8)或n(z8)，x9可以是o、s、n(ar9)或n(z9)，并且式1可以不满足条件(6)。在这种情况下，不满足条件(6)可以意指x6是o或s，而不是n(ar6)。
[0089]
在一个或多于一个的实施方案中，在式1中，x7可以是o、s或n(z7)，x6可以是o、s、n(ar6)或n(z6)，x8可以是o、s、n(ar8)或n(z8)，x9可以是o、s、n(ar9)或n(z9)，并且式1可以不满足条件(7)。在这种情况下，不满足条件(7)可以意指x7是o、s或n(z7)，而不是n(ar7)。
[0090]
在实施方案中，在式1中，x7可以是o或s，x6可以是o、s、n(ar6)或n(z6)，x8可以是o、s、n(ar8)或n(z8)，x9可以是o、s、n(ar9)或n(z9)，并且式1可以不满足条件(7)。在这种情况下，不满足条件(7)可以意指x7是o或s，而不是n(ar7)。
[0091]
在一个或多于一个的实施方案中，在式1中，x8可以是o、s或n(z8)，x6可以是o、s、n(ar6)或n(z6)，x7可以是o、s、n(ar7)或n(z7)，x9可以是o、s、n(ar9)或n(z9)，并且式1可以不满足条件(8)。在这种情况下，不满足条件(8)可以意指x8是o、s或n(z8)，而不是n(ar8)。
[0092]
在实施方案中，在式1中，x8可以是o或s，x6可以是o、s、n(ar6)或n(z6)，x7可以是o、s、n(ar7)或n(z7)，x9可以是o、s、n(ar9)或n(z9)，并且式1可以不满足条件(8)。在这种情况下，不满足条件(8)可以意指x8是o或s，而不是n(ar8)。
[0093]
在一个或多于一个的实施方案中，在式1中，x9可以是o、s或n(z9)，x6可以是o、s、n(ar6)或n(z6)，x7可以是o、s、n(ar7)或n(z7)，x8可以是o、s、n(ar8)或n(z8)，并且式1可以不满足条件(9)。在这种情况下，不满足条件(9)可以意指x9是o、s或n(z9)，而不是n(ar9)。
[0094]
在实施方案中，在式1中，x9可以是o或s，x6可以是o、s、n(ar6)或n(z6)，x7可以是o、s、n(ar7)或n(z7)，x8可以是o、s、n(ar8)或n(z8)，并且式1可以不满足条件(9)。在这种情况下，不满足条件(9)可以意指x9是o或s，而不是n(ar9)。
[0095]
在实施方案中，式1可以满足条件(1)和条件(2)中的一个、条件(6)至条件(9)中的
一个，或其任意组合，并且可以不满足条件(3)至条件(5)。在实施方案中，不满足条件(3)可以意指a3是0并且x3不存在，不满足条件(4)可以意指a4是0并且x4不存在，并且不满足条件(5)可以意指a5是0并且x5不存在。在一个或多于一个的实施方案中，式1可以满足条件(1)和条件(2)中的一个、条件(7)至条件(9)中的一个，或其任意组合，并且可以不满足条件(3)至条件(6)。
[0096]
在实施方案中，不满足条件(3)可以意指a3是0并且x3不存在，不满足条件(4)可以意指a4是0并且x4不存在，不满足条件(5)可以意指a5是0并且x5不存在，并且不满足条件(6)可以意指x6是o、s或n(z6)，而不是n(ar6)。
[0097]
在实施方案中，式1可以不满足条件(3)至条件(5)和条件(7)，可以不满足条件(3)至条件(5)和条件(8)，或者可以不满足条件(3)至条件(5)和条件(9)，而不是条件(3)至条件(6)。式1和式2中的cy1至cy7可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。在实施方案中，式1和式2中的cy1至cy7可以各自独立地是苯基团、萘基团、蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或二苯并噻咯基团。
[0098]
在实施方案中，式1中的cy1至cy5中的至少一个可以是苯基团。在一个或多于一个的实施方案中，式1中的cy1至cy5可以各自是相同的基团。在一个或多于一个的实施方案中，式1中的cy3至cy5可以各自是苯基团。在一个或多于一个的实施方案中，式1中的cy1至cy5可以各自是苯基团。在实施方案中，式2中的cy6和cy7中的至少一个可以是苯基团。在一个或多于一个的实施方案中，式2中的cy6和cy7可以各自是相同的基团。在一个或多于一个的实施方案中，式2中的cy6和cy7可以是不同的基团。
[0099]
在一个或多于一个的实施方案中，在式2中，cy6可以是苯基团，并且cy7可以是苯基团、芴基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并噻咯基团、二苯并硒吩基团或二苯并碲吩基团。在一个或多于一个的实施方案中，式2中的cy6和cy7可以各自是苯基团。
[0100]
式1和式2中的变量b1至b7分别表示r1至r7的数量，并且可以各自独立地是0至8的整数。当b1是2或大于2时，两个或多于两个的r1可以彼此相同或不同，当b2是2或大于2时，两个或多于两个的r2可以彼此相同或不同，当b3是2或大于2时，两个或多于两个的r3可以彼此相同或不同，当b4是2或大于2时，两个或多于两个的r4可以彼此相同或不同，当b5是2或大于2时，两个或多于两个的r5可以彼此相同或不同，当b6是2或大于2时，两个或多于两个的r6可以彼此相同或不同，并且当b7是2或大于2时，两个或多于两个的r7可以彼此相同或不同。
[0101]
式1和式2中的变量z
1a
、z
1b
、z
2a
、z
2b
、z
3a
、z
3b
、z
4a
、z
4b
、z
5a
、z
5b
、z6至z9以及r1至r7可以各自独立地是：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；
[0102]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；
[0103]
各自未取代的或被氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羟基
基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、茚基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、苯并芴基基团、苯并咔唑基基团、萘并苯并呋喃基基团、萘并苯并噻吩基基团、萘并苯并噻咯基基团、二苯并芴基基团、二苯并咔唑基基团、二萘并呋喃基基团、二萘并噻吩基基团、二萘并噻咯基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-p(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、茚基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、苯并芴基基团、苯并咔唑基基团、萘并苯并呋喃基基团、萘并苯并噻吩基基团、萘并苯并噻咯基基团、二苯并芴基基团、二苯并咔唑基基团、二萘并呋喃基基团、二萘并噻吩基基团、二萘并噻咯基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂芴基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团或氮杂二苯并噻咯基基团；或者
[0104]-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0105]
其中q1至q3以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：
[0106]-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h或-cd2cdh2；或者
[0107]
各自未取代的或被氘、c
1-c
10
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的正丙基基团、异丙基基
团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
[0108]
在一个或多于一个的实施方案中，式1和式2中的z
1a
、z
1b
、z
2a
、z
2b
、z
3a
、z
3b
、z
4a
、z
4b
、z
5a
、z
5b
、z6至z9以及r1至r7可以各自独立地是：
[0109]
氢、氘、-f、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；
[0110]
各自被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
20
烷氧基基团；或者
[0111]
各自未取代的或被氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、茚基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、苯并芴基基团、苯并咔唑基基团、萘并苯并呋喃基基团、萘并苯并噻吩基基团、萘并苯并噻咯基基团、二苯并芴基基团、二苯并咔唑基基团、二萘并呋喃基基团、二萘并噻吩基基团、二萘并噻咯基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、茚基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、苯并芴基基团、苯并咔唑基基团、萘并苯并呋喃基基团、萘并苯并噻吩基基团、萘并苯并噻咯基基团、二苯并芴基基团、二苯并咔唑基基团、二萘并呋喃基基团、二萘并噻吩基基团、二萘并噻咯基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团或苯并噻咯并咔唑基基团。
[0112]
在一个或多于一个的实施方案中，式1和式2中的z
1a
、z
1b
、z
2a
、z
2b
、z
3a
、z
3b
、z
4a
、z
4b
、z
5a
、z
5b
、z6至z9以及r1至r7可以各自独立地是：
[0113]
由氢、氘、-f或氰基基团表示的基团；或者
[0114]
各自未取代的或被氘、-f、氰基基团、c
1-c
20
烷基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、c
1-c
20
烷基苯基基团或其任意组合取代的苯基基团、联苯基基团或三联苯基基团。
[0115]
在一个或多于一个的实施方案中，式1和式2中的z
1a
、z
1b
、z
2a
、z
2b
、z
3a
、z
3b
、z
4a
、z
4b
、z
5a
、z
5b
、z6至z9以及r1至r7可以各自独立地是：
[0116]
由氢、氘、-f或氰基基团表示的基团；或者
[0117]
由式3-1至式3-20中的一种表示的基团。
[0118][0119][0120]
在式3-1至式3-20中，
[0121]
*表示与相邻原子的结合位点。
[0122]
式2中的c1表示l1的数量，并且可以是0至3的整数(例如，0、1或3)。当c1是2或大于2时，两个或多于两个的l1可以彼此相同或不同。
[0123]
式2中的l1可以是：单键；
[0124]
亚苯基基团、亚戊搭烯基基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、亚螺-二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚苯并异喹啉基基团、亚二苯并喹啉基基团、亚二苯并异喹啉基基团、亚联苯基基团、亚苯基吡啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚二苯并喹啉基基团、亚联吡啶基基团或亚吡啶基基团；或者
[0125]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、印达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、二苯并喹啉基基团、二苯并异喹啉基基团、联苯基基团、苯基吡啶基基团、菲咯啉基基团、二苯并喹啉基基团、联吡啶基基团、吡啶基基团、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)、-p(＝o)(q
31
)(q
32
)或其任意组合取代的亚苯基基团、亚戊搭烯基基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、亚螺-二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚苯并异喹啉基基团、亚二苯并喹啉基基团、亚二苯并异喹啉基基团、亚联苯基基团、亚苯基吡啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚联吡啶基基团、亚二苯并喹啉基基团或亚吡啶基基团。
[0126]
在一个或多于一个的实施方案中，式2中的l1可以是：
[0127]
单键；或者
[0128]
亚苯基基团、亚萘基基团、亚螺-蒽芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基
团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚苯并异喹啉基基团、亚二苯并喹啉基基团、亚二苯并异喹啉基基团、亚联苯基基团、亚苯基吡啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚二苯并喹啉基基团、亚联吡啶基基团或亚吡啶基基团；或者
[0129]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、螺-蒽芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、二苯并喹啉基基团、二苯并异喹啉基基团、联苯基基团、苯基吡啶基基团、菲咯啉基基团、二苯并喹啉基基团、联吡啶基基团、吡啶基基团或其任意组合取代的亚苯基基团、亚萘基基团、亚螺-蒽芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚苯并异喹啉基基团、亚二苯并喹啉基基团、亚二苯并异喹啉基基团、亚联苯基基团、亚苯基吡啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚二苯并喹啉基基团、亚联吡啶基基团或亚吡啶基基团。
[0130]
在一个或多于一个的实施方案中，式2中的l1可以是：
[0131]
单键；
[0132]
亚苯基基团或亚萘基基团；或者
[0133]
各自被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团或其任意组合取代的亚苯基基团或亚萘基基团。
[0134]
在一个或多于一个的实施方案中，式2中的l1可以是：单键；或者由式4-1至式4-9中的一种表示的基团。
[0135][0136]
式4-1至式4-9中的符号*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。
[0137]
式2中的符号*表示与式1的结合位点。
[0138]
在实施方案中，式1中的由表示的基团可以是由式cy1-1至式cy1-4中的一种表示的基团。
[0139][0140]
在式cy1-1至式cy1-4中，
[0141]
x
11
与关于x1描述的相同，
[0142]r11
至r
13
各自与关于r1描述的相同，
[0143]
*表示与式1中的x6的结合位点，
[0144]
*'表示与式1中的y1的结合位点，以及
[0145]
*”表示与式1中的x8的结合位点。
[0146]
在一个或多于一个的实施方案中，式cy1-1至式cy1-4中的r
11
至r
13
可以各自是氢。
[0147]
在实施方案中，式1中的由表示的基团可以是由式cy2-1至式cy2-4中的一种表示的基团。
[0148][0149]
在式cy2-1至式cy2-4中，
[0150]
x
21
与关于x2描述的相同，
[0151]r21
至r
23
各自与关于r2描述的相同，
[0152]
*表示与式1中的x7的结合位点，
[0153]
*'表示与式1中的y2的结合位点，以及
[0154]
*”表示与式1中的x9的结合位点。
[0155]
在一个或多于一个的实施方案中，式cy2-1至式cy2-4中的r
21
至r
23
可以各自是氢。
[0156]
在实施方案中，式1中的由表示的基团可以是由式cy3-1至式cy3-5中的一种表示的基团。
[0157][0158]
在式cy3-1至式cy3-5中，
[0159]
x
31
与关于x3描述的相同，
[0160]r31
至r
34
可以各自与关于r3描述的相同，
[0161]
*表示与式1中的y1的结合位点，以及
[0162]
*'表示与式1中的x8的结合位点。
[0163]
在一个或多于一个的实施方案中，式cy3-1至式cy3-5中的r
31
至r
34
可以各自是氢。
[0164]
在实施方案中，式1中的由表示的基团可以是由式cy4-1至式cy4-5中的一种表示的基团。
[0165][0166]
在式cy4-1至式cy4-5中，
[0167]
x
41
与关于x4描述的相同，
[0168]r41
至r
44
各自与关于r4描述的相同，
[0169]
*表示与式1中的y2的结合位点，以及
[0170]
*'表示与式1中的x9的结合位点。
[0171]
在一个或多于一个的实施方案中，式cy4-1至式cy4-5中的r
41
至r
44
可以各自是氢。
[0172]
在实施方案中，式1中的由表示的基团可以是由式cy5-1至式cy5-3中的一种表示的基团。
[0173][0174]
在式cy5-1至式cy5-3中，
[0175]
x
51
与关于x5描述的相同，
[0176]r51
和r
52
各自与关于r5描述的相同，
[0177]
*表示与式1中的x6的结合位点，
[0178]
*'表示与式1中的y1的结合位点，
[0179]
*”表示与式1中的x7的结合位点，以及
[0180]
*”'表示与式1中的y2的结合位点。
[0181]
在一个或多于一个的实施方案中，式cy5-1至式cy5-3中的r
51
和r
52
可以各自是氢。在实施方案中，式2可以是由式2-1至式2-4中的一种表示的基团。
[0182][0183]
在式2-1至式2-4中，
[0184]
l1、c1、t1、b6、b7、r6、r7和cy7各自与本文描述的相同，以及
[0185]
*表示与式1的结合位点。
[0186]
在一个或多于一个的实施方案中，式2-1至式2-4中的r6和r7可以各自是氢。在一个或多于一个的实施方案中，在式2-1至式2-4中，c1可以是0，l1可以不存在，并且可以直接定位与式1的结合位点。在一个或多于一个的实施方案中，c1可以是1，并且l1可以是单键。在实施方案中，式2中的t1可以是se或te。在实施方案中，当式1满足条件(1)至条件(9)中的至少一个时，式1可以包含至少一个由式2表示的取代基。
[0187]
在一个或多于一个的实施方案中，当式1包括两个或多于两个的由式2表示的取代基时，两个或多于两个的由式2表示的取代基可以各自独立地包含se或te作为t1。在一个或多于一个的实施方案中，当式1包括两个或多于两个的由式2表示的取代基时，分别包含在任意两个或多于两个的由式2表示的取代基中的t1可以各自是相同的原子。
[0188]
由式1表示的杂环化合物可以是例如化合物1至化合物104中的一种：
[0189]
[0190]
[0191]
[0192]
[0193][0194]
在由式1表示的杂环化合物中，式1中的x1可以包含ar
1a
或ar
1b
作为取代基，x2可以包含ar
2a
或ar
2b
作为取代基，x3可以包含ar
3a
或ar
3b
作为取代基，x4可以包含ar
4a
或ar
4b
作为取代基，x5可以包含ar
5a
或ar
5b
作为取代基，x6可以包含ar6作为取代基，x7可以包含ar7作为取代基，x8可以包含ar8作为取代基，并且x9可以包含ar9作为取代基。此外，ar
1a
、ar
1b
、ar
2a
、ar
2b
、ar
3a
、ar
3b
、ar
4a
、ar
4b
、ar
5a
、ar
5b
和ar6至ar9可以各自是由式2表示的基团，并且式1可以满足条件(1)至条件(9)中的至少一个。
[0195]
尽管不希望受特定理论的限制，但因为如以上描述的由式1表示的杂环化合物包含由式2表示的基团作为取代基，所以与具有与式1相同的结构但不包含由式2表示的基团作为取代基的虚拟化合物不同，由于重原子(t1)，可以实现改善的自旋-轨道耦合和增加的反向系间窜越(krisc)速率。此外，由于包含在由式2表示的基团中的重原子(t1)富含电子，因此可以根据整个分子的共轭程度的增加来增加多重共振，从而改善键离解能(bde)。
[0196]
此外，因为式1包含由式2表示的基团作为取代基，与具有与式1的结构相同的结构但不包含由式2表示的基团的虚拟化合物(其中重原子(t1)包含在核中)不同，尽管不希望受理论束缚，但可以有效地防止由于重原子(t1)在核中的布置而导致的分子结构的畸变引起的分子不稳定性的增加。
[0197]
因此，包含由式1表示的杂环化合物的发光装置可以具有改善的发光效率和/或使用寿命。由式1表示的杂环化合物的合成方法可以是本领域普通技术人员通过参考以下提供的合成例和/或实施例可认知的。
[0198]
至少一种由式1表示的杂环化合物可以用于发光装置(例如，有机发光装置)中。因此，提供了发光装置，所述发光装置包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及由式1表示的杂环化合物。
[0199]
在实施方案中，发光装置的第一电极可以是阳极，发光装置的第二电极可以是阴极，中间层可以进一步包括位于第一电极与发射层之间的空穴传输区以及位于发射层与第二电极之间的电子传输区，空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0200]
在实施方案中，杂环化合物可以包含在发光装置的第一电极与第二电极之间。因此，杂环化合物可以包含在发光装置的中间层中，例如，包含在中间层的发射层中。发射层可以发射红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光。在实施方案中，发射层可以发射蓝色光。蓝色光可以具有例如约400nm至约490nm的最大发射波长。
[0201]
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以进一步包含主体，并且主体的量可以大于由式1表示的杂环化合物的量。在实施方案中，包含在发射层中的主体可以包括两种或多于两种的不同主体。
[0202]
在一个或多于一个的实施方案中，除了主体和由式1表示的杂环化合物之外，发射层可以进一步包含磷光掺杂剂。在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括有机金属化合物。在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括铂(pt)。
[0203]
在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以包括位于第一电极外部和/或第二电极外部的覆盖层。在实施方案中，覆盖层可以包含由式1表示的杂环化合物。
[0204]
在实施方案中，发光装置可以进一步包括位于第一电极外部的第一覆盖层和位于第二电极外部的第二覆盖层中的至少一个，并且由式1表示的杂环化合物可以包含在第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个中。第一覆盖层和/或第二覆盖层的更多细节与本文描述的相同。
[0205]
在实施方案中，发光装置可以进一步包括：位于第一电极外部并且包含由式1表示的杂环化合物的第一覆盖层；位于第二电极外部并且包含由式1表示的杂环化合物的第二覆盖层；或者第一覆盖层和第二覆盖层。
[0206]
在实施方案中，中间层和/或覆盖层可以仅包含化合物1作为杂环化合物。在这点上，化合物1可以存在于发光装置的发射层中。在一个或多于一个的实施方案中，中间层可以包含化合物1和化合物2作为杂环化合物。在这点上，化合物1和化合物2可以存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2两者可以存在于发射层中)或不同的层中(例如，化合物1可以存在于发射层中，并且化合物2可以存在于电子传输区中)。
[0207]
根据本发明的另一方面，电子设备包括发光装置。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在一个或多于一个的实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。关于电子设备的更多细节与本文描述的相同。
[0208]
图1的描述
[0209]
图1是根据本发明的原理构造的发光装置的实施方案的示意性横截面视图。
[0210]
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。在下文，将关于图1描述根据本发明的原理和示例性实施方案构造的发光装置10的结构和制造发光装置10的示例性方法。
[0211]
第一电极110
[0212]
在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0213]
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函材料。
[0214]
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、
镁-银(mg-ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0215]
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。在实施方案中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0216]
中间层130
[0217]
中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层。中间层130可以进一步包括位于第一电极110与发射层之间的空穴传输区和置于发射层与第二电极150之间的电子传输区。除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0218]
在一个或多于一个的实施方案中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)位于两个或多于两个的发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
[0219]
中间层130中的空穴传输区
[0220]
空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0221]
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0222]
在实施方案中，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，层从第一电极110依次堆叠。
[0223]
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0224]
式201
[0225][0226]
式202
[0227][0228]
其中，在式201和式202中，
[0229]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，并且r
10a
可以通过参考本文
提供的r
10a
的描述来理解，
[0230]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
[0231]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0232]
xa5可以是1至10的整数，
[0233]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0234]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物ht16)，
[0235]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0236]
na1可以是1至4的整数。
[0237]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种：
[0238][0239]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被r
10a
取代。
[0240]
在实施方案中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0241]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201
至式cy203表示的基团中的至少一种。在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种以及由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0242]
在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207中的一种表示的基团。在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一种表示的基团。在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217中的一种表示的基团。
[0243]
在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物ht1至化合物ht46、4,4',4
”‑
三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)、1-n,1-n-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-n,4-n-二苯基苯-1,4-二胺(tdata)、4,4',4
”‑
三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-tnata)、双(萘-1-基)-n,n'-双(苯基)联苯胺(npb或npd)、n4,n4'-二(萘-2-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-npb)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基联苯胺(tpd)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺(螺-tpd)、n2,n7-二(1-萘基)-n2,n7-二苯基-9,9'-螺二[9h-芴]-2,7-二胺(螺-npb)、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-2,2'-二甲基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(甲基化-npb)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)、n,n,n',n'-四(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺(hmtpd)、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi)中的一种或其任意组合：
[0244]
[0245]
[0246]
[0247]
[0248][0249]
空穴传输区的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0250]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0251]
p-掺杂剂
[0252]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
[0253]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。在实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可以是约-3.5ev或小于-3.5ev。在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0254]
醌衍生物的实例是四氰基醌二甲烷(tcnq)、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8
’‑
四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)等。含氰基基团的化合物的实例是1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六甲腈(hat-cn)和由以下式221表示的化合物。
[0255][0256]
式221
[0257][0258]
在式221中，
[0259]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及
[0260]r221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是：各自被氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0261]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其任意组合。
[0262]
金属的实例是碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0263]
准金属的实例是硅(si)、锑(sb)和碲(te)。非金属的实例是氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0264]
在一个或多于一个的实施方案中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例是金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
[0265]
金属氧化物的实例是钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。金属卤化物的实例是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0266]
碱金属卤化物的实例是lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。碱土金属卤化物的实例是bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0267]
过渡金属卤化物的实例是钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物
(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0268]
后过渡金属卤化物的实例是锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。镧系金属卤化物的实例是ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。准金属卤化物的实例是锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0269]
金属碲化物的实例是碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0270]
中间层130中的发射层
[0271]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此隔开。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。在实施方案中，发射层可以发射蓝色光。
[0272]
在实施方案中，发射层可以包含如以上描述的由式1表示的杂环化合物。发射层可以包含主体和掺杂剂。在实施方案中，掺杂剂可以包括如以上描述的由式1表示的杂环化合物。在这点上，除了由式1表示的杂环化合物之外，掺杂剂可以进一步包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。除了由式1表示的杂环化合物之外，可以进一步包含在发射层中的磷光掺杂剂、荧光掺杂剂等将在以下详细地描述。基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0273]
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含量子点。发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0274]
发射层的厚度可以是约至约例如，约至约当发射层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增
加。
[0275]
主体
[0276]
主体可以包括例如含咔唑的化合物、含蒽的化合物、含三嗪的化合物或其任意组合。主体可以包括例如含咔唑的化合物和含三嗪的化合物。在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301表示的化合物：
[0277]
式301
[0278]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0279]
其中，在式301中，
[0280]
ar
301
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
301
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0281]
xb11可以是1、2或3，
[0282]
xb1可以是0至5的整数，
[0283]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0284]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0285]q301
至q
303
各自与关于q1描述的相同。
[0286]
在实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此连接。在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
[0287]
式301-1
[0288][0289]
式301-2
[0290][0291]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0292]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0293]
x
301
可以是o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0294]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0295]
l
301
、xb1和r
301
各自与本文描述的相同，
[0296]
l
302
至l
304
各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0297]
xb2至xb4各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0298]r302
至r
305
和r
311
至r
314
各自与关于r
301
描述的相同。
[0299]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任意组合。在实施方案中，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其任意组合。
[0300]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括化合物h1至化合物h139、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一种或其任意组合：
[0301]
[0302]
[0303]
[0304]
[0305]
[0306]
[0307][0308]
磷光掺杂剂
[0309]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0310]
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0311]
式401
[0312]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0313]
式402
[0314][0315]
其中，在式401和式402中，
[0316]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪
(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0317]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0318]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0319]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0320]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0321]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0322]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0323]q411
至q
414
各自与关于q1描述的相同，
[0324]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0325]q401
至q
403
各自与关于q1描述的相同，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0326]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0327]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0328]
在实施方案中，在式402中，i)x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或者ii)x
401
和x
402
中的每一个可以是氮。
[0329]
在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。变量t
402
和t
403
各自与关于t
401
描述的相同。
[0330]
式401中的变量l
402
可以是有机配体。在实施方案中，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)基团、异腈基团、-cn基团、磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
[0331]
磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物pd1至化合物pd25中的一种或其任意组合：
[0332][0333][0334]
荧光掺杂剂
[0335]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0336]
式501
[0337][0338]
其中，在式501中，
[0339]
ar
501
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
501
至l
503
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二
价c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
[0340]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0341]
在实施方案中，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0342]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物fd1至化合物fd36；dpvbi；dpavbi中的一种；或其任意组合：
[0343]
[0344]
[0345][0346]
延迟荧光材料
[0347]
发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0348]
在实施方案中，延迟荧光材料的以电子伏特(ev)计的三重态能级与延迟荧光材料的以电子伏特(ev)计的单重态能级之间的差可以大于或等于约0ev且小于或等于约0.5ev。当延迟荧光材料的以电子伏特(ev)计的三重态能级与延迟荧光材料的以电子伏特(ev)计的单重态能级之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此，可以改善发光装置10的发光效率。
[0349]
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(b)的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0350]
延迟荧光材料的实例可以包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0351][0352]
量子点
[0353]
发射层可以包含量子点。量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
[0354]
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。
[0355]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物；或者其任意组合。
[0356]
ii-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者其任意组合。
[0357]
iii-v族半导体化合物的实例是二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb等；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb等；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb等；或者其任意组合。iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例是inznp、ingaznp、inalznp等。
[0358]
iii-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，例如ingas3或ingase3；或者其任意组合。i-iii-vi族半导体化合物的实例是三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或者其任意组合。
[0359]
iv-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete、snpbste等；或者其任意组合。iv族元素或化合物可以包括单一元素材料，例如si或ge；二元化合物，例如sic或sige；或者其任意组合。
[0360]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。量子点可以具有单一结构或双重核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在一个或多于一个的实施方案中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0361]
量子点的壳可以充当防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，该浓度梯度朝向壳中存在的元素的中心降低。
[0362]
量子点的壳的实例可以是金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物及其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例是二元化合物(例如，sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio)；三元化合物(例如，mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4)；以及其任意组合。半导体化合物的实例是如本文描述的ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；及其任意组合。此外，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0363]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加色纯度或色域。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善广视角。
[0364]
此外，量子点可以是大致球形纳米颗粒、大致角锥形纳米颗粒、大致多臂纳米颗粒、大致立方体纳米颗粒、大致纳米管、大致纳米线、大致纳米纤维或大致纳米板。
[0365]
由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。详细地，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种颜色的光来发射白色光。
[0366]
中间层130中的电子传输区
[0367]
电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0368]
在实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层依次堆叠。
[0369]
在实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0370]
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：
[0371]
式601
[0372]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0373]
其中，在式601中，
[0374]
ar
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，l
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，r
10a
可以通过参考本文提供的r
10a
的描述来理解，
[0375]
xe11可以是1、2或3，
[0376]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0377]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0378]q601
至q
603
各自与关于q1描述的相同，
[0379]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0380]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的(二价)c
1-c
60
环状基团。
[0381]
在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键彼此连接。在一个或多于一个的实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：
[0382]
式601-1
[0383][0384]
其中，在式601-1中，
[0385]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0386]
l
611
至l
613
各自与关于l
601
描述的相同，
[0387]
xe611至xe613各自与关于xe1描述的相同，
[0388]r611
至r
613
各自与关于r
601
描述的相同，以及
[0389]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0390]
在实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0391]
电子传输区可以包含化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、三-(8-羟基喹啉根合)铝(alq3)、双(2-甲基-8-喹啉根合-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-根合)铝(balq)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、tspo1、tpbi中的一种或其任意组合：
[0392]
[0393]
[0394][0395]
电子传输区的厚度可以是约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0396]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0397]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0398]
在实施方案中，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括，例如，化合物et-d1(羟基喹啉锂，liq)或化合物et-d2：
[0399][0400]
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
[0401]
电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0402]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0403]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或者其任意组合。
[0404]
含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如li2o、cs2o或k2o)、碱金属卤化物(例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)、ba
x
ca
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0405]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)键合至金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0406]
电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0407]
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属
卤化物)，ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0408]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0409]
电子注入层的厚度可以是约至约并且例如，约至约当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0410]
第二电极150
[0411]
第二电极150可以位于具有此类结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。
[0412]
第二电极150可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。
[0413]
覆盖层
[0414]
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部。详细地，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按此规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序依次堆叠的结构。
[0415]
在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出，或者在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。
[0416]
尽管不希望受理论束缚，但第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有约1.6或大于1.6的折射率(在589nm处)的材料。第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含由式1表示的杂环化合物。
[0417]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
[0418]
选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0419]
在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、n4,n4'-二(萘-2-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-npb)或其任意组合：
[0420][0421]
电子设备
[0422]
发光装置10可以被包括在各种电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0423]
除了发光装置10之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置10发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置10发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置10可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。
[0424]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。
[0425]
像素限定层可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。
[0426]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。详细地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体。
[0427]
在一个或多于一个的实施方案中，发光装置10可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。详细地，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。
[0428]
除了如以上描述的发光装置10之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电联接至发光装置10的第一电极和第二电极中的任一个。
[0429]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0430]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置10的密封部。密封部和/或颜色转换层可以置于滤色器与发光装置10之间。密封部允许来自发光装置10的光被引出至外部，而同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置10中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0431]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以额外地位于密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。除了发光装置10以外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0432]
电子设备可以采取以下形式或应用于以下：各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[0433]
图2和图3的描述
[0434]
图2是包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方案的示意性横截面视图。
[0435]
图2的发光设备180包括衬底100、薄膜晶体管(tft)200、发光装置10和密封发光装置10的封装部300。
[0436]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。
缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供基本上平坦的表面。
[0437]
tft 200可以位于缓冲层210上。tft 200可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0438]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
[0439]
层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以置于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
[0440]
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。可以形成层间绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0441]
tft 200电连接至发光装置10以驱动发光装置10，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。在钝化层280上提供发光装置10。发光装置10可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0442]
第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接至漏电极270的暴露部分。
[0443]
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以定位成公共层的形式。
[0444]
第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0445]
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置10上以保护发光装置免受湿气或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的任意组合。
[0446]
图3是包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一个实施方案的示意性横截面视图。
[0447]
图3的发光设备190与图2的发光设备180相同，但遮光图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是：i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备190中的发光装置10可以是串联发光装置。
[0448]
制造方法
[0449]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个
层。
[0450]
当通过真空沉积形成包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度进行沉积。
[0451]
术语的定义
[0452]
如本文使用的术语“中间层”是指位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层或多个层。
[0453]
如本文使用，表述“(中间层和/或覆盖层)包含至少一种由式1表示的杂环化合物”可以包括其中“(中间层和/或覆盖层)包含相同的由式1表示的杂环化合物”的情况和其中“(中间层和/或覆盖层)包含两种或多于两种的不同的由式1表示的杂环化合物”的情况。
[0454]
如本文使用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0455]
如本文使用，术语“原子”可以意指元素或者键合至一个或多于一个的其它原子的其相应基团。
[0456]
术语“氢”和“氘”是指它们各自的原子和相应的基团，其中氘基团缩写为
“‑
d”，并且术语
“‑
f、-cl、-br和-i”分别是氟、氯、溴和碘的基团。
[0457]
如本文使用，用于单价基团(例如，烷基)的取代基还可以独立地是用于相应的二价基团(例如，亚烷基)的取代基。
[0458]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是3至30、3至20、3至15、3至10、3至8或3至6)的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)并且进一步具有除了碳之外的杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团具有3个至61个成环原子。
[0459]
如本文使用的“环状基团”可以包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0460]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是3至30、3至20、3至15、3至10、3至8或3至6)并且不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)并且包含*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0461]
在实施方案中，c
3-c
60
碳环基团可以是i)基团tg1，或者ii)其中两个或多于两个的基团tg1彼此稠合的稠合环状基团，例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团。
[0462]c1-c
60
杂环基团可以是i)基团tg2，ii)其中两个或多于两个的基团tg2彼此稠合的
稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团tg2和至少一个基团tg1彼此稠合的稠合环状基团，例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等。
[0463]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是i)基团tg1，ii)其中两个或多于两个的基团tg1彼此稠合的稠合环状基团，iii)基团tg3，iv)其中两个或多于两个的基团tg3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团tg3和至少一个基团tg1彼此稠合的稠合环状基团，例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等。
[0464]
含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团可以是i)基团tg4，ii)其中两个或多于两个的基团tg4彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团tg4和至少一个基团tg1彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团tg4和至少一个基团tg3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团tg4、至少一个基团tg1和至少一个基团tg3彼此稠合的稠合环状基团，例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等。
[0465]
基团tg1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团。
[0466]
基团tg2可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团。
[0467]
基团tg3可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团。
[0468]
基团tg4可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0469]
如本文使用的术语“环状基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、富π电子的c
3-c
60
环状基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指取决于与术语使用有关的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在一个或多于一个的实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
[0470]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例是c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例是c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0471]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”是指具有对应于c
1-c
60
烷基基团的结构的二价基团。
[0472]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例是乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”是指具有对应于c
2-c
60
烯基基团的结构的二价基团。
[0473]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”是指具有对应于c
2-c
60
炔基基团的结构的二价基团。
[0474]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”是指由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)
表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
[0475]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子(其中碳原子数可以是3至8或3至6)的单价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”是指具有对应于c
3-c
10
环烷基基团的结构的二价基团。
[0476]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子并且具有1个至10个碳原子(其中碳原子数可以是1至8或1至6)的单价环状基团，并且其实例是1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”是指具有对应于c
1-c
10
杂环烷基基团的结构的二价基团。
[0477]
本文使用的术语c
3-c
10
环烯基基团是指在其环中具有三个至十个碳原子(其中碳原子数可以是3至8或3至6)和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例是环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”是指具有对应于c
3-c
10
环烯基基团的结构的二价基团。
[0478]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)、1个至10个碳原子(其中碳原子数可以是1至8或1至6)和至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”是指具有对应于c
1-c
10
杂环烯基基团的结构的二价基团。
[0479]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”是指具有含六个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是6至30、6至20、6至15、6至10或6至8)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”是指具有含六个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是6至30、6至20、6至15、6至10或6至8)的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例是苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
[0480]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)和1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)和1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉
基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
[0481]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如，碳原子数可以是8至30、8至20、8至15或8至10)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅具有碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有对应于单价非芳香族稠合多环基团的结构的二价基团。
[0482]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如，碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子并且在其整个分子结构中具有非芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例是吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有对应于单价非芳香族稠合杂多环基团的结构的二价基团。
[0483]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”表示-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”表示-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)。
[0484]
本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基基团”是指-a
104a105
(其中a
104
可以是c
1-c
54
亚烷基基团，并且a
105
可以是c
6-c
59
芳基基团)，并且本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基基团”是指-a
106a107
(其中a
106
可以是c
1-c
59
亚烷基基团，并且a
107
可以是c
1-c
59
杂芳基基团)。
[0485]
如本文使用的术语“r
10a”是指：
[0486]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0487]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0488]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团、c
2-c
60
杂芳基烷基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、c
7-c
60
芳基烷基基团或c
2-c
60
杂芳基烷基基团；或者
[0489]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0490]
本文使用的变量q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团；c
7-c
60
芳基烷基基团；或者c
2-c
60
杂芳基烷基基团。
[0491]
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子。杂原子的实例是o、s、n、p、si、b、ge、se及其任意组合。
[0492]
本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0493]
如本文使用，术语“ph”是指苯基基团，术语“me”是指甲基基团，术语“et”是指乙基基团，术语“tert-bu”或“bu
t”是指叔丁基基团，并且术语“ome”是指甲氧基基团。
[0494]
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有c
6-c
60
芳基基团(即，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0495]
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团(即，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
[0496]
缩写“eq.”意指“摩尔当量”。
[0497]
除非另外定义，如本文使用的符号*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
[0498]
在下文，将参考合成例和实施例详细地描述根据本发明的原理和示例性实施方案制备的化合物和包含所述化合物的发光装置。在描述合成例中使用的措辞“使用b替代a”是指使用等摩尔当量的b替代a。
[0499]
实施例
[0500]
化合物4的合成例
[0501]
[0502]
中间体4-1的合成
[0503]
将1,3-二溴-5-氯苯(1当量)、二苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法进行分离-纯化过程以获得中间体4-1。(产率：60％)
[0504]
中间体4-2的合成
[0505]
将中间体4-1(1当量)、二苯并[b,d]硒吩-4-胺(1.5当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体4-2。(产率：60％)
[0506]
中间体4-3的合成
[0507]
将3,5-双(二苯基氨基)苯酚(1当量)、1-溴-3-氟苯(2当量)、cui(0.2当量)、k2co3(3当量)和吡啶甲酸(0.4当量)溶解在二甲基甲酰胺(dmf)中，并且然后在160℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除dmf。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行纯化-重结晶过程以获得中间体4-3。(产率：55％)
[0508]
中间体4-4的合成
[0509]
将中间体4-2(1当量)、中间体4-3(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除甲苯。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行重结晶过程以获得中间体4-4。(产率：65％)
[0510]
化合物4的合成
[0511]
将中间体4-4(1当量)溶解在邻二氯苯中，将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并且然后向其中缓慢逐滴添加一定量(4当量)的三溴化硼(bbr3)。在逐滴添加完成后，将温度升高至19℃，并且将所得溶液搅拌24小时。在冷却至0℃后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶，直至放热停止以终止反应。然后，向其中添加己烷以引起沉淀，并且通过过滤从其中获得固体。将获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且然后通过二氯甲烷和正己烷(mc/hex)重结晶进行纯化以获得化合物4。然后，通过升华纯化对其进行最终的纯化过程。(升华后产率：3％)
[0512]
化合物13的合成例
[0513][0514]
中间体13-1的合成
[0515]
将1,3-二溴-5-氯苯(1当量)、二苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体13-1。(产率：60％)
[0516]
中间体13-2的合成
[0517]
将中间体13-1(1当量)、苯胺(1.5当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体13-2。(产率：60％)
[0518]
中间体13-3的合成
[0519]
将1-溴二苯并[b,d]碲吩(1当量)、苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌8小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体13-3。(产率：60％)
[0520]
中间体13-4的合成
[0521]
将中间体13-3(2.1当量)、3,5-二溴苯酚(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(4当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌12小时。然后，将反应混合物冷却并且在减压下干燥以从其中去除甲苯。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体13-4。(产率：62％)
[0522]
中间体13-5的合成
[0523]
将中间体13-4(1当量)、1-溴-3-氟苯(2当量)、cui(0.2当量)、k2co3(3当量)和吡啶甲酸(0.4当量)溶解在dmf中，并且然后在160℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除dmf。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行纯化-重结晶过程以获得中间体13-5。(产率：55％)
[0524]
中间体13-6的合成
[0525]
将中间体13-2(1当量)、中间体13-5(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除甲苯。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行重结晶过程以获得中间体13-6。(产率：58％)
[0526]
化合物13的合成
[0527]
将中间体13-6(1当量)溶解在邻二氯苯中，将烧瓶在氮气氛下冷却至0℃，并且然后，向其中缓慢逐滴添加bbr3(4当量)。在逐滴添加完成后，将温度升高至19℃，并且将所得溶液搅拌24小时。在冷却至0℃后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶，直至放热停止以终止反
应。然后，向其中添加己烷以引起沉淀，并且通过过滤从其中获得固体。将获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且然后通过mc/hex重结晶进行纯化以获得化合物13。然后，通过升华纯化对其进行最终的纯化过程。(升华后产率：3％)
[0528]
化合物29的合成例
[0529][0530]
中间体29-1的合成
[0531]
将1,3-二溴-5-氯苯(1当量)、二苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体29-1。(产率：60％)
[0532]
中间体29-2的合成
[0533]
将中间体29-1(1当量)、二苯并[b,d]硒吩-1-胺(1.5当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体29-2。(产率：60％)
[0534]
中间体29-3的合成
[0535]
将1-溴二苯并[b,d]硒吩(1当量)、苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌8小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体29-3。(产率：60％)
[0536]
中间体29-4的合成
[0537]
将中间体29-3(2.1当量)、3,5-二溴苯酚(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(4当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌12小时。然后，将反应混合物冷却并且在减压下干燥以从其中去除甲苯。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体29-4。(产率：62％)
[0538]
中间体29-5的合成
[0539]
将中间体29-4(1当量)、1-溴-3-氟苯(2当量)、cui(0.2当量)、k2co3(3当量)和吡啶甲酸(0.4当量)溶解在dmf中，并且然后在160℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除dmf。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤从其中获得的有机层使用mgso4干燥，
并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行纯化-重结晶过程以获得中间体29-5。(产率：55％)
[0540]
中间体29-6的合成
[0541]
将中间体29-2(1当量)、中间体29-5(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除甲苯。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行重结晶过程以获得中间体29-6。(产率：58％)
[0542]
化合物29的合成
[0543]
将中间体29-6(1当量)溶解在邻二氯苯中，将烧瓶在氮气氛下冷却至0℃，并且然后，向其中缓慢逐滴添加bbr3(4当量)。在逐滴添加完成后，将温度升高至19℃，并且将所得溶液搅拌24小时。在冷却至0℃后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶，直至放热停止以终止反应。然后，向其中添加己烷以引起沉淀，并且通过过滤从其中获得固体。将获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且然后通过mc/hex重结晶进行纯化以获得化合物29。随后，通过升华纯化对其进行最终的纯化过程。(升华后产率：3％)
[0544]
化合物36的合成例
[0545][0546]
中间体36-1的合成
[0547]
将1,3-二溴-5-氯苯(1当量)、二苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体36-1。(产率：60％)
[0548]
中间体36-2的合成
[0549]
将中间体36-1(1当量)、二苯并[b,d]碲吩-4-胺(1.5当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体36-2。(产率：60％)
[0550]
中间体36-3的合成
[0551]
将4-溴二苯并[b,d]碲吩(1当量)、苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌8小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使
用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体36-3。(产率：60％)
[0552]
中间体36-4的合成
[0553]
将中间体36-3(2.1当量)、3,5-二溴苯酚(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(4当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌12小时。然后，将反应混合物冷却并且在减压下干燥以从其中去除甲苯。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体36-4。(产率：62％)
[0554]
中间体36-5的合成
[0555]
将中间体36-4(1当量)、1-溴-3-氟苯(2当量)、cui(0.2当量)、k2co3(3当量)和吡啶甲酸(0.4当量)溶解在dmf中，并且然后在160℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除dmf。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行纯化-重结晶过程以获得中间体36-5。(产率：55％)
[0556]
中间体36-6的合成
[0557]
将中间体36-2(1当量)、中间体36-5(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除甲苯。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行重结晶过程以获得中间体36-6。(产率：58％)
[0558]
化合物36的合成
[0559]
将中间体36-6(1当量)溶解在邻二氯苯中，将烧瓶在氮气氛下冷却至0℃，并且然后，向其中缓慢逐滴添加bbr3(4当量)。在逐滴添加完成后，将温度升高至19℃，并且将所得溶液搅拌24小时。在冷却至0℃后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶，直至放热停止以终止反应。然后，向其中添加己烷以引起沉淀，并且通过过滤从其中获得固体。将获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且然后通过mc/hex重结晶进行纯化以获得化合物36。然后，通过升华纯化对其进行最终的纯化过程。(升华后产率：3％)
[0560]
化合物56的合成例
[0561][0562]
中间体56-1的合成
[0563]
将1,3-二溴-5-氯苯(1当量)、n-苯基二苯并[b,d]硒吩-4-胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从
其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体56-1。(产率：55％)
[0564]
中间体56-2的合成
[0565]
将中间体56-1(1当量)、二苯并[b,d]硒吩-4-胺(1.5当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体56-2。(产率：58％)
[0566]
中间体56-3的合成
[0567]
将4-溴二苯并[b,d]硒吩(1当量)、苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌8小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体56-3。(产率：60％)
[0568]
中间体56-4的合成
[0569]
将中间体56-3(2.1当量)、3,5-二溴苯酚(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(4当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌12小时。然后，将反应混合物冷却并且在减压下干燥以从其中去除甲苯。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体56-4。(产率：62％)
[0570]
中间体56-5的合成
[0571]
将中间体56-4(1当量)、1-溴-3-氟苯(2当量)、cui(0.2当量)、k2co3(3当量)和吡啶甲酸(0.4当量)溶解在dmf中，并且然后在160℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除dmf。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行纯化-重结晶过程以获得中间体56-5。(产率：55％)
[0572]
中间体56-6的合成
[0573]
将中间体56-2(1当量)、中间体56-5(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除甲苯。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行重结晶过程以获得中间体56-6。(产率：55％)
[0574]
化合物56的合成
[0575]
将中间体56-6(1当量)溶解在邻二氯苯中，将烧瓶在氮气氛下冷却至0℃，并且然后，向其中缓慢逐滴添加bbr3(4当量)。在逐滴添加完成后，将温度升高至19℃，并且将所得溶液搅拌24小时。在冷却至0℃后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶，直至放热停止以终止反应。然后，向其中添加己烷以引起沉淀，并且通过过滤从其中获得固体。将获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且然后通过mc/hex重结晶进行纯化以获得化合物56。然后，通过升华纯化对其进行最终的纯化过程。(升华后产率：3％)
[0576]
化合物68的合成例
[0577][0578]
中间体68-1的合成
[0579]
将1,3-二溴-5-氯苯(1当量)、二苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体68-1。(产率：60％)
[0580]
中间体68-2的合成
[0581]
将中间体68-1(1当量)、[1,1’:3,1
”‑
三联苯基]-2
’‑
胺(1.5当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在100℃下搅拌12小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体68-2。(产率：60％)
[0582]
中间体68-3的合成
[0583]
将4-溴二苯并[b,d]碲吩(1当量)、苯胺(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌8小时。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体68-3。(产率：60％)
[0584]
中间体68-4的合成
[0585]
将中间体68-3(2.1当量)、3,5-二溴苯酚(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(4当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌12小时。然后，将反应混合物冷却并且在减压下干燥以从其中去除甲苯。在冷却后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法对其进行分离-纯化过程以获得中间体68-4。(产率：62％)
[0586]
中间体68-5的合成
[0587]
将中间体68-4(1当量)、1-溴-3-氟苯(2当量)、cui(0.2当量)、k2co3(3当量)和吡啶甲酸(0.4当量)溶解在dmf中，并且然后在160℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除dmf。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。随后，通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行纯化-重结晶过程以获得中间体68-5。(产率：55％)
[0588]
中间体68-6的合成
[0589]
将中间体68-2(1当量)、中间体68-5(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3当量)溶解在甲苯中，并且然后在氮气氛中在110℃下搅拌20小时。在冷却后，通过在减压下干燥从其中去除甲苯。然后，将通过用乙酸乙酯和水洗涤三次从其中获得的有机层使用mgso4干燥，并且然后在减压下干燥。通过柱色谱法(二氯甲烷:正己烷)对其进行重结晶过程以获得中间体68-6。(产率：58％)
[0590]
化合物68的合成
[0591]
将中间体68-6(1当量)溶解在邻二氯苯中，将烧瓶在氮气氛下冷却至0℃，并且然后，向其中缓慢逐滴添加bbr3(4当量)。在逐滴添加完成后，将温度升高至19℃，并且将所得溶液搅拌24小时。在冷却至0℃后，将三乙胺缓慢逐滴添加至烧瓶，直至放热停止以终止反应。然后，向其中添加己烷以引起沉淀，并且通过过滤从其中获得固体。将获得的固体通过二氧化硅过滤纯化，并且然后通过mc/hex重结晶进行纯化以获得化合物68。然后，通过升华纯化对其进行最终的纯化过程。(升华后产率：3％)
[0592]
合成化合物的确认
[0593]
合成化合物的分子量、1h nmr和ms/fab显示在表1中。根据以上的合成例合成的化合物的质子核磁共振(1h nmr)和质谱/快速原子轰击(ms/fab)显示在表1中。
[0594]
表1
[0595][0596]
评估例1
[0597]
合成化合物的物理性质数据显示在表2中。
[0598]
表2
[0599][0600]
实施例1
[0601]
作为阳极，将其上形成了15ω/cm2ito电极的玻璃衬底(纽约康宁的康宁公司(corning inc.)的产品)切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洁。然后，将得到的结构安装在真空沉积设备中。
[0602]
将化合物npb沉积在阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，将化合物tcta沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层，并且将化合物czsi真空沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射辅助层。将化合物h126(主体)和化合物4(掺杂剂)以99:1的重量比共沉积在发射辅助层上以形成具有的厚度的发射层。
[0603]
然后，将化合物二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(tspo1)沉积在发射层上以形成具有的厚度的电子传输层，将化合物1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)(其为电子传输化合物)沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的缓冲层，将lif沉积在缓冲层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将元素al沉积在电子注入层上以形成具有的厚度的阴极，从而完成具有ito/npb/tcta/czsi/h126(主体)+化合物4(99:1)/tspo1/tpbi/lif/al的结构的有机发光装置的制造。
[0604][0605]
实施例2至实施例6和比较例1至比较例3
[0606]
以与实施例1中相同的方式制造其它有机发光装置，但使用表2中示出的相应化合物替代化合物4用作发射层中的掺杂剂。
[0607]
评估例2
[0608]
测量根据实施例1至实施例6和比较例1至比较例3制造的有机发光装置中的每一个的在1,000cd/m2下以伏特(v)计的驱动电压、以坎德拉每平方米(cd/a)计的发光效率、以百分比(％)计的最大外部量子效率、发射颜色和使用寿命。t
95
使用寿命是在100毫安每平方厘米下以小时计测量的达到初始亮度的95％所花费的时间。使用源表(由俄勒冈州比佛顿的泰克公司(tektronix,inc.)以商品名吉时利仪器(keithley instrument)mu236系列销售)和来自日本东京的柯尼卡美能达公司(konica minolta,inc.)以商品名pr650销售的亮度计，并且其结果显示在表3中。
[0609]
此外，基于使用由瓦林福德ct(wallingford ct)的高斯公司(gaussian,inc.)销售的高斯09(b3lyp/6-311g**)程序通过模拟密度泛函理论(dft)方法，计算实施例1至实施例6和比较例1至比较例3中使用的每种掺杂剂化合物的以厘米的倒数(cm-1
)计的自旋轨道耦合(soc)数、以秒的倒数(s-1
)计的k
risc
模拟、振子强度(f)和以电子伏特(ev)计的bde模拟能级结果，并且可以使用基组6-31g(d,p)。测量t1能级、s1能级和δe
s-t
(其意指单重态能级与三重态能级之间的差)，并且计算键离解能(bde)值，并且其结果显示在表4中。计算soc、使用振动耦合常数测量的k
risc
值、振子强度、键离解能(bde)值，并且其结果显示在表4中。
[0610]
表3
[0611][0612]
表4
[0613]
[0614][0615][0616]
表3中概述的结果显示，与比较例1至比较例3的有机发光装置相比，实施例1至实施例6的有机发光装置具有显著且出乎意料地改善的驱动电压、改善的发光效率和改善的
使用寿命。表4中概述的结果显示，与比较例1至比较例3的掺杂剂化合物相比，实施例1至实施例6的掺杂剂化合物具有显著且出乎意料地改善的soc和k
risc
，并且显示出显著且出乎意料地增加的多重共振，这导致电子注入取代基的增加的振子强度和改善的bde。
[0617]
由于包含由式1表示的杂环化合物，发光装置具有显著且出乎意料地优异的驱动电压、发光效率和外部量子效率。因此，可以使用根据本发明的原理和实施方案构造的发光装置来制造高品质的电子设备。
[0618]
尽管本文已经描述了某些实施方案和实施方式，但其它实施方案和修改从本说明书中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。