技术特征：
1.一种功率模块，其特征在于，包括主体；所述主体包括基板组件、芯片和铜框架；所述基板组件分别连接芯片和铜框架；所述铜框架包括第一铜带；所述第一铜带和芯片通过第一连接层连接；所述第一铜带上设置有嵌入第一连接层的凸出结构。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述凸出结构嵌入第一连接层的高度为50um到200um。3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述凸出结构为拱形或者包形。4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述凸出结构在第一铜带上设置为多个。5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述基板组件包括绝缘基板、第一导电层、第二导电层和绝缘基板；所述第一导电层和第二导电层设置在绝缘基板上；所述芯片设置在第一导电层上；所述铜框架还包括第二铜带和铜板；所述第一铜带和第二铜带通过铜板连接；所述第二铜带和第二导电层通过第二连接层连接。6.根据权利要求5所述的功率模块，其特征在于，该功率模块还包括用于散热的底板；所述底板设置在绝缘基板背离第一导电层的一面。7.一种功率模块内部电气连接方法，其特征在于，应用权利要求1-6任一所述的功率模块，包括如下步骤：步骤s1：在第一铜带上形成凸出结构；步骤s2：使凸出结构嵌入第一连接层。8.根据权利要求7所述的功率模块内部电气连接方法，其特征在于，在所述步骤s1中，使用冲压的方法在铜带上形成拱形的凸出结构。9.根据权利要求7所述的功率模块内部电气连接方法，其特征在于，在所述步骤s1中，使用冲压的方法在铜带上形成包形的凸出结构。10.根据权利要求7所述的功率模块内部电气连接方法，其特征在于，在所述步骤s1中，使用激光在第一铜带上进行照射，第一铜带上融化的铜聚集形成包形的凸出结构。
技术总结
本发明提供了一种功率模块及其内部电气连接方法，包括主体；所述主体包括基板组件、芯片和铜框架；所述基板组件分别连接芯片和铜框架；所述铜框架包括第一铜带；所述第一铜带和芯片通过第一连接层连接；所述第一铜带上设置有嵌入第一连接层的凸出结构。本发明铜带上的凸出结构可以有效的防止焊接时候融合的焊锡被较重的铜带和铜板被挤压的问题。被较重的铜带和铜板被挤压的问题。被较重的铜带和铜板被挤压的问题。
技术研发人员：梁小广 丁烜明 洪旭 朱荣
受保护的技术使用者：无锡利普思半导体有限公司
技术研发日：2022.04.06
技术公布日：2022/7/4