技术特征：
1.一种在衬底的第一表面上选择性形成介电材料的方法，所述方法包含：提供包含第一表面和第二表面的衬底，其中所述第二表面的上面包含钝化层；并且进行循环沉积方法，所述循环沉积方法包含多个沉积循环，其中所述多个沉积循环中的至少一个沉积循环包含使所述衬底与前体和包含氧气的反应物分别接触；其中在所述第一表面上所述反应物与所述前体反应以在所述第一表面上形成介电材料；并且其中所述钝化层的钝化材料在所述至少一个沉积循环期间被所述反应物灰化，使得所述循环沉积方法的结果是在所述第一表面上选择性形成所述介电材料。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述循环沉积方法的一个沉积循环的结束与所述循环沉积方法的的后续沉积循环的开始之间在所述钝化层上沉积额外钝化材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述钝化层灰化暴露所述第二表面之前停止所述循环沉积方法。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层在所述循环沉积方法的所述多个沉积循环中的每一个中被灰化，所述循环沉积方法的所述多个沉积循环包括使所述衬底与所述反应物接触。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述至少一个沉积循环的第一沉积循环开始之前，相对于所述第一表面，在所述第二表面上选择性沉积所述钝化层。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环重复执行多次以在所述第一表面上形成所期望厚度的氧化物膜。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包含在所述循环沉积方法的开始与结束之间，在所述第二表面上选择性沉积额外钝化材料。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述使所述衬底与所述反应物接触包含用等离子体活化所述反应物。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面是介电表面。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面包含氧化硅。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二表面是金属表面。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包含有机材料。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环始于所述衬底与所述反应物接触，随后使所述衬底与所述前体接触。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积方法是原子层沉积方法。15.一种用于在图案化衬底的表面上选择性形成材料的方法，其包含：提供包含第一表面和第二表面的衬底，其中所述第二表面的上面包含钝化层；执行沉积循环，其中所述沉积循环中的至少一个包含使所述衬底与前体和反应物分别接触；其中在所述第一表面上所述反应物与所述前体反应以在所述第一表面上形成所述材料，其中所述钝化层在所述沉积循环中的所述至少一个期间被所述反应物蚀刻同时与所述前体反应，使得所述沉积循环在所述第一表面上选择性形成所述材料；并且在所述沉积循环的第一沉积循环和所述沉积循环的最后沉积循环之间，在所述第二表
面上沉积钝化材料。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述反应物包含等离子体活化物质。17.根据权利要求15所述的方法，其中所述反应物包含氧气，所述钝化层包含有机层，并且蚀刻包含灰化。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述材料在所述钝化层上形成，并且其中通过灰化所述钝化层来去除所述钝化层上的所述材料。19.一种用于在衬底的介电表面上选择性形成氧化物材料的等离子体增强式方法，所述等离子体增强式方法包含：提供包含介电表面和含金属表面的衬底，其中所述含金属表面的上面包含钝化层；并且执行沉积循环，所述沉积循环的至少一个沉积循环包含使所述衬底与前体和反应物分别接触，其中所述反应物包含氧气和等离子体；其中在所述介电表面上所述反应物与所述前体反应以在所述介电表面上形成氧化物材料；并且其中在所述至少一个沉积循环期间，所述钝化层被所述反应物灰化，并且其中通过所述沉积循环，使所述氧化物材料选择性形成在所述介电表面上。20.根据权利要求19所述的等离子体增强式方法，其进一步包含在第一沉积循环和最后沉积循环之间，在所述含金属表面上沉积钝化材料。
技术总结
本申请涉及使用沉积和去除进行的选择性层形成。提供了相对于预先沉积于第二表面上的钝化层在衬底的第一表面上选择性沉积介电膜的方法和系统。所述方法可以包括至少一个循环沉积过程，其用于在所述第一表面上沉积材料，同时去除所述钝化层，从而防止在所述钝化层上沉积。沉积。沉积。
技术研发人员：E
受保护的技术使用者：ASMIP控股有限公司
技术研发日：2019.04.30
技术公布日：2022/6/28