技术特征：
1.一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层外表面设置有接收天线微带辐射贴片、直流偏置线、以及与所述直流偏置线连接的扇形1/4波长开路线和微带线；所述第二介质层外表面设置有发射天线微带辐射贴片，在所述第一介质层和所述第二介质层之间夹设有带耦合缝隙的金属地板，在所述第一介质层中设置有第一短路柱，所述第一短路柱用于将所述接收天线微带辐射贴片与所述金属地板短接；在所述第一介质层中还设置有用于连接所述微带线的第二短路柱，在所述第二短路柱与所述金属地板之间设置有正接二极管和反接二极管。2.根据权利要求1所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：所述接收天线微带辐射贴片采用1/4波长微带辐射天线，在所述第一介质层中还设置有第三短路柱和第四短路柱，所述第一短路柱连接在所述接收天线微带辐射贴片的中心线上，所述第三短路柱和所述第四短路柱也用于将所述接收天线微带辐射贴片与所述金属地板短接且沿同一直线等间距分布在所述第一短路柱的两侧，并通过所述1/4波长微带辐射天线和所述第一短路柱、第三短路柱以及第四短路柱模拟1/2波长微带辐射天线的场分布。3.根据权利要求2所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：所述发射天线微带辐射贴片采用1/2波长口径耦合微带天线。4.根据权利要求1所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：在所述第一介质层上开设有用于插接所述第一短路柱的第一金属化通孔和用于插接所述第二短路柱的第二金属化通孔，所述正接二极管和所述反接二极管分别焊接在所述第二金属化通孔的两侧。5.根据权利要求2所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：在所述第一介质层上开设有用于插接所述第三短路柱的第三金属化通孔和用于插接所述第四短路柱的第四金属化通孔。6.根据权利要求2或3所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：所述扇形1/4波长开路线连接在距离所述接收天线微带辐射贴片1/4波长距离位置。7.根据权利要求4所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：所述金属地板上的耦合缝隙包括一端的矩形通孔、另一端的圆形通孔、以及矩形通孔和圆形通孔之间连通的条形缝隙。8.根据权利要求1所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：所述接收天线微带辐射贴片的右下角开设有矩形缺口，所述微带线位于所述接收天线微带辐射贴片的右侧并沿着所述接收天线微带辐射贴片的下边缘水平设置，所述微带线的左端延伸至所述接收天线微带辐射贴片的右下角开设的矩形缺口位置，所述直流偏置线的端部与所述微带线的中部垂直连接。9.根据权利要求1所述的一种1bit可重构透射阵单元，其特征在于：所述第一介质层采用f4bm220介质板，相对介电常数2.2，厚度为0.8mm；所述第二介质层采用f4bm220介质板，相对介电常数2.2，厚度为1mm。
技术总结
本发明提供一种1bit可重构透射阵单元，包括第一介质层和第二介质层，第一介质层外表面设置有接收天线微带辐射贴片、直流偏置线、以及与直流偏置线连接的扇形1/4波长开路线和微带线；第二介质层外表面设置有发射天线微带辐射贴片，在第一介质层和第二介质层之间夹设有带耦合缝隙的金属地板，在第一介质层中设置有用于将接收天线微带辐射贴片与金属地板短接的第一短路柱；以及用于连接微带线的第二短路柱，在第二短路柱与金属地板之间设置有正接二极管和反接二极管。其效果是：单元传输相位在工作频带内能够实现稳定的0
技术研发人员：孙瑶 肖亮 唐金 魏伟 钮浪 陈斯 陶林
受保护的技术使用者：成都空间矩阵科技有限公司
技术研发日：2022.04.11
技术公布日：2022/6/7