显示面板和制造显示面板的方法与流程

显示面板和制造显示面板的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年3月24日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0038281号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
3.一个或多个实施例的方面涉及一种显示面板及制造显示面板的方法。


背景技术：

4.近来，显示设备已被用于各种目的。另外，随着显示设备变得更薄和更轻，它们的使用范围已被扩大。
5.随着显示设备中被显示区域所占据的面积的扩大，已经增加了与显示设备结合或关联的各种功能。作为在增大面积的同时添加各种功能的方法，已经对具有用于在显示区域内添加除显示图像之外的各种功能的区域的显示设备进行了研究。
6.该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素：

7.一个或多个实施例的方面涉及一种显示面板及制造显示面板的方法，并且例如，涉及一种包括透射区域的显示面板及制造显示面板的方法。
8.在一些系统中包括透射区域的显示面板可能具有的问题在于，可能由于透射区域中的湿气渗透而出现缺陷。
9.因此，根据本公开的一些实施例可以涉及具有改善的防湿气渗透性能的显示面板和具有相对改善的工艺效率的显示面板，以及制造显示面板的方法。然而，这些问题仅仅是示例，并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
10.另外的方面将在接下来的描述中被部分地阐明，并且部分地，将通过描述而明显，或者可以通过呈现的实施例的实践来了解。
11.根据一个或多个实施例，显示面板包括：基底，包括透射区域、围绕所述透射区域的显示区域和在所述透射区域与所述显示区域之间的中间区域；发光器件，在所述显示区域中；以及凹槽，在所述中间区域中并且包括金属层的第一开口和覆盖所述金属层的无机层的第二开口，所述金属层包括顺序地堆叠的第一子层、第二子层和第三子层，其中，所述第一开口包括所述第一子层的第一子开口、所述第二子层的第二子开口和所述第三子层的第三子开口，所述第一子层的所述第一子开口、所述第二子层的所述第二子开口和所述第三子层的所述第三子开口彼此重叠，并且所述第二子层的内表面包括在比所述第一子层的内表面和所述第三子层的内表面更远离所述第一开口的中心的方向上凹进的凹部。
12.根据一些实施例，所述发光器件可以包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，并且包括在所述中间层中的至少一个公共层可以被所述
凹槽断开。
13.根据一些实施例，所述第二子层的上表面的在所述第二子开口的中心方向上的边缘可以与所述第三子层的下表面的在所述第三子开口的中心方向上的边缘吻合，并且所述第二子层的下表面的在所述第二子开口的中心方向上的边缘可以与所述第一子层的上表面的在所述第一子开口的中心方向上的边缘吻合。
14.根据一些实施例，所述第三子开口的宽度可以大于所述第一子开口的宽度。
15.根据一些实施例，所述第三子层的上表面的在所述第三子开口的中心方向上的边缘可以与所述无机层的下表面的在所述第二开口的中心方向上的边缘吻合。
16.根据一些实施例，所述显示面板还可以包括位于所述显示区域中并且电连接到所述发光器件的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的每一个可以包括顺序地堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层。
17.根据一些实施例，所述第一子层和所述第一导电层可以包括相同的材料，所述第二子层和所述第二导电层可以包括相同的材料，并且所述第三子层和所述第三导电层可以包括相同的材料。
18.根据一些实施例，所述无机层可以延伸到所述显示区域以覆盖所述源极电极和所述漏极电极。
19.根据一些实施例，所述显示面板还可以包括覆盖所述发光器件并包括至少一个无机封装层的封装层，其中，所述至少一个无机封装层可以从所述显示区域延伸到所述中间区域以连续地覆盖所述无机层的上表面、所述无机层的内表面、所述金属层的内表面和所述凹槽的底表面。
20.根据一些实施例，所述显示面板还可以包括位于所述中间区域中的分隔壁，其中，所述凹槽可以在所述分隔壁与所述显示区域之间以及所述分隔壁与所述透射区域之间中的至少一者。
21.根据一个或多个实施例，制造显示面板的方法包括：在基底的围绕透射区域的中间区域中形成凹槽，所述凹槽包括金属层的第一开口和覆盖所述金属层的无机层的第二开口，所述金属层包括顺序地堆叠的第一子层、第二子层和第三子层；以及在围绕所述中间区域的显示区域中形成发光器件，其中，所述凹槽的所述形成包括：在所述中间区域中形成包括所述第一开口的所述金属层，所述第一开口包括所述第一子层的第一子开口、所述第二子层的第二子开口和所述第三子层的第三子开口；在所述金属层上形成包括所述第二开口的所述无机层，所述第二开口暴露所述第三子层的一部分；蚀刻由所述第二开口暴露的所述第三子层；以及蚀刻所述第二子层，使得所述第二子层的内表面包括在比所述第一子层的内表面和所述第三子层的内表面更远离所述第一开口的中心的方向上凹进的凹部。
22.根据一些实施例，所述发光器件的所述形成可以包括：在所述显示区域中形成第一电极、第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中，包括在所述中间层中的至少一个公共层可以被所述凹槽断开。
23.根据一些实施例，所述第二子层的所述蚀刻可以包括：在所述第一电极的所述形成中同时(或并发地)蚀刻所述第二子层与所述第一电极。
24.根据一些实施例，所述第二子层的上表面的在所述第二子开口的中心方向上的边缘可以与所述第三子层的下表面的在所述第三子开口的中心方向上的边缘吻合，并且所述
第二子层的下表面的在所述第二子开口的中心方向上的边缘可以与所述第一子层的上表面的在所述第一子开口的中心方向上的边缘吻合。
25.根据一些实施例，所述第三子开口的宽度可以大于所述第一子开口的宽度。
26.根据一些实施例，所述第三子层的所述蚀刻可以包括：蚀刻所述第三子层使得所述第三子层的上表面的在所述第三子开口的中心方向上的边缘与所述无机层的下表面的在所述第二开口的中心方向上的边缘吻合。
27.根据一些实施例，所述发光器件的所述形成可以包括：在形成于所述显示区域中的薄膜晶体管上形成所述发光器件，其中，所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的每一个可以包括顺序地堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层。
28.根据一些实施例，在所述金属层的所述形成中，所述源极电极和所述漏极电极可以与所述金属层同时(或并发地)形成，所述第一子层和所述第一导电层可以包括相同的材料，所述第二子层和所述第二导电层可以包括相同的材料，并且所述第三子层和所述第三导电层可以包括相同的材料。
29.根据一些实施例，所述无机层可以延伸到所述显示区域以覆盖所述源极电极和所述漏极电极。
30.根据一些实施例，所述方法还可以包括：形成覆盖所述发光器件并且包括至少一个无机封装层的封装层，其中，所述至少一个无机封装层可以从所述显示区域延伸到所述中间区域以连续地覆盖所述无机层的上表面、所述无机层的内表面、所述金属层的内表面和所述凹槽的底表面。
31.除上面描述的那些方面、特征和特性之外的其他方面、特征和特性将通过下面的具体实施方式、所附权利要求和附图而变得更加明显。
32.另外，这些总体的和具体的方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的任意组合和所有组合来实现。
附图说明
33.通过下面结合附图进行的描述，特定的实施例的以上和其他方面、特征和特性将更加明显，在附图中：
34.图1是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的一部分的透视图；
35.图2是示意性地示出图1的显示设备的一部分的剖视图；
36.图3是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
37.图4是包括在根据一些实施例的显示面板中的像素的等效电路图；
38.图5是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
39.图6是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的剖视图；
40.图7是示意性地示出包括在根据一些实施例的显示面板中的凹槽的放大的剖视图；以及
41.图8至图12是顺序地示出根据一些实施例的制造显示面板的方法的剖视图。
具体实施方式
42.现在将更详细地参考在附图中示出的一些实施例的多个方面，其中，同样的附图
标记始终表示同样的元件。就这一点而言，呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅对实施例进行描述，以解释本说明书的多个方面。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任意组合和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变型。
43.本公开可以包括各种实施例和修改，并且其某些实施例在附图中示出并且将在本文中详细描述。本公开的效果和特征以及本公开的实现方法将通过下面参照附图的详细描述的实施例而变得明显。然而，根据本公开的实施例不限于下面描述的实施例并且可以以各种方式实施。
44.将理解的是，尽管在此可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制并且这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
45.如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
46.将理解的是，在此使用诸如“包括”、“包含”和“具有”的术语，说明存在所陈述的特征或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征或组件。
47.将理解的是，当层、区域或元件被称为“在”另一层、区或元件“上”时，所述层、区或元件可以“直接在”所述另一层、区或元件“上”，或者可以“间接在”所述另一层、区或元件上，并且在所述层、区或元件与所述另一层、区或元件之间存在一个或多个居间层、居间区或居间元件。
48.为了便于解释，可以夸大图中元件的尺寸。换句话说，因为图中的元件的尺寸和厚度为了便于描述而被任意地示出，所以根据本公开的实施例不限于此。
49.当可以不同地实现特定的实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
50.如在此使用的，“a和/或b”表示a、b或者a和b的情况。另外，“a和b中的至少一个”表示a、b或者a和b的情况。
51.将理解的是，当层、区或组件被称为“连接到”另一层、区或组件时，所述层、区或组件可以“直接连接到”所述另一层、区或组件，或者可以“间接连接到”所述另一层、区或组件，并且在所述层、区或组件与所述另一层、区或组件之间存在一个或多个居间层、居间区或居间组件。例如，将理解的是，当层、区或组件被称为“电连接到”另一层、区或组件时，所述层、区或组件可以“直接电连接到”所述另一层、区或组件，和/或可以“间接电连接到”所述另一层、区或组件，并且在所述层、区或组件与所述另一层、区或组件之间存在一个或多个居间层、居间区或居间组件。
52.x方向、y方向和z方向不限于直角坐标系的三个轴，而是可以以更广泛的含义来解释。例如，x方向、y方向和z方向可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。在本文中，开口的中心方向可以指在开口所在平面内经过该开口的中心的直线的延伸方向。
53.在下文中，将参照附图更详细地描述一些实施例的方面，并且在下面的描述中，同样的附图标记将表示同样的元件并且为了简洁将省略其冗余描述。
54.图1是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的一部分的透视图。
55.如图1中所示，根据一些实施例的显示设备1可以包括透射区域ta(或第一区域)和围绕透射区域ta的显示区域da(或第二区域)。多个像素可以布置在显示区域da中，并且显示区域da可以通过像素显示图像。透射区域ta可以完全被显示区域da围绕。
56.中间区域ma(或第三区域)可以提供在透射区域ta与显示区域da之间。中间区域ma可以是未布置像素的非显示区域，并且线可以布置为绕过透射区域ta。与中间区域ma一样，围绕显示区域da的外围区域pa(或第四区域)可以是未布置像素的非显示区域，并且各种类型的线路和内部电路等可以布置在外围区域pa中。
57.图1示出了透射区域ta在显示设备1的宽度方向(例如，x方向)上布置在显示区域da的中心部分处；然而，在其他实施例中，透射区域ta可以布置为在显示设备1的宽度方向上向左侧或右侧偏移。另外，透射区域ta可以布置在各种其他位置处，诸如在显示设备1的纵向方向(例如，y方向)上的上侧、中心或下侧。另外，根据一些实施例，显示区域da可以包括多个透射区域ta(在透射区域ta与显示区域da之间有中间区域ma)。
58.另外，尽管图1示出了其中显示设备1包括一个透射区域ta的情况，但是在其他实施例中，显示设备1可以包括多个透射区域ta。
59.图2是示意性地示出图1的显示设备的一部分的剖视图。图2可以对应于显示设备1的沿着图1的线i-i’截取的剖视图。
60.如图2中所示，根据一些实施例的显示设备1可以包括显示面板10和布置在显示面板10的透射区域ta中的组件70。根据一些实施例，显示面板10和组件70可以容纳在外壳hs中。在其他实施例中，可以省略外壳hs。
61.显示面板10可以包括显示元件层20、输入感测层40、光学功能层50和盖窗60。
62.显示元件层20可以包括发射光以显示图像的发光器件。根据一些实施例，发光器件可以包括包含有机材料的有机发光二极管。在其他实施例中，发光器件可以包括包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含无机半导体类材料的pn结二极管。在其他实施例中，发光器件可以包括量子点作为发射层。在下文中，为了便于描述，将主要描述其中发光器件包括有机发光二极管的情况。
63.输入感测层40可以被配置为根据外部输入(例如，触摸事件)获取坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极和连接到感测电极的信号线(迹线)。输入感测层40可以布置在显示元件层20上。输入感测层40可以被配置为通过互电容法和/或自电容法感测外部输入，但是根据本公开的实施例不限于此。
64.输入感测层40可以直接形成在显示元件层20上或者可以单独形成然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合层结合到显示元件层20。例如，输入感测层40可以在形成显示元件层20的工艺之后连续地形成。在其他实施例中，可以省略输入感测层40与显示元件层20之间的粘合层。图2示出了输入感测层40布置在显示元件层20与光学功能层50之间；然而，在其他实施例中，输入感测层40可以布置在光学功能层50上。
65.光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以被配置为减小从外部通过盖窗60朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括相位延迟器和偏振器。在其他实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示元件层20的每个发光器件所发射的光的颜色来布置滤色器。
66.为了改善透射区域ta的透射率，显示面板10可以包括面板开口10h，面板开口10h
穿透构成显示面板10的一些层。面板开口10h可以包括分别穿透显示元件层20、输入感测层40和光学功能层50的第一开口20h、第二开口40h和第三开口50h。显示元件层20的第一开口20h、输入感测层40的第二开口40h和光学功能层50的第三开口50h可以彼此重叠以形成显示面板10的面板开口10h。
67.盖窗60可以布置在光学功能层50上。盖窗60可以包括玻璃材料或塑料。例如，盖窗60可以包括超薄玻璃(utg)。
68.根据一些实施例，盖窗60可以通过诸如光学透明粘合剂oca的粘合层结合到光学功能层50(粘合层在盖窗60与光学功能层50之间)。在其他实施例中，可以省略粘合层。此外，粘合层可以布置为覆盖盖窗60的整个表面，但是不限于此。例如，如图2中所示，粘合层可以包括与面板开口10h重叠的粘合层开口oca_h。
69.透射区域ta可以是一类型的组件区域(例如，传感器区域、相机区域或扬声器区域)，用于向显示设备1添加各种功能的组件70位于该组件区域中。
70.组件70可以包括电子元件。例如，组件70可以包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括使用光的传感器(诸如红外传感器)、用于接收光以获取图像的相机、用于输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、用于输出光的微型灯或者用于输出声音的扬声器。在使用光的电子元件的情况下，电子元件可以使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光和紫外光。透射区域ta可以对应于可以通过其透射从组件70输出到外部或从外部朝向电子元件传播的光和/或声音的透射区域。
71.图3是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图。
72.如图3中所示，根据一些实施例的显示面板10可以包括透射区域ta、显示区域da、中间区域ma和外围区域pa。
73.显示面板10可以包括布置在显示区域da中的多个像素p，并且显示面板10可以通过使用从每个像素p发射的光来显示图像。根据一些实施例，每个像素p可以包括发光器件以发射红光、绿光或蓝光。每个像素p的发光器件可以电连接到扫描线sl和数据线dl。
74.用于向像素p提供扫描信号的扫描驱动器2100、用于向像素p提供数据信号的数据驱动器2200以及用于分别提供第一电源电压和第二电源电压的第一主电源线和第二主电源线可以布置在外围区域pa中。扫描驱动器2100可以布置在其间具有显示区域da的两侧中的每一侧上。在这种情况下，布置在透射区域ta的左侧上的像素p可以连接到布置在该左侧上的扫描驱动器2100，并且布置在透射区域ta的右侧上的像素p可以连接到布置在该右侧上的扫描驱动器2100。
75.中间区域ma可以围绕透射区域ta(例如，在透射区域ta的外围或在透射区域ta的覆盖区(footprint)的外部)。中间区域ma可以是其中未布置发射光的发光器件的区域，并且用于向布置在透射区域ta周围的像素p提供信号的信号线可以穿过中间区域ma。例如，数据线dl和/或扫描线sl可以与显示区域da交叉，并且数据线dl和/或扫描线sl的一部分可以沿着显示面板10的形成在透射区域ta中的面板开口10h(见图2)的边缘绕过透射区域ta。根据一些实施例，图3示出了，数据线dl在y方向上与显示区域da交叉，并且一些数据线dl在中间区域ma中绕过并部分地围绕透射区域ta。扫描线sl可以在x方向上与显示区域da交叉并且可以彼此间隔开，而且透射区域ta在彼此间隔开的扫描线sl之间。
76.图3示出了数据驱动器2200布置为与基底100的一侧相邻；然而，在其他实施例中，
数据驱动器2200可以布置在与布置在显示面板10的一侧处的焊盘电连接的印刷电路板上。印刷电路板可以是柔性的，并且柔性的印刷电路板的一部分可以弯曲以位于基底100的后表面下方。
77.图4是包括在根据一些实施例的显示面板中的像素的等效电路图。
78.如图4中所示，每个像素p的发光器件可以包括有机发光二极管oled，并且每个有机发光二极管oled可以电连接到像素电路pc。
79.像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst。
80.作为开关薄膜晶体管，第二薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl并且可以被配置为根据从扫描线sl输入的开关电压将从数据线dl输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管t1。存储电容器cst可以连接到第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl并且可以被配置为存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和供应给驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差对应的电压。
81.作为驱动薄膜晶体管，第一薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst并且可以被配置为响应于存储在存储电容器cst中的电压的值来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管oled的第二电极(例如，阴极)可以被供应有第二电源电压elvss。
82.尽管图4示出了像素电路pc包括两个薄膜晶体管t1和t2和一个存储电容器cst，根据本公开的实施例不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计进行各种修改。例如，除了上述两个薄膜晶体管t1和t2之外，像素电路pc还可以包括四个或更多个薄膜晶体管。另外，除了上述存储电容器cst之外，像素电路pc还可以包括一个或多个电容器。
83.图5是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图。
84.如图5中所示，根据一些实施例的显示面板10(见图2)可以包括显示区域da、透射区域ta以及在显示区域da与透射区域ta之间的中间区域ma。
85.参照图5，像素p可以布置在显示区域da中，并且中间区域ma可以位于透射区域ta与显示区域da之间。在平面图中，与透射区域ta相邻的像素p可以在透射区域ta周围彼此分开布置。如图5的平面图中所示，像素p可以在透射区域ta周围彼此竖直分开布置或者可以在透射区域ta周围彼此水平分开布置。如上所述，每个像素p可以包括发射红光、绿光或蓝光的发光器件，并且图5中所示的像素p的位置可以分别对应于发光器件的位置。因此，像素p在平面图中布置为在透射区域ta周围彼此分开布置的事实可以表示发光器件在平面图中在透射区域ta周围彼此分开布置。例如，在平面图中，发光器件可以在透射区域ta周围彼此竖直分开布置或者可以在透射区域ta周围彼此水平分开布置。
86.在被配置为向与每个像素p的发光器件连接的像素电路pc(见图4)供应信号的信号线之中，与透射区域ta相邻的信号线可以绕过透射区域ta。穿过显示区域da的数据线之中，一些数据线dl可以在
±
y方向上延伸以向分别布置在透射区域ta上和透射区域ta下方的像素p提供数据信号，并且可以在中间区域ma中沿着面板开口10h和/或透射区域ta的边缘绕行。在穿过显示区域da的扫描线之中，一些扫描线sl可以在
±
x方向方向上延伸以向分别布置在其之间具有透射区域ta的左侧和右侧上的像素p提供扫描信号，并且可以在中间
区域ma中沿着面板开口10h和/或透射区域ta的边缘绕行。
87.就这一点而言，尽管图5示出了扫描线sl在中间区域ma中绕过透射区域ta，但是根据本公开的实施例不限于此。在其他实施例中，扫描线sl可以在透射区域ta周围分开或断开，在透射区域ta周围布置在左侧上的扫描线sl可以从在显示区域da周围布置在左侧的扫描驱动器2100(见图3)接收信号，并且在透射区域ta周围布置在右侧上的扫描线sl可以从在显示区域da周围与扫描驱动器2100相对布置的附加扫描驱动器接收信号。
88.至少一个凹槽g可以布置在中间区域ma中。凹槽g可以防止或减少发光器件由于湿气通过透射区域ta的流入而被损坏的情况。例如，凹槽g可以通过使形成在基底100(见图3)上的层之中的可能成为湿气的移动路径的层断开(或分开)来防止或减少湿气渗透到显示区域da中。例如，凹槽g可以使下面描述的第二电极223(见图6)和/或包括在中间层222(见图6)中的至少一些公共层断开(或分开)。
89.凹槽g可以布置为在平面图中完全围绕透射区域ta。例如，凹槽g可以在中间区域ma中以环形形状布置。另外，当布置有多个凹槽g时，凹槽g可以彼此间隔开。尽管图5示出了布置了两个凹槽g的情况，但是根据本公开的实施例不限于此，显示设备可以包括一个凹槽g或者可以包括三个或更多个凹槽g。
90.图6是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的剖视图。图6可以对应于显示面板10(见图2)的沿图5的线ii-ii’截取的剖视图。
91.如图6中所示，根据一些实施例的显示面板10(见图2)可以包括显示元件层20和位于显示元件层20上的输入感测层40。此外，根据一些实施例，上面参照图2描述的光学功能层50和/或盖窗60可以进一步布置在输入感测层40上。显示面板10的显示元件层20可以包括基底100、位于基底100上的显示层200和位于显示层200上的封装层300。显示面板10可以包括对应于透射区域ta的面板开口10h。面板开口10h可以形成为穿透基底100、显示层200和封装层300。
92.基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当基底100是柔性的或可弯曲的时候，例如，基底100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素的聚合物树脂。然而，基底100可以被各种修改，诸如包括多层结构，所述多层结构包括包含聚合物树脂的两个层以及布置在所述两个层之间且包含无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的阻挡层。
93.缓冲层201可以位于基底100上。缓冲层201可以用于提升基底100的上表面的平滑度，或者防止、减少或最少化杂质或湿气从基底100的外部渗透到显示层200中。缓冲层201可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料并且可以形成为单层或多层。
94.在显示区域da中，包括在每个像素p(见图5)中的像素电路pc和电连接到像素电路pc的发光器件(例如，有机发光二极管oled)可以布置在基底100上。
95.像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅极电极ge、源极电极se和漏极电极de。
96.半导体层act可以包括沟道区域以及布置在沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域。半导体层act可以包括多晶硅。可选地，半导体层act可以包括非晶硅，可以包括氧化物半导体，或者可以包括有机半导体等。
97.栅极电极ge可以布置为与半导体层act的沟道区域重叠。栅极电极ge可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料并且可以包括包含上述材料的单层结构或多层结构。例如，栅极电极ge可以包括mo层和/或al层，或者可以具有mo层/al层/mo层的三层结构。
98.栅极绝缘层203可以布置在半导体层act与栅极电极ge之间。栅极绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
99.源极电极se和漏极电极de可以布置在绝缘层上，该绝缘层布置在栅极电极ge上。根据一些实施例，源极电极se和漏极电极de可以布置在覆盖存储电容器cst的上电极ce2的第二层间绝缘层207上。源极电极se和漏极电极de可以通过接触孔连接到半导体层act的源极区域或漏极区域。源极电极se和漏极电极de可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的各种导电材料并且可以具有各种层结构。例如，源极电极se和漏极电极de可以包括ti层和/或al层，或者可以具有ti层/al层/ti层的三层结构。具体地，源极电极se和漏极电极de中的每一个可以包括顺序地堆叠的第一导电层e1、第二导电层e2和第三导电层e3。这里，第一导电层e1可以包括钛(ti)，第二导电层e2可以包括铝(al)，并且第三导电层e3可以包括钛(ti)。
100.此外，参照图6，数据线dl可以与源极电极se和漏极电极de布置在同一层上并且可以与源极电极se和漏极电极de包括相同的材料。在其他实施例中，与图6中不同，数据线dl可以与接触金属层cm布置在同一层上并且可以与接触金属层cm包括相同的材料。
101.源极电极se、漏极电极de和/或数据线dl可以被无机层208覆盖。无机层208可以从显示区域da延伸到中间区域ma。无机层208可以包括构成布置在中间区域ma中的凹槽g的一部分的开口。无机层208可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
102.存储电容器cst可以包括彼此重叠的下电极ce1和上电极ce2，第一层间绝缘层205在下电极ce1与上电极ce2之间。存储电容器cst可以与薄膜晶体管tft重叠。就这一点而言，图6示出了薄膜晶体管tft的栅极电极ge是存储电容器cst的下电极ce1。在其他实施例中，存储电容器cst可以不与薄膜晶体管tft重叠。存储电容器cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器cst的上电极ce2可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
103.第一层间绝缘层205和/或第二层间绝缘层207可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含上述材料的单层结构或多层结构。
104.包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst的像素电路pc可以被第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可以包括基本上平坦的上表面。
105.像素电路pc可以电连接到第一电极221(例如，阳极)。例如，如图6中所示，接触金属层cm可以布置在薄膜晶体管tft与第一电极221之间。接触金属层cm可以通过形成在第一有机绝缘层209和无机层208中的接触孔连接到薄膜晶体管tft，并且第一电极221可以通过形成在接触金属层cm上的第二有机绝缘层211中的接触孔连接到接触金属层cm。接触金属层cm可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料并且可以包括包含上述
材料的单层或多层。
106.第一有机绝缘层209和/或第二有机绝缘层211可以包括有机绝缘材料，诸如，以聚苯乙烯(ps)或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)为例的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。根据一些实施例，第一有机绝缘层209和/或第二有机绝缘层211可以包括聚酰亚胺。
107.第一电极221可以形成在第二有机绝缘层211上。第一电极221可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)的导电氧化物。另外，第一电极221可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的任意化合物的反射层。根据一些实施例，第一电极221可以包括顺序地堆叠的ito层/ag层/ito层的三层结构。
108.像素限定层215可以形成在第一电极221上。像素限定层215可以包括暴露第一电极221的上表面的开口并且可以覆盖第一电极221的边缘。像素限定层215可以包括有机绝缘材料。可选地，像素限定层215可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料。可选地，像素限定层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
109.中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括布置在发射层222b下方的第一公共层222a和/或布置在发射层222b上的第二公共层222c。发射层222b可以包括用于发射特定颜色的光的高分子量或低分子量有机材料。
110.第一公共层222a可以包括单层或多层。例如，当第一公共层222a由高分子量材料形成时，第一公共层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(htl)并且可以由聚(3，4)-乙烯-二羟基噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)形成。当第一公共层222a由低分子量材料形成时，第一公共层222a可以包括空穴注入层(hil)和/或htl。
111.第二公共层222c可以是可选择的。例如，当第一公共层222a和发射层222b由高分子量材料形成时，可以形成第二公共层222c。第二公共层222c可以包括单层或多层。第二公共层222c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
112.中间层222的发射层222b可以针对显示区域da中的每个像素p(见图5)布置。可以对发射层222b进行图案化以对应于第一电极221。与发射层222b不同，中间层222的第一公共层222a和/或第二公共层222c可以不仅位于显示区域da中而且位于中间区域ma中，并且可以一体地形成在基底100上。
113.第二电极223(例如，阴极)可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，第二电极223可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金的(半)透明层。可选地，第二电极223可以在包含上述材料的(半)透明层上进一步包括诸如ito、izo、zno或in2o3的层。第二电极223可以一体地形成在中间区域ma上以及显示区域da上。第一公共层222a、第二公共层222c和第二电极223可以通过热沉积形成。
114.根据一些实施例，盖层可以布置在第二电极223上。盖层可以包括氟化锂(lif)并且可以通过热沉积形成。
115.第二电极223和/或包括在中间层222中的公共层222a和222c可以从显示区域da延伸到中间区域ma。即，中间层222和/或第二电极223可以布置在显示区域da和中间区域ma的
整个表面上。公共层222a和222c和第二电极223中的至少一些可以被布置在中间区域ma中的凹槽g断开(或分开)。这将在下面详细描述。
116.间隔件217可以形成在像素限定层215上。间隔件217可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可选地，间隔件217可以包括无机绝缘材料或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
117.间隔件217可以与像素限定层215包括不同的材料或者间隔件217可以与像素限定层215包括相同的材料。根据一些实施例，像素限定层215和间隔件217可以包括聚酰亚胺。像素限定层215和间隔件217可以在使用半色调掩模的掩模工艺中一起形成。
118.有机发光二极管oled可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。根据一些实施例，图6示出了封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及布置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
119.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或更多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括包含上述材料的单层或多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。根据一些实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
120.参照图6的中间区域ma，分隔壁pw可以位于中间区域ma中。分隔壁pw可以包括顺序地堆叠的多个分隔壁层。根据一些实施例，如图6中所示，分隔壁pw可以包括第一分隔壁层pw1、第二分隔壁层pw2和第三分隔壁层pw3。第一分隔壁层pw1与第一有机绝缘层209可以包括相同的材料，可以具有相同的层结构并且可以在相同的工艺中一起形成，第二分隔壁层pw2与第二有机绝缘层211可以包括相同的材料，可以具有相同的层结构并且可以在相同的工艺中一起形成，并且第三分隔壁层pw3与像素限定层215和/或间隔件217可以包括相同的材料，可以具有相同的层结构并且可以在相同的工艺中一起形成。
121.分隔壁pw可以与凹槽g分开布置。另外，在平面图中，与凹槽g一样，分隔壁pw可以完全围绕透射区域ta。
122.一个或多个凹槽g可以布置在中间区域ma中。凹槽g可以布置在中间区域ma中并且可以包括金属层ml(金属层ml包括顺序地堆叠的第一子层sml1、第二子层sml2和第三子层sml3)的第一开口op1(见图7)和覆盖金属层ml的无机层208的第二开口op2(见图7)。下面将参照图7详细描述凹槽g的详细结构。
123.此外，尽管图6示出了其中金属层ml位于第二层间绝缘层207上的情况，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，金属层ml可以位于基底100上，可以位于缓冲层201上，可以位于栅极绝缘层203上，或者可以位于第一层间绝缘层205上。
124.根据一些实施例，在中间区域ma中，凹槽g可以布置在分隔壁pw与显示区域da之间和/或分隔壁pw与透射区域ta之间。就这一点而言，尽管图6示出了凹槽g布置在分隔壁pw与显示区域da之间以及分隔壁pw与透射区域ta之间，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，凹槽g可以仅布置在分隔壁pw与显示区域da之间或者可以仅布置在分隔壁pw与透射区域ta之间。
125.另外，布置在中间区域ma中的凹槽g的数量没有限制。就这一点而言，尽管图6示出
了，在分隔壁pw与显示区域da之间以及在分隔壁pw与透射区域ta之间中的每一者布置了一个凹槽g，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，在分隔壁pw与显示区域da之间和/或在分隔壁pw与透射区域ta之间可以布置两个或更多个凹槽g。
126.包括在中间层222中的公共层和第二电极223中的至少一些可以被布置在中间区域ma中的凹槽g断开(或分开)。例如，第一公共层222a、第二公共层222c和/或第二电极223可以被凹槽g断开。
127.封装层300也可以位于中间区域ma中。相比上述的第一公共层222a、第二公共层222c、第二电极223和/或盖层，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有更好的台阶覆盖(step coverage)。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以如图6中所示连续地形成。例如，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以沿着凹槽g的形状连续且完全地覆盖凹槽g的内表面和/或底表面。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积形成。
128.输入感测层40可以位于显示元件层20上。
129.输入感测层40可以包括顺序地堆叠的第一绝缘层410、第二绝缘层420、第三绝缘层440和第四绝缘层460。另外，输入感测层40可以包括在第二绝缘层420与第三绝缘层440之间的第一导电层430和在第三绝缘层440与第四绝缘层460之间的第二导电层450。第一导电层430和/或第二导电层450可以包括用于感测触摸输入的触摸电极和连接到触摸电极的迹线。
130.第一绝缘层410、第二绝缘层420、第三绝缘层440和第四绝缘层460可以一体地形成以位于显示区域da和中间区域ma中。第一绝缘层410、第二绝缘层420和第三绝缘层440可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且第四绝缘层460可以包括有机绝缘材料。例如，第四绝缘层460的有机绝缘材料可以包括光刻胶(负性或正性)或者可以包括聚合物类有机材料等。
131.第一导电层430和/或第二导电层450可以包括金属或透明导电氧化物(tco)。在一些实施例中，第一导电层430和/或第二导电层450可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料。
132.平坦化层415可以包括有机绝缘层。平坦化层415可以包括聚合物类材料。例如，平坦化层415可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。平坦化层415可以与有机封装层320包括不同的材料。
133.有机封装层320可以位于分隔壁pw的一侧上，并且中间区域ma的未被有机封装层320覆盖的区域可以被平坦化层415覆盖。有机封装层320的一部分可以与平坦化层415重叠。因为平坦化层415位于中间区域ma中的未被有机封装层320覆盖的区域中，所以可以提升面板开口10h周围的显示面板10(见图2)的平坦度。因此，可以防止或减少诸如显示面板10上的输入感测层40和/或光学功能层50(见图2)的层离的问题。
134.平坦化层415可以在中间区域ma中布置在第二无机封装层330、第一绝缘层410、第二绝缘层420、第三绝缘层440和第四绝缘层460之中的任意两个绝缘层之间。根据一些实施例，如图6中所示，平坦化层415可以在中间区域ma中布置在第一绝缘层410与第二绝缘层420之间。在这种情况下，第二无机封装层330和第一绝缘层410可以布置在彼此重叠的有机封装层320与平坦化层415之间。在其他实施例中，平坦化层415可以在中间区域ma中布置在
第三绝缘层440与第四绝缘层460之间。在这种情况下，第一绝缘层410、第二绝缘层420和第三绝缘层440可以覆盖封装层300(封装层300覆盖凹槽g)的上表面。
135.图7是示意性地示出包括在根据一些实施例的显示面板中的凹槽的放大的剖视图。图7可以对应于示出图6的区a的放大的剖视图。
136.如图7中所示，包括在根据一些实施例的显示面板10(见图2)中的凹槽g可以包括金属层ml的第一开口op1和覆盖金属层ml的无机层208的第二开口op2。
137.金属层ml可以具有其中顺序地堆叠第一子层sml1、第二子层sml2和第三子层sml3的三层结构。另外，第一子层sml1、第二子层sml2和第三子层sml3中的每一个可以包括形成金属层ml的第一开口op1的开口。具体地，第一子层sml1可以包括第一子开口op1-1，第二子层sml2可以包括与第一子开口op1-1重叠的第二子开口op1-2，并且第三子层sml3可以包括与第一子开口op1-1和第二子开口op1-2重叠的第三子开口op1-3。即，金属层ml的第一开口op1可以包括彼此重叠的第一子层sml1的第一子开口op1-1、第二子层sml2的第二子开口op1-2和第三子层sml3的第三子开口op1-3。
138.根据一些实施例，金属层ml与上述源极电极se(见图6)和漏极电极de(见图6)可以具有相同的层结构，可以包括相同的材料，并且可以在相同的工艺中一起形成。具体地，金属层ml可以包括顺序地堆叠的第一子层sml1、第二子层sml2和第三子层sml3，并且源极电极se和漏极电极de可以包括第一导电层e1、第二导电层e2和第三导电层e3。例如，第一子层sml1和第一导电层e1包括钛(ti)，第二子层sml2和第二导电层e2包括铝(al)，并且第三子层sml3和第三导电层e3可以包括钛(ti)。
139.每一个凹槽g可以具有能够使覆盖凹槽g的第二电极223和/或包括在中间层222中的覆盖凹槽g的公共层222a和222c断开的形状。具体地，其中形成凹槽g的第一开口op1的金属层ml可以包括在第一开口op1的内表面上的凹部(或底切结构)，并且其中形成凹槽g的第二开口op2的无机层208可以包括布置在凹槽g的两侧上的一对尖端。覆盖凹槽g的第二电极223和/或包括在中间层222中的覆盖凹槽g的公共层222a和222c可以被金属层ml的凹部(或底切结构)或无机层208的尖端断开。
140.金属层ml的凹部(或底切结构)可以形成在第二子层sml2中。第二子层sml2的在第二子开口op1-2的中心方向上的内表面可以包括在比第一子层sml1的在第一子开口op1-1的中心方向上的内表面和第三子层sml3的在第三子开口op1-3的中心方向上的内表面更远离第一开口op1的中心的方向上凹进的凹部。即，在垂直于基底100(见图6)的方向上的视图中，第二子开口op1-2的区域可以从第二子层sml2的上表面朝着第二子层sml2的中心增大，并且可以从第二子层sml2的中心朝着第二子层sml2的下表面减小。
141.根据一些实施例，第二子层sml2的上表面的在第二子开口op1-2的中心方向上的边缘可以与第三子层sml3的下表面的在第三子开口op1-3的中心方向上的边缘吻合。另外，第二子层sml2的下表面的在第二子开口op1-2的中心方向上的边缘可以与第一子层sml1的上表面的在第一子开口op1-1的中心方向上的边缘吻合。
142.另外，在垂直于基底100(见图6)的方向上的视图中，第三子层sml3的第三子开口op1-3的面积可以大于第一子层sml1的第一子开口op1-1的面积。即，第三子开口op1-3的宽度w2可以大于第一子层sml1的第一子开口op1-1的宽度w1。这里，“开口的宽度”可以指其中形成有开口的层的下表面的内边缘之间的距离。
143.根据一些实施例，第三子层sml3的上表面的在第三子开口op1-3的中心方向上的边缘可以与无机层208的在第二开口op2的中心方向上的边缘吻合。另外，第三子层sml3的在第三子开口op1-3的中心方向上的内表面相对于无机层208的在第二开口op2的中心方向上的内表面可以没有台阶差。
144.具有以上结构的凹槽g可以在形成中间层222(见图6)和第二电极223的工艺之前形成。在形成于基底100(见图6)上的层之中，包括有机材料的层可能成为湿气传播路径。例如，从透射区域ta(见图6)流入的湿气可能通过形成在基底100上的有机材料层在平行于基底100的上表面的方向上渗透到显示区域da中。根据实施例，有机材料层(例如，第一公共层222a和/或第二公共层222c)可以被凹槽g断开或分开。第一公共层222a和/或第二公共层222c可以通过热沉积形成，并且当沉积第一公共层222a和/或第二公共层222c时，第一公共层222a和/或第二公共层222c可以通过被凹槽g断开而不连续地形成。类似地，第二电极223和/或盖层也可以通过热沉积形成并且可以通过被凹槽g断开而不连续地形成。
145.此外，具有相对优异的台阶覆盖的第一无机封装层310、第二无机封装层330(见图6)和第一绝缘层410(见图6)可以沿着凹槽g的形状连续地形成，而不被凹槽g断开。具体地，第一无机封装层310、第二无机封装层330和第一绝缘层410可以从显示区域da(见图6)延伸到中间区域ma并且可以连续地覆盖无机层208的上表面、无机层208的内表面、金属层ml的内表面和凹槽g的底表面。
146.图8至图12是顺序地示出根据一些实施例的制造显示面板的方法的剖视图。为了方便，图8至图12可以对应于示出其中布置凹槽g(见图6)的区的放大视图，并且至少一些配置可以与图8至图12中示出的配置一起形成。
147.根据一些实施例的制造显示面板10(见图2)的方法可以包括形成凹槽g和形成发光器件。
148.另外，凹槽g(见图6)的形成可以包括：在基底100(见图6)的中间区域ma(见图6)中形成包括第一开口op1的金属层ml，在金属层ml上形成包括暴露第三子层sml3的一部分的第二开口op2的无机层208，蚀刻由第二开口op2暴露的第三子层sml3，以及蚀刻第二子层sml2以使得第二子层sml2可以包括凹部。
149.另外，发光器件的形成可以包括：在围绕中间区域ma(见图6)的显示区域da(见图6)中形成第一电极221(见图6)、第二电极223以及在第一电极221与第二电极223之间的中间层222(见图6)。
150.首先，如图8中所示，可以在围绕基底100(见图6)的透射区域ta(见图6)的中间区域ma(见图6)中形成包括顺序地堆叠的第一子层sml1、第二子层sml2和第三子层sml3的金属层ml，并且可以对应于其中将布置凹槽g(见图12)的部分形成第一开口op1。这里，第一开口op1可以包括彼此重叠的第一子层sml1的第一子开口op1-1、第二子层sml2的第二子开口op1-2和第三子层sml3的第三子开口op1-3。
151.此外，根据一些实施例，可以在形成金属层ml的工艺中在显示区域da(见图6)中同时(或并发地)形成源极电极se(见图6)和漏极电极de(见图6)。在这种情况下，金属层ml、源极电极se和漏极电极de可以具有相同的层结构并且可以包括相同的材料。例如，金属层ml可以包括顺序地堆叠的第一子层sml1、第二子层sml2和第三子层sml3，并且源极电极se和漏极电极de中的每一个可以包括第一导电层e1(见图6)、第二导电层e2(见图6)和第三导电
层e3(见图6)。在这种情况下，第一子层sml1和第一导电层e1包括钛(ti)，第二子层sml2和第二导电层e2包括铝(al)，并且第三子层sml3和第三导电层e3可以包括钛(ti)。
152.随后，如图9中所示，可以形成覆盖金属层ml的至少一部分的无机层208。无机层208可以覆盖金属层ml的侧表面和金属层ml的上表面的一部分。无机层208可以包括暴露金属层ml的上表面(即，第三子层sml3的上表面)的一部分的第二开口op2。第二开口op2可以与第一开口op1重叠。
153.此外，根据一些实施例，无机层208可以形成为延伸到显示区域da(见图6)以覆盖源极电极se(见图6)和漏极电极de(见图6)。
154.随后，如图10中所示，可以蚀刻由第二开口op2暴露的第三子层sml3。
155.可以与在形成无机层208之后执行的任何一个后续工艺同时(或并发地)执行蚀刻第三子层sml3的一部分的工艺。例如，可以通过在蚀刻上面描述的接触金属层cm(见图6)的工艺中暴露于蚀刻剂，来蚀刻由第二开口op2暴露的第三子层sml3。即，可以在一个工艺中同时(或并发地)蚀刻第三子层sml3和接触金属层cm。
156.此外，第三子层sml3的未被第二开口op2暴露并且被无机层208覆盖的部分可以通过因被无机层208掩蔽而不暴露于蚀刻剂而被保留。即，在蚀刻第三子层sml3的一部分的工艺中，无机层208可以用作掩模。
157.因为无机层208用作掩模，所以金属层ml和无机层208可以彼此对准。另外，无机层208可以包括与金属层ml的上表面的边缘对准的一对尖端。无机层208的一对尖端可以使得在通过蚀刻第二子层sml2形成凹部(或底切结构)的后续工艺中更明显地形成凹部(或底切结构)。此外，因为该工艺与对接触金属层cm进行图案化的工艺同时(或并发地)执行，所以可以不需要执行用于金属层ml和无机层208的对准的单独的工艺，并且因此可以提高工艺效率。
158.根据一些实施例，第三子层sml3的上表面的在第三子开口op1-3的中心方向上的边缘可以形成为与无机层208的在第二开口op2的中心方向上的边缘吻合。第三子层sml3的在开口op1-3的中心方向上的内表面相对于无机层208的在第二开口op2的中心方向上的内表面可以没有台阶差。
159.此外，参照图10，在该工艺中，也可以蚀刻位于第三子层sml3下方的第二子层sml2的内表面的一部分。
160.随后，如图11中所示，可以蚀刻第二子层sml2，使得第二子层sml2的内表面可以包括在比第一子层sml1的内表面和第三子层sml3的内表面更远离第一开口op1的中心的方向上凹进的凹部。
161.可以与在上述蚀刻第三子层sml3的一部分的工艺之后执行的任何一个后续工艺同时(或并发地)执行蚀刻第二子层sml2的内表面的工艺。例如，可以通过在蚀刻上面描述的发光器件的第一电极221(见图6)的工艺中暴露于蚀刻剂，来蚀刻第二子层sml2的内表面。即，第二子层sml2可以在一个工艺中与第一电极221同时(或并发地)被蚀刻。
162.此外，与第二子层sml2不同，第一子层sml1和第三子层sml3可以由于第一子层sml1和第三子层sml3的蚀刻速率差异导致未被蚀刻而被保留。以此目的，第二子层sml2可以与第一子层sml1和第三子层sml3包括不同的材料。例如，第二子层sml2可以包括具有相对高的蚀刻速率的铝(al)，并且第一子层sml1和第三子层sml3可以包括具有相对低的蚀刻
速率的钛(ti)。
163.这样，因为第二子层sml2通过在对第一电极221(见图6)进行图案化的工艺中与第一电极221同时(或并发地)被蚀刻而具有凹形形状，所以可以不需要执行用于形成凹槽g的凹部(底切结构)的单独的工艺，并且因此可以提高工艺效率。
164.根据一些实施例，第二子层sml2的上表面的在第二子开口op1-2的中心方向上的边缘可以与第三子层sml3的下表面的在第三子开口op1-3的中心方向上的边缘吻合。另外，第二子层sml2的下表面的在第二子开口op1-2的中心方向上的边缘可以与第一子层sml1的上表面的在第一子开口op1-1的中心方向上的边缘吻合。
165.另外，在垂直于基底100(见图6)的方向上的视图中，第三子层sml3的第三子开口op1-3的面积可以大于第一子层sml1的第一子开口op1-1的面积。即，第三子开口op1-3的宽度w2可以大于第一子层sml1的第一子开口op1-1的宽度w1。这里，“开口的宽度”可以指其中形成有开口的层的下表面的内边缘之间的距离。
166.随后，如图12中所示，可以顺序地形成中间层222(见图6)、第二电极223和封装层300(见图6)。中间层222可以包括第一公共层222a和/或第二公共层222c，并且封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
167.第一公共层222a和/或第二公共层222c可以通过热沉积形成，并且当沉积第一公共层222a和/或第二公共层222c时，第一公共层222a和/或第二公共层222c可以通过被凹槽g断开而不连续地形成。类似地，第二电极223和/或盖层也可以通过热沉积形成，并且可以通过被凹槽g断开而不连续地形成。
168.此外，具有相对优异的台阶覆盖的第一无机封装层310和第二无机封装层330(见图6)可以沿着凹槽g的形状连续地形成，而不被凹槽g断开。特别地，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以形成为从显示区域da(见图6)延伸到中间区域ma(见图6)并且连续地覆盖无机层208的上表面、无机层208的内表面、金属层ml的内表面和凹槽g的底表面。
169.随后，根据一些实施例，所述方法还可以包括在封装层300(见图6)上形成如图2中所示的上述输入感测层40、光学功能层50和/或盖窗60。
170.如上所述，根据一些实施例，可以实现制造具有相对改善的防湿气渗透性能的显示面板和具有改善的工艺效率的显示面板的方法。然而，根据本公开的实施例的范围不限于这些效果。
171.应当理解的是，这里所描述的实施例应当仅以描述的意义来考虑而不出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应当被考虑为可用于其他实施例中的其他类似的特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围以及其等同物的情况下，在此可以做出形式上和细节上的各种改变。