技术特征：
1.一种micro-led，应用于红光micro-led，其特征在于，所述micro-led包括：衬底；在所述衬底上依次设有红光外延准备层、n型in
b
ga
1-b
n/gan层、发光层、电子阻挡层、p型in
f
ga
1-f
n层及接触层；在所述发光层与电子阻挡层之间设有一波导层，所述波导层为in
e
ga
1-e
n薄膜层，其中，in的组分e为0.01-0.1。2.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述波导层的厚度为5-10nm。3.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述n型in
b
ga
1-b
n/gan层为若干个周期超晶格结构，其中，in
b
ga
1-b
n薄膜层的厚度为1-5nm，in的组分b为0.01-0.1，gan薄膜层的厚度为10-50nm。4.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述p型in
f
ga
1-f
n层的厚度为100-200nm，其中，in的组分f为0.01-0.1。5.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述发光层为多量子阱层结构，包括若干个周期in
c
ga
1-c
n阱层与in
d
ga
1-d
n垒层，其中，in
c
ga
1-c
n阱层的厚度为1-5nm，in的组分c为0.3-0.5，in
d
ga
1-d
n垒层的厚度为5-15nm，in的组分d为0.01-0.1。6.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述衬底上设有一掩膜层，利用纳米压印或光刻将所述掩膜层刻蚀成特定图形，形成图形化复合衬底。7.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述红光外延准备层为in
a
ga
1-a
n薄膜层，其中，所述红光外延准备层的厚度为100-2000nm，in的组分a为0-0.2。8.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述接触层为掺杂in
g
ga
1-g
n薄膜层，in的组分g为0.01-0.1。9.一种micro-led的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长掩膜层以形成图形化复合衬底；在所述图形化复合衬底上依次生长红光外延准备层、n型in
b
ga
1-b
n/gan层、发光层、电子阻挡层、p型in
f
ga
1-f
n层及接触层；通过在发光层及电子阻挡层之间外延生长一波导层，其中，所述波导层为in
e
ga
1-e
n薄膜层，其中，in的组分e为0.01-0.1。10.根据权利要求9所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述波导层的生长步骤包括：将温度设置为800-100℃之间，在反应腔室内通入三乙基镓、三甲基铟及氨气，其中，氮气与氢气作为载气，在发光层上外延生长形成厚度为5-10nm的in
e
ga
1-e
n薄膜层，其中，in的组分e为0.01-0.1。
技术总结
本发明公开了一种micro-LED及其制备方法，应用于红光micro-LED，涉及二极管技术领域领域，该micro-LED包括衬底；在所述衬底上依次设有红光外延准备层、N型In
技术研发人员：曾家明 郑文杰 程龙 胡加辉 刘春杨
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/6/1