等离子体处理系统、输送臂和环状部件的输送方法与流程

1.本发明涉及等离子体处理系统、输送臂和环状部件的输送方法。


背景技术：

2.在等离子体处理装置中，使用设置于处理基片的周边的环状部件(例如，专利文献1和专利文献2)。该环状部件随着使用而劣化，因此需要更换。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2012-216614号公报
6.专利文献2：日本特开2011-054933号公报


技术实现要素：

7.发明要解决的技术问题
8.本发明提供一种技术，其用于输送设置在处理基片的周边的环状部件。
9.用于解决技术问题的技术方案
10.依照本发明的一个方面，提供一种等离子体处理系统，其包括：处理腔室；配置于上述处理腔室内的基片支承台；环状部件，其配置在上述基片支承台的外缘部，具有与上述基片支承台接触的下表面、上述下表面的相反侧的上表面和将上述上表面与上述下表面之间连接的侧面；以及输送臂，其保持上述上表面或上述侧面，来对上述处理腔室送入或送出上述环状部件。
11.发明效果
12.本发明能够提供一种技术，其用于输送设置在处理基片的周边的环状部件。
附图说明
13.图1是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的结构例的图。
14.图2是表示本实施方式的基片处理系统之一例的概略结构的剖视图。
15.图3是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法的图。
16.图4是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法的图。
17.图5是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法的图。
18.图6是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其一)的图。
19.图7是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其二)的图。
20.图8是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其三)的图。
21.图9是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保
持方法(其三)的图。
22.图10是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其四)的图。
23.图11是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其四)的图。
24.图12是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其五)的图。
25.图13是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其六)的图。
26.图14是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件的输送方法中的保持方法(其七)的图。
27.图15是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的输送臂的图。
28.附图标记说明
[0029]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
等离子体处理装置
[0030]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基片处理系统
[0031]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
等离子体处理系统
[0032]
10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
等离子体处理腔室
[0033]
111
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
主体部
[0034]
111a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
中央区域(基片支承面)
[0035]
111b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
环状区域
[0036]
112
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
环状组件
[0037]
115、115a 环状部件
[0038]
115s1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
上表面
[0039]
115s2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
下表面
[0040]
115s3、115s4 侧面
[0041]
115aa
ꢀꢀꢀꢀꢀ
磁性体层
[0042]
120
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基片支承台
[0043]
150
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0044]
151
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0045]
151a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电极
[0046]
152
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0047]
152a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电磁体
[0048]
153
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0049]
153a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
可动部件
[0050]
153b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
粘着层
[0051]
154
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0052]
154a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
排气通路
[0053]
154b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
弹性层
[0054]
155
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0055]
155a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
排气通路
[0056]
155b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
弹性部件
[0057]
156
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0058]
156a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
抓持装置
[0059]
156b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
抓持装置
[0060]
157
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0061]
157a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
抓持装置
[0062]
157b
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
抓持装置
[0063]
159
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0064]
159s
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
下表面
[0065]
161
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输送臂
[0066]
161a1、161a2 臂
[0067]
161a
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
晶片载置部件
[0068]
161p1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
环状部件保持部。
具体实施方式
[0069]
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在本说明书和附图中，对实质上相同的结构通过标注相同的附图标记来省略重复的说明。另外，为了容易理解，附图中各部分的比例尺有时与实际情况不同。
[0070]
对于平行、直角、正交、水平、垂直、上下、左右等方向，允许存在无损实施方式之效果的程度的偏差。角部的形状不限于直角，也可以呈弓形地带有圆角。对于平行、直角、正交、水平、垂直而言，也包含大致平行、大致直角、大致正交、大致水平、大致垂直。
[0071]
＜等离子体处理系统＞
[0072]
下面，参照图1，对等离子体处理系统6的结构例进行说明。
[0073]
等离子体处理系统6包括电容耦合等离子体处理装置1和控制部2。电容耦合等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基片支承部11和气体导入部。气体导入部构成为能够将至少一个处理气体导入等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷淋头13。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置在基片支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有：用于对等离子体处理空间10s供给至少一个处理气体的至少一个气体供给口；和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。侧壁10a接地。喷淋头13和基片支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。
[0074]
基片支承部11包括主体部111和环状组件112。主体部111包括：用于支承基片(晶片)w的中央区域(基片支承面)111a；和用于支承环状组件112的环状区域(环状支承面)111b。主体部111的环状区域111b在俯视下包围主体部111的中央区域111a。基片w配置在主体部111的中央区域111a上，环状组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基片w的方式配置在主体部111的环状区域111b(外缘部)上。在一个实施方式中，主体部111包括基座
和静电吸盘。基座包括导电性部件。基座的导电性部件作为下部电极发挥作用。静电吸盘配置在基座之上。静电吸盘的上表面具有基片支承面111a。环状组件112包括一个或多个环状部件。一个或多个环状部件中的至少一者是边缘环。图1所示的本实施方式的环状组件112包括边缘环112a和覆盖环112b。此外，虽然省略了图示，但基片支承部11还可以包括温度调节模块，其构成为能够将静电吸盘、环状组件112和基片中的至少一者调节为目标温度。温度调节模块可以包括加热器、传热介质、流路或它们的组合。盐水或气体等传热流体能够在流路中流动。此外，基片支承部11还可以包括传热气体供给部，其构成为能够对基片w的背面与基片支承面111a之间供给传热气体。
[0075]
喷淋头13构成为能够将来自气体供给部20的至少一个处理气体导入等离子体处理空间10s内。喷淋头13包括至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b和多个气体导入口13c。被供给至气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b从多个气体导入口13c被导入到等离子体处理空间10s内。此外，喷淋头13包含导电性部件。喷淋头13的导电性部件作为上部电极发挥作用。气体导入部除了喷淋头13以外，还可以包括安装于在侧壁10a上形成的一个或多个开口部的一个或多个侧方气体注入部(sgi：side gas injector)。
[0076]
气体供给部20可以包括至少一个气体源21和至少一个流量控制器22。在一个实施方式中，气体供给部20构成为，能够将至少一个处理气体从与之分别对应的气体源21经由与之分别对应的流量控制器22供给到喷淋头13。各流量控制器22例如可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体供给部20还可以包括对至少一个处理气体的流量进行调制或使其脉冲化的一个或其以上的流量调制设备。
[0077]
电源30包括经由至少一个阻抗匹配电路与等离子体处理腔室10耦合的rf电源31。rf电源31构成为，能够对基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件供给生成源rf信号和偏置rf信号等至少一个rf信号(rf电功率)。由此，从被供给到等离子体处理空间10s的至少一个处理气体形成等离子体。因此，rf电源31能够作为等离子体生成部的至少一部分发挥作用，其中，等离子体生成部构成为能够在等离子体处理腔室10内从一个或其以上的处理气体生成等离子体。此外，通过对基片支承部11的导电性部件供给偏置rf信号，能够在基片w产生偏置电位，将所形成的等离子体中的离子成分吸引到基片w。
[0078]
在一个实施方式中，rf电源31包括第一rf生成部31a和第二rf生成部31b。第一rf生成部31a构成为，经由至少一个阻抗匹配电路与基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件耦合，能够生成等离子体生成用的生成源rf信号(生成源rf电功率)。在一个实施方式中，生成源rf信号具有13mhz～150mhz的范围内的频率。在一个实施方式中，第一rf生成部31a可以生成具有不同频率的多个生成源rf信号。所生成的一个或多个生成源rf信号被供给到基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件。第二rf生成部31b构成为，经由至少一个阻抗匹配电路与基片支承部11的导电性部件耦合，能够生成偏置rf信号(偏置rf电功率)。在一个实施方式中，偏置rf信号具有比生成源rf信号低的频率。在一个实施方式中，偏置rf信号具有400khz～13.56mhz的范围内的频率。在一个实施方式中，第二rf生成部31b也可以生成具有不同频率的多个偏置rf信号。所生成的一个或多个偏置rf信号被供给到基片支承部11的导电性部件。此外，在各种实施方式中，生成源rf信号和偏置rf信号中的至少一者可以被脉冲化。
[0079]
另外，电源30可以包括与等离子体处理腔室10耦合的dc电源32。dc电源32包括第
一dc生成部32a和第二dc生成部32b。在一个实施方式中，第一dc生成部32a构成为与基片支承部11的导电性部件连接，能够生成第一dc信号。所生成的第一偏置dc信号被施加到基片支承部11的导电性部件。在一个实施方式中，第一dc信号也可以被施加到静电吸盘内的电极等其他电极。在一个实施方式中，第二dc生成部32b构成为与喷淋头13的导电性部件连接，能够生成第二dc信号。所生成的第二dc信号被施加到喷淋头13的导电性部件。在各种实施方式中，第一dc信号和第二dc信号中的至少一者可以被脉冲化。此外，第一dc生成部和第二dc生成部32a、32b既可以与rf电源31一并设置，也可以由第一dc生成部32a代替第二rf生成部31b而设置。
[0080]
排气系统40例如能够与设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40可以包括压力调节阀和真空泵。利用压力调节阀能够调节等离子体处理空间10s内的压力。真空泵可以包括涡轮分子泵、干式泵或它们的组合。
[0081]
等离子体处理系统6在等离子体处理腔室10的侧壁10a具有送入送出口10h。此外，等离子体处理系统6包括对送入送出口10h进行开闭的闸门10g。此外，等离子体处理系统6包括对基片w或者环状组件112的环状部件进行送入送出的输送臂150。输送臂150通过送入送出口10h来进行基片w或者环状组件112的环状部件的输送。
[0082]
控制部2用于处理使等离子体处理装置1执行本发明中说明的各种步骤的计算机可执行的命令。控制部2可构成为，对等离子体处理装置1的各要素进行控制以执行此处说明的各种步骤。在一个实施方式中，控制部2的一部分或全部可以包含在等离子体处理装置1中。控制部2例如可以包括计算机2a。计算机2a例如可以包括处理部(cpu：central processing unit，中央处理器)2a1、存储部2a2和通信接口2a3。处理部2a1构成为能够基于保存在存储部2a2中的程序进行各种控制动作。存储部2a2可以包含ram(random access memory：随机存取存储器)、rom(read only memory：只读存储器)、hdd(hard disk drive：硬盘驱动器)、ssd(solid state drive：固态驱动器)或它们的组合。通信接口2a3可以经由lan(local area network：局域网)等通信线路与等离子体处理装置1之间进行通信。
[0083]
[基片处理系统5的结构]
[0084]
图2是表示本实施方式的基片处理系统之一例的概略结构的剖视图。图2所示的基片处理系统5是能够以单片方式对晶片(例如半导体晶片)实施等离子体处理等各种处理的基片处理系统。
[0085]
基片处理系统5包括处理系统主体210和对处理系统主体210进行控制的控制装置200。处理系统主体210例如如图1所示，包括真空输送室220a、220b、多个处理模块230、多个装载锁定模块240、efem(equipment front end module：设备前端模块)250、灰化模块260和收纳模块270。此外，在以下的说明中，有时也将真空输送室220a、220b记作vtm(vacuum transfer module：真空输送模块)220a、220b，将处理模块230记作pm(process module)230，将装载锁定模块240记作llm(load lock module)240。
[0086]
vtm220a、220b分别在俯视下具有大致四边形形状。vtm220a、220b在相对的2个侧面分别连接有多个pm230。此外，在vtm220a的其他相对的2个侧面中的一个侧面连接有llm240，在另一个侧面连接有用于与vtm220b连接的未图示的通路。此外，vtm220a的与llm240连接的侧面与2个llm240相应地带有角度。vtm220b经由未图示的通路与vtm220a连接。vtm220a、220b具有真空室，在内部配置有机械臂280a、280b。
[0087]
机械臂280a、280b构成为能够旋转、伸缩、升降。机械臂280a、280b通过将晶片载置在配置于前端的叉形部件281a、281b，能够在pm230与llm240之间输送晶片。此外，机械臂280a、280b通过将边缘环等消耗部件载置在叉形部件281a、281b，能够在pm230与收纳模块270之间输送消耗部件。此外，机械臂280a、280b并不限定于图2所示的结构，只要能够在pm230与llm240之间输送晶片，并且能够在pm230与收纳模块270之间输送消耗部件即可。
[0088]
pm230具有处理室，具有配置于内部的圆柱状的基片支承部。pm230在将晶片载置于基片支承部之后，对内部进行减压并导入处理气体，进而对内部施加高频电功率来生成等离子体，利用等离子体对晶片实施等离子体处理。vtm220a、220b与pm230被可开闭的闸门231分隔。在pm230内的基片支承部设置有边缘环和覆盖环，该边缘环配置在晶片的周围，用于提高等离子体处理的均匀性，该覆盖环用于保护基片支承部端部免受等离子体影响。此外，在与基片支承部相对的处理室内的上部，设置有用于施加高频电功率的上部电极。
[0089]
llm240配置于vtm220a与efem250之间。llm240具有内部可切换为真空、大气压的内压可变室，并具有配置于内部的圆柱状的基片支承部。llm240在将晶片从efem250送入vtm220a时，将内部维持为大气压并从efem250接收晶片，然后对内部进行减压，再将晶片送入vtm220a。此外，在将晶片从vtm220a向efem250送出时，将内部维持为真空并从vtm220a接收晶片，然后将内部升压至大气压，再将晶片送入efem250。llm240与vtm220a被可开闭的闸门242分隔。此外，llm240与efem250被可开闭的闸门241分隔。
[0090]
efem250与vtm220a相对地配置。efem250呈长方体状，包括ffu(fan filter unit：风机过滤器)，是被保持为大气压气氛的大气输送室。在efem250的沿着长度方向的一个侧面，连接有2个llm240。在efem250的沿着长度方向的另一侧面，连接有5个装载口(lp：load port)251。在lp251能够载置作为收纳多个晶片的容器的foup(front-opening unifed pod：前开式晶片传送盒)(未图示)。在efem250内配置有用于输送晶片的大气输送机械手(机械臂)。
[0091]
灰化模块260与vtm220b连接。灰化模块260在内部具有圆柱状的基片支承部。灰化模块260用于剥离载置于基片支承部上的晶片的抗蚀剂。vtm220b与灰化模块260被可开闭的闸门261分隔。
[0092]
收纳模块270与vtm220b连接。收纳模块270包括：在内部收纳边缘环、覆盖环和上部电极等消耗部件的收纳部；以及用于进行消耗部件的对准(位置对准)的载置台(stage)和旋转部。收纳模块270能够利用机械臂280b的叉形部件281b将消耗部件从收纳部移动到载置台。进行了对准后的消耗部件由机械臂280b输送到pm230。vtm220b与收纳模块270被可开闭的闸门271分隔。
[0093]
基片处理系统5具有控制装置200。控制装置200例如是计算机，包括cpu(central processing unit：中央处理器)、ram(random access memory：随机存取存储器)、rom(read only memory：只读存储器)、辅助存储装置等。cpu基于保存在rom或辅助存储装置中的程序来工作，对基片处理系统5的各构成要素的工作进行控制。
[0094]
《《环状部件的输送方法》》
[0095]
图3至图5是说明作为本实施方式的等离子体处理系统之一例的等离子体处理系统6的环状部件115的输送方法的图。图3至图5分别是基片支承台120、环状部件115和输送臂150的剖视图。此处，将环状组件112的环状部件之一表示为环状部件115。环状部件115例
如是边缘环112a、覆盖环112b等。
[0096]
基片支承台120是等离子体处理系统6的基片支承部11的主体部111。如图3所示，输送臂150以位于基片支承台120和环状部件115的上方的方式移动。
[0097]
另外，环状部件115具有与基片支承台120接触的下表面115s2、下表面115s2的相反侧的上表面115s1、将上表面115s1与下表面115s2连接的侧面115s3和115s4。
[0098]
然后，输送臂150沿着箭头a在上下方向上移动。接着，如图4所示，输送臂150与环状部件115接触。具体而言，输送臂150与环状部件115的上表面115s1接触。
[0099]
接着，输送臂150在区域p中保持环状部件115的上表面或侧面，并沿箭头b的方向移动。然后，输送臂150将环状部件115从等离子体处理腔室10送出。此外，在送入环状部件115的情况下，按照送出的相反顺序进行。
[0100]
接着，对使用输送臂150来保持环状部件115的方法进行说明。
[0101]
《利用静电力的保持》
[0102]
对使用静电力保持环状部件115的输送臂151进行说明。图6是说明本实施方式的等离子体处理系统之一例的环状部件115的输送方法中的、使用静电力的保持方法的图。以下，将图5的区域p的部分放大表示。
[0103]
输送臂151包括电极151a。对电极151a供给直流电压。通过对电极151a供给直流电压，输送臂151利用静电力吸引环状部件115。即，输送臂151利用对电极151a供给电压而产生的静电力来保持环状部件115。
[0104]
《利用磁力的保持》
[0105]
对使用磁力保持环状部件115a的输送臂152进行说明。图7是说明作为本实施方式的等离子体处理系统的环状部件之一例的环状部件115a的输送方法中的、使用磁力的保持方法的图。
[0106]
输送臂152包括电磁体152a。此外，环状部件115a具有由磁性体形成的磁性体层115aa。当电磁体152a工作时，环状部件115a的磁性体层115aa被吸引到输送臂152。输送臂152利用电磁体152a的磁力来保持环状部件115a。
[0107]
《利用粘着力的保持》
[0108]
对使用粘着力保持环状部件115的输送臂153进行说明。图8和图9是说明作为本实施方式的等离子体处理系统的环状部件之一例的环状部件115的输送方法中的、使用粘着力的保持方法的图。
[0109]
输送臂153包括粘着层153b。此外，输送臂153具有用于将环状部件115从输送臂153取下的可动部件153a。
[0110]
输送臂153利用粘着层153b的粘着力保持环状部件115。并且，在取下环状部件115时，使可动部件153a向环状部件115侧突出。输送臂153通过使可动部件153a突出，将利用粘着力粘贴的环状部件115取下。
[0111]
《利用抽吸力的保持》
[0112]
对使用抽吸力保持环状部件115的输送臂154进行说明。图10是说明作为本实施方式的等离子体处理系统的环状部件之一例的环状部件115的输送方法中的、使用抽吸力的保持方法的图。
[0113]
输送臂154包括排气通路154a。此外，输送臂154包括弹性层154b。弹性层154b是用
于确保输送臂154与环状部件115之间的气密性的部件。
[0114]
输送臂154从排气通路154a排出等离子体处理腔室10内部的气体。通过从排气通路154a排出等离子体处理腔室10内部的气体，输送臂154与环状部件115之间成为负压。由于输送臂154与环状部件115之间成为负压，环状部件115被保持在输送臂154。
[0115]
另外，在从输送臂154取下环状部件115的情况下，可以从排气通路154a供给气体而将其取下。
[0116]
另外，也可以如图11所示的输送臂155那样，代替弹性层154b而在排气通路155a的出口的周边设置o形环等弹性部件155b。
[0117]
另外，排气通路154a是抽吸部的一个例子。
[0118]
《利用抓持力的保持》
[0119]
对使用抓持力保持环状部件115的输送臂156进行说明。图12是说明作为本实施方式的等离子体处理系统的环状部件之一例的环状部件115的输送方法中的、使用抓持力的保持方法的图。
[0120]
输送臂156包括用于抓持环状部件115的外侧侧面的抓持装置156a和抓持装置156b。
[0121]
输送臂156通过使抓持装置156a和抓持装置156b各自的抓持环状部件115的部分沿箭头c的方向移动，来保持环状部件115。
[0122]
另外，在环状部件115的供抓持装置156a和抓持装置156b抓持的部分可以设置槽或者孔。
[0123]
另外，也可以如图13所示的输送臂157那样，通过使抓持装置157a和抓持装置157b沿箭头d的方向移动来抓持环状部件115的内侧侧面。在环状部件115的供抓持装置157a和抓持装置157b抓持的部分可以设置槽或者孔。
[0124]
《利用分子间力的保持》
[0125]
对使用分子间力保持环状部件115的输送臂159进行说明。图14是说明作为本实施方式的等离子体处理系统的环状部件之一例的环状部件115的输送方法中的、使用分子间力的保持方法的图。
[0126]
输送臂159包括经过镜面加工的下表面159s。此外，对环状部件115的上表面115s1进行了镜面加工。当使输送臂159的下表面159s与环状部件115的上表面115s1接触并彼此滑动(对研)时，两者紧贴(研合，wringing)。
[0127]
输送臂159利用研合(wringing)即分子间力进行吸附并保持环状部件115。例如，在将新的环状部件115送入等离子体处理腔室10时，环状部件115的上表面115s1是经过镜面加工的。因此，通过对输送臂159的下表面159s进行镜面加工，输送臂159能够保持环状部件115。此外，在使用环状部件115后，环状部件115的表面变得粗糙。因此，使用后的环状部件115例如使用利用粘着力保持环状部件115的输送臂153等送出。
[0128]
另外，经过镜面加工的输送臂159的下表面159s是吸附部的一个例子。
[0129]
《利用输送臂对晶片w和环状部件115的保持》
[0130]
图15是说明作为本实施方式的等离子体处理系统的输送臂之一例的输送臂161的图。输送臂161能够输送基片w和环状部件115。
[0131]
输送臂161包括臂161a1和臂161a2以及能够改变臂161a1与臂161a2的间隔的滑动
机构161b。此外，输送臂161在臂161a1和臂161a2的上表面具有用于载置晶片w的多个晶片载置部件161a。
[0132]
在输送臂161输送晶片w时，输送臂161移动到晶片w的下侧。然后，输送臂161从下侧抬起晶片w。晶片载置部件161a被设置成，使得晶片w不与输送臂161的上表面直接接触。晶片载置部件161a由柔软的材料构成。在图15的输送臂161中，具有4个晶片载置部件161a。晶片载置部件的数量不限于4个，只要具有至少3个以上即可。
[0133]
在输送臂161输送环状部件115时，输送臂161移动到环状部件115的上侧。然后，输送臂161利用输送臂161下侧的环状部件保持部161p1、161p2和161p3保持环状部件115。接着，输送臂161输送环状部件115。环状部件保持部的数量不限于3个，只要具有至少3个以上即可。即，输送臂161在3处以上保持环状部件115。
[0134]
另外，例如在输送臂161使用静电力进行保持的情况下，也可以通过使电极的形状变长，从而在2处、例如在臂161a1和臂161a2各自的2处设置电极来进行保持。
[0135]
输送臂161包括能够改变臂161a1与臂161a2的间隔的滑动机构161b，因此输送臂161能够输送各种尺寸的晶片w和环状部件115。
[0136]
另外，在晶片w和环状部件115的尺寸已确定的情况下，也可以不使用输送臂161的滑动机构161b，而使臂161a1和臂161a2构成为一体。
[0137]
另外，输送臂161也可以仅用于输送环状部件115，基片w则使用其他输送臂来输送。在使用与输送臂161不同的输送臂输送基片w的情况下，可以设置具有输送臂161的机械臂和具有输送基片w的输送臂的机械臂。此外，也可以在机械臂的前端设置输送基片w的输送臂和输送臂161这两者。例如，可以在机械臂的前端的上侧设置输送基片w的输送臂，在下侧设置输送臂161，在输送基片的情况下使用输送基片w的输送臂，在输送环状部件115的情况下切换为使用输送臂161。
[0138]
另外，臂161a1和臂161a2是第一臂和第二臂的一个例子。
[0139]
本实施方式的输送臂保持环状部件的上表面或侧面，对处理腔室送入或送出环状部件。因此，无需在基片支承部设置例如使环状部件升降的机构，就能够输送环状部件。在基片支承部具有使环状部件升降的机构的情况下，会发生温度奇点或异常放电。此外，在基片支承部具有使环状部件升降的机构的情况下，需要设置用于将大气与真空分隔开的机构。
[0140]
依照本实施方式的输送臂，能够防止发生上述的温度奇点或异常放电。此外，依照本实施方式的输送臂，不需要如将大气与真空分隔开这样的机构，能够简化基片支承台的构造。
[0141]
应当理解，本次公开的本实施方式的等离子体处理系统、输送臂和环状部件的输送方法在所有方面均是例示而并非限制性的。上述实施方式可以在不脱离所附的权利要求的范围及其思想的基础上，以各种方式实现变形和改进。上述多个实施方式中记载的内容在不产生矛盾的范围内能够采用其他结构，或能够在不产生矛盾的范围内进行组合。