显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年4月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0043501号的优先权和权益，其公开通过引用以其整体并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施方式涉及显示设备，并且尤其，涉及包括量子点层的显示设备。


背景技术：

4.基于从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在发射层中复合而发光的原理，显示设备比如有机发光显示设备通过生成光来实现图像显示。例如，显示设备可包括发射具有选自红色、绿色和蓝色中的颜色的光的像素，并且通过其颜色组合来表现(例如，产生)期望的颜色。
5.为了该目的，每个像素包括生成单色光比如白光或蓝光的发光装置，以及作为光控制层的量子点层和/或滤色器，以将单色光转换成具有选自红色、绿色和蓝色中的期望的颜色的光，并且然后输出转换的光(例如，发射至外侧)。即，当每个像素的发光装置生成单色光时，单色光穿过量子点层和/或滤色器，以转换成具有选自红色、绿色和蓝色中的颜色的光，并且然后输出(例如，发射至外侧)，并且通过将来自这些像素(其中输出适当颜色的光)的光组合来实现期望的颜色的图像显示。


技术实现要素：

6.根据一个或多个实施方式的方面涉及显示设备，该显示设备包括：包括其中量子点集中的量子点层的主像素和适于(例如，最适合)光透射的子像素。
7.另外的方面将部分在下面的描述中陈述并且部分从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
8.根据实施方式，显示设备包括：
9.第一基板，发光并且在第一基板上的发光装置，
10.包括第一量子点层的主像素，
11.包括第二量子点层的子像素，主像素和子像素对应于发光装置并且位于第一基板上面，以及
12.围绕主像素以限定主像素并且围绕子像素以限定子像素的堤挡，
13.主像素改变由发光装置发射的光的颜色，并且
14.子像素透射由发光装置发射的光。
15.限定主像素和/或子像素的堤挡的内侧可涂布散射体和量子点。
16.第一量子点层可包括其中在喷涂包括第一液体组分和第一固体组分的第一喷墨组合物之后，第一液体组分蒸发，使得第一固体组分集中的层，
17.第二量子点层可包括其中在喷涂包括第二液体组分和第二固体组分的第二喷墨
组合物之后，第二液体组分未蒸发的层。
18.第一固体组分和第二固体组分可为相同的组分。
19.第一液体组分可包括第一单体，并且第一单体的蒸汽压可为0.1mmhg或更高。
20.第二液体组分可包括第二单体，并且第二单体的蒸汽压可为10-3
mmhg或更低。
21.第一固体组分可包括散射体和量子点，其中各自基于第一喷墨组合物的总重，散射体的量可为大于0wt％至约10wt％，并且量子点的量可为约5wt％至约60wt％。
22.第二固体组分可包括散射体和/或量子点，并且基于第二喷墨组合物的总重，第二固体组分的量可为约0.1wt％至小于60wt％。
23.第一喷墨组合物和第二喷墨组合物可各自独立地进一步包括溶剂、发光有机材料、分散剂、固化剂或其任何组合。
24.溶剂可包括丙二醇甲醚乙酸酯(pgmea)、二甲基乙酰胺(dma)、γ-丁内酯(gbl)、环己胺(cha)、二丙二醇单甲醚乙酸酯(dpma)或其任何组合。
25.发光有机材料可包括芪3(stilbene 3)、香豆素120、香豆素1、香豆素6、香豆素47、香豆素102、香豆素307、香豆素153、罗丹明6g、磺基罗丹明b(sulforhodamine b)、亚甲基吡咯597(pyromethene 597)、罗丹明b、罗丹明b/101、罗丹明101、dcm(4-(二氰亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲氨基苯乙烯基)-4h-吡喃)、吡啶1(pyridin 1)([2-[4-[4-(二甲氨基)苯基]-1,3-丁二烯基]-1-乙基-吡啶单高氯酸酯)、吡啶2(pyridin 2)(4-[4-[4-(二甲氨基)苯基]-1,3-丁二烯基]-1-乙基-吡啶高氯酸酯)、苯乙烯基染料8(styryl8)、苯乙烯基染料9(styryl 9)或其任何组合。
[0026]
第一固体组分和第二固体组分可各自独立地包括散射体，散射体包括金属、金属氧化物、非金属氧化物或其任何组合。
[0027]
散射体可包括ag、al、sio2、baso4、al2o3、zno、zro2、tio2或其任何组合。
[0028]
第一固体组分和第二固体组分可各自独立地包括量子点，量子点包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物或其任何组合。
[0029]
第ii-vi族半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste或其任何组合，
[0030]
第iii-v族半导体化合物可包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、inznp、ingaznp、inalznp或其任何组合，
[0031]
第iii-vi族半导体化合物可包括gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、inte、ingas3、ingase3、agins、agins2、cuins、cuins2或其任何组合，
[0032]
第i-iii-vi族半导体化合物可包括agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2或其任何组合，
[0033]
第iv-vi族半导体化合物可包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste或其任何组合，并且
[0034]
第iv族元素或化合物可包括si、ge、sic、sige或其任何组合。
[0035]
发光装置可发射蓝光、绿光、红光或其任何组合。
[0036]
发光装置可发射蓝光和绿光，主像素可将由发光装置发射的蓝光变为绿光，并且子像素可透射由发光装置发射的绿光。
[0037]
堤挡可不包括散射体。
[0038]
主像素和子像素可各自进一步包括滤色器层。
[0039]
滤色器层可增加发射的光的颜色纯度。
[0040]
从实施方式、权利要求和所附附图的下述描述中，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解。
附图说明
[0041]
结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面、特征和增强将从下述描述中更显而易见，其中：
[0042]
图1为根据实施方式的显示设备的横截面图；
[0043]
图2为示意性阐释形成根据实施方式的显示设备的像素(例如，主像素)中的量子点层的工艺的图；
[0044]
图3为示意性阐释根据实施方式的显示设备的主像素和子像素的图；
[0045]
图4a至图4f为依次阐释制造图1中显示的显示设备的工艺的横截面图；并且
[0046]
图5为根据另一实施方式的显示设备的横截面图。
具体实施方式
[0047]
现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中遍及说明书相同的附图标记指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图来描述实施方式，以解释本描述的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者，a和c二者，b和c二者，所有的a、b和c，或其变型。
[0048]
因为本公开可具有不同的修改实施方式，所以在附图中阐释实施方式并且在详细描述中描述实施方式。当参考结合附图描述的实施方式时，本公开的效果和特点以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开可具体化为许多不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的实施方式。
[0049]
下文，将参考所附附图更详细地描述本公开的实施方式。相同的或对应的组件将由相同的附图标记表示，并且因此将省略其冗余的描述。
[0050]
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅仅用于区分一个组件与另一组件。
[0051]
以单数使用的表述囊括复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
[0052]
将进一步理解，如本文使用的，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定存在叙述的特征或元件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或元件。
[0053]
为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，随意阐释了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。
[0054]
当不同地实施某些实施方式时，可与描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，连续描述的两个工艺可基本上同时进行，或可以与描述的顺序相反的顺序进行。
[0055]
将理解，当层、区域或组件称为“连接至”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可直接连接至另一层、区域或组件，或因为存在居间层、区域或组件而间接连接至另一层、区域或组件。例如，将理解，当层、区域或组件称为“电连接至”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可直接电连接至另一层、区域或组件，或因为存在居间层、区域或组件而间接电连接至另一层、区域或组件。
[0056]
根据本公开的实施方式，显示设备可包括：第一基板，发光(例如，发射光)的发光装置位于第一基板上；包括第一量子点层的主像素；和包括第二量子点层的子像素，主像素和子像素对应于发光装置并且位于第一基板上面，
[0057]
其中主像素和子像素可由堤挡限定，并且
[0058]
主像素可改变由发光装置发射的光的颜色，并且子像素可透射由发光装置发射的光。
[0059]
在一些实施方式中，主像素和子像素中的每一个可改变由发光装置发射的光的颜色或透射由发光装置发射的光。
[0060]
表述“主像素改变由发光装置发射的光的颜色”并不意味着主像素改变由发光装置发射的所有光的颜色。尽管由发光装置发射的光的大部分在主像素处经历颜色改变，但是一些光可被透射。
[0061]
表述“子像素透射由发光装置发射的光”并不意味着子像素透射由发光装置发射的所有光。尽管由发光装置发射的光的大部分在子像素处被透射，但是一些光可经历颜色改变。
[0062]
相应地，例如，主像素可比子像素更好地(例如，更多地)改变由发光装置发射的光的颜色，并且子像素可比主像素更好地(例如，更多地)透射由发光装置发射的光。
[0063]
在实施方式中，主像素可改变由发光装置发射的约2％至约99.9％的光的颜色，并且子像素可透射由发光装置发射的约2％至约99.9％的光。
[0064]
图1为根据实施方式的显示设备的横截面图。这里，尽管仅显示了一组红色、绿色和蓝色的三色像素，但是在实际产品中可分布多组这种三色像素。
[0065]
图1显示蓝色像素和红色像素各自包括一个像素(例如，由一个像素组成)，并且绿色像素包括两个像素(例如，主像素和子像素)(例如，由两个像素(例如，主像素和子像素)组成)。
[0066]
在一个或多个实施方式中，绿色像素和红色像素可各自包括一个像素(例如，由一个像素组成)，并且蓝色像素可包括两个像素(例如，主像素和子像素)(例如，由两个像素(例如，主像素和子像素)组成)。
[0067]
在一个或多个实施方式中，绿色像素和蓝色像素可各自包括一个像素(例如，由一
个像素组成)，并且红色像素可包括两个像素(例如，主像素和子像素)(例如，由两个像素(例如，主像素和子像素)组成)。
[0068]
在一个或多个实施方式中，蓝色像素可包括一个像素(例如，由一个像素组成)，并且绿色像素和红色像素可各自包括两个像素(例如，主像素和子像素)(例如，由两个像素(例如，主像素和子像素)组成)。
[0069]
在一个或多个实施方式中，红色像素可包括一个像素(例如，由一个像素组成)，并且绿色像素和蓝色像素可各自包括两个像素(例如，主像素和子像素)(例如，由两个像素(例如，主像素和子像素)组成)。
[0070]
在一个或多个实施方式中，绿色像素可包括一个像素(例如，由一个像素组成)，并且红色像素和蓝色像素可各自包括两个像素(例如，主像素和子像素)(例如，由两个像素(例如，主像素和子像素)组成)。
[0071]
在一个或多个实施方式中，红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一个可包括两个像素(例如，主像素和子像素)(例如，由两个像素(例如，主像素和子像素)组成)。
[0072]
如图1中显示，实施方式的显示设备具有其中第一基板110和第二基板210粘合在一起，填充材料300位于第一基板110和第二基板210之间的结构，发光装置120位于第一基板110上，作为光控制器(例如，颜色控制层)的量子点层230r、230-1g、230-2g和230b以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b位于第二基板210上。
[0073]
在一个或多个实施方式中，光控制器，即量子点层230r、230-1g、230-2g和230b以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b，可直接堆叠在发光装置120上。在实施方式中，在光控制器直接堆叠在位于第一基板110上的发光装置120上之后，可通过将第一基板110和第二基板210粘合来制造显示设备。在该情况下，堤挡存在于光控制器之间。
[0074]
在一个或多个实施方式中，在光控制器，即量子点层230r、230-1g、230-2g和230b以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b直接堆叠在位于第一基板110上的发光装置120上之后，可制造没有第二基板的显示设备。
[0075]
首先，发光装置120具有其中包括发射层的夹层123位于第一电极122和第二电极124之间的结构，其中基于从第一电极122注入的空穴和从第二电极124注入的电子在夹层123中的发射层中复合而发光的原理来生成光。就此而言，生成的光可包括蓝光、绿光、红光或其任何组合。
[0076]
发光装置120生成包括蓝光、绿光、红光或其任何组合的光，并且每个像素的光控制器将光转换成红光、绿光或蓝光。稍后将更详细地描述发光装置120。
[0077]
附图标记121指示连接至第一电极122的像素电路，并且包括元件，比如薄膜晶体管和电容器。而且，附图标记130指示通过覆盖发光装置120来保护发光装置120的薄膜封装层，并且可为有机膜或无机膜的单层膜，或可为其中有机膜和无机膜交替堆叠的多层膜。无机膜可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅，并且有机膜可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸)或其任何组合。
[0078]
光控制器可包括量子点层、滤色器层或其任何组合。
[0079]
作为光控制器，可提供量子点层230r、230-1g、230-2g和230b以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b。
[0080]
量子点层230r、230-1g、230-2g和230b将由发光装置120生成的光转换成选自红色、绿色和蓝色中的期望的颜色的光。
[0081]
滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b通过过滤可部分混合在转换的光中的混合光来提高颜色纯度。即，滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b可过滤分别由量子点层230r、230-1g、230-2g和230b转换的光，以增加颜色纯度。
[0082]
在一些实施方式中，不需要改变由发光装置120生成的光的颜色，并且只需要光完整地穿过。
[0083]
在实施方式中，红色像素和绿色像素可分别包括量子点层230r、230-1g和230-2g以及分别包括滤色器层220r、220-1g和220-2g，并且蓝色像素可仅包括白色滤色器层(未显示)(例如，没有量子点层230b或滤色器层220b)。在该情况下，由发光装置120生成的光可为蓝光。即，因为在蓝色像素中不需要改变光的颜色，并且只需要光完整地穿过，所以蓝色像素可仅包括用于过滤混合光的白色滤色层。这可适用于其他情况。
[0084]
附图标记250可指示位于每个像素之间(例如，位于两个相邻像素之间)用于阻挡光的黑色基质，并且附图标记240可指示限定每个像素的光控制器之间的边界的堤挡。
[0085]
在实施方式中，黑色基质250可与蓝色滤色器、红色滤色器和/或绿色滤色器一起形成。
[0086]
在实施方式中，堤挡240和黑色基质250可一体形成(例如，形成为一个整体，而在其之间没有界面)。
[0087]
堤挡240和黑色基质250可包括黑色颜料，并且黑色颜料可分散在整个堤挡240和黑色基质250中。堤挡240可不包括散射体。
[0088]
在一些实施方式中，在形成堤挡240时，将堤挡组合物施加至基板上并且固化，并且然后经历光蚀刻工艺。稍后将描述其更详细的工艺。
[0089]
堤挡组合物可包括可固化聚合物、光致抗蚀剂化合物、含氟聚合物、黑色颜料、散射剂和溶剂，其中，当堤挡组合物固化时，溶剂蒸发了(例如，完全蒸发了)。
[0090]
从光源(例如，发光装置、有机发光装置)生成的可见光区域中的光在穿过量子点层230r、230-1g、230-2g和230b以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b的同时被转换成选自红色、绿色和蓝色中的颜色的光，并且然后输出(例如，发射至外侧)。
[0091]
堤挡240防止或减少光的颜色混合。
[0092]
根据实施方式的显示设备可包括至少一个像素，该至少一个像素包括主像素和子像素。
[0093]
图2为示意性阐释形成根据实施方式的显示设备的像素(例如，主像素)中的量子点层的工艺的图。
[0094]
在实施方式中，限定主像素和/或子像素的堤挡的内侧可涂布散射体和量子点。
[0095]
参考图2，利用包括散射体和量子点qd的喷墨组合物(例如，第一喷墨组合物)在限定像素的堤挡的内表面上进行第一次喷射(a)，并且然后，使喷墨组合物中的挥发性组分(例如，单体)挥发(b)。
[0096]
具有高蒸汽压(例如，0.1mmhg或更高)的单体可快速挥发。在该情况下，可施加真空和/或热，以提高挥发速度。
[0097]
因为挥发性组分挥发了，所以增加了散射体和量子点的浓度，并且涂布的喷墨组
合物的表面相对降低了。
[0098]
同时，堤挡的内表面涂布散射体和量子点。结果，堤挡可不吸收光，从而防止或基本上防止效率的下降。
[0099]
然后，利用喷墨组合物进行第二次喷射(c)。喷墨组合物中的挥发性组分(例如单体)可快速挥发。在该情况下，可施加真空和/或热，以提高挥发速度。
[0100]
通过上面的工艺，像素的堤挡的内侧涂布散射体和量子点，并且其中量子点集中的量子点层(例如，第一量子点层)可形成在基板(例如，滤色器层)上。
[0101]
形成在像素中的量子点层可具有由于挥发性组分(例如，单体)的挥发而出现的表面形态(例如，表面粗糙度)。在该情况下，可任选地进行喷涂相关领域的喷墨组合物的另外工艺，以解决量子点层的表面形态。
[0102]“相关领域的喷墨组合物”指具有低蒸汽压的喷墨组合物，即包括具有低挥发性的单体的喷墨组合物。在实施方式中，相关领域的喷墨组合物可为第二喷墨组合物。
[0103]
在一些实施方式中，在形成像素中的量子点层之后，堤挡的上部保持为暴露的。因为堤挡的内侧涂布散射体和量子点，所以可减少或最小化堤挡的光吸收，并且可增加光反射。相应地，不需要单独去除(或涂布)堤挡的暴露的上部。
[0104]
因为通过图2的工艺形成的主像素的量子点层具有在其中集中的量子点和散射体，所以可增加亮度，从而提高了显示设备的效率。然而，存在可降低透光率的可能性，并且可降低颜色匹配。
[0105]
为了防止或减少这种可能性，根据实施方式的显示设备进一步包括用于透射从发光装置发射的光的子像素。
[0106]
图3为示意性阐释根据实施方式的显示设备的主像素和子像素的图。
[0107]
可通过与图2中相同的工艺形成图3的主像素。
[0108]
在实施方式中，限定主像素和/或子像素的堤挡的内侧可涂布散射体和量子点。在实施方式中，限定主像素的堤挡的内侧可涂布散射体和量子点，并且限定子像素的堤挡的内侧可不涂布散射体和量子点。
[0109]
在实施方式中，主像素的第一量子点层可包括其中在喷涂包括第一液体组分和第一固体组分的第一喷墨组合物之后，第一液体组分挥发，使得第一固体组分集中的层，
[0110]
子像素的第二量子点层可包括其中在喷涂包括第二液体组分和第二固体组分的第二喷墨组合物之后，第二液体组分未挥发的层。
[0111]
可，例如，通过上述图2的工艺形成第一量子点层。
[0112]
第一喷墨组合物包括具有高蒸汽压的第一单体，并且第二喷墨组合物包括具有低蒸汽压的第二单体。相应地，在注入像素的第一喷墨组合物中，第一单体容易挥发，并且因此体积减小，而在注入像素的第二喷墨组合物中，第二单体不容易挥发，并且因此体积变化小。
[0113]
在实施方式中，第一量子点层可包括其中在喷涂包括第一液体组分和第一固体组分的第一喷墨组合物之后，第一液体组分的约5％至约100％的第一单体挥发，使得第一固体组分集中的层。
[0114]
在实施方式中，第一量子点层可包其中在喷涂包括第一液体组分和第一固体组分的第一喷墨组合物之后，第一液体组分的约15％至约90％的第一单体挥发，使得第一固体
组分集中的层。
[0115]
在实施方式中，第一量子点层可包括其中在喷涂包括第一液体组分和第一固体组分的第一喷墨组合物之后，第一液体组分的约30％至约80％的第一单体挥发，使得第一固体组分集中的层。
[0116]
在实施方式中，第一量子点层可包括其中在喷涂包括第一液体组分和第一固体组分的第一喷墨组合物之后，第一液体组分的约50％至约95％的第一单体挥发，使得第一固体组分集中的层。
[0117]
主像素的第一量子点层是集中的(例如，具有散射体和量子点)，并且子像素的第二量子点层不是集中的。结果，如图3中显示，包括散射体和量子点的第一固体组分可以较大的量存在于主像素中，但是包括散射体和量子点的第二固体组分可以相对较小的量存在于子像素中。
[0118]
在实施方式中，第一喷墨组合物和第二喷墨组合物可各自独立地具有30cp或更低的粘度和约15达因/cm至约30达因/cm的表面能。在上面的粘度范围内，可顺利地进行喷墨工艺，并且考虑堤挡的表面能，喷墨组合物的表面能在上述范围内是合适的。
[0119]
在实施方式中，在主像素和子像素中，第一量子点层中的第一固体组分和第二量子点层中的第二固体组分可为相同的组分，并且第一量子点层中的第一固体组分的密度和第二量子点层中的第二固体组分的密度可彼此不同。在子像素的第二量子点层中，第二固体组分的密度可为适于(例如，最适合)透射从发光装置发射的光的任何值。子像素的第二量子点层中的第二固体组分的密度可低于主像素的第一量子点层中的第一固体组分的密度。
[0120]
因为具有较高浓度的包括散射体和量子点的第一固体组分的第一量子点层形成在主像素中，所以第一喷墨组合物的第一液体组分的第一单体为具有高挥发性的化合物，即具有高蒸汽压的化合物是合适的。
[0121]
在实施方式中，第一液体组分可包括第一单体，并且第一单体的蒸汽压可为0.1mmhg或更高。在实施方式中，第一单体的蒸汽压可为0.1mmhg或更高，并且第一单体可为沸点为100℃或更低的化合物。在实施方式中，第一单体的蒸汽压可为约1mmhg至约750mmhg。在实施方式中，第一单体的蒸汽压可为约10mmhg至约550mmhg。在实施方式中，第一单体的蒸汽压可为约40mmhg至约450mmhg。
[0122]
第一单体可为，例如，具有丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作为终端(例如，在末端处)的组合物(例如，化合物)(例如，3-甲氧基丁基丙烯酸酯、2-羟基乙基丙烯酸酯、丙烯酸环己酯等)。
[0123]
因为子像素透射从发光装置发射的光，所以子像素的第二量子点层中的第二固体组分的密度相对较低。第二单体为不容易挥发的化合物，即具有低蒸汽压的化合物是合适的。
[0124]
在实施方式中，第二液体组分可包括第二单体，并且第二单体的蒸汽压可为10-3
mmhg或更低。
[0125]
在实施方式中，第二单体的蒸汽压可为10-3
mmhg或更低，并且第二单体可为沸点为大于100℃的化合物。在实施方式中，第二单体的蒸汽压可为大于0mmhg至约10-3
mmhg。
[0126]
第二单体可为，例如，具有丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作为终端(例如，在末端处)的
组合物(例如，化合物)(例如，四甘醇二丙烯酸酯、二(丙二醇)二丙烯酸酯、三(丙二醇)二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等)。
[0127]
第二单体可为，例如，具有丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作为终端(例如，在末端处)的组合物(例如，化合物)。
[0128]
在实施方式中，第一固体组分可包括散射体和量子点，其中基于第一喷墨组合物的总重，散射体的量可为大于0wt％至约10wt％，并且量子点的量可为约5wt％至约60wt％。在实施方式中，基于第一喷墨组合物的总重，散射体的量可为约3wt％至约7wt％，并且量子点的量可为约15wt％至约55wt％。
[0129]
当散射体和量子点的量基于第一喷墨组合物总重在上面各自范围内时，集中在主像素中的第一量子点层的吸收率和效率可为期望(例如，最适合)的。
[0130]
在实施方式中，第二固体组分可包括散射体和/或量子点，其中基于第二喷墨组合物的总重，第二固体组分的量可为约0.1wt％至小于60wt％。
[0131]
在实施方式中，基于第二喷墨组合物的总重，第二固体组分的量可为约0.5wt％至约50wt％。在实施方式中，基于第二喷墨组合物的总重，第二固体组分的量可为约1wt％至约20wt％。
[0132]
当第二固体组分的量基于第二喷墨组合物的总重在上面的范围内时，子像素的第二量子点层中的第二固体组分的密度可具有透射由发光装置发射的光期望(例如，最适合)的值。
[0133]
同时，因为子像素透射由发光装置发射的光，所以取决于光的特点，子像素可仅包括量子点或可仅包括散射体。即，取决于光的特点，第二固体组分可仅包括量子点或可仅包括散射体。
[0134]
填充材料300位于第一基板110和第二基板210之间，其中填充材料300既用作保持两个基板110和基板210之间适当距离的间隙保持器，又用作粘合剂。相应地，当填充材料300涂布在两个基板110和基板210之间，然后将它们粘合在一起时，填充材料300牢固地粘合两个基板110和基板210，同时适当地在它们之间保持间隙。
[0135]
可通过图4a至图4f中显示的工艺制造具有上面的结构的显示设备。
[0136]
首先，如图4a中显示，在第一基板110上形成发光装置120并且覆盖薄膜封装层130。
[0137]
然后，如图4b中显示，在第二基板210上通过光蚀刻工艺各自形成黑色基质250以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b。滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b各自形成在对应于发光装置120的位置上。
[0138]
然后，如图4c中显示，用复合聚合物240-1涂布滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b以及黑色基质250的顶部，并且然后加热，其中，在复合聚合物240-1中，混合了含氟聚合物(比如聚四氟乙烯(ptfe)、全氟聚醚(pfpe)或其任何组合)、可固化聚合物、光致抗蚀剂化合物、黑色颜料和溶剂。即，制备其中混合含有氟(f)的含氟聚合物、可固化聚合物、光致抗蚀剂化合物、黑色颜料和溶剂的复合聚合物240-1，以涂布在滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b以及黑色基质250上，然后加热。
[0139]
复合聚合物240-1的固化温度可在不影响量子点效率的温度范围内。在实施方式中，复合聚合物240-1的固化温度可为约80℃至约250℃。
[0140]
而且，如图4d中显示，复合聚合物240-1被图案化，以保持在滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b之间的每个位置处，并且保持在每个像素之间(例如，相邻像素之间)，以形成堤挡240。
[0141]
在实施方式中，堤挡240可不包括散射体。因为堤挡240的表面涂布有散射体和量子点，所以堤挡240本身可不包括散射体。
[0142]
之后，如图4e中显示，量子点层230r、230-1g、230-2g和230b形成在红色像素、绿色主像素、绿色子像素和蓝色像素中。就此而言，量子点层230r、230-1g、230-2g和230b形成在与滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b重叠的位置处。可通过喷墨工艺形成量子点层230r、230-1g、230-2g和230b。
[0143]
如上述，当在绿色主像素中形成第一量子点层230-1g时，在喷涂包括第一液体组分和第一固体组分的第一喷墨组合物之后，第一液体组分可挥发，从而形成其中第一固体组分集中的层。
[0144]
如上述，当在绿色子像素中形成第二量子点层230-2g时，在喷涂包括第二液体组分和第二固体组分的第二喷墨组合物之后，可形成其中第二液体组分未挥发的层。
[0145]
在实施方式中，第一喷墨组合物和第二喷墨组合物可各自独立地进一步包括溶剂、发光有机材料、分散剂、固化剂或其任何组合。
[0146]
在实施方式中，溶剂可包括丙二醇甲醚乙酸酯(pgmea)、二甲基乙酰胺(dma)、γ-丁内酯(gbl)、环己胺(cha)、二丙二醇单甲醚乙酸酯(dpma)或其任何组合。
[0147]
在实施方式中，发光有机材料可包括芪3、香豆素120、香豆素1、香豆素6、香豆素47、香豆素102、香豆素307、香豆素153、罗丹明6g、磺基罗丹明b、亚甲基吡咯597、罗丹明b、罗丹明b/101、罗丹明101、dcm、吡啶1、吡啶2、苯乙烯基染料8、苯乙烯基染料9或其任何组合。发光有机材料可以不同于量子点的方式增加显示设备的效率。在实施方式中，发光有机材料可通过吸收来自发光装置的没有被量子点吸收的光来发光。
[0148]
在实施方式中，分散剂可包括胺类分散剂、酸类分散剂或其任何组合。
[0149]
在实施方式中，固化剂可包括热固化剂、光固化剂或其任何组合。当第一喷墨组合物和第二喷墨组合物包括固化剂时，可向主像素的第一量子点层和子像素的第二量子点层施加热和/或光，以使第一量子点层和第二量子点层固化。
[0150]
在实施方式中，分别包括在第一喷墨组合物和第二喷墨组合物中的第一固体组分和第二固体组分可各自独立地包括散射体，该散射体包括金属、金属氧化物、非金属氧化物或其任何组合。
[0151]
在实施方式中，可通过取代胺类配体或酸类配体来使用散射体。
[0152]
在实施方式中，散射体可包括ag、al、sio2、baso4、al2o3、zno、zro2、tio2或其任何组合。
[0153]
在实施方式中，第一固体组分和第二固体组分可各自独立地包括量子点，该量子点包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物或其任何组合。
[0154]
量子点层230r、230-1g、230-2g和230b可包括量子点。
[0155]
第ii-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、
znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse和/或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste；或其任何组合。
[0156]
第iii-v族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas和/或inpsb；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb；或其任何组合。同时，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的示例可包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0157]
第iii-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3和/或inte；三元化合物，比如ingas
3 ingase3、agins、agins2、cuins和/或cuins2；或其任何组合。
[0158]
第i-iii-vi族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2和/或agalo2；或其任何组合。
[0159]
第iv-vi族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete和/或snpbste；或其任何组合。
[0160]
第iv族元素或化合物可包括：单元素，比如si和/或ge；二元化合物，比如sic和/或sige；或其任何组合。
[0161]
包括在多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中的每种元素可以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0162]
量子点可具有单一结构或核壳双重结构。在具有单一结构的量子点的情况下，包括在对应量子点中的每种元素的浓度可为均匀的。在实施方式中，在具有核壳双重结构的量子点中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可彼此不同。
[0163]
量子点的壳可充当(例如，用作)保护层，以防止或减少核的化学变性来保持半导体特性，和/或充当充电层以赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝着核的中心降低。
[0164]
量子点的壳的示例可为金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物或其任何组合。金属、准金属或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4；或其任何组合。半导体化合物的示例可包括如本文描述的第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；或其任何组合。在实施方式中，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任何组合。
[0165]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，或者约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度或色域(例如，颜色再现性)。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可提高宽视角。
[0166]
另外，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板。
[0167]
因为可通过控制量子点的尺寸来调节能带隙，所以可从量子点发射层获得具有各种合适的波长带的光。相应地，通过利用不同尺寸的量子点，可实施发射各种合适的波长的光的发光装置。在一个或多个实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可配置为通过组合各种合适颜色的光来发射白光。
[0168]
在形成这种量子点层230r、230-1g、230-2g和230b之后，如图4f中显示，将填充材料300施加在第一基板110和第二基板210之间，并且两个基板110和基板210粘合在一起。结果，如图1中显示，实施了包括发光装置120，量子点层230r、230-1g、230-2g和230b，以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b的显示设备。
[0169]
本实施方式阐释了其中包括发射层的夹层123形成为横跨整个像素区的公共层的情况。然而，如图5中显示，为每个像素单独形成夹层的修改也是可能的。即，包括发射层的夹层123可形成为公共层，或可为每个像素单独形成(例如，图案化)包括发射层的夹层123。
[0170]
发射层可包括有机发光材料或无机发光材料。
[0171]
将更详细地描述发光装置120。
[0172]
第一电极122
[0173]
在图1中，基板可另外位于第一电极122下方或第二电极124上面。作为基板，可利用玻璃基板和/或塑料基板。
[0174]
第一电极122可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极122的材料来形成。当第一电极122为阳极时，用于形成第一电极122的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。
[0175]
第一电极122可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极122为透射电极时，用于形成第一电极122的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极122为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极122的材料。
[0176]
第一电极122可具有由单层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。在实施方式中，第一电极122可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0177]
夹层123
[0178]
夹层123可位于第一电极122上。夹层123可包括发射层。
[0179]
夹层123可进一步包括位于第一电极122和发射层之间的空穴传输区以及位于发射层和第二电极124之间的电子传输区。
[0180]
除了各种适合的有机材料之外，夹层123可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和/或无机材料比如量子点等。
[0181]
在一个或多个实施方式中，夹层123可包括：i)依次堆叠在第一电极122和第二电极124之间的两个或更多个发光单元，和ii)位于两个或更多个发光单元之间的电荷生成层。当夹层123包括如上述的发光单元和电荷生成层时，发光装置120可为串联发光装置。
[0182]
夹层123中的空穴传输区
[0183]
空穴传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单种材料组成，ii)由单
层组成的单层结构，该单层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。
[0184]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。
[0185]
在实施方式中，空穴传输区可具有多层结构，包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，在每个结构中，构成层从第一电极122依次堆叠。
[0186]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
[0187]
式201
[0188][0189]
式202
[0190][0191]
其中，在式201和式202中，
[0192]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0193]
l
205
可为*-o-*’、*-s-*’、*-n(q
201
)-*’、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0194]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0195]
xa5可为选自1至10的整数，
[0196]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0197]r201
和r
202
可任选地经单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)，
[0198]r203
和r
204
可任选地经单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0199]
na1可为选自1至4的整数。
[0200]
在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团
中的至少一个：
[0201][0202]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
各自与参考r
10a
的描述相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可为未取代的或被r
10a
取代。
[0203]
空穴传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的空穴传输特点。
[0204]
发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自发射层的电子泄漏至(例如，流动至)空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0205]
p-掺杂剂
[0206]
除了上述材料之外，空穴传输区可进一步包括用于导电特性的提高的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。
[0207]
电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0208]
在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更小。
[0209]
在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素el1和元素el2的化合物或其任何组合。
[0210]
醌衍生物的示例可包括tcnq、f4-tcnq等。
[0211]
含氰基化合物的示例可包括hat-cn和由式221表示的化合物。
[0212][0213]
在式221中，
[0214]r221
至r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且
[0215]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任何组合。
[0216]
在含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其任何组合。
[0217]
夹层123中的发射层
[0218]
当发光装置120为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。
[0219]
发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。
[0220]
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。
[0221]
在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。量子点与上述的相同。
[0222]
同时，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当(例如，用作)发射层中的主体或掺杂剂。
[0223]
发射层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得适合的(例如，卓越的)发光特点。
[0224]
主体
[0225]
主体可包括由式301表示的化合物：
[0226]
式301
[0227]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
,
[0228]
其中，在式301中，
[0229]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0230]
xb11可为1、2或3，
[0231]
xb1可为选自0至5的整数，
[0232]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0233]
xb21可为选自1至5的整数，并且
[0234]q301
至q
303
与参考q1的描述相同。
[0235]
在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经单键彼此连接。
[0236]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：
[0237]
式301-1
[0238][0239]
式301-2
[0240][0241]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0242]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0243]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0244]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0245]
l
301
、xb1和r
301
可各自与本说明书中分别的描述相同，
[0246]
l
302
至l
304
可各自独立地与参考l
301
的描述相同，
[0247]
xb2至xb4可各自独立地与参考xb1的描述相同，并且
[0248]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可各自独立地与参考r
301
的描述相同。
[0249]
磷光掺杂剂
[0250]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0251]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。
[0252]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0253]
在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0254]
式401
[0255]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
，
[0256]
其中，在式401中，
[0257]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)和/或铥(tm))，
[0258]
l
401
可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0259]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，其中当xc2为2或更大时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0260]
式402
[0261][0262]
在式402中，
[0263]
x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0264]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，
[0265]
t
401
可为单键、-o-、-s-、-c(＝o)-、-n(q
411
)-、-c(q
411
)(q
412
)-、-c(q
411
)＝c(q
412
)-、-c(q
411
)＝或＝c＝，
[0266]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0267]q411
至q
414
与参考q1的描述相同，
[0268]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基
团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0269]q401
至q
403
与参考q1的描述相同，
[0270]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
[0271]
式402中的*和*’各自指示与式401中的m的结合位点。
[0272]
在实施方式中，在式402中，i)x
401
可为氮，并且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可为氮。
[0273]
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可任选地经作为连接基团的t
402
彼此连接，和/或两个或更多个l
401
中的两个环a
402
可任选地经作为连接基团的t
403
彼此连接。t
402
和t
403
与参考t
401
的描述相同。
[0274]
式401中的l
402
可为有机配体。在实施方式中，l
402
可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-c(＝o)、异腈基、-cn基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。
[0275]
荧光掺杂剂
[0276]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。
[0277]
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0278]
式501
[0279][0280]
其中，在式501中，
[0281]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0282]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0283]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0284]
在实施方式中，式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基和/或芘基)。
[0285]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0286]
延迟荧光材料
[0287]
发射层可包括延迟荧光材料。
[0288]
在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。
[0289]
包括在发射层中的延迟荧光材料可充当(例如，用作)主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型(或种类)。
[0290]
在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于或等于0ev并且小于或等于0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料
的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可提高发光装置120的发光效率。
[0291]
在实施方式中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团)的材料，和/或ii)包括其中两个或更多个环状基团稠合的同时共用硼(b)的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0292]
夹层123中的电子传输区
[0293]
电子传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单种材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。
[0294]
电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
[0295]
在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每个结构，构成层从发射层依次堆叠。
[0296]
电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0297]
在实施方式中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
[0298]
式601
[0299]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0300]
其中，在式601中，
[0301]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0302]
xe11可为1、2或3，
[0303]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0304]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0305]q601
至q
603
与参考q1的描述相同，
[0306]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0307]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0308]
在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经单键彼此连接。
[0309]
在一个或多个实施方式中，式601中的ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0310]
在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0311]
式601-1
[0312][0313]
其中，在式601-1中，
[0314]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0315]
l
611
至l
613
可各自独立地与参考l
601
的描述相同，
[0316]
xe611至xe613可各自独立地与参考xe1的描述相同，
[0317]r611
至r
613
可各自独立地与参考r
601
的描述相同，并且
[0318]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团，或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0319]
在实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0320]
电子传输区的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层和/或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特点。
[0321]
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0322]
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0323]
在实施方式中，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或et-d2：
[0324]
[0325]
电子传输区可包括利于来自第二电极124的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极124。
[0326]
电子注入层可具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单种材料组成，ii)由单层组成的单层结构，该单层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同的材料。
[0327]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。
[0328]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任何组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任何组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。
[0329]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和稀土金属的一种或多种氧化物、一种或多种卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)和/或一种或多种碲化物，或其任何组合。
[0330]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物(比如li2o、cs2o和/或k2o)、碱金属卤化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0331]
碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)作为与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0332]
电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0333]
在实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，或可包括下述(例如，由下述组成)：ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层和/或rbi:yb共沉积层等。
[0334]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
[0335]
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特点。
[0336]
第二电极124
[0337]
第二电极124可位于夹层123上。第二电极124可为阴极(其为电子注入电极)，并且作为用于第二电极124的材料，可利用各自具有低功函的金属、合金、导电性化合物或其任何组合。
[0338]
第二电极124可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任何组合。第二电极124可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0339]
第二电极124可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[0340]
封盖层
[0341]
第一封盖层(未显示)可位于第一电极122外侧，和/或第二封盖层(未显示)可位于第二电极124外侧。在一些实施方式中，发光装置120可具有其中第一封盖层、第一电极122、夹层123和第二电极124以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极122、夹层123、第二电极124和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极122、夹层123、第二电极124和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。
[0342]
发光装置120的夹层123的发射层中生成的光可通过第一电极122(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层朝向外侧提取(例如，透射或提供至外侧)，和/或发光装置120的夹层123的发射层中生成的光可通过第二电极124(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层朝向外侧提取(例如，透射或提供至外侧)。
[0343]
第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发射效率。相应地，增加了发光装置120的光提取效率，从而可提高发光装置120的发光效率。
[0344]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在589nm下)折射率为1.6或更大的材料。
[0345]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的复合材料封盖层。
[0346]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括一种或多种碳环化合物、一种或多种杂环化合物、一种或多种含胺基化合物、一种或多种卟啉衍生物、一种或多种酞菁衍生物、一种或多种萘酞菁衍生物、一种或多种碱金属复合物、一种或多种碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和/或含胺基化合物可任选地被包括o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0347]
在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
[0348]
制造方法
[0349]
包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过利用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多种适合的方法形成在特定的区域中。
[0350]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度，约10-8
托至约10-3
托的真空度，和约秒至约秒的沉积速度下进行，这取决于待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结
构。
[0351]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂形成时，通过考虑待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，旋涂可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和在约80℃至200℃的热处理温度下进行。
[0352]
术语的限定
[0353]
如本文使用的，术语“c
3-c
60
碳环基团”指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文使用的，术语“c
1-c
60
杂环基团”指除了1至60个碳原子之外具有杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。在实施方式中，c
1-c
60
杂环基团可具有3至60个成环原子。
[0354]
如本文使用的，术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0355]
如本文使用的，术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个成环碳原子并且不包括*-n＝*’作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的，术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个成环碳原子并且包括*-n＝*’作为成环部分的杂环基团。
[0356]
在实施方式中，
[0357]c3-c
60
碳环基团可为i)基团t1或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
3-c
60
碳环基团可为环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基)，
[0358]c1-c
60
杂环基团可为i)基团t2，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
1-c
60
杂环基团可为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0359]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)基团t3，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团可为c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔
唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
[0360]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团(例如，缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0361]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0362]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0363]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0364]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0365]
如本文使用的，术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”各自指取决于使用该术语的式的结构，与任何环状基团或单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，其根据包括“苯基”的式的结构可被本领域普通技术人员容易理解。
[0366]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的示例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的示例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
环亚烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0367]
如本文使用的，术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正
庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的，术语“c
1-c
60
亚烷基”指与c
1-c
60
烷基具有相同结构的二价基团。
[0368]
如本文使用的，术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间和/或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的，术语“c
2-c
60
亚烯基”指与c
2-c
60
烯基具有相同结构的二价基团。
[0369]
如本文使用的，术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间和/或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例可包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的，术语“c
2-c
60
亚炔基”指与c
2-c
60
炔基具有相同结构的二价基团。
[0370]
如本文使用的，术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)，并且其示例可包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0371]
如本文使用的，术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其示例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的，术语“c
3-c
10
亚环烷基”指与c
3-c
10
环烷基具有相同结构的二价基团。
[0372]
如本文使用的，术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并且具有1至10个碳原子的单价环状基团，并且其示例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的，术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指与c
1-c
10
杂环烷基具有相同结构的二价基团。
[0373]
如本文使用的，术语“c
3-c
10
环烯基”指具有3至10个碳原子和在其环中的至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，并且其示例可包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的，术语“c
3-c
10
环亚烯基”指与c
3-c
10
环烯基具有相同结构的二价基团。
[0374]
如本文使用的，术语“c
1-c
10
杂环烯基”指除了碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和在其环结构中的至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的示例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的，术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指与c
1-c
10
杂环烯基具有相同结构的二价基团。
[0375]
如本文使用的，术语“c
6-c
60
芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的，术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。c
6-c
60
芳基的示例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、芴基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
[0376]
如本文使用的，术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。如本文使用的，术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子，和1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的示例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环
cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未取代的或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团；c
7-c
60
芳烷基；或c
2-c
60
杂芳烷基。
[0387]
如本文使用的，术语“杂原子”指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其任何组合。
[0388]
如本文使用的，术语“过渡金属”可包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0389]
如本文使用的，术语“ph”指苯基，如本文使用的，术语“me”指甲基，如本文使用的，术语“et”指乙基，如本文使用的，术语“tert-bu”、“t
bu”或“bu
t”指叔丁基，并且如本文使用的，术语“ome”指甲氧基。
[0390]
如本文使用的，术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0391]
如本文使用的，术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0392]
该取代基限定章节中的最大碳原子数仅是示例。在实施方式中，c
1-c
60
烷基中的最大碳原子数60为示例，并且烷基的限定同样适用于c
1-c
20
烷基。其他的情况也一样。
[0393]
除非另外限定，否则如本文使用的*和*’各自指对应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
[0394]
下文，将参考实施例描述根据实施方式的显示设备的制造和其评估结果。
[0395]
喷墨组合物的制造
[0396]
喷墨组合物(1)
[0397]
将0.1g的tio2(散射体)、2g的zns(量子点)、10g的丙烯酸环己酯(单体：0.2mmhg的蒸汽压)和0.5g的香豆素6与1ml的pgmea(溶剂)混合，从而制造喷墨组合物(1)。
[0398]
喷墨组合物(2)
[0399]
以与喷墨组合物(1)相同的方式制造喷墨组合物(2)，只是利用1,6-己二醇二丙烯酸酯(单体：0.5
×
10-4
mmhg的蒸汽压)代替丙烯酸环己酯作为单体。
[0400]
集中的量子点层和一般量子点层的效率的比较
[0401]
实施例1
[0402]
如图2中显示，将喷墨组合物(1)喷涂在像素上，并且在真空中放置1分钟，以使挥发性单体挥发，以便堤挡的内侧涂布tio2和zns，并且结果，在像素下方(例如，对应于像素)的基板上部分形成其中包括tio2和zns的固体组分集中的量子点层。
[0403]
接下来，另外喷涂喷墨组合物(1)并且在真空中放置1分钟，以使挥发性单体挥发，以便其中包含tio2和zns的固体组分集中的量子点层形成至更大的厚度。然后，用uv(350nm)使量子点层固化1分钟，从而制造总厚度为约5μm的量子点层的单个像素。
[0404]
比较例1
[0405]
利用喷墨组合物(2)代替喷墨组合物(1)来形成量子点层，其中，考虑到喷涂的喷墨组合物(2)的体积不会由于单体的低蒸汽压而改变，以比实施例1中更少的量利用喷墨组合物(2)。然后，用紫外线(350nm)使量子点层固化1分钟，从而制造厚度为约5μm的单个像素。
[0406]
将实施例1和比较例1的像素的量子点的吸收率、外部量子效率和峰波长度(pwl)进行比较，并且其结果显示在表1中。
[0407]
表1
[0408][0409]
1)量子点的吸收率指量子点吸收激发光的比率。
[0410]
参考表1，可见实施例1好于(例如，优于)比较例1。实施例1的像素的外部量子效率比比较例1的像素的外部量子效率高19.8％。
[0411]
显示设备的制造
[0412]
如图4a中显示，在第一基板110上形成发光装置120，并且覆盖薄膜封装层130。发光装置120的夹层中包括的发射层为发射蓝光、蓝光和绿光，或蓝光、绿光和红光的层。
[0413]
接下来，如图4b中显示，在第二基板210上，通过光刻工艺在对应于发光装置120的位置形成黑色基质250以及滤色层220r、220-1g、220-2g和220b。
[0414]
接下来，如图4c中显示，滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b以及黑色基质250的顶部涂布堤挡组合物(例如，复合聚合物240-1)，加热并且固化。然后，如图4d中显示，进行图案化，以便堤挡240保持在滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b之间的每个位置处，并且保持在每个像素之间(例如，相邻像素之间)。
[0415]
之后，如图4e中显示，利用喷墨组合物(1)通过喷墨工艺在绿色主像素中任选地形成量子点层230-1g，并且利用喷墨组合物(2)通过喷墨工艺在绿色子像素中可选地形成量子点层230-2g。
[0416]
在绿色主像素的量子点层230-1g的情况下，以与实施例1相同的方式形成集中的量子点层，并且在绿色子像素的量子点层230-2g的情况下，以与比较例1中相同的方式形成量子点层。
[0417]
任选地通过喷墨工艺在红色像素和蓝色像素中形成量子点层230r和230b。
[0418]
接下来，如图4f中显示，在第一基板110和第二基板210之间施加填充材料300，并且将两个基板110和基板210粘合在一起，从而完成包括发光装置120，量子点层230r、230-1g、230-2g和230b以及滤色器层220r、220-1g、220-2g和220b的显示设备。
[0419]
作为驱动显示设备的结果，确认了效率是合适的(例如，优异的)，并且绿色像素中的透射率和颜色匹配率没有降低。
[0420]
根据实施方式的显示设备包括具有高量子点浓度的主像素，从而具有高外部量子效率，并且进一步包括具有相对少量的散射体和/或量子点的子像素，从而具有高的(例如，增加的)透射率。
[0421]
应理解，本文描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可在不背离由以下权利要求及其等效方案限定的精神和范围的情况下，在其中进行形式和细节上的各种改变。