一种显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organiclight-emitting diode，简称oled)主要有可自主发光，可设置柔性屏，发光效率高，响应时间快等优点。随着屏幕生产技术的进步，oled屏幕设计为了追求更高的屏占比以及电子元器件的更高集成度，具有显示功能的屏下摄像技术和屏下指纹技术等屏下技术成为强诉求。
3.例如，具备显示功能的屏下摄像技术是使环境光线透过屏幕膜层到达底层被摄像头捕捉到进行成像，这种技术要求oled器件的膜层材料具有比较高的透过率。coe(color filter on encapsulation)在fdc(full display with camera)上的应用对比偏光片而言具有更好的优势。
4.然而，由于黑矩阵(black matrix，bm)、彩膜层(color filter，cf)及电极层的遮挡，基于coe的oled的透光率非常低，无法满足屏下技术对透过率的要求。


技术实现要素：

5.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，可以实现屏下技术。
6.第一方面，本技术提供了一种显示基板，包括：
7.衬底基板，所述衬底基板包括预设区和显示区；
8.显示层，所述显示层设在所述衬底基板的一侧，包括位于所述显示区的第一子像素和位于所述预设区的第二子像素；
9.第一黑矩阵，所述第一黑矩阵设在所述显示层背离所述衬底基板一侧的所述显示区内，所述第一黑矩阵包括与所述第一子像素对应的多个第一开口；
10.定型层，所述定型层至少部分位于所述预设区内，所述定型层包括多个透光部以及与所述第二子像素对应的多个第二开口；
11.彩膜层，所述彩膜层设在所述显示层背离所述衬底基板的一侧；所述彩膜层包括位于所述显示区和所述预设区的多个彩色滤光片，所述彩色滤光片与所述第一开口和所述第二开口的位置对应。
12.可选地，所述定型层与所述第一黑矩阵同层设置。
13.可选地，单位面积内所述定型层与所述第一黑矩阵的覆盖面积基本相等。
14.可选地，在所述定型层的覆盖区域内，所述定型层上设置有贯穿所述定型层上表面和所述定型层下表面的凹槽。
15.可选地，所述定型层包括第二黑矩阵，所述定型层包括用于形成所述第二开口的多个定型部，所述定型部包括所述透光部形成的透光部和所述第二黑矩阵形成的第二遮光部。
16.可选地，所述第一黑矩阵包括用于形成所述第一开口的第一遮光部，所述第一遮光部的宽度大于所述第二遮光部的第二宽度。
17.可选地，在显示区和预设区分界处包括第三遮光部，所述第三遮光部的宽度小于所述显示区内第一遮光部宽度；和/或，所述第三遮光部的宽度大于所述预设区内第二遮光部的宽度。
18.可选地，所述透光部位于第二遮光部的至少一侧；或所述透光部围绕所述第二遮光部设置；或者，至少部分所述透光部与所述第二遮光部存在交叠。
19.可选地，所述定型层的透过率不小于95％。
20.可选地，在预设区中包括触控走线或触控电极，所述第二黑矩阵至少部分与所述触控走线或触控电极存在交叠。
21.可选地，所述第一子像素在所述显示区的像素密度大于所述第二子像素在所述预设区的像素密度。
22.可选地，所述定型层的膜层厚度与所述第一黑矩阵的膜层厚度相同。
23.第二方面，本技术提供了一种显示基板的制备方法，用于制备如以上任一所述的显示基板，所述方法包括：
24.提供衬底基板；
25.在所述衬底基板上形成显示层；
26.在所述显示层上形成第一黑矩阵层，图案化形成多个第一开口；
27.在所述显示层上形成定型层，图案化形成多个透光部以及第二开口；
28.在所述第一黑矩阵层和所述定型层上形成彩膜层，图案化形成多个彩色滤光片，所述彩色滤光片与所述第一开口和所述第二开口的位置对应。
29.第三方面，本技术提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的显示基板。
30.本技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
31.本技术实施例提供的显示基板，通过定型层与第一黑矩阵在单位面积上的覆盖面积基本相等，使得定型层填补显示区和预设区中对于黑矩阵位置的面积差，防止彩膜基板上层的覆盖层的偏斜以及防止色偏现象，通过定型层采用透明材料，可以实现高透过率，实现屏下技术。
附图说明
32.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
33.图1为本技术的实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
34.图2为本技术的实施例提供的一种显示基板的平面图；
35.图3为本技术的实施例提供的一种彩膜基板厚度不一致的示意图；
36.图4为本技术的实施例提供的另一种彩膜基板厚度不一致的示意图；
37.图5-9为本技术的实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
38.图10为本技术的实施例提供的多种显示基板的效果对比示意图；
39.图11为本技术的实施例提供的一种显示基板制备方法的流程示意图。
具体实施方式
40.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
41.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
42.请详见图1-2，本技术提供了一种显示基板，包括：
43.衬底基板10，所述衬底基板10包括预设区dd和显示区aa；
44.显示层20，所述显示层20设在所述衬底基板10的一侧，包括位于所述显示区aa的第一子像素1和位于所述预设区dd的第二子像素2；其中，所述第二子像素可以为实体发光单元还可以包括至少部分虚拟发光单元。
45.第一黑矩阵50，所述第一黑矩阵50设在所述显示层20背离所述衬底基板10一侧的所述显示区aa内，所述第一黑矩阵50包括与所述第一子像素1对应的多个第一开口。
46.定型层60，所述定型层60至少部分位于所述预设区dd内，所述定型层60包括多个透光部80以及与所述第二子像素2对应的多个第二开口。彩膜层30，所述彩膜层30设在所述显示层20背离所述衬底基板10的一侧；所述彩膜层30包括位于显示区aa的位于所述显示区aa和所述预设区dd的多个彩色滤光片70；所述彩色滤光片70与所述第一开口和所述第二开口的位置对应。
47.在本技术实施例中，所述定型层60与所述第一黑矩阵50同层设置，单位面积内所述定型层60与所述第一黑矩阵50的覆盖面积基本相等。在不同实施例中，根据预设区的位置或者应用器件以及应用场景的不同，可以进行不同的设置。
48.需要说明的是，在本技术实施例中所述的“覆盖面积”是指第一黑矩阵50或者定型层60上用以形成像素开口的实体面积。
49.通过研究发现，为了提高摄像区的透过率，可以采用的是减少摄像区的发光面积或者降低bm的遮挡面积的方式，然而，这样的方式会导致coe工艺时彩膜的涂覆很难实现厚度一致性，使得工艺上彩膜厚度不可控。图3中示出了一种在摄像区不设置bm导致彩膜基板厚度一致性的示意图，图4中示出了一种在摄像区减少bm的覆盖面积导致彩膜基板厚度一致性的示意图。
50.另外，由于显示面板在彩膜层的上方还需设置用于平坦以及保护作用的覆盖层，由于彩膜层厚度不一致会导致有机材料的覆盖层在显示区和摄像区的厚度不一致或者覆盖层在两者区域倾斜等情况，即，显示区的厚度较高而摄像区的厚度较低，在显示时会导致两区域的亮度衰减程度不一致，当用户的观看角度变化时，显示屏的亮度、对比度等会发生变化，出现色偏现象；另外，反射率增加会导致显示区与摄像区的分界感明显。
51.通过定型层与第一黑矩阵在单位面积上的覆盖面积基本相等，使得定型层填补显示区和预设区中对于黑矩阵位置的面积差，防止彩膜基板上层的覆盖层的偏斜以及防止色偏现象，通过定型层采用透明材料，可以实现高透过率，实现屏下技术。
52.在本技术实施例中，并不限制定型层60和第一黑矩阵50的布置方式，可以采用定型层60和第一黑矩阵50的布置方式相同，即，所述第二开口的宽度w2与所述第一开口的宽度w1相等；相邻所述第二开口之间的间距l2与相邻所述第一开口之间的间距l1相等。
53.还可以采用的定型层60和第一黑矩阵50的布置方式略有差异，所述第二开口的宽度w2小于所述第一开口的宽度w1；相邻所述第二开口之间的间距l2大于相邻所述第一开口之间的间距l1。只要在定型层60在第二开口之间的实体覆盖面积和第一黑矩阵50在第一开口之间的实体覆盖面积近似接近即可。
54.需要说明的是，本技术中对于定型层在单位面积上的覆盖面积在设置时，可选的，如果两个区域的像素密度一致，第一开口和第二开口一样就可以；或者，如果是两个区域像素密度不一致，那么只要保证dd区中定型层面积占比和aa区bm的面积占比一致即可。
55.另外需要说明的是，在本技术实施例中，预设区dd可以用于放置摄像头、图像传感器或者红外传感器等需要高透过率的区域。对于此区域中对应的第二子像素2的设置可以根据预设区dd下的光学元件的位置和尺寸等进行调整。预设区dd用于显示时通过发光层进行发光(第二子像素为实体发光单元)。预设区dd还可以不用于显示，例如将子像素中的阴极去除，使得面板在进行显示时，显示区aa可以发光，预设区dd不进行发光(第二子像素为虚拟发光单元)。本技术对此并不限制。
56.衬底基板10为刚性基板或柔性基板，其中，所述刚性基板的材质可为透明玻璃、透明塑料等，所述柔性基板的材质可为聚酰亚胺(pi)、聚醚砜(pes)、聚碳酸脂(pc)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、多芳基化合物(par)、玻璃纤维增强塑料(frp)等聚合物材料。
57.本技术实施例中并不限制显示面板的类型，以可以适用coe即可，例如显示面板可以为主动发光型显示面板，例如有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode，amoled)显示面板，被动矩阵有机发光二极管(passive matrix oled)显示面板、量子点有机发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)显示面板等。本技术实施例的显示面板还可以是液晶显示面板，本技术不限定显示面板的类型，其可以为垂直电场型液晶显示面板，例如扭曲向列(twisted nematic，tn)型液晶显示面板，多畴垂直配向(multi-domain vertical alignment，mva)型液晶显示面板，也可以是水平电场型液晶显示面板，例如边缘场开关(fringe field switching，ffs)型液晶显示面板或者面内转换(in-plane switching，ips)型液晶显示面板。
58.在本技术实施例中，以oled显示面板进行示例性说明。其中，显示层20上包括多个子像素，所述子像素与所述第一黑矩阵50和定型层60限定出的像素开口一一对应。
59.在本技术实施例中，发光单元可以采用的是oled器件，oled器件的制备工艺与现有oled结构相同。可选的，此结构中包括hil(hole inject layer；空穴注入层)、htl(hole transport layer；空穴传输层)、发光层(emitting layer；eml)、hbl(hole blocking layer；空穴阻挡层)、etl(electron transport layer；电子传输层)、eil(electron inject layer；电子注入层)。
60.另外，本技术实施例中衬底基板10上还可以包括其他层级结构，例如阵列基板、像素界定层pdl、封装层、触控层、有机层、盖板等，本技术对此并不限制，在不同应用场景或者不同器件，衬底基板10可以选择不同的结构。
61.为了提高预设区dd的透过率，本技术实施例中，通过减少预设区dd中发光面积，即所述第一子像素1在所述显示区aa的像素密度大于所述第二子像素2在所述预设区dd的像
素密度。在调整像素密度时，可以通过增大像素间距或者发光区的面积方式实现，本技术中对此并不限制。
62.在本技术的一个实施例中，如图1所示，所述预设区dd未设置有黑矩阵，即所述定型层60包括透光部80。透光部80的材料为有机透明材料或者无机透明材料，例如，透光部80的材料可以为透明材料的resin(树脂)、sog(silicon on glass，硅-玻璃键合结构材料)和bcb(苯并环丁烯)。透光部80的材料还可以为氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)等。
63.其中，预设区dd中透光部80的布置方式可以与显示区aa中第一黑矩阵50的布置方式相同。所述定型层60包括用于形成所述第二开口的多个定型部3，所述第一黑矩阵50包括用于形成所述第一开口的第一遮光部4，定型部3的宽度与第一遮光部4的宽度相等，第一开口的宽度w1与第二开口的宽度相同。
64.当然，透光部80的布置方式可以与显示区aa中的第一黑矩阵50的布置方式不同，只要保证单位面积内所述定型层60与所述第一黑矩阵50的覆盖面积基本相等即可。
65.如图5所示，在所述定型层60的覆盖区域内(即定型部3上)，所述定型层60上设置有贯穿所述定型层60上表面和所述定型层60下表面的凹槽。通过在定型部3上设置凹槽的方式，可以减少定型层60实体材料的覆盖面积，同时还可以增加单个定型部3的整体覆盖面积。通过此方式可以实现定型层60和彩色滤光片70的接触面积增大，更有利于工艺，膜层脱落的风险减少。本技术中对于凹槽的形状、结构、密度、位置等并不限制。
66.在本技术的另一个实施例中，如图6-8所示，所述定型层60包括透光部80和第二黑矩阵90，所述定型层60包括用于形成所述第二开口的多个定型部3，所述定型部3包括所述透光部80和所述第二黑矩阵90形成的第二遮光部5。
67.可选的，在本技术实施例中，所述第二黑矩阵90包括用于形成所述第一开口的第一遮光部4，所述第一遮光部4的宽度大于所述第二遮光部5的第二宽度。
68.可选的，第一遮光部4的宽度大于相邻彩色滤光片的间隔；或者第一遮光部4的宽度大于相邻彩色滤光片交叠部分的宽度,这样保证相邻彩色滤光片之间的平坦化程度或相邻彩色滤光片之间高度相当。
69.在具体布置时，定型部3的布置方式可以与第一黑矩阵50上第一遮光部4的布置方式相同。定型部3的宽度与第一遮光部4的宽度相等，第一开口的宽度w1与第二开口的宽度w2相同。
70.定型部3由透光部80和第二遮光部5形成，其位置关系存在多种方式。如图6所示，所述透光部80与所述第二遮光部5接触，所述透光部80位于所述第二遮光部5的一侧。如图7所示，所述透光部80与所述第二遮光部5接触，所述透光部80围绕所述第二遮光部5设置；当然，还可以所述第二遮光部5围绕所述透光部80设置；或者，至少部分所述透光部80与所述第二遮光部5存在交叠。在不同实施例中，根据应用场景或者器件的不同进行选择，本技术对此并不限制。
71.当然，定型部3的布置方式可以与显示区aa中的第一黑矩阵50的布置方式不同，只要保证单位面积内所述定型部3与所述第一黑矩阵50的覆盖面积基本相等即可。
72.如图8所示，所述透光部80与所述第二遮光部5非接触，所述透光部80位于所述第二遮光部5的一侧，所述透光部80与所述第二遮光部5之间设置有第二凹槽8。如图9所示，所述透光部80与所述第二遮光部5非接触，所述透光部80围绕所述第二遮光部5设置，所述透
光部80与所述第二遮光部5之间设置有第三凹槽9。
73.当然，凹槽还可以设置在定型部3的任一位置，凹槽贯穿所述定型层60上表面和所述定型层60下表面。通过在定型部3上设置凹槽的方式，可以减少定型层60实体材料的覆盖面积，同时还可以增加单个定型部3的整体覆盖面积。通过此方式可以实现定型层60和彩色滤光片70的接触面积增大，更有利于工艺，膜层脱落的风险减少。
74.在本技术实施例中，所述定型层60的膜层厚度与所述第一黑矩阵50的膜层厚度相同，保证在彩膜层30上方制备覆盖层40时，覆盖层40的膜层高度可以在显示区aa和预设区dd内保持高度一致。
75.可选的，如图6-8所示，在预设dd区，至少部分定型层60的透光部80位于第二黑矩阵90的上方或下方，尽量保证dd区的定型层60和显示区(aa区)高度基本一致，例如：预设dd区的第二黑矩阵90高度小于显示区(aa区)第一黑矩阵4的高度。
76.可选的，如图6-8所示，在预设dd区，至少部分定型层60的透光部80与第二黑矩阵90接触面为弧线或波浪形状，有利于两者接触性更好，不易劈裂。
77.值得注意的是，通过多种定型层60的布置方式；可选的，所述定型层60的透过率为95％～100％，例如：透光部80不小于95％。通过增大透光部80在定型层60上覆盖占比可以控制定型层60的透过率。黑矩阵的覆盖面积增大则会影响预设区dd的透过率。然而，在显示区aa内存在黑矩阵，而在预设区dd不设置黑矩阵的话，两个区域之间的显示差异会比较明显。另外，在预设区dd设置黑矩阵的话，可能存在衍射问题。无bm的效果比有bm的会好一点，摄像质量会有改善。在应用时，根据需求控制定型部3中黑矩阵和透光部80的覆盖面积占比。
78.可选的，如图6-9，在显示区aa和预设区dd分界处(如图中心虚线所示)，第一黑矩阵50部分位于预设区dd，或者定型层中的第二黑矩阵90部分位于显示区aa，有利于在分界处挡光；当然，也可以在预设区设置透光部与显示区内的黑矩阵相接触。
79.在本实施例中，在显示区和预设区分界处包括第三遮光部6，所述第三遮光部6的宽度小于所述显示区内第一遮光部4宽度；和/或，所述第三遮光部的宽度大于所述预设区内第二遮光部5的宽度，这样可以让两个区域(显示区和预设区的)透过率过渡更自然一点。
80.图10中示出了预设区dd不同bm占比的效果对比图。其中，ref为预设区dd和显示区aa中bm的覆盖占比相同的情况，split1为预设区dd中bm的占比(小面积的bm)的情况，split2为预设区dd中无bm的情况，例如：预设区dd中bm至少部分与预设区(例如fdc区)触控走线或触控电极存在交叠；可选的，预设区dd中bm与触控走线或触控电极交叠面积占预设区dd面积的5％-15％；进一步的，预设区dd中bm与触控走线或触控电极交叠面积占预设区dd面积的8％-10％。和aa区一样做大面积bm的话，透过率是没有收益的。split2(无bm)比split1(有小面积的bm)中心光斑能量高，解析度好，但是反射率有增加。根据研究发现，预设区dd中，黑矩阵占有定型层60的占比范围为30％-75％综合性能较好(包括整体透过率收益，反射率)。可选的，预设区dd中，第二黑矩阵占有定型层60的占比范围为40％-70％。
81.在本技术的实施例中，彩色滤光片70和显示层20上的子像素一一对应设置，彩色滤光片70用于对进入其内的对应颜色光线的进行过滤，以使用于色彩显示的三基色光线透过(绿色滤光片仅可以透过绿色光线、红色滤光片仅可以透过红色光线、蓝色滤光片仅可以透过蓝色光线)，从而实现全彩显示。
82.彩色滤光片70的作用是只让对应颜色的光发出，比如r彩膜下面就是r发光器件，这样其他颜色的光就透不过去。在暗态的时候，反射率就会得到抑制，如果cf的间距过大，一个是可能有漏光问题，还有就是反射率比较高。
83.当前coe技术主要通过在封装层上制作bm黑矩阵层，之后分别制作rgb彩膜层30。bm一般开口比发光区大，这样能够保证大视角的亮度，彩膜要搭接在bm上面，接触距离约3-5um，例如约4um，才不会发生工艺膜层脱落的问题。在相邻不同颜色的彩色滤光片70之间会在bm上方形成间隙。
84.在本技术实施例中，控制预设区dd域内的彩色滤光片70之间的间距小于显示区aa上彩色滤光片70之间的间距。通过控制cf的间距，减小预设区dd内的漏光问题，并且抑制暗态的时候的发射率，提高显示效果。
85.如图11所示，本技术提供了一种显示基板的制备方法，用于制备如以上任一所述的显示基板，所述方法包括：
86.s02、提供衬底基板；衬底基板可以为柔性基板、玻璃基板等。
87.s04、在所述衬底基板上形成显示层。所述显示层包括位于所述显示区的第一子像素和位于所述预设区的第二子像素。
88.例如，在衬底基板上形成包括多个oled发光器件的oled器件层包括：在衬底基板上形成所述多个oled发光器件的多个分隔的阳极；形成像素限定层，以限定出多个子像素区域并且暴露出多个分隔的阳极；在像素限定层上形成多个发光层，使多个发光层的每个发光层覆盖一个子像素区域；以及在所述多个发光层上形成阴极层。
89.s06、在所述显示层上形成第一黑矩阵层，图案化形成多个第一开口。
90.例如，在显示层上形成整层的黑矩阵材料，然后在整层的黑矩阵材料上涂覆光刻胶、前烘、利用与限定多个开口的黑矩阵层的图案相对应的掩膜板对光刻胶进行曝光和显影、烘烤形成光刻胶图案，然后再通过光刻胶图案对整层的黑矩阵材料进行蚀刻形成限定出多个第一开口的黑矩阵层。
91.s08、在所述显示层上形成定型层，图案化形成多个透光部及第二开口。
92.例如，在显示层上形成整层的透明材料，然后在整层的透明材料上涂覆光刻胶、前烘、利用与限定多个开口的定型层的图案相对应的掩膜板对光刻胶进行曝光和显影、烘烤形成光刻胶图案，然后再通过光刻胶图案对整层的透明材料进行蚀刻形成限定出多个第二开口的定型层。
93.s10、在所述第一黑矩阵层和所述定型层上形成彩膜层，图案化形成多个彩色滤光片，所述彩色滤光片与所述第一开口和所述第二开口的位置对应。
94.例如，依次在对应的开口中分别形成红色彩膜、绿色彩膜、蓝色彩膜和公共彩膜，形成彩膜的顺序不限于此。如上所述，在公共彩膜的颜色与红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜中的一种颜色相同时，可以同时形成颜色相同的彩膜。本技术对此不进行限定。
95.需要说明的是，在本技术实施例中“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分位于同一水平面上。在本技术实施例中“图案化”工艺一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。另外需要说明的是，本技术实施例中并不限制第一黑矩阵层和定型层的成型顺序，在不同实施例中，根据定型层的组成不同，可以包括不同的成型顺序。
96.本技术提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的显示基板。本技术实施例对于所述显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备(如智能手环、智能手表等)、手机、虚拟现实设备、增强现实设备、车载显示、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
97.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
98.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
99.除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
100.本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。