显示基板和显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种显示基板和显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板与传统的液晶显示面板相比，由于其具有响应速度快、色域广、厚度薄和能实现柔性化等优点，已经逐渐成为显示领域的主流应用。
3.为了避免水汽和空气对oled显示面板中的oled发光器件以及电路结构等造成影响，通常在oled显示面板上设置封装层，以将oled面板中的各功能层与水汽和空气隔绝。
4.ald(atomic layer deposition，原子沉积)具有弯折特性好，阻水特性强等特点，被广泛的应用在制作oled显示面板的封装层，然而，采用ald方式制作形成的封装层，在切割过程中容易在封装层上造成裂纹，这对封装效果造成了影响。


技术实现要素：

5.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示基板和显示装置，旨在解决现有的oled显示面板存在的封装效果不良的问题。
6.第一个方面，本技术实施例提供了一种显示基板，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示基板包括：
7.衬底；
8.防溢挡墙结构，设置在所述衬底的一侧，位于所述非显示区，且靠近所述显示区；
9.阻断吸附结构，设置在所述防溢挡墙结构远离所述显示区的一侧，所述阻断吸附结构用于阻止封装层沉积在所述防溢挡墙结构远离所述显示区的一侧，所述封装层通过原子沉积的方式制作形成。
10.可选的，包括设置在所述衬底上的层间介质层；
11.所述阻断吸附结构包括设置在所述层间介质层远离所述衬底一侧的凸起。
12.可选的，所述凸起的数量为多个。
13.可选的，在所述衬底至所述防溢挡墙结构方向上，所述多个凸起的高度相同。
14.可选的，所述阻断吸附结构通过喷墨打印工艺制作形成。
15.可选的，所述阻断吸附结构的材料包括非极性材料。
16.可选的，还包括止裂挡墙结构，所述止裂挡墙结构设置在所述阻断吸附结构远离所述显示区的一侧，所述阻断吸附结构位于所述止裂挡墙结构和所述防溢挡墙结构之间。
17.可选的，所述防溢挡墙结构包括沿所述显示区至所述非显示区方向依次分布的内挡墙和外挡墙；
18.在所述防溢挡墙结构至所述止裂挡墙结构方向上，所述防溢挡墙结构与所述止裂挡墙结构之间的距离，大于所述外挡墙和所述内挡墙之间的距离。
19.可选的，所述阻断吸附结构围绕所述显示区设置。
20.第二个方面，本技术实施例提供了一种显示装置，包括本技术实施例中的显示基板。
21.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
22.本技术实施例中的显示基板包括显示区以及围绕显示区的非显示区，显示基板包括位于非显示区且远离显示区的止裂挡墙结构，以及位于非显示区且靠近显示区的防溢挡墙结构。在止裂挡墙结构和防溢挡墙结构之间的区域内，显示基板膜层的表面设置有阻断吸附结构。阻断吸附结构使得显示基板膜层的表面为不平整的表面，因此，通过原子沉积的方式制作封装层的过程中，在止裂挡墙结构和防溢挡墙结构之间的区域内，阻断了封装层材料的解离吸附过程，即封装层的材料不会吸附在被沉积膜层的表面，止裂挡墙结构和防溢挡墙结构之间的区域内不会形成封装层。在对显示基板进行切割或者弯折的过程中，由于止裂挡墙结构和防溢挡墙结构之间的区域内没有封装层，也不会存在封装层上发生裂纹、以及裂纹延伸至显示区内的情况，由此保证了封装效果，避免了显示区内的oled发光器件等失效。
23.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
24.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
25.图1为显示基板的俯视示意图；
26.图2为相关技术中的显示基板在图1中aa截面处的结构示意图；
27.图3为本技术实施例提供的显示基板在图1中bb截面处的结构示意图；
28.图4为本技术实施例提供的显示基板在图1中aa截面处的结构示意图；
29.图5为通过原子沉积方式形成封装层的反应原理示意图；
30.图6为本技术实提供的显示基板中阻断吸附结构的俯视示意图；
31.图7为本技术实施例提供的显示基板的制作流程示意图；
32.图8a至图8l为本技术实施例提供的制作显示基板的不同过程的结构示意图。
33.图中：
34.10-显示基板；101-显示区；102-非显示区；
35.11-衬底；12-止裂挡墙结构；13-防溢挡墙结构；14-封装层；141-第一无机封装层；142-第二无机封装层；143-有机封装层；
36.15-层间介质层；161-第一金属走线；162-第二金属走线；171-第一平坦化层；172-第二平坦化层；18-像素界定层；19-支撑柱层；21-发光器件阳极；
37.131-内挡墙；132-外挡墙；
38.20-阻断吸附结构；201-凸起；
39.31-第一凸台；32-第二凸台；33-第三凸台；34-第四凸台；35-第五凸台；36-第六凸台。
具体实施方式
40.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
41.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
42.oled器件在工作时需要从阴极注入电子，这就要求阴极功函数越低越好，但阴极通常采用铝、镁、钙等金属材质，化学性质比较活泼，极易与渗透进来的水汽和氧气发生反应。另外，水汽和氧气还会与oled器件的空穴传输层以及电子传输层发生化学反应，这些反应都会引起oled器件的失效。因此在oled显示面板的制作过程中，对oled器件进行有效的封装，使oled器件的各功能层与大气中的水汽、氧气等成分充分隔开，就可以大大延长oled器件的寿命，从而延长oled显示装置的使用寿命。oled显示面板在制作时通常采用tfe(thin film encapsulation，薄膜封装，简称tfe)技术。
43.结合图1、图2和图3所示，现有的显示基板10包括显示区101和围绕显示区101的非显示区102，显示区101内包括oled发光器件以及驱动电路，oled发光器件发光器件阳极21、以及阴极、有机发光层、空穴传输层、电子传输层等膜层(图2和图3中未示出)，驱动电路包括tft(thin film transistor，薄膜晶体管)等电子器件(图1、图2和图3中未示出)。在非显示区102内靠近显示区101的一端设置有防溢挡墙结构13，用于防止显示区101内的有机封装层143(用于显示区内oled发光器件的封装，使oled发光器件隔绝外界空气和水汽)外流溢出，在非显示区102内远离显示区101的一端设置有止裂挡墙结构12，用于防止在对显示基板10进行切割时，在层间介质层15上产生的裂纹由非显示区102的边缘延伸至显示区101内。
44.结合图1、图2和图3所示，封装层14包括沿图2中第二方向依次分布的第一无机封装层141、有机封装层143和第二无机封装层142。第一无机封装层141和第二无机封装层143覆盖防溢挡墙结构13，有机封装层143位于防溢挡墙结构13靠近显示区101的一侧。在对显示基板10进行封装时，通常采用ald(atomic layer deposition，原子沉积)的方式，在显示基板表面形成封装层14中的第一无机封装层141和第二无机封装层142，ald由于是原子层的沉积，因此在很低的间隙条件下它的封装阴影(shadowlength)较大，因此增加了后续由于切割造成的裂纹风险。
45.本技术的发明人考虑到，在制作显示基板10的过程中，需要将母板切割形成多个显示基板10(参阅图2中的切割边)。另外，当显示基板10需要应用于曲面显示装置时，显示基板10需要采用柔性可弯曲的衬底，且需要对非显示区102进行弯曲。以上都容易使非显示区102内的封装层14(第一无机封装层141和第二无机封装层142)因为应力不均而产生裂
纹，若非显示区102内封装层14的裂纹延伸至显示区101内，会造成空气和水汽沿裂缝进入显示基板10内，造成oled发光器件或者tft器件失效。
46.本技术提供的显示基板和显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。
47.下面结合附图详细介绍一下本技术实施例提供的显示基板和显示装置。
48.结合图1和图4所示，本技术实施例中的显示基板10包括显示区101和围绕显示区101的非显示区102，显示基板10包括：
49.衬底11；
50.止裂挡墙结构12，设置在衬底11的一侧，位于非显示区102，且远离显示区101；
51.防溢挡墙结构13，设置在衬底11的一侧，位于非显示区102，且靠近显示区101；
52.止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间设置有阻断吸附结构20，阻断吸附结构20用于阻止封装层14材料沉积在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间，封装层14通过原子沉积的方式制作形成。
53.具体的，衬底11的材料可以是柔性材料，显示基板10包括显示区101和围绕显示区101四周的非显示区102。在衬底11的一侧，显示区101内设置有呈阵列排布的多个oled发光器件以及对应控制每个oled发光器件工作状态的多个薄膜晶体管(图中未示出)，衬底11上还设置有层间介质层15，以及与多个薄膜晶体管电连接的数据线和oled发光器件阳极等膜层。层间介质层15主要提供薄膜晶体管器件内部的导体区、金属之间的电绝缘以及与周围环境的隔离防护，层间介质层15的材料包括无机材料。显示区101中的有机封装层143可以通过ijp(ink jet print，喷墨打印)的方式制作形成。在非显示区102内且靠近显示区101，衬底11上设置有防溢挡墙结构13，用于防止显示区101内的有机封装层143外流溢出。在非显示区102内且远离显示区101，衬底11上设置有止裂挡墙结构12，用于防止对显示基板10进行切割或者弯折时，止裂挡墙结构12外侧(图4中止裂挡墙结构12的左边)的层间介质层15上产生的裂纹延伸至显示区101内。
54.结合图1、图4和图7所示，在通过原子沉积的方式制作封装层14的过程中，封装层14材料在被沉积膜层(本技术实施例中，止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内层间介质层15为被沉积膜层)的表面发生解离吸附和氧化再生，其中解离吸附决定着封装层14材料能否在被沉积膜层的表面沉积。解离吸附要求被沉积膜层的表面是平整的，以及被沉积膜层的表面是极性羟基化的。
55.在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内，层间介质层15的表面(即层间介质层15远离衬底11的一侧)设置有阻断吸附结构20。阻断吸附结构20使得层间介质层15的表面为不平整的表面，因此，通过原子沉积的方式制作封装层14的过程中，在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内，阻断了封装层14材料的解离吸附过程，即封装层14的材料不会吸附在被沉积膜层的表面，止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内不会形成封装层14。在对显示基板10进行切割或者弯折的过程中，由于止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内没有封装层14，也不会存在封装层14上发生裂纹、且裂纹延伸至显示区101内的情况，由此保证了封装效果，避免了显示区101内的oled发光器件等失效。
56.需要说明的是，阻断吸附结构20的形成过程可根据实际情况进行调整，只要能使得在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13区域内的膜层表面为不平整的表面，能够阻断封装
层14材料的解离吸附过程即可。例如，可以在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内的膜层上刻蚀出多个凹槽。
57.请参阅图1和图4所示，可选的，在本技术的实施例中，显示基板10包括设置在衬底11上的层间介质层15，阻断吸附结构20包括设置在层间介质层15远离衬底11一侧的多个凸起201。具体的，通过在层间介质层15表面(层间介质层15远离衬底11一侧)增加材料的方式制作形成阻断吸附结构20，和刻蚀多个凹槽的方式相比，设置多个凸起201的方式在工艺上更为容易，有利于降低显示基板10的制作成本。阻断吸附结构20的制作方式可根据实际情况进行调整，具体的，可采用喷墨打印的方式在层间介质层15的表面形成多个凸起201，以制作形成阻断吸附结构20。阻断吸附结构20的材料可以根据实际情况进行确定，当阻断吸附结构20的材料采用非极性材料(非极性材料指的是材料分子中的电荷分布是均匀对称的)时，可以进一步地阻断封装层14材料的解离吸附过程，以防止止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内沉积有封装层14，有利于避免裂纹产生，进一步有利于提高封装效果。
58.需要说明的是，当阻断吸附结构20包括多个凸起201时，多个凸起201的形状可以根据实际情况进行调整。可选的，在本技术的实施例中，如图4所示，包括设置在衬底11上的层间介质层15。阻断吸附结构20包括设置在层间介质层15远离衬底11一侧的多个凸起201，在衬底11至层间介质层15方向上，凸起201的截面形状包括圆弧形。通过使凸起201的截面形状为圆弧形，可以简化凸起201的制作工艺。凸起201的截面形状也可以是矩形、三角形、梯形等，此处不作限定。多个凸起201在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间区域内的位置可以调整，如图4所示，在第一方向上，凸起201和防溢挡墙结构13之间的距离d越小，封装层14的边缘越靠近防溢挡墙结构13，有利于避免当封装层14向止裂挡墙结构12延伸时、在显示基板10的切割或弯折过程中封装层14上产生裂纹，保证了封装效果。
59.可选的，在本技术的实施例中，在衬底11至层间介质层15方向上(即图4中第二方向)，多个凸起201的高度相同，由此可以简化阻断吸附结构20的制作工艺。多个凸起201的高度可根据实际情况进行调整，在本技术的实施例中，多个凸起201的高度小于或者等于两微米。因此，在保证了止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间、层间介质层15的表面为不平整表面的情况下，还减少了制作阻断吸附结构20的材料，且这个高度范围内的凸起201也能够起到很好的阻止封装层14沉积的作用，有利于降低显示基板10的制作成本。
60.可选的，在本技术的实施例中，阻断吸附结构20围绕显示区101设置，即在显示区101的上、下、左和右均设置阻断吸附结构20。结合图1和图4所示，通过使阻断吸附结构20围绕显示区101，即在围绕显示区101的非显示区102内都设置有阻断吸附结构20，可以使围绕显示区101的区域中(止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域)均不会沉积封装层14，最大程度上避免了裂纹延伸至显示区101内，保证了封装效果。
61.可选的，在本技术实施例中，阻断吸附结构20关于显示区101的对称轴呈对称分布设置，如图6所示，阻断吸附结构20中多个凸起的形状近似为圆形，相邻的阻断吸附结构20之间可以接触设置，也可以不接触设置，具体设置方式根据实际情况确定。阻断吸附结构20的形状也可以是矩形、椭圆形等，具体可根据实际情况进行确定。
62.在本技术的实施例中，结合图1和图4所示，防溢挡墙结构13包括沿显示区101至非显示区102方向依次分布的内挡墙131和外挡墙132；在防溢挡墙结构13至止裂挡墙结构12
方向上(图4中第一方向)，防溢挡墙结构13与止裂挡墙结构12之间的距离h1，大于外挡墙132和内挡墙131之间的距离h2。通过增大防溢挡墙结构13与止裂挡墙结构12之间的距离，相应地可以增大阻断吸附结构20所占的范围，因此可以增大没有沉积封装层14的区域范围，有利于提升显示区101边缘的封装效果。需要说明的是，在第一方向上防溢挡墙结构13与止裂挡墙结构12之间的距离h1可根据实际情况进行调整。
63.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本技术实施例提供的上述显示基板10。由于显示装置包括本技术实施例提供的上述显示基板10，因此该显示装置具有与显示基板10相同的有益效果，这里不再赘述。
64.具体地，本技术实施例中的显示装置包括手机、平板电脑等，具体可根据实际情况进行确定。
65.本技术实施例还介绍了一种显示基板10的制作方法，如图7所示，包括：
66.s101、提供一衬底，衬底包括显示区和围绕显示区的非显示区；
67.s102、在衬底一侧制作止裂挡墙结构和防溢挡墙结构，止裂挡墙结构位于非显示区内远离显示区的一端，防溢挡墙结构位于非显示区内靠近显示区的一端；
68.s103、在止裂挡墙结构和防溢挡墙结构之间制作阻断吸附结构，阻断吸附结构用于阻止封装层沉积在止裂挡墙结构和防溢挡墙结构之间，封装层通过原子沉积的方式制作形成。
69.本技术实施例的显示基板10的制作方法中，在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内、层间介质层15的表面(即层间介质层15远离衬底11的一侧)设置有阻断吸附结构20。阻断吸附结构20使得层间介质层15的表面为不平整的表面，因此，通过原子沉积的方式制作封装层14的过程中，在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内，阻断了封装层14材料的解离吸附过程，即封装层14的材料不会吸附在被沉积膜层的表面，止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内不会形成封装层14。在对显示基板10进行切割或者弯折的过程中，由于止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内没有封装层14，也不会存在封装层14上发生裂纹、且裂纹延伸至显示区101内的情况，由此保证了封装效果，避免了显示区101内的oled发光器件等失效。
70.可选的，在本技术的实施例中，在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间制作阻断吸附结构20，包括：
71.通过喷墨打印工艺在止裂挡墙结构和防溢挡墙结构之间制作阻断吸附结构。
72.下面结合附图详细介绍本技术实施例中显示基板10的制作过程。
73.如图8a所示，提供一衬底11，衬底11包括显示区和围绕显示区的非显示区，具体地，衬底11可以为柔性衬底，也可以为刚性衬底。
74.如图8b所示，接着，通过沉积工艺在衬底11的一侧制作层间介质层15，层间介质层15的材料包括无机材料。
75.如图8c所示，接着，在非显示区内远离显示区的一端，在层间介质层15远离衬底11的一侧制作止裂挡墙结构12。止裂挡墙结构12可以采用沉积工艺制作，其材料可根据实际情况进行调整。
76.如图8d所示，接着，通过构图工艺在层间介质层15远离衬底11的一侧制作第一金属走线161。
77.如图8e所示，接着，通过构图工艺在第一金属走线161远离衬底11的一侧制作第一平坦化层171，并使第一平坦化层171在第一金属走线161的边缘处形成第一凸台31。
78.如图8f所示，接着，通过构图工艺在第一金属走线161远离衬底11的一侧制作第二金属走线162。
79.如图8g所示，接着，通过构图工艺在第二金属走线162远离衬底11的一侧制作第二平坦化层172，并使第二平坦化层172在第二金属走线162的边缘处形成第二凸台32。
80.如图8h所示，接着，在第二金属走线162远离衬底11的一侧制作发光器件阳极21，并在显示区内制作阵列排布的薄膜晶体管和发光器件中的其他结构(图中未示出)。
81.如图8i所示，接着，通过构图工艺在发光器件阳极21远离衬底11的一侧制作像素界定层18，并使像素界定层18在发光器件阳极21的边缘形成第三凸台33，在非显示区102靠近显示区101的边缘形成第四凸台34。可选的，使第三凸台33和第四凸台34在第一方向上的距离，小于第三凸台33和止裂挡墙结构12在第一方向上的距离。
82.如图8j所示，接着，通过构图工艺在像素界定层18远离衬底11的一侧制作支撑柱层19，并使支撑柱层19在第三凸台33上形成第五凸台35、在第四凸台34上形成第六凸台36。第一凸台31、第二凸台32、第三凸台33和第五凸台35构成外挡墙，第四凸台34和第六凸台36构成内挡墙，内挡墙和外挡墙构成防溢挡墙结构。
83.如图8k所示，接着，在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间制作多个凸起201，以形成阻断吸附结构20，多个凸起201可以通过喷墨打印的方式制作形成。
84.如图8l所示，接着，依次制作第一无机封装层141、有机封装层143以及第二无机封装层142，以形成封装层14。第一无机封装层141和第二无机封装层142采用原子沉积的方式制作形成，第一无机封装层141和第二无机封装层142覆盖防溢挡墙结构13结构以及发光器件(图中未示出)。
85.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
86.1.本技术实施例中的显示基板10在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内、层间介质层15的表面(即层间介质层15远离衬底11的一侧)设置有阻断吸附结构20。阻断吸附结构20使得层间介质层15的表面为不平整的表面，因此，通过原子沉积的方式制作封装层14的过程中，在止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内，阻断了封装层14材料的解离吸附过程，即封装层14的材料不会吸附在被沉积膜层的表面，止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内不会形成封装层14。在对显示基板10进行切割或者弯折的过程中，由于止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内没有封装层14，也不会存在封装层14上发生裂纹、且裂纹延伸至显示区101内的情况，由此保证了封装效果，避免了显示区101内的oled发光器件等失效。
87.2.在本技术的实施例中，通过在层间介质层15表面(层间介质层15远离衬底11一侧)增加材料的方式制作形成阻断吸附结构20，和刻蚀多个凹槽的方式相比，设置多个凸起201的方式在工艺上更为容易，有利于降低显示基板10的制作成本。
88.3.在本技术的实施例中，通过使阻断吸附结构20的材料采用非极性材料(非极性材料指的是材料分子中的电荷分布是均匀对称的)，可以进一步地阻断封装层14材料的解离吸附过程，以防止止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域内沉积有封装层14，有利于避免裂纹产生，进一步有利于提高封装效果。
89.4.在本技术的实施例中，通过使阻断吸附结构20围绕显示区101，即在围绕显示区101的非显示区102内都设置有阻断吸附结构20，可以使围绕显示区101的区域中(止裂挡墙结构12和防溢挡墙结构13之间的区域)均不会沉积封装层14，最大程度上避免了裂纹延伸至显示区101内，保证了封装效果。
90.5.在本技术的实施例中，通过增大防溢挡墙结构13与止裂挡墙结构12之间的距离，相应地可以增大阻断吸附结构20所占的范围，因此可以增大没有沉积封装层14的区域范围，有利于提升显示区101边缘的封装效果。
91.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
92.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
93.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
94.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。