技术特征：
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替层叠的层间绝缘层和层间牺牲层，所述堆叠层包括台阶区且在所述台阶区呈台阶结构；形成覆盖所述台阶结构的停止层；形成贯穿所述停止层和所述台阶结构的栅线缝隙；在所述停止层与所述栅线缝隙的交界处形成隔离结构；通过所述栅线缝隙将所述层间牺牲层置换为层间栅极层；形成贯穿所述停止层的接触孔，所述接触孔的底部位于所述台阶结构的各台阶处的所述层间栅极层上。2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述停止层与所述栅线缝隙的交界处形成隔离结构的步骤，包括：通过所述栅线缝隙对所述停止层进行刻蚀，以在所述停止层与所述栅线缝隙的交界处形成第一隔离槽；在所述第一隔离槽中形成所述隔离结构。3.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述停止层和所述层间牺牲层包括相同的材料，所述存储器的制备方法还包括：对所述停止层进行处理，使在相同条件下所述停止层的刻蚀速率大于所述层间牺牲层的刻蚀速率。4.根据权利要求3所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述通过所述栅线缝隙对所述停止层进行刻蚀的步骤，包括：通过所述栅线缝隙对所述停止层和所述层间牺牲层进行刻蚀，以在所述停止层与所述栅线缝隙的交界处形成所述第一隔离槽，以及在所述层间牺牲层与所述栅线缝隙的交界处形成第二隔离槽；其中，所述第一隔离槽在第一方向的宽度大于所述第二隔离槽在所述第一方向的宽度，所述第一方向垂直于所述栅线缝隙的延伸方向。5.根据权利要求4所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一隔离槽中形成所述隔离结构的步骤，包括：在所述第一隔离槽、所述第二隔离槽和所述栅线缝隙中沉积隔离材料；对所述隔离材料进行回蚀，以去除位于所述第二隔离槽和所述栅线缝隙中的所述隔离材料，且保留位于所述第一隔离槽中的部分所述隔离材料形成所述隔离结构；其中，所述隔离结构与所述栅线缝隙之间具有凹槽。6.根据权利要求5所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一隔离槽、所述第二隔离槽和所述栅线缝隙中沉积隔离材料的步骤之前，所述存储器的制备方法还包括：在所述第一隔离槽和所述第二隔离槽中，以及所述层间绝缘层与所述栅线缝隙的交界面形成阻挡层；所述对所述隔离材料进行回蚀的步骤之后，所述存储器的制备方法还包括：对所述阻挡层进行刻蚀，以去除位于所述第二隔离槽中的所述阻挡层。
7.根据权利要求5所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述通过所述栅线缝隙将所述层间牺牲层置换为层间栅极层的步骤，包括：去除所述层间牺牲层形成空腔；在所述空腔和所述凹槽中填充栅极材料层，以在所述层间牺牲层的位置形成所述层间栅极层。8.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述停止层的还原性大于所述层间牺牲层的还原性，所述在所述停止层与所述栅线缝隙的交界处形成隔离结构的步骤，包括：通过所述栅线缝隙对所述停止层和所述层间牺牲层进行氧化，以在所述停止层与所述栅线缝隙的交界处形成第一氧化物，以及在所述层间牺牲层与所述栅线缝隙的交界处形成第二氧化物，所述第一氧化物在第一方向的宽度大于所述第二氧化物在所述第一方向的宽度，所述第一方向垂直于所述栅线缝隙的延伸方向；对所述第一氧化物和所述第二氧化物进行刻蚀，以去除所述第二氧化物，且保留部分所述第一氧化物形成所述隔离结构。9.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述停止层的还原性等于所述层间牺牲层的还原性，所述在所述停止层与所述栅线缝隙的交界处形成隔离结构的步骤之前，所述存储器的制备方法还包括：对所述停止层进行离子注入工艺，使所述停止层的还原性大于所述层间牺牲层的还原性。10.根据权利要求9所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述停止层的材料包括氮化硅，所述离子注入工艺中的注入离子包括硅。11.根据权利要求1-10任一项所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述形成贯穿所述停止层的接触孔的步骤，包括：在所述台阶结构上形成覆盖所述停止层的介质层；刻蚀各台阶上的所述介质层和部分所述停止层形成接触孔，所述接触孔的底部位于所述停止层中；对所述接触孔继续进行刻蚀，使所述接触孔的底部位于各台阶处的所述层间栅极层上。12.根据权利要求1-10任一项所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述台阶结构的停止层的步骤之前，所述存储器的制备方法还包括：形成位于所述台阶结构和所述停止层之间的隔离层。13.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：半导体层；堆叠结构，位于所述半导体层上且包括台阶区，所述堆叠结构在所述台阶区呈台阶结构；停止层，覆盖至少部分所述台阶结构；栅线缝隙结构，贯穿所述台阶结构，所述栅线缝隙结构穿过所述停止层且与所述栅线缝隙结构之间具有间隔区；隔离结构，覆盖部分所述台阶结构，且位于所述间隔区；
字线触点，位于所述台阶结构的各台阶上，且贯穿所述停止层。14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和层间栅极层；所述存储器还包括：介质层，位于所述台阶结构上且覆盖所述停止层；其中，所述字线触点，贯穿所述介质层和所述停止层，所述字线触点的底部与各台阶处的所述层间栅极层连接。15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；其中，所述第一阻挡层位于所述隔离结构与所述停止层之间，所述第二阻挡层位于所述隔离结构与所述介质层之间，所述第三阻挡层位于所述隔离结构与所述层间绝缘层之间。16.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：栅极材料层，位于所述隔离结构与所述栅线缝隙结构之间，且覆盖部分所述台阶结构。17.根据权利要求16所述的存储器，其特征在于，所述栅极材料层与所述层间栅极层包括相同的材料。18.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：隔离层，位于所述台阶结构和所述停止层之间。19.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述隔离结构和所述层间绝缘层都包括氧化物。20.一种存储系统，其特征在于，包括：如权利要求13-19任一项所述的存储器；控制器，所述控制器与所述存储器电连接，用于控制所述存储器存储数据。
技术总结
本发明公开了一种存储器及其制备方法和存储系统，先形成贯穿停止层和台阶结构的栅线缝隙，再在停止层与栅线缝隙的交界处形成隔离结构，接着通过栅线缝隙将层间牺牲层置换为层间栅极层，最后形成贯穿停止层的接触孔，所述接触孔的底部位于台阶结构的各台阶处的层间栅极层上。由于栅线缝隙与停止层之间间隔有隔离结构，因此在置换层间牺牲层的过程中停止层不会被去除，进而停止层可以在后续形成接触孔的刻蚀工艺中作为蚀刻停止层，以降低工艺难度与工艺成本。与工艺成本。与工艺成本。
技术研发人员：阳叶军
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.03.03
技术公布日：2022/6/7