技术特征：
1.一种ga2o3基电网电晕监测芯片，其特征在于：包括作为衬底的聚酰亚胺薄膜纸(1)，所述聚酰亚胺薄膜纸(1)上设置有采用激光诱导石墨烯方法制备的作为载流子收集层的石墨烯叉指电极(2)，所述石墨烯叉指电极(2)的叉指上设置有采用磁控溅射方法生长的作为日盲紫外探测器的光敏层的ga2o3薄膜(3)。2.根据权利要求1所述的一种ga2o3基电网电晕监测芯片，其特征在于：所述聚酰亚胺薄膜纸(1)的厚度为0.09mm。3.根据权利要求1所述的一种ga2o3基电网电晕监测芯片，其特征在于：所述ga2o3薄膜(3)的厚度为360nm。4.一种ga2o3基电网电晕监测芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
①
取一张厚度为0.09mm的聚酰亚胺薄膜(1)，将所述聚酰亚胺薄膜纸(1)依次用酒精、去离子水擦拭干净，然后用干燥的n2气吹干，待用；
②
将步骤
①
中清洗干净的所述聚酰亚胺薄膜纸(1)放置于红外激光操作台，对激光进行对焦，使焦点位于所述聚酰亚胺薄膜纸(1)表面，采用激光诱导石墨烯方法在所述聚酰亚胺薄膜纸(1)上制备石墨烯叉指电极(2)，具体制备参数如下：激光功率为5％，激光频率为16khz，扫描速度为9.6mm/s；
③
使用掩模版将步骤
①
中生长好的所述石墨烯叉指电极(2)的电极遮挡住，将所述石墨烯叉指电极(2)的叉指露出，放入沉积室，以99.99％纯度的ga2o3陶瓷为靶材，采用磁控溅射方法生长厚度为360nm的ga2o3薄膜(3)，具体生长参数如下：背底真空为1
×
10-4
pa，工作气氛为ar气，工作气压为1pa，衬底温度为25℃，溅射功率为100w，溅射时间为35min。
技术总结
本发明公开了一种氧化镓基电网电晕监测芯片及其制备方法，具体是指以柔性材料为衬底制备的Ga2O3薄膜作为电晕检测器件核心部件日盲紫外探测器的材料，省去了传统检测器件中昂贵的高截止度紫外滤光片，对240-280nm日盲波段的光进行直接探测。本发明获得的基于Ga2O3日盲紫外探测器的电晕检测装置具有响应速度快、分辨率高、作用距离远、不受太阳光的干扰、可准确定位等优点，特别合适用于高压变电系统、高压输电线路等各种恶劣环境下的应用。成功进行提前检测预警可以为电力公司节省数千万元的费用，对架空输电线路和变电设备产生的电晕进行探测具有极大的商业价值。电晕进行探测具有极大的商业价值。电晕进行探测具有极大的商业价值。
技术研发人员：肖厚恩 赵天丽 邢志文 钱松程 王顺利 郭道友
受保护的技术使用者：浙江理工大学
技术研发日：2022.03.28
技术公布日：2022/6/28