微机电系统开关及其制备方法与流程

1.本公开属于射频开关技术领域，具体涉及一种微机电系统开关及其制备方法。


背景技术：

2.mems(micro-electro-mechanical systems，微机电系统)开关，是利用mems技术制作的一种开关器件，它通过微机械结构的运动，来控制信号的导通与断开。mems开关是微波、射频收发系统的核心器件之一，在卫星通讯、雷达、导弹控制等领域有着广泛的应用。与传统的pin及fet开关器件相比，mems开关不但具有高隔离度、低损耗、低插损、高线性度等极其优异的微波性能，同时具有易批量生产、尺寸小、易于与先进的微波、射频电路相集成的特点，是实现小型化、低成本、高性能的微波收发前端系统的关键技术。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种微机电系统开关及其制备方法。
4.第一方面，本公开提供一种微机电系统开关，其包括：衬底基板；膜桥，其包括与所述衬底基板相对设置的第一桥体，以及设置在衬底基板上用于支撑所述第一桥体的至少一个连接臂；驱动电极，设置在所述第一桥体靠近所述衬底基板的一侧，且与所述第一桥体之间间隔设置；第一绝缘层，至少覆盖所述驱动电极靠近所述第一桥体的表面；辅助功能结构，至少设置在所述第一桥体上，且所述辅助功能结构的弹性模量大于所述第一桥体的弹性模量。
5.其中，所述辅助功能结构贴附在所述第一桥体背离所述驱动电极的一侧。
6.其中，所述辅助功能结构贴附在所述第一桥体靠近所述驱动电极的一侧。
7.其中，所述膜桥还包括背离所述第一桥体一侧设置的第二桥体；所述辅助功能结构设置在所述第一桥体和所述第二桥体之间。
8.其中，所述第一桥体的厚度大于所述第二桥体的厚度。
9.其中，所述辅助功能结构设置在所述第一桥体上，且所述辅助功能结构的正投影与所述第一桥体的正投影重叠。
10.其中，当所述膜桥仅包括一个所述连接臂时，所述辅助功能结构在所述衬底基板上的正投影包括第一边、第二边、第三边以及第四边，所述第一桥体在所述衬底基板上的正投影包括第五边、第六边、第七边以及第八边；所述第一边和第三边相对设置，所述第二边和第四边相对设置，所述第五边和第七边相对设置，所述第六边和第八边相对设置；所述第一边、所述第二边以及所述第三边分别和所述第五边、所述第六边以及所述第七边重合；所述第四边和所述第八边之间的距离为所述第一边或所述第三边的长度1/6-1/2。
11.其中，当所述膜桥仅包括一个所述连接臂时，所述第一桥体上靠近所述连接臂的点到所述衬底基板的距离，小于所述膜桥上远离所述桥臂的点到所述衬底基板的距离。
12.其中，所述微机电系统开关还包括：凸型结构；所述凸型结构为导电结构；所述凸
型结构和所述膜桥在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
13.其中，所述凸型结构包括第一凸型子结构和第二凸型子结构；所述第一凸型子结构设置在所述第二凸型子结构背离所述衬底基板一侧；所述第一凸型子结构为导电结构。
14.其中，所述膜桥包括两个连接臂。
15.其中，当所述膜桥仅包括一个所述连接臂时，所述连接臂包括支撑部和锚点；所述锚点设置在所述衬底基板和所述支撑部之间，且所述锚点和所述支撑部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
16.其中，所述辅助功能结构的材料包括石墨烯。
17.第二方面，本公开还提供一种微机电系统开关的制备方法，其包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成驱动电极；在所述驱动电极背离衬底基板一侧形成第一绝缘层；所述第一绝缘层至少覆盖所述驱动电极背离所述衬底基板一侧；在所述第一绝缘层上形成具有至少一个过孔的牺牲层；在所述牺牲层上背离所述衬底基板一侧形成膜桥；所述形成膜桥的步骤包括：在所述过孔内形成连接臂以及在所述牺牲层背离所述衬底基板的一侧形成第一桥体；在所述第一桥体上形成所述辅助功能结构；所述辅助功能结构的弹性模量大于所述第一桥体的弹性模量；通过牺牲层释放工艺去除所述牺牲层。
18.其中，形成所述辅助功能结构的步骤包括：在所述第一桥体背离所述衬底基板一侧形成所述辅助功能结构。
19.其中，形成所述辅助功能结构的步骤包括：在所述牺牲层上背离所述衬底基板一侧形成所述辅助功能结构；在所述辅助功能结构上背离所述衬底基板一侧形成所述第一桥体。
20.其中，所述形成膜桥的步骤还包括：在所述辅助功能结构上背离所述衬底基板一侧形成第二桥体。
21.其中，所述微机电系统开关的制备方法还包括：在形成所述驱动电极之前，在所述衬底基板上形成第二绝缘层；在形成所述第一绝缘层之前，在所述第二绝缘层上形成第二凸型子结构；在形成所述牺牲层之前，在所述第一绝缘层上背离所述第二凸型子结构一侧形成第一凸型子结构；所述第一凸型子结构为导电结构；所述第一桥体、所述第一凸型子结构以及所述第二凸型子结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
附图说明
22.图1为本公开实施例的mems开关的一种截面图；
23.图2为本公开实施例的mems开关的另一种截面图；
24.图3是图2所示的mems开关中的第一桥体和辅助功能结构在衬底基板上的正投影的示意图；
25.图4为本公开实施例的mems开关的另一种截面图；
26.图5为本公开实施例的mems开关的另一种截面图；
27.图6为本公开实施例的mems开关的另一种截面图；
28.图7为本公开实施例的mems开关的另一种截面图；
29.图8为本公开实施例提供的mems开关的制造方法的一种流程图；
30.图9为本公开实施例的步骤s11的示意图；
31.图10为本公开实施例的步骤s12的示意图；
32.图11为本公开实施例的步骤s13的示意图；
33.图12为本公开实施例的步骤s14的示意图；
34.图13为本公开实施例的步骤s15的示意图；
35.图14为本公开实施例的步骤s16的示意图；
36.图15为本公开实施例的步骤s17的示意图；
37.图16为本公开实施例的步骤s18的示意图。
具体实施方式
38.为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
39.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
40.本公开实施例提供了一种微机电系统mems(micro-electro-mechanical system)开关及其制备方法。本公开实施例的mems开关可以是一种射频开关，其可被应用于射频电路中控制信号的导通或切换。本公开实施例的mems开关包括衬底基板1、驱动电极5、第一绝缘层6、膜桥和辅助功能结构8。其中，衬底基板1的材料可以是硅衬底、玻璃衬底或高阻硅等，其厚度可以是0.2mm-1mm。在衬底基板1上设置有驱动电极5，驱动电极5上的信号可用于控制mems开关的关断。在衬底基板1背离衬底基板1一侧设置有膜桥，膜桥包括与衬底基板1相对设置的第一桥体2和至少一个用于支撑第一桥体2的连接臂11，第一桥体2和驱动电极5之间间隔设置，以使得第一桥体2可以在驱动电极5的驱动下，朝向驱动电极5方向发生弹性形变，实现mems开关的开启和关断。驱动电极5靠近第一桥体2的表面设置有第一绝缘层6，以防止第一桥体2朝向驱动电极5方向发生弹性形变时，驱动电极5和第一桥体2发生电连接。至少在第一桥体2上设置辅助功能结构8，且辅助功能结构8的弹性模量大于第一桥体2的弹性模量。由于辅助功能结构8的弹性模量大于第一桥体2的弹性模量，因此当第一桥体2朝向驱动电极5方向发生弹性形变时，第一桥体2上的辅助功能结构8可以分担部分应力，减少膜桥的应力及形变；当第一桥体2背离驱动电极5方向回弹时，第一桥体2上的辅助功能结构8的拉应力辅助第一桥体2回到初始位置。通过该种方式，避免了第一桥体2弹性形变不足导致的mems开关失灵，同时提高了mems开关的使用寿命。
41.在一些实施例中，辅助功能结构8的材料可以是石墨烯薄膜。由于石墨烯薄膜的弹性模量较高，且具有良好的导电性能，因此在本公开实施例中，仅以辅助功能结构8为石墨烯薄膜为例进行说明。
42.在一些实施例中，具体可以参照图1，图1是本公开实施例的一种mems开关的截面示意图。如图1所示，本公开实施例的mems开关包括衬底基板1以及设置在衬底基板1上的第二绝缘层7，第二绝缘层7用于降低衬底基板1的粗糙度、降低衬底基板1电磁损耗以及增加设置在第二绝缘层7上的膜层粘附性。在第二绝缘层7上背离衬底基板1一侧依次设置有驱动电极5和第一绝缘层6，第一绝缘层6完全覆盖驱动电极5的表面，以用于保护驱动电极5。在第一绝缘层6上背离衬底基板1一侧设置有膜桥，膜桥仅包括一个连接臂11和与衬底基板1相对设置的第一桥体2，即连接臂11和第一桥体2组合构成悬臂梁结构。在一些实施例中，连接臂11包括支撑部3和锚点4，锚点4设置在衬底基板1和支撑部3之间，且锚点4和支撑部3在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。在本公开实施例中，锚点4用于固定悬臂梁结构。在一些实施例中，微机电开关还包括凸型结构9，凸型结构9和膜桥在衬底基板1上的正投影至少部分重叠，且凸型结构9为导电结构。通过该种方式，使得微机电开关易于开启和关断。在第一桥体2上背离驱动电极5的一侧设置有辅助功能结构8。在一些实施例中，凸型结构9包括第一凸型子结构901和第二凸型子结构902，第一凸型子结构901设置在第二凸型子结构902背离衬底基板1一侧，第一凸型子结构901为导电结构。通过该种方式，易于凸型结构9的制备。
43.在本公开实施例中，悬臂梁结构靠近锚点4一端为固定端，远离锚点4一侧为自由端。当驱动电极5被载入有效电压时，悬臂梁结构的自由端在驱动电极5和膜桥之间的电场作用下，朝向驱动电极5一侧发生弹性形变，直至膜桥与凸型结构9相接触，使得mems开关开启或关断。具体的，在一些实施例中，锚点4和凸型结构9可以分别和共面波导线(coplanar waveguide，cpw)的中的信号传输线相连，共面波导线中的地线分别设置在mems开关的两侧。在本公开实施例中，由于锚点4和凸型结构9分别和共面波导线中的两段绝缘的信号传输线相连，因此当mems开关中的膜桥未与凸型结构9相接触时，信号传输线上的电信号被mems开关关断；当mems开关在驱动电极5被载入有效电压时，mems开关中的膜桥发生弹性形变且与凸型结构9相接触，mems开关中的膜桥将共面波导线中的两段绝缘的信号传输线电连接，信号传输线上的电信号经由膜桥导通，信号传输线上的电信号被mems开关开启。
44.在一些实施例中，图2是本公开实施例的另一种mems开关的截面示意图，图3是图2所示的mems开关中的第一桥体2和辅助功能结构8在衬底基板1上的正投影示意图。如图2和图3所示，辅助功能结构在衬底基板上的正投影包括第一边16、第二边18、第三边17以及第四边19，第一桥体在衬底基板上的正投影包括第五边12、第六边14、第七边13以及第八边15；第一边16和第三边17相对设置，第二边18和第四边19相对设置，第五边12和第七边13相对设置，第六边14和第八边15相对设置；第一边16、第二边18以及第三边17分别和第五边12、第六边14以及第七边13重合；第四边19和第八边15之间的距离为第五边12或第七边13的长度的1/6-1/2。在本公开实施例中，由于第一桥体2远离连接臂11一侧在发生弹性形变时的形变量较大，而靠近连接臂11一侧发生弹性形变的形变量较小。因此在本公开实施例中，辅助功能结构8通过该种方式，仅覆盖第一桥体2靠近自由端一侧的1/6-1/2区域，即可实现当第一桥体2朝向驱动电极5方向发生弹性形变时，第一桥体2上的辅助功能结构8可以分担部分应力，减少膜桥的应力及形变；当第一桥体2背离驱动电极5方向回弹时，第一桥体2上的辅助功能结构8的拉应力辅助第一桥体2回到初始位置。同时由于在本公开实施例中，辅助功能结构8的覆盖面积较小，减少了制造成本。
45.同样的，在一些实施例中，辅助功能结构8设置在第一桥体2上，且辅助功能结构8的正投影与第一桥体2的正投影重叠。即辅助功能结构8完全覆盖第一桥体2靠近驱动电极5一侧，或如图4所示，辅助功能结构8完全覆盖背离驱动电极5一侧。通过该种方式，辅助功能结构8的制备工艺较为简便。
46.在一些实施例中，如图5所示，当膜桥仅包括一个连接臂11时，第一桥体2上靠近连接臂11的点到衬底基板1的距离，小于膜桥上远离桥臂的点到衬底基板1的距离。在本公开实施例中，由于mems开关通过第一桥体2发生弹性形变与凸型结构9相接触完成开关，因此当第一桥体2上靠近连接臂11的点到衬底基板1的距离，小于膜桥上远离桥臂的点到衬底基板1的距离时，即第一桥体2的结构背离衬底基板1方向向上弯曲时，易于增大膜桥与凸型结构9相接触时的接触面积，有助于避免mems开关接触不良的现象发生。在一些实施例中，如图6所示，mems开关还包括在第一桥体2背离衬底基板1一侧设置的第二桥体201，辅助功能结构8设置在第一桥体2和第二桥体201之间。在本公开实施例中，第一桥体2、辅助功能结构8和第二桥体201形成背离衬底基板1方向的三层叠层结构，通过该种方式，辅助功能结构8和膜桥之间的结合更加紧密。当第一桥体2朝向驱动电极5方向发生弹性形变时，第一桥体2上的辅助功能结构8可以更好的分担膜桥的应力，减少膜桥的应力及形变；当第一桥体2背离驱动电极5方向回弹时，第一桥体2上的辅助功能结构8的拉应力可以更好的辅助第一桥体2回到初始位置。在一些实施例中，为了保障辅助功能结构8处于膜桥的应力结构位置，以更好的为膜桥提供压应力，第一桥体2的厚度大于第二桥体201的厚度。
47.在一些实施例中，如图7所示，mems开关中的膜桥包括两个连接臂11。具体参照图7，本公开实施例的mems开关包括衬底基板1以及设置在衬底基板1上的第二绝缘层7，第二绝缘层7用于降低衬底基板1的粗糙度、降低衬底基板1电磁损耗以及增加设置在第二绝缘层7上的膜层粘附性。在第二绝缘层7上背离衬底基板1一侧依次设置有驱动电极5和第一绝缘层6，第一绝缘层6完全覆盖驱动电极5的表面，以用于保护驱动电极5。在第一绝缘层6背离衬底基板1一侧设置有第一连接臂和第二连接臂，第一连接臂和第二连接臂支撑膜桥，以使得第一桥体2与驱动电极5之间存在一定的空间。在第一桥体2上设置有辅助功能结构8，且辅助功能结构8的弹性模量大于第一桥体2的弹性模量。第一桥体2在驱动电极5的驱动下，朝向驱动电极5方向发生弹性形变，驱动电极5和第一桥体2之间的间隙减小，驱动电极5和第一桥体2之间的电容值发生改变，实现mems开关对电信号的开启和关断。同时在本公开实施例中，由于设置有辅助功能结构8，因此当第一桥体2朝向驱动电极5方向发生弹性形变时，第一桥体2上的辅助功能结构8可以分担部分应力，减少膜桥的应力及形变；当第一桥体2背离驱动电极5方向回弹时，第一桥体2上的辅助功能结构8的拉应力辅助第一桥体2回到初始位置。
48.具体的，第一连接臂和第二连接臂分别连接共面波导线cpw中的两条地线。当驱动电极5上未加载有效电压时，膜桥和信号线之间的电容很小，输入的射频/微波信号能成功地传输到输出端口，mems开关处于接通状态；当驱动电极5上被载入有效电压时，第一桥体2和驱动电极5之间的电场使得第一桥体2发生弹性形变，第一桥体2和驱动电极5之间的间隙减小，最终与第一绝缘层6接触。此时信号线和地线之间形成了一个相对较大的电容，可以反射特定频段的输入射频/微波信号，mems开关处于关断状态。
49.相应的，本公开实施例中还提供一种上述mems开关的制备方法，该制造方法包括：
50.提供一衬底基板1。在衬底基板1上形成驱动电极5。在驱动电极5背离衬底基板1一侧形成第一绝缘层6，第一绝缘层6至少覆盖驱动电极5背离衬底基板1一侧。在第一绝缘层6上形成具有至少一个过孔的牺牲层10，在牺牲层10上背离衬底基板1一侧形成膜桥。其中形成膜桥的步骤包括：在过孔内形成连接臂11以及在牺牲层10背离衬底基板1的一侧形成第一桥体2，在第一桥体2上形成辅助功能结构8；辅助功能结构8的弹性模量大于第一桥体2的弹性模量。通过牺牲层10释放工艺去除牺牲层10。
51.为了清楚本公开实施例中的制备方法，以下结合附图和具体实施例对本公开实施例中的mems开关的制备方法进行说明。图8为本公开实施例提供的mems开关的制造方法的一种流程图，该制备方法包括：
52.s10、提供一衬底基板1。
53.在一些实施例中，衬底基板1可以是硅衬底、玻璃衬底或高阻硅等。步骤s10的具体步骤可以是：选择厚度为0.2mm-1mm的衬底基板1，对衬底基板1进行超声波清洗，以去除衬底基板1表面上的杂质，具体的，超声波清洗工艺是将衬底基板1依次浸泡在去离子水、乙醇和异丙醇中，并进行超声波(震荡)清洗，清洗时间可以是为20min。
54.s11、在衬底基板1上形成第二绝缘层7。
55.在一些实施例中，如图9所示，通过在衬底基板1表面通过可以采用物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)或者化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)等的方法形成第二绝缘层7。在一些实施例中，第二绝缘层7的材料为无机绝缘材料。例如：第二绝缘层7可以是由氮化硅(sinx)形成的无机绝缘层，或者由氧化硅(sio2)形成的无机绝缘层，亦或者由sinx无机绝缘层和sio2无机绝缘层的若干种叠层组合膜层。第二绝缘层7的厚度可以是0.5微米-3微米，用于降低衬底基板1的粗糙度、降低衬底基板1电磁损耗以及增加在制备后续膜层时的粘附性。
56.s12、在第二绝缘层7上形成第二凸型子结构902。
57.在一些实施例中，如图10所示，可以在衬底基板1上通过pvd或cvd的方式形成第三绝缘膜，再通过对第三绝缘膜进行曝光、显影、刻蚀形成第二凸型子结构902。其中第三绝缘膜的材料可以是氮化硅等，其厚度可以是0.3微米-2微米。
58.s13、在第二绝缘层7上形成驱动电极5。
59.在一些实施例中，如图11所示，步骤s13具体可以如下步骤：
60.(1)生长种子层：在第二绝缘层7上通过磁控溅射的方式沉积第一金属材料，作为种子层。在一些实施例中，第一金属材料包括但不限于铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、银(ag)中的至少一种。
61.(2)形成驱动电极5：在种子层上采用电镀金属走线、旋涂光刻胶、曝光刻蚀图形等的工艺，完成驱动电极5的制备。其中驱动电极5的材料包括但不限于铜(cu)、铝(al)、钨(w)、银(ag)中的至少一种。驱动电极5的厚度可以是2微米-5微米。
62.s14、在第二绝缘层7上形成第一绝缘层6。
63.在一些实施例中，如图12所示，该第一绝缘层6完全覆盖驱动电极5，通过该种方式保护驱动电极5免受物理损伤或水氧侵蚀。在步骤s14中，通过在衬底基板1表面通过可以采用pvd或cvd等的方法形成第一绝缘层6。在一些实施例中，第一绝缘层6的材料为无机绝缘材料。例如：第一绝缘层6可以是由氮化硅(sinx)形成的无机绝缘层，或者由氧化硅(sio2)
形成的无机绝缘层，亦或者由sinx无机绝缘层和sio2无机绝缘层的若干种叠层组合膜层。第二绝缘层7的厚度可以是0.5微米-2微米。
64.s15、在第一绝缘层6背离衬底基板1一侧的表面形成锚点4以及第一凸型子结构901。
65.在步骤s15中，如图13所示，可以采用形成种子层，并在在种子层上采用电镀金属走线、旋涂光刻胶、曝光刻蚀图形等的工艺，完成锚点4以及第一凸型子结构901的制备。其中，锚点4和第一凸型子结构901的具体制备方法和材料可以和制备驱动电极5的方法相同，在此不再赘述。在一些实施例中，锚点4和第一凸型子结构901的厚度可以是2微米-10微米。
66.s16、在锚点4和第一凸型子结构901背离衬底基板1一侧形成牺牲层10，并在牺牲层10上形成第一连接过孔。
67.在一些实施例中牺牲层10的材料可以为有机材料，如聚酰亚胺(pi)、光刻胶等，或者也可以为无机材料，如多晶硅、磷硅玻璃等。如图14所示，有机材料的牺牲层10可以通过旋涂的方式制备，并在制备过程中可以通过对旋涂工具的转速以及滴加溶液总量的精确控制，来实现牺牲层10表面的高度平坦化。无机材料的牺牲层10可以通过cvd或pvd方法制备，并在制备过程中通过精准控制膜层厚度，来实现绝缘基底1的整个表面的高度平坦化。牺牲层10的厚度可以是0.5微米-5微米。
68.在一些实施例中，通过刻蚀或光刻，在牺牲层10上形成第一连接过孔，第一连接过孔和锚点4在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。
69.s17、形成支撑部3以及第一桥体2。
70.在一些实施例中，如图15所示，在牺牲层10背离衬底基板1一侧的表面形成第一桥体2，第一桥体2和驱动电极5以及第一子凸型结构9在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。在第一连接过孔内形成支撑部3，支撑部3与锚点4电连接，支撑部3和锚点4组成mems开关的悬臂梁结构。具体的，在步骤s17中，可以采用形成种子层，并在种子层上采用电镀金属走线、旋涂光刻胶、曝光刻蚀图形等的工艺，完成支撑部3以及第一桥体2的制备。其中，支撑部3和第一桥体2的具体制备方法和材料可以和制备驱动电极5的方法相同，在此不再赘述。在一些实施例中，支撑部3和第一桥体2的厚度可以是3微米-10微米。
71.s18、在第一桥体2上形成辅助功能结构8。
72.在一些实施例中，可以在第一桥体2背离衬底基板1一侧通过cvd、机械转移或取向生长法的方式形成辅助功能结构8。在一些实施例中，如图16所示，辅助功能结构8和第一桥体2在衬底基板1上的正投影完全重叠，即辅助功能结构8完全覆盖第一桥体2。在一些实施例中，辅助功能结构在衬底基板上的正投影包括第一边16、第二边18、第三边17以及第四边19，第一桥体在衬底基板上的正投影包括第五边12、第六边14、第七边13以及第八边15；第一边16和第三边17相对设置，第二边18和第四边19相对设置，第五边12和第七边13相对设置，第六边14和第八边15相对设置；第一边16、第二边18以及第三边17分别和第五边12、第六边14以及第七边13重合；第四边19和第八边15之间的距离为第五边12或第七边13的长度的1/6-1/2。即辅助功能结构8仅部分覆盖第一桥体2。
73.需要说明的是，在一些实施例中，步骤s17和步骤s18的顺序可以互换，在该种实施例中，如图4所示，辅助功能结构8形成在第一桥体2靠近衬底基板1一侧。
74.s19、去除牺牲层10，以使第一桥体2悬置于驱动电极5背离衬底基板1一侧，锚点4
和支撑部3组成桥臂，桥臂和第一桥体2形成悬臂梁结构。
75.在步骤19中，可以采用等离子体刻蚀或者酸碱腐蚀的方法去除牺牲层10，具体根据牺牲层10的材料而定。
76.在一些实施例中，可以对牺牲层10表面进行处理或利用薄膜沉积中产生的内应力使第一桥体2向背离衬底基板1一侧方向上翘，形成如图4所示的mems开关。
77.至此完成mems开关的制备。
78.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。