技术特征：
1.一种集成电路加工工艺，其特征在于：该方法包括以下步骤：s1、将块状的高纯度多晶硅置于坩埚内加热至融化，待硅融浆的温度稳定后，将晶种插入其中；s2、逐渐将晶种向上提升，形成晶棒，直至晶棒与液面完全分离，得到完整晶棒；s3、对晶棒进行处理后，将晶棒切成薄片，得到晶片；s4、将晶片送至研磨装置内，对晶片表层进行研磨；s5、对研磨后的晶片进行蚀刻、去疵、抛光、清洗，得到晶圆；s6、在晶圆上制作电路和电子元件，经针测工序后，进行构装，得到集成电路。2.根据权利要求1所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：步骤s3中所述的处理为对晶棒外径进行研磨，使晶棒外表面光滑平整。3.根据权利要求1所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述坩埚为石英坩埚。4.根据权利要求1所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述研磨装置包括支腿架(101)、横轨道(102)和竖管(103)，支腿架(101)的中部横向设有横轨道(102)，横轨道(102)内连接有对晶片进行夹紧的夹紧机构，支腿架(101)上固定有两个竖管(103)，用于对晶片研磨的打磨机构连接在两个竖管(103)内。5.根据权利要求4所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述夹紧机构包括l形架(201)、螺纹板(204)和双向螺杆ⅰ(205)，两个l形架(201)对向设置，两个l形架(201)的下端均固定有螺纹板(204)，两个螺纹板(204)均滑动在横轨道(102)内且与双向螺杆ⅰ(205)的两端螺纹连接，双向螺杆ⅰ(205)与横轨道(102)转动连接。6.根据权利要求5所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述夹紧机构还包括夹紧轮(301)、轮架(302)、滑动板(303)、连动杆ⅰ(304)和调节螺杆ⅰ(305)，两个l形架(201)的内侧均对称转动有两个轮架(302)，四个轮架(302)上均转动有夹紧轮(301)，两个l形架(201)上均滑动有滑动板(303)，两个滑动板(303)的两端均转动有连动杆ⅰ(304)，四个连动杆ⅰ(304)分别与对应的轮架(302)转动连接，两个l形架(201)上均转动有调节螺杆ⅰ(305)，两个调节螺杆ⅰ(305)分别与两个滑动板(303)螺纹连接。7.根据权利要求6所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述夹紧轮(301)的两边均设有边棱。8.根据权利要求6所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述l形架(201)内设有制动孔(203)，制动孔(203)内连接有用于顶紧晶片进行制动的制动机构。9.根据权利要求4所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述打磨机构包括支撑板(401)、双向螺杆ⅱ(404)、传动套(405)、打磨轴(406)和连动架(407)，两个竖管(103)内均连接有支撑板(401)，支撑板(401)的上端转动有传动套(405)，传动套(405)内通过键滑动有打磨轴(406)，打磨轴(406)的内端安装有打磨块，打磨轴(406)的外端转动有连动架(407)，连动架(407)与支撑板(401)的下端滑动连接，双向螺杆ⅱ(404)的两端分别与两个支撑板(401)螺纹连接。10.根据权利要求9所述的一种集成电路加工工艺，其特征在于：所述打磨机构还包括横连板(402)和调节螺杆ⅱ(403)，两个支撑板(401)之间固定有横连板(402)，横连板(402)上转动有调节螺杆ⅱ(403)，调节螺杆ⅱ(403)与支腿架(101)螺纹连接。
技术总结
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路加工工艺，使用研磨装置对晶片进行研磨，研磨效率高；该方法包括以下步骤：S1、将块状的高纯度多晶硅置于坩埚内加热至融化，待硅融浆的温度稳定后，将晶种插入其中；S2、逐渐将晶种向上提升，形成晶棒，直至晶棒与液面完全分离，得到完整晶棒；S3、对晶棒进行处理后，将晶棒切成薄片，得到晶片；S4、将晶片送至研磨装置内，对晶片表层进行研磨；S5、对研磨后的晶片进行蚀刻、去疵、抛光、清洗，得到晶圆；S6、在晶圆上制作电路和电子元件，经针测工序后，进行构装，得到集成电路。得到集成电路。得到集成电路。
技术研发人员：靳绍华
受保护的技术使用者：靳绍华
技术研发日：2022.02.21
技术公布日：2022/5/25