技术特征：
1.三维存储器，包括：存储结构，包括沿第一方向设置的第一存储结构和第二存储结构；阶梯结构，位于所述第一存储结构与所述第二存储结构之间，包括：桥接结构，包括沿所述第一方向延伸的第一桥接结构，以及沿第二方向延伸且沿所述第一方向设置的多个第二桥接结构，所述第二方向与所述第一方向相交；以及多个阶梯对，在不同的高度处沿所述第一方向设置，与所述第一桥接结构连接；其中，所述第二桥接结构位于至少部分相邻的阶梯对之间，并与所述第一桥接结构连接，至少一个所述第二桥接结构的高度低于所述第一桥接结构的高度。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述第二桥接结构的高度高于或者等于与其相邻的阶梯对中的阶梯的高度。3.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述第一桥接结构包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述第二部分和所述多个阶梯对中与其连接的阶梯相对于所述第一部分对称分布，所述第一部分的高度低于所述第二部分的高度。4.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，所述第二部分的高度相同。5.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，所述第二部分包括多个子第二部分，所述多个子第二部分的高度朝向对称中心的方向依次递减。6.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，所述三维存储器包括互连结构，所述阶梯对中的阶梯包括多个台阶，所述多个阶梯对中与所述第二部分连接的至少部分台阶中的一组台阶通过所述互连结构中的互连对与所述第一存储结构和所述第二存储结构的至少之一电连接，其中，所述一组台阶位于相同的高度处。7.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述阶梯对中的两个阶梯具有在所述第一方向上彼此面对的倾斜朝向。8.存储器系统，包括：至少一个如权利要求1至7所述的三维存储器；以及存储控制器，与所述三维存储器电连接，用于控制所述三维存储器。9.三维存储器的制备方法，包括：形成沿第一方向设置的第一叠层结构和第二叠层结构；在所述第一叠层结构和所述第二叠层结构上形成掩膜层，所述掩膜层覆盖沿所述第一方向设置的多个第二桥接结构的区域，其中，每个所述第二桥接结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述第一叠层结构与所述第二叠层结构之间，形成沿所述第一方向设置的多个阶梯对，以使所述多个第二桥接结构位于至少部分相邻的阶梯对之间；以及对至少部分所述多个阶梯对中的阶梯和至少部分所述多个第二桥接结构进行第一削减，以形成第一桥接结构，并使得所述第一桥接结构的高度高于至少一个所述第二桥接结构的高度。10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，所述第一桥接结构包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，对至少部分所述多个阶梯对中的阶梯和至少部分所述多个第二桥接结构进行第一削减的步骤包括：使所述多个阶梯对位于不同的高度处，并使得所述第二部分和所述多个阶梯对中与所
述第二部分连接的阶梯相对于所述第一部分对称分布。11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，对至少部分所述多个阶梯对中的阶梯和至少部分所述多个第二桥接结构进行第一削减包括：对所述第一部分和所述多个阶梯对中与所述第一部分连接的阶梯进行第二削减，使得所述第一部分的高度低于所述第二部分的高度。12.根据权利要求11所述的制备方法，其中，对所述第一部分和所述多个阶梯对中与所述第一部分连接的阶梯进行第二削减包括：对所述第二削减的削减掩膜进行图案化，以暴露所述第一部分和所述多个阶梯对中与所述第一部分连接的阶梯。13.根据权利要求11所述的制备方法，其中，对至少部分所述多个阶梯对中的阶梯和至少部分所述多个第二桥接结构进行第一削减之后，所述制备方法还包括：形成包括多个互连对的互连结构；以及通过所述互连对使得所述多个台阶中与所述第二部分连接的、且位于相同的高度处的一组台阶电连接。14.根据权利要求9所述的制备方法，其中，在所述第一叠层结构和所述第二叠层结构上形成掩膜层包括：所述掩膜层覆盖所述第一桥接结构的区域。
技术总结
本申请实施例提供了一种三维存储器及其制备方法、存储器系统，该三维存储器包括：存储结构，包括沿第一方向设置的第一存储结构和第二存储结构；阶梯结构，位于第一存储结构与第二存储结构之间，包括：桥接结构，包括沿第一方向延伸的第一桥接结构，以及沿第二方向延伸且沿第一方向设置的多个第二桥接结构，第二方向与第一方向相交；以及多个阶梯对，在不同的高度处沿第一方向设置，与第一桥接结构连接；其中，第二桥接结构位于至少部分相邻的阶梯对之间，并与第一桥接结构连接，至少一个第二桥接结构的高度低于第一桥接结构的高度。结构的高度低于第一桥接结构的高度。结构的高度低于第一桥接结构的高度。
技术研发人员：陈阳 王迪 张中 吴双双 周文犀
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.03.18
技术公布日：2022/6/28