卡盘、基板保持装置、基板处理装置及物品的制造方法与流程

1.本发明涉及卡盘、基板保持装置、基板处理装置及物品的制造方法。


背景技术：

2.近年来，用于半导体元件制造等的缩小投影曝光装置为了对应于元件的微细化而进行高na化。通过高na化，分辨率提高，但有效的焦点深度减少。因此，为了维持分辨率且确保充分的实用深度，谋求了投影光学系统的像面弯曲的减轻、晶圆(基板)的厚度不均的改善、用于吸附保持晶圆的卡盘的平面精度的提高等晶圆平坦度(基板表面的平面度)的改善。
3.作为使基板表面的平面度降低的原因，有在卡盘与基板之间夹入异物的情况。若夹入异物，则有以下的情况：夹入了部分的基板以隆起的方式变形，产生形成于基板的图案的形成不良，成品率降低。为了大概率地避免这样的异物引起的成品率的降低，使用了使卡盘与基板的接触率大幅度地减少的使用所谓的销(凸部)的销接触卡盘(销式卡盘)。
4.在使用了该销式卡盘的情况下，基板在凸部间由于真空吸引力而变形并挠曲(扭曲)，由此基板变形，也有基板表面的平面度降低的情况，为了改善该情况，提出了各种方案。
5.例如，在日本专利4298078号公报中，将围绕多个凸部那样的环状的隔壁(阻隔件)设置在销式卡盘上，将该隔壁配置在外周侧的凸部与同外周侧的凸部相邻的凸部即内周侧的凸部之间。而且，作为该隔壁的配置位置，配置成尽可能接近外周部侧的凸部。
6.此外，在日本特开2001-185607号公报中，将隔壁配置在比配置于最外周侧的凸部靠外侧的位置、或者最外周侧的凸部与同最外周侧的凸部相邻的内周侧的凸部之间。作为该隔壁的配置位置，将隔壁配置在从最外周侧的凸部与同最外周侧的凸部相邻的内周侧的凸部的距离的中心起外周方向的规定范围内的位置。
7.在对基板进行真空吸附时，隔壁的内侧保持在大致真空压力，并且产生吸附力，但是隔壁的外侧成为大气压力，基本上不产生吸附力。在日本专利4298078号公报以及日本特开2001-185607号公报中，为了使吸附力尽可能作用到基板的外侧，将隔壁配置在接近外周侧凸部的位置。然而，由于吸附力作用到基板的外侧，因此，存在基板表面的平面度降低、基板的扭曲(畸变)变大的问题。


技术实现要素：

8.在本发明中，目的在于提供例如能够通过使内周侧的凸部和外周侧的凸部的高度为规定的关系来减少基板的扭曲的卡盘。
9.作为本发明的一技术方案的卡盘的特征在于，包括：多个凸部，与被吸附保持的基板的背面抵接；环状的隔壁；以及底部，配置有多个凸部和隔壁，多个凸部由将配置在隔壁的外侧的第一凸部和配置在隔壁的内侧且隔着隔壁与第一凸部相邻的位置的第二凸部形成为一个组的多个组构成，在将多个组各自所包含的第一凸部的高度设为ho、将多个组各
自所包含的第二凸部的高度设为hi时，满足hi＞ho。
10.本发明的进一步特征将通过以下参照附图对示例性实施方式的描述而变得明显。
附图说明
11.图1是例示实施例1的曝光装置的结构的概略图。
12.图2是例示承受均匀分布载荷的单侧固定且单侧自由的梁的材料力学模型的图。
13.图3a和图3b是例示实施例1的基板保持装置的图。
14.图4是例示悬臂梁的材料力学模型的图。
15.图5是例示实施例1的卡盘的剖视图的图。
16.图6a和图6b是例示实施例3的基板保持装置的图。
17.图7是例示器件的制造工艺的流程图。
18.图8是例示晶圆工艺的流程图。
19.图9a和图9b是例示在一般的基板保持装置中使用的销式卡盘的图。
具体实施方式
20.下面，参照附图，使用实施例和附图对本发明的优选实施方式进行说明。另外，在各图中，对相同的构件或要素标注相同的附图标记，省略或简化重复的说明。
21.(实施例1)
22.图1是概略地例示实施例1的曝光装置100的结构的结构图。曝光装置100是能够对抗蚀剂照射从光源照射的光(曝光用光)使其固化，并形成转印有形成于中间掩模104的图案的固化物的图案的装置。
23.另外，以下，将与对基板110上的抗蚀剂照射的光的光轴平行的方向设为z轴方向，将在与z轴方向垂直的平面内相互正交的2个方向设为x轴方向及y轴方向。实施例1的曝光装置100能够应用于对多个图案形成区域(曝光区域)依次进行驱动聚焦的装置以及依次进行曝光的装置(投影曝光装置、基板处理装置)等。以下，参照图1说明实施例1的曝光装置100。另外，实施例1的曝光装置100作为分步重复方式的曝光装置进行说明。
24.基板(晶圆)110是在表面涂敷有通过曝光用光有效地引起化学反应的感光剂(抗蚀剂)的被处理基板。基板110使用玻璃、陶瓷、金属、硅、树脂等，根据需要，也可以在其表面形成有由与基板110不同的材料构成的构件。此外，基板110也可以是砷化镓晶圆、复合粘接晶圆、材料中包含石英的玻璃晶圆、液晶面板基板、中间掩模等各种基板，另外，外形形状也不仅是圆形，也可以是方形等，在该情况下，卡盘的外形也可以是与基板外形相匹配的形状。
25.中间掩模(原版)104载置在中间掩模载置台103上，该中间掩模载置台103构成为能够在与投影光学系统106的光轴正交的平面内及该光轴方向上移动。中间掩模104具有矩形的外周形状，具有在与基板110相向的面(图案面)上具备以三维状形成的图案(电路图案等应转印到基板上的凹凸图案)的图案部。中间掩模104由能够使光透过的材料、例如石英构成。
26.实施例1的曝光装置100还作为基板处理装置发挥功能，包括基板保持装置101、基板载置台102、中间掩模载置台103、照明光学系统105、投影光学系统106、离轴镜107、测量
部108和控制部109。
27.基板保持装置101包括：用于吸附保持基板110的卡盘1；作为对基板110的背面与卡盘1之间的空间进行吸引(排气)的真空源的未图示的吸引部；以及控制吸引部的未图示的控制部。实施例1中的基板保持装置101的详细情况将在后面叙述。
28.基板载置台102具备：经由基板保持装置101保持基板110的θz倾斜载置台；对θz倾斜载置台进行支承的未图示的xy载置台；以及对xy载置台进行支承的未图示的基座。基板载置台102由线性马达等驱动装置(未图示)驱动。驱动装置能够在x、y、z、θx、θy、θz这6个轴方向上驱动，由后述的控制部109控制。另外，虽然驱动装置能够在6个轴方向上驱动，但也可以能够在1个轴方向到6个轴方向中的任意个轴方向上驱动。
29.中间掩模载置台103例如能够在与后述的投影光学系统106的光轴垂直的平面内、即xy平面内移动，并且能够在θz方向上旋转。中间掩模载置台103由线性马达等驱动装置(未图示)驱动，驱动装置能够在x、y、θz这3个轴方向驱动，由后述的控制部109控制。另外，虽然驱动装置能够在3个轴方向上驱动，但也可以能够在1个轴方向到6个轴方向中的任意个轴方向上驱动。
30.照明光学系统105具备未图示的光源，对形成有转印用的电路图案(中间掩模图案)的中间掩模104进行照明。作为光源中包含的光源，例如使用激光器。能够使用的激光器是波长约193nm的arf准分子激光器、波长约248nm的krf准分子激光器、波长约157nm的f2准分子激光器等。另外，激光器的种类不限于准分子激光器，例如也可以使用yag激光器，激光器的个数也不受限定。另外，在光源部使用激光器的情况下，优选使用将来自激光器光源的平行光束整形为所希望的射束形状的光束整形光学系统、使相干的激光器非相干化的非相干光学系统。而且，能够使用的光源并不限定于激光器，也能够使用一个或多个水银灯、氙气灯等灯。
31.此外，虽然未示出，但是照明光学系统105包括透镜、反射镜、光积分器和光圈等。一般而言，内部的光学系统按聚光透镜、复眼、孔径光阑、聚光透镜、狭缝、成像光学系统的顺序排列。在这种情况下，光积分器包括通过将复眼透镜和两组柱面透镜阵列板重叠而构成的积分器等。
32.投影光学系统106以规定倍率(例如，1/2、1/4或1/5)使由来自照明光学系统105的曝光用光照明的中间掩模104上的图案的衍射光在基板110上成像，使其发生干涉。在基板110上形成的干涉像形成与中间掩模图案大致相同的像。该干涉像一般称为光学像，光学像的形状决定形成于基板110的线宽。投影光学系统106能够采用仅由多个光学元件构成的光学系统、由多个光学元件和至少一个凹面镜构成的光学系统(反射折射光学系统)。或者，作为投影光学系统106，也能够采用由多个光学元件和至少一个开诺全息照片等衍射光学元件构成的光学系统、或全反射镜型的光学系统等。
33.离轴镜107为了定位基板110以及检测基板110的多个图案形成区域的位置而使用。能够检测并测量配置在基板载置台102上的基准标记与形成在搭载于基板载置台102的基板110上的标记的相对位置。测量部(面位置测量部件)108是能够使投影光学系统106的焦点与基板110的曝光对象区域对合的测量装置，构成使投影光学系统106的焦点与基板表面对合的对焦装置。
34.控制部109包括cpu、存储器(存储部)等，由至少一个计算机构成，经由线路与曝光
装置100的各构成要素连接。此外，控制部109按照存储在存储器中的程序，统一控制曝光装置100整体的各构成要素的动作以及调整等。此外，控制部109既可以与曝光装置100的其它的部分一体地(在共同的壳体内)构成，也可以与曝光装置100的其它的部分分体地(在不同的壳体内)构成，还可以设置在与曝光装置100不同的场所并远程地控制。
35.在此，以下说明曝光装置100的曝光顺序。另外，该曝光顺序所示的各动作(处理)通过控制部109执行计算机程序来控制。在开始曝光顺序时，从基板110自动地或由作业者的手设定于曝光装置100的状态起，根据曝光开始指令开始曝光装置100的动作。
36.首先，通过未图示的搬送机构将最初曝光的第一张基板110搬入到曝光装置100内的基板载体(搬入工序)。接着，基板110被搬送机构送入到搭载在基板载置台102上的卡盘1，并被基板保持装置101吸附保持(基板保持工序)。
37.接着，通过搭载于曝光装置100的离轴镜107检测形成在基板110上的多个标记，确定基板110的倍率、旋转、x轴和y轴方向上的偏移量，并且进行位置校正(位置对合工序)。
38.接着，基板载置台102使基板110移动，以使搭载的基板110的最初进行曝光的规定的图案形成区域与曝光装置100的曝光位置对合。接着，在利用测量部108进行对焦之后，从光源照射光，经由照明光学系统105和中间掩模(图案形成部)104，通过投影光学系统106以规定的倍率缩小，然后对基板110上所涂敷的抗蚀剂进行照射。对在规定的图案形成区域内涂敷的抗蚀剂进行规定时间的曝光(曝光工序)。另外，曝光时间例如为约0.2秒左右。
39.接着，基板载置台102将基板110移动(分步移动)到下一个图案形成区域，在基板110上与上述同样地进行曝光。依次重复同样的图案形成处理，直到在进行曝光的所有图案形成区域中曝光结束为止。由此，能够在1张基板110上形成出形成于中间掩模104的图案。然后，从卡盘1上交接到未图示的回收搬送手的基板110返回到曝光装置100内的基板载体(搬出工序)。此外，在基板110的搬出处理后，对该基板110进行例如蚀刻等处理，对基板110进行加工(加工工序)，从该加工后的基板110去除不需要的固化物等，由此能够制造物品。
40.在实施例1中，如上所述，设想了分步重复方式的曝光装置，但不限于此，也能够应用于扫描型曝光装置。在应用于扫描型曝光装置的情况下，原版104和基板110基于曝光倍率而同步地被扫描，在扫描中被进行曝光。
41.另外，实施例1的基板保持装置101不限于在曝光装置100中使用。例如，本发明还能够用于制造包括压印装置(光刻装置)等的基板处理装置、液晶基板制造装置、磁头制造装置、半导体检查装置、液晶基板检查装置、磁头检查装置以及微型机器等。
42.在此，在使卡盘1吸附保持基板110时，有时会在基板110与卡盘1之间夹入异物。例如，即使是几μm左右的异物，若夹入该异物，则夹入了的部分的基板110变形而一部分隆起，也有时会产生图案成形不良。作为一例，在有效的焦点深度为1μm以下的情况等下可能发生。
43.为了避免这样的基于异物的夹入，使用将抵接于基板110的背面的部位形成为销状的凸部的所谓的销接触卡盘(以下称为卡盘)，使与基板110的接触面积大幅减少。下面，参照图9对在以往使用的一般的基板保持装置中使用的卡盘进行说明。
44.图9是例示在一般的基板保持装置中使用的卡盘200的图。图9a是从+z方向观察卡盘200时的俯视图。图9b是图9a所示的卡盘200的局部剖视图。图9所例示的基板保持装置由卡盘200、凸部201、隔壁204、吸引口205构成。
45.凸部201作为与基板110的背面抵接的抵接面(在载置基板之后进行支承的支承面)发挥功能。多个销状的凸部201包括销状的凸部(外周侧凸部)202、销状的凸部(内周侧凸部)203以及与外周侧凸部202和内周侧凸部203不同的多个销状的凸部。
46.隔壁204以成为比外周侧凸部202靠内侧的方式呈环状地设置在卡盘200的底部。隔壁204的高度形成为比外周侧凸部202的上表面低1～2μm左右。吸引口205是形成在卡盘200的底部的贯穿孔，与由从未图示的真空源(吸引部)连通的配管等形成的流路连接。
47.外周侧凸部202为了与基板110的外周方向的背面抵接而配置在比隔壁204靠外侧的位置。外周侧凸部202在与基板110相同半径的外周上配置有多个。图9所例示的外周侧凸部202是配置在卡盘200的最外周侧(最外周)的凸部。内周侧凸部203为了与基板110的内周方向的背面抵接，配置在比隔壁204靠内侧的位置。内周侧凸部203在与基板110相同半径的内周上配置有多个。图9所例示的内周侧凸部203与配置在最外周侧的底部的外周侧凸部202隔着隔壁204相邻配置。另外，卡盘200的多个销状的凸部201以规定的距离(间隔、周期、宽度)配置成格子状。另外，将配置于隔壁204的外侧的外周侧凸部202、以及配置于隔壁204的内侧且隔着隔壁204与外周侧凸部202相邻的位置的内周侧凸部203作为一组分别构成。而且，由外周侧凸部202和内周侧凸部203构成的多个凸部由包括各个组的多个组构成。
48.以下，对利用如上所述构成的卡盘200吸附基板110的方法进行说明。首先，将基板110载置在卡盘200的凸部201上。由此，基板110的背面抵接在多个凸部201上。接着，通过未图示的真空源的动作经由吸引口205对基板110进行真空吸引，由此基板110被卡盘200的凸部201支承并被吸附保持。此时，基板110在凸部201之间因真空吸附力而变形、挠曲。由于基板110挠曲，基板110的平面度降低，发生所谓的晶圆畸变(以下称为畸变)。由此，基板110的平面度降低。
49.下面，根据材料力学上的模型，参照图2，将图9b所例示的隔壁204的配置位置作为一例，说明基板110在外周侧凸部202处的平面度和畸变的发生量。图2是例示承受均匀分布载荷的单侧固定且单侧自由的梁的材料力学模型的图。而且，卡盘200的外周区域(外周部)的基板110的挠曲状态的材料力学上的模型适用于图2所例示的模型。另外，如图9b所例示那样，隔壁204配置在比内周侧凸部203接近外周侧凸部202的位置。
50.将基板110的杨氏模量设为e，将基板110的厚度设为h。接着，将上述的多个组所包含的外周侧凸部202与内周侧凸部203之间的距离设为l。而且，将每单位长度的作用力设为w、将挠曲量为设y、将内周侧凸部203基准的径向位置设为x。此外，距离l也可以使用将多个组所包含的各个组的外周侧凸部202与内周侧凸部203之间的距离作为平均值的值。
51.数学式1
[0052][0053]
上述式(1)中的倾斜度dy/dx在x＝l时为最大，用以下的式(2)表示。
[0054]
数学式2
[0055][0056]
在此，上述式(2)中的-标记表示倾斜度dy/dx为绕逆时针(ccw)的旋转方向。若将
真空源的吸引压力设为吸引压力pv，将进深尺寸设为b，则每单位长度的作用力w由以下的式(3)表示。
[0057]
数学式3
[0058]
w＝pvb
ꢀꢀꢀ
(3)
[0059]
这里，使单侧自由的梁的截面二次矩e＝1/12bh3，如果将上述式(3)代入上述式(2)，则得到以下的式(4)。
[0060]
数学式4
[0061][0062]
而且，畸变dx用以下的式(5)表示。
[0063]
数学式5
[0064][0065]
此外，严格来说，外周侧凸部202由于在因吸引等而对基板110施加载荷时基板110的变形，不是在该外周侧凸部202的中心部(外周侧凸部的中心轴上的支承面)而是在从中心部偏离的角部支承基板110。因此，严格地说，该情况下的上述距离l(mm)成为从该外周侧凸部202的相对于基板110的中心方向外周侧凸部202的角部到隔着隔壁204配置在该外周侧凸部的相邻位置的内周侧凸部203的中心轴的距离。在计算上述畸变方面，由于距离l中的距离越长，畸变越大，因此在畸变的计算中采用上述的距离l。
[0066]
在此，作为一例，在一般的卡盘的设计值中，将e＝160gpa、pv＝0.1mpa、l＝2mm、h＝0.7mm代入上述式(5)时，得到dx＝1.29nm。例如，如果以叠对的误差相对于理想的水平的基准的容许量是1.5nm为例，则该容许量仅剩余0.29nm。而且，例如，即使叠对的误差相对于理想的水平的基准的容许量例如为3nm、5nm等，1.29nm的畸变也对实施在基板上形成图案的处理有较大影响。因此，在对基板110进行吸附保持之后，为了实施图案形成等处理，需要在减少畸变的状态下对基板110进行吸附保持。
[0067]
因此，在实施例1中，能够提供一种通过将后述的内周侧凸部4和外周侧凸部3的高度设定为规定的关系而能够减少畸变的卡盘。下面，参照图3、图4和图5详细说明实施例1的基板保持装置101。
[0068]
图3是例示实施例1的基板保持装置101的图。图3a是从+z方向观察基板保持装置101的俯视图。图3b是图3a的基板保持装置101的局部剖视图。下面，参照图3详细说明实施例1的基板保持装置101。实施例1的基板保持装置101包括卡盘1和未图示的吸引部以及控制部。
[0069]
卡盘1以比基板110小的直径构成为圆形，包括多个销状的凸部2、隔壁(第一隔壁)5和吸引口(第一吸引口)6。另外，卡盘1配置在基板载置台102上。
[0070]
凸部2是在卡盘1的底部配置有多个的销状的凸部，在将基板110载置于卡盘1上时，基板110的背面抵接于凸部2的上表面。凸部2在卡盘1的底部以规定的距离l(mm)呈格子状地配置在底部。凸部2的直径根据卡盘1的规格而各种各样，但一般的直径为φ0.2mm左右。另外，作为凸部2的排列，除了格子状的排列以外，也可以排列成同心圆状，也可以形成为带有角度的排列，例如以60度的交错排列成格子状。另外，也能够是随机排列，或者也可
以是将它们组合而成的排列。
[0071]
凸部2包括多个销状的凸部(外周侧凸部、第一凸部)3、多个销状的凸部(内周侧凸部、第二凸部)4、以及与外周侧凸部3和内周侧凸部4不同的多个销状的凸部(第三凸部)。外周侧凸部3为了与基板110的外周方向的背面抵接，配置在比隔壁5靠外侧的位置。外周侧凸部3是在与基板110相同半径的外周上配置有多个的凸部。图3所例示的外周侧凸部3配置在卡盘1的最外周侧(最外周)。内周侧凸部4为了与基板110的内周方向的背面抵接，配置在比隔壁5靠内侧的位置。内周侧凸部4在与基板110相同半径的内周上配置有多个。另外，内周侧凸部4从配置在最外周侧的底部的外周侧凸部3隔着隔壁5相邻配置。在实施例1中，除了第三凸部以外的多个凸部2由将配置在隔壁5的外侧的外周侧凸部3及配置在隔壁5的内侧且隔着隔壁5与外周侧凸部3相邻的位置的内周侧凸部4作为一组的多个组构成。如后所述，该多个组中的每一组所包含的外周侧凸部3形成为比内周侧凸部4低的高度。
[0072]
隔壁5以围绕多个凸部2的一部分的方式在卡盘1的底部呈圆环状地至少配置一个。吸引口6是形成在卡盘1上的贯穿孔，在实施例1中，后述的吸引部作为对基板110的背面与卡盘1之间的空间进行吸引(排气)时的吸引口而发挥功能。另外，吸引口6在图3中只设置了一个，但不限于此，也可以在卡盘1上形成一个以上的吸引口6。
[0073]
吸引部是构成为能够通过真空吸引等来吸引基板110的背面与卡盘1之间的空间的未图示的真空源。吸引部根据来自控制部109的信号开始动作，经由与吸引部连接的配管等流路和吸引口6，对基板110的背面与卡盘1之间的空间进行吸引，能够使基板110吸附到卡盘1上。另外，吸引部不限于配置在基板保持装置101上，也可以配置在基板保持装置101的外部或曝光装置100的外部。
[0074]
接着，将上述的多个组(以下称为多个组)各自所包含的外周侧凸部3的高度设为ho。并且，将多个组各自所包含的内周侧凸部4的高度设为hi，以下参照图4及图5对希望的ho的值进行说明。此外，在实施例1中，ho是多个组各自所包含的外周侧凸部3的平均高度，hi是多个组各自所包含的内周侧凸部4的平均高度。图4是例示了没有实施例1的外周侧凸部3的情况下的悬臂梁的材料力学模型的图。图5是例示了实施例1的卡盘1的剖视图的图。
[0075]
在图5中，表示了没有如图4所示那样的外周侧凸部3的情况下的基板110的挠曲模型2min和ho＝hi时的基板110的挠曲模型2j。
[0076]
在此，将图5所例示的挠曲模型的倾斜度设为dy/dx，将挠曲度设为y，将内周侧凸部4基准的径向位置设为x，将多个组各自所包含的外周侧凸部3与内周侧凸部4之间的距离设为l。由此，相对于u＝x/l的倾斜度dy/dx能够由以下的式(6)表示，挠曲度y能够由以下的式(7)表示。
[0077]
数学式6
[0078][0079][0080]
而且，在设u＝1时，ymax能够由以下的式(8)表示。
[0081]
数学式7
[0082][0083]
上述式(8)表示若使ho小于hi-(pvl4)/(eh3)，则基板110的背面不会接触外周侧凸部3的支承面。因此，通过满足以下的式(9)，与hi＝ho时相比，能够降低倾斜度dy/dx，能够降低畸变。
[0084]
数学式8
[0085][0086]
另外，使隔壁5的高度比多个组各自所包含的内周侧凸部4低，且为多个组各自所包含的外周侧凸部3以下的高度。这是因为，如果使隔壁5比多个组各自所包含的外周侧凸部3高，则隔壁5会发挥与多个组各自所包含的外周侧凸部3同样的功能。此外，隔壁5配置在与多个组各自所包含的内周侧凸部4相比接近多个组各自所包含的外周侧凸部3的位置。此时的隔壁5的配置位置是在比较了多个组各自所包含的凸部的位置的平均值彼此的基础上配置的。另外，隔壁5优选配置在尽可能接近多个组所包含的外周侧凸部3的位置，在实施例1中，以u≈1的方式配置隔壁5。
[0087]
以上，在实施例1中，通过以满足hi-ho＜(pvl4)/(eh3)的方式相对于ho设定hi的高度，能够减少畸变。由此，能够提供在实施图案形成等处理的基础上，能够以最佳的状态吸附保持基板110的卡盘。
[0088]
此外，例如，若将pv＝0.1013mpa、l＝2mm、e＝160gpa代入上述式(8)，则在h＝0.7mm时，ymax＝44.3nm。在这种情况下，通过将hi-ho设计得例如比45nm左右小，能够减少畸变。
[0089]
(实施例2)
[0090]
实施例2的基板保持装置101是使实施例1所示的多个组(以下称为多个组)各自所包含的外周侧凸部3的截面积比多个组各自所包含的内周侧凸部4的截面积小的基板保持装置。另外，基板保持装置101的结构与实施例1的基板保持装置101的结构相同，因此省略重复部分的说明。
[0091]
在实施例2中，在将多个组各自所包含的外周侧凸部3的截面积设为so、将多个组各自所包含的内周侧凸部4的截面积设为si的情况下，以si＞so的方式设计外周侧凸部3和内周侧凸部4并进行加工。由此，在加工时外周侧凸部3的加工阻力减少，凸部的加工变得容易。另外，在实施例2中，so为多个组各自所包含的外周侧凸部3的截面积的平均值，si为多个组各自所包含的内周侧凸部4的截面积的平均值。
[0092]
而且，通过减少加工阻力，多个组各自所包含的外周侧凸部3的去除量变多，作为结果，有助于hi＞ho。而且，多个组各自所包含的外周侧凸部3的铅垂方向的刚性比多个组各自所包含的内周侧凸部4的铅垂方向的刚性小。由此，在用吸引部进行吸引时，基板110的铅垂方向的压缩量增加，作为结果，有助于hi＞ho。另外，作为凸部2的加工，例如考虑了基于研磨加工的加工，但不限于此，只要是能够进行成为si＞so那样的加工的方法，也可以使用其它的方法进行加工。
[0093]
以上，在实施例2中，以成为si＞so的方式进行多个组各自所包含的外周侧凸部3
和多个组各自所包含的内周侧凸部4的加工。由此，能够实现加工精度的提高和加工时间的缩短。而且，与实施例1同样，能够减少畸变。由此，能够提供在实施图案形成等处理的基础上，能够以最佳的状态吸附保持基板110的卡盘。
[0094]
(实施例3)
[0095]
实施例3的基板保持装置101是进一步设置有作为与实施例1的卡盘1中的隔壁5不同的隔壁的辅助隔壁(第二隔壁)7和作为与吸引口6不同的吸引口的吸引口(第二吸引口)8的基板保持装置。即，在实施例3中，第一隔壁由相邻的双层隔壁构成，在此将双层隔壁内的外侧的隔壁称为辅助隔壁(第二隔壁)。下面，参照图6说明实施例3的基板保持装置101。图6是例示实施例3的基板保持装置101的图。图6a是从+z方向观察基板保持装置101的俯视图。图6b是图6a的基板保持装置101的局部剖视图。由于实施例3的基板保持装置101的结构与实施例1的基板保持装置101的结构相同，因此省略对重复部分的说明。
[0096]
实施例3的卡盘1与实施例1同样地包括多个销状的凸部2、隔壁5、吸引口6，还包括辅助隔壁7和吸引口8。
[0097]
辅助隔壁7配置在隔壁5与配置在隔壁5的内周侧的相邻位置的内周侧凸部4之间。辅助隔壁7优选配置在比距离l的中心位置接近配置在隔壁5的内周侧的相邻位置的内周侧凸部4的位置。例如，配置成满足u＜0.5。另外，作为隔壁5的配置位置，配置成u≈1，这与实施例1相同。
[0098]
辅助隔壁7的高度形成为比多个组各自所包含的内周侧凸部4的高度低。多个组各自所包含的内周侧凸部4的高度例如是平均的高度。另外，也可以比特定的内周侧凸部4的高度、例如多个组各自所包含的内周侧凸部4中高度最低的内周侧凸部4低。另外，辅助隔壁7的高度也可以形成为比多个凸部2的上表面低1～2μm左右。即使低1～2μm左右地形成，在1～2μm左右的间隙中，由吸引部吸引基板110的背面与卡盘1之间的空间(区域)来吸附保持基板110时的真空压力的降低是微小的，也不会成为问题。另外，即使直径小于1～2μm左右的差的灰尘、颗粒等异物附着在辅助隔壁7上，附着的异物与基板110的背面接触的概率也非常低。因此，即使辅助隔壁7的高度形成为比多个凸部2的上表面低1～2μm左右，也不会成为问题。
[0099]
吸引口8具有与实施例1的吸引口6相同的功能，形成在隔壁5与辅助隔壁7之间。吸引口8与实施例1的吸引口6同样，通过配管等流路与吸引部连接。此外，实施例3的基板保持装置101中的吸引部在连接吸引口6及吸引口8与吸引部的流路上分别具备对用于吸引的流路进行开闭的未图示的阀(切换阀)。在实施例3中，将配置于吸引口6与吸引部之间的阀设为第一阀，将配置于吸引口8与吸引部之间的阀设为第二阀。
[0100]
在实施例3中，在使基板110吸附保持于卡盘1时，经由吸引口6和吸引口8进行吸引。以下，对实施例3中的基板110的吸引处理进行说明。另外，吸引处理通过基板保持装置101的未图示的控制部执行计算机程序来控制。
[0101]
首先，未图示的控制部对吸引部发送动作指令而开始吸引(排气)。通过吸引部开始吸引，经由吸引口6和吸引口8来吸引基板110的背面与夹盘1之间的空间。由此，基板110的比隔壁5靠内侧的面积成为吸引面积，产生更大的吸引力，即使是翘曲大的基板也能够矫正翘曲。另外，在基板110的翘曲被矫正且吸引完成的时刻，产生了畸变。
[0102]
接着，未图示的控制部控制第二阀，停止经由吸引口8的区域的吸引。由此，隔壁5
和辅助隔壁7之间的空间从吸引口8向大气开放，被吸引的区域转移到比作为经由吸引口6的区域的辅助隔壁7靠基板110的内侧的区域，畸变减少。另外，这些吸引处理中的各种控制也可以由控制部109进行。
[0103]
即使停止基板110的外周侧(外周部)的吸引或减少吸引力，一度被矫正了的基板110恢复到原始状态的概率也是低的。因此，畸变保持得较小。
[0104]
如上所述，在实施例3中，与实施例1同样地，除了减少畸变之外，还能够减少基板110的翘曲。由此，能够提供在实施图案形成等处理的基础上，能够以最佳的状态吸附保持基板110的卡盘。
[0105]
另外，在一部分翘曲大的基板110中，在将吸引口8向大气开放时，翘曲恢复的情况也不少。在这种情况下，根据基板110的翘曲状况，经由吸引口8由吸引部施加α
×
负的1个大气压(α是小于1的整数)左右的负压即可。或者，在由吸引部吸引基板110的背面与卡盘1之间的空间之前，使来自吸引口8的压力为负的1个大气压左右的负压，使来自吸引口8的压力为α
×
负的1个大气压(α是小于1的整数)的负压。因此，不需要在基板110的矫正前后进行切换，且翘曲不恢复。
[0106]
此外，例如，即可以将实施例3与实施例2的基板保持装置101组合，也可以将实施例2与实施例3的基板保持装置101组合。
[0107]
另外，在上述各实施例中，凸部2在卡盘1的底部以规定的距离呈格子状地配置在底部，但不限于此。例如，也可以在基板110的内周侧和外周侧分别任意地设定凸部2间的距离。而且，凸部2的距离不需要是均匀的距离，也可以是不均匀的距离。
[0108]
另外，上述各实施例中的卡盘1采用真空吸附方式，但不限于此，例如也可以采用静电卡盘方式，还可以并用真空吸附方式和静电卡盘方式等其它的方式。在这些情况下，各实施例的真空压力p只要置换为其它的方式的吸附力、或在其上加上真空压的组合即可。
[0109]
另外，上述各实施例中的卡盘1使用了销式卡盘，但不限于此，也可以是其它的形状。例如，也可以是作为吸附槽的同心圆状的环状凹部和作为基板支承面的同心圆状的环状凸部交替构成的所谓的环状卡盘。另外，隔壁并不仅限于隔壁5和辅助隔壁7，也可以将隔壁5和辅助隔壁7以外的隔壁配置在卡盘1上。
[0110]
(物品的制造方法的实施例)
[0111]
接着，说明利用上述各实施例的曝光装置100的器件的制造方法的实施例。图7表示微器件(ic、lsi等半导体芯片、液晶面板、ccd、薄膜磁头、微型机器等)的制造的流程。在步骤1(电路设计)中进行器件的图案设计。
[0112]
在步骤2(掩模制作)中，制作形成有设计的图案的掩模(模具、模)。另一方面，在步骤3(晶圆制造)中，使用硅、玻璃等材料制造晶圆(基板)。步骤4(晶圆工艺)称为前工序，使用上述准备的掩模和晶圆，通过光刻技术在晶圆上形成实际的电路。
[0113]
下面的步骤5(组装)称为后工序，是使用由步骤4制作的晶圆进行半导体芯片化的工序，包括组装工序(冲切、结合)、封装工序(芯片封入)等工序。在步骤6(检查)中，进行在步骤5中制作了的半导体器件的动作确认测试、耐久性测试等检查。经过这样的工序，半导体器件完成，将其出厂(步骤7)。
[0114]
图8表示上述晶圆工艺的详细的流程。在步骤11(氧化)中，使晶圆的表面氧化。在步骤12(cvd)中，在晶圆表面上形成绝缘膜。在步骤13(电极形成)中，通过蒸镀在晶圆上形
成电极。在步骤14(离子注入)中，向晶圆注入离子。在步骤15(抗蚀剂处理)中，在晶圆上涂敷抗蚀剂。在步骤16(曝光)中，通过上述投影曝光装置将掩模的电路图案排列在晶圆的多个图案形成区域上进行照射曝光。在步骤17(显影)中，对曝光后的晶圆进行显影。在步骤18(蚀刻)中，将显影了的抗蚀剂像以外的部分削除。在步骤19(抗蚀剂剥离)中，去除蚀刻结束后不需要的抗蚀剂。通过重复进行这些步骤，在晶圆上形成多层电路图案。
[0115]
这样，根据本实施例的使用卡盘1的器件的制造方法，由于基板的扭曲、翘曲被抑制，所以器件的精度、成品率等提高，因此能够稳定地以低成本制造以往难以制造的高集成度的器件。
[0116]
以上，基于本发明的优选实施例对本发明进行了详细说明，但本发明并不限定于上述实施例，基于本发明的主旨可以进行各种变形，这些变形并不排除在本发明的范围之外。
[0117]
另外，也可以将实现上述实施例中的控制的一部分或者全部的上述实施例的功能的计算机程序经由网络或者各种存储介质供给到基板保持装置101、基板处理装置等。而且，也可以由该基板保持装置101或基板处理装置等中的计算机(或者cpu、mpu等)读出程序并执行。在这种情况下，该程序和存储该程序的存储介质构成本发明。
[0118]
尽管已经参照示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被给予最广泛的解释，以便涵盖所有这样的修改和等效结构和功能。
[0119]
本技术要求2021年3月2日提交的日本专利申请2021-032667号的优先权，该专利申请的全部内容通过引用结合于此。