技术特征：
1.一种高性能pedot:pss薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）首先根据刮涂及相应后处理方式，设定pedot:pss薄膜制备中的影响参数以及影响参数的水平；（2）基于pedot:pss薄膜制备中的影响参数和水平，设计正交实验表；（3）根据正交实验表进行制备薄膜的实验，并测量薄膜的性能；（4）针对正交实验薄膜的性能结果，分析各影响参数各水平的综合平均值k及极差值r，获得理论优选和最优参数水平组合；其中，k值为含有该水平的所有性能指标的平均值，k值最小的水平表示该影响参数的最优水平，对于某一影响参数，其极差r值为该影响参数各水平最大k值与最小k值的差，极差r表示各影响参数对性能的影响大小；（5）采用理论优选和最优参数水平组合再次进行制备薄膜的实验，获得高性能pedot:pss薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，设定刮涂薄膜性能的影响参数包含刮涂速度、刮涂高度、基底温度和后处理温度。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，各影响参数的水平设置个数相同，个数在3-5个之间，其中，刮涂速度的范围在5-20mm/s之间，刮涂高度在80-180μm之间，基底温度在30-60℃之间，后处理温度在80-200℃之间。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，使用过滤头将pedot:pss墨水注入到试管中并安装好刮涂装置，设定好刮涂参数及后处理参数，完成正交表中的实验。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，薄膜的性能用薄膜方阻评价。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，根据步骤（4）中的极差值r优化pedot:pss薄膜制备实验中的影响参数和水平设置，进行pedot:pss薄膜制备实验优化。7.一种根据权利要求1-6之一所述的制备方法制得的高性能pedot:pss薄膜。
技术总结
本发明公开一种高性能PEDOT:PSS薄膜及其制备方法，其包括：设定薄膜的制备参数、设计正交实验、刮涂制备PEDOT:PSS薄膜、测量PEDOT:PSS薄膜性能、通过结果指导优化刮涂参数与后处理参数，最后制备获得高性能的PEDOT:PSS薄膜，从而提高柔性光电器件电极的性能。本发明采用正交实验的方法设计实验，基于分析各影响参数各水平的综合平均值K及极差值R，获得了在多参数相互影响的情况下的最优参数组合，其方法简单、便捷、高效，利于重复实施。利于重复实施。
技术研发人员：康晓洋 刘鲁生 王爱萍 张静 王君孔帅
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/9/1