显示基板和显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板和显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)器件是一种以有机半导体材料为基础的电致发光器件，随着oled显示行业的飞速发展，对oled器件发光效率的要求越来越高。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供一种显示基板和显示装置。
4.第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的第一阻挡结构、第二阻挡结构、第二平坦化层和发光器件；其中，
5.所述衬底基板包括显示区以及位于所述显示区周边的非显示区；
6.所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构均位于所述非显示区，所述第二阻挡结构位于所述第一阻挡结构远离所述显示区的一侧；所述第一阻挡结构包括至少一个第一阻挡壁，所述第二阻挡结构包括至少一个第二阻挡壁；
7.所述第二平坦化层位于所述显示区；
8.所述发光器件包括叠设的第一电极、发光功能层和第二电极，第一电极位于所述第二平坦化层远离所述衬底基板一侧，且与所述第二平坦化层接触；
9.所述第一阻挡壁远离所述衬底基板的表面高于所述第二阻挡壁远离所述衬底基板的表面，且所述第一阻挡壁远离所述衬底基板的表面低于所述第二平坦化层远离所述衬底基板的表面。
10.在一些实施例中，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板上的第三阻挡结构，所述第三阻挡结构包括至少一个第三阻挡壁；
11.所述第三阻挡结构位于所述非显示区，所述第二阻挡结构位于所述第三阻挡结构靠近所述显示区的一侧；
12.所述第三阻挡壁远离所述衬底基板的表面高于所述第二阻挡壁远离所述衬底基板的表面。
13.在一些实施例中，所述第一阻挡结构的高度和所述第三阻挡结构的高度之比在0.9～1.1之间。
14.在一些实施例中，所述第一阻挡壁包括层叠设置的n个第一膜层，所述第二阻挡壁包括层叠设置的m个第二膜层，所述第三阻挡壁包括层叠设置的n个第三膜层，其中，m、n均为正整数，n＞m；
15.所述显示基板还包括：
16.位于所述第二平坦化层和所述衬底基板之间的第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层，且所述第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层沿远离所述衬底基板的方向依次
设置；
17.转接电极，所述转接电极位于所述第一钝化层和所述第二钝化层之间；
18.薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一平坦化层和所述衬底基板之间，所述转接电极和所述薄膜晶体管的源漏极通过贯穿第一平坦化层和第一钝化层的过孔连接；
19.所述第一平坦化层、所述第一钝化层和所述第二钝化层、所述转接电极以及所述薄膜晶体管均位于所述显示区；
20.所述n个第一膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一平坦化层、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述m个第二膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述n个第三膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一平坦化层、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；
21.所述第一阻挡壁中与所述第一平坦化层同层设置的第一膜层与所述第一平坦化层连接。
22.在一些实施例中，所述第一阻挡壁、所述第二阻挡壁和所述第三阻挡壁中与所述转接电极同层设置的膜层，以及所述第二阻挡壁中与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置的膜层，均具有靠近所述显示区的第一侧面和远离所述显示区的第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面上均形成有凹槽。
23.在一些实施例中，所述第一阻挡壁包括层叠设置的n个第一膜层，所述第二阻挡壁包括层叠设置的m个第二膜层，所述第三阻挡壁包括层叠设置的n个第三膜层，其中，m、n均为正整数，n＞m；
24.所述显示基板还包括：
25.位于所述第二平坦化层和所述衬底基板之间的第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层，且所述第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层沿远离所述衬底基板的方向依次设置；
26.转接电极，所述转接电极位于所述第一钝化层和所述第二钝化层之间；
27.薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一平坦化层和所述衬底基板之间，所述转接电极和所述薄膜晶体管的源漏极通过贯穿第一平坦化层和第一钝化层的过孔连接；
28.所述第一平坦化层、所述第一钝化层和所述第二钝化层、所述转接电极以及所述薄膜晶体管均位于所述显示区；
29.所述n个第一膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层、所述第二平坦化层同层设置；所述m个第二膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述n个第三膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层、所述第二平坦化层同层设置；
30.所述第一阻挡壁中与所述第二平坦化层同层设置的膜层与所述第二平坦化层连接。
31.在一些实施例中，所述第二阻挡壁中分别与所述转接电极和所述薄膜晶体管的源漏极同层设置的膜层，均具有靠近所述显示区的第三侧面和远离所述显示区的第四侧面，所述第三侧面和所述第四侧面上均形成有凹槽。
32.在一些实施例中，所述第一阻挡结构包括间隔设置的多个第一阻挡壁，所述多个第一阻挡壁沿靠近所述显示区的方向依次设置；
33.所述第二阻挡结构包括间隔设置的多个第二阻挡壁，所述多个第二阻挡壁沿靠近所述显示区的方向依次设置；
34.所述第三阻挡结构包括间隔设置的多个第三阻挡壁，所述多个第三阻挡壁沿靠近所述显示区的方向依次设置。
35.在一些实施例中，所述第一阻挡结构和所述第三阻挡结构的宽度与所述第二阻挡结构的宽度之比均在0.8～1.2之间；
36.所述第一阻挡结构与所述第二阻挡结构之间形成第一缝隙，所述第二阻挡结构与所述第三阻挡结构之间形成第二缝隙，所述第一缝隙和所述第二缝隙的宽度相等。
37.第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示基板。
附图说明
38.附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
39.图1为一种异形显示基板的平面结构示意图；
40.图2为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
41.图3为本公开实施例提供的另一显示基板的结构示意图；
42.图4为本公开实施例提供的另一显示基板的结构示意图；
43.图5为本公开实施例提供的一种阻挡结构的结构示意图。
具体实施方式
44.以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
45.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
46.除非另作定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
47.本公开实施例中的“同层设置”是指，多个结构是由同一个材料层经过构图工艺形成的，故这几个结构在层叠关系上是处于同一个层之中的；但这并不表示这几个结构与衬底基板间的距离必定相同。
48.在oled显示领域，为了符合显示基板的产品设计性，在一些产品中，可以将显示基板的平面形状设计成不同于矩形的异形形状。图1为一种异形显示基板的平面结构示意图，如图1所示，显示基板可以设计为d形状的异形结构。在异形显示基板的使用过程中，容易受物理挤压碰撞，产生裂纹的风险高。具有裂纹的显示基板的显示效果会受到影响，影响产品良率，因此在该显示基板的显示区周围的非显示区中，除了需要留出绑定区a的空间，还需要设置阻挡壁b，以达到对显示基板的封装效果。
49.显示基板的显示区中设置有位于衬底基板上的薄膜晶体管、钝化层、平坦化层、发光器件和像素界定层，其中，钝化层位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，平坦化层位于钝化层远离衬底基板的一侧，发光器件的第一电极位于像素界定层和平坦化层之间，且第一电极通过贯穿钝化层和平坦化层的过孔与薄膜晶体管的源漏极连接，像素界定层上形成有多个容纳部，第一电极的部分被容纳部暴露。
50.在显示基板的制备过程中，为了简化制备工艺，非显示区中阻挡壁b中的膜层与显示区的一些膜层是同层设置的。例如，阻挡壁b包括沿远离衬底基板依次设置的第一膜层、第二膜层和第三膜层，将第一膜层与薄膜晶体管的源漏极同层设置，将第二膜层与钝化层同层设置，将第三膜层与平坦化层同层设置。但是由于显示区还设置有薄膜晶体管的栅极、有源层等结构，因此，在制作完成平坦化层之后，显示区中的膜层结构与阻挡壁的膜层结构之间会形成段差。
51.其中，像素界定层的材料包括有机材料，在制备像素界定层时可以采用喷涂设备沿图1中的x方向在显示区涂覆胶体，并对胶体进行固化，之后对固化后的胶体进行构图工艺以形成像素界定层。但由于喷涂设备的操作局限性，当显示基板的显示区中膜层结构与非显示区中阻挡壁的膜层结构之间具有较大段差时，胶体在靠近非显示区的区域容易出现大面积的缺失，导致形成的像素界定层出现缺失，进而影响显示基板的产品良率。
52.为了解决上述技术问题中的至少一个，本公开实施例提供一种显示基板，通过减少阻挡壁的上表面与平坦化层的上表面之间的段差，以避免形成像素界定层的胶体在喷涂过程中出现大面积缺失，提高显示基板的产品良率。其中，某结构的上表面是指该结构远离衬底基板的表面。
53.图2为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图，如图2所示，显示基板包括：衬底基板1、设置在衬底基板1上的第一阻挡结构rib10、第二阻挡结构rib20、第二平坦化层pln2和发光器件2。上述第一阻挡结构rib10可以包括至少一个第一阻挡壁rib1，第二阻挡结构rib20可以包括至少一个第二阻挡壁rib2。
54.其中，衬底基板1包括显示区aa以及位于显示区aa周边的非显示区na；第一阻挡结构rib10和第二阻挡结构rib20均位于非显示区na，第二阻挡结构rib20位于第一阻挡结构rib10远离显示区aa的一侧，第一阻挡结构rib10包括至少一个第一阻挡壁rib1，第二阻挡结构rib20包括至少一个第二阻挡壁rib2。第二平坦化层pln2位于显示区aa。
55.发光器件2包括位于第二平坦化层pln2远离衬底基板1一侧的第一电极21、发光功能层22和第二电极23，且第一电极21、发光功能层22和第二电极23沿远离第二平坦化层pln2的方向依次设置，第一电极21与第二平坦化层pln2接触。
56.第一阻挡壁rib1远离衬底基板1的表面高于第二阻挡壁rib2远离衬底基板1的表面，且第一阻挡壁rib1远离衬底基板1的表面低于第二平坦化层pln2远离衬底基板1的表
面。
57.需要说明的是，图2中仅示出了第一阻挡结构rib10包括一个第一阻挡壁rib1，以及第二阻挡结构rib20包括一个第二阻挡壁rib2的显示基板结构。以及，在本公开中某一表面a“高于”另一表面b是指，表面a到衬底基板1的距离大于表面b到衬底基板1的距离；某一表面c“低于”另一表面d是指，表面c到衬底基板1的距离小于表面d到衬底基板1的距离。
58.另外，显示基板还包括设置在显示区aa的像素界定层pdl，其位于第二平坦化层pln2远离衬底基板1的一侧，且包括多个容纳部。第一电极21位于像素界定层pdl与第二平坦化层pln2之间，第一电极21的一部分被容纳部暴露。以及，上述发光功能层22可以包括依次叠置的：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。在一个示例中，第一电极21可以为阳极，第二电极23可以为阴极。可选地，第一电极21为金属材料制作的反射电极，第二电极23为透明导电材料(例如，氧化铟锡)制作的透明电极。多个发光器件2的第二电极23可以形成为一体结构。
59.本公开实施例提供的显示基板，由于第一阻挡壁rib1远离衬底基板1的表面高于第二阻挡壁rib2远离衬底基板1的表面，且低于第二平坦化层pln2远离衬底基板1的表面，使得第二平坦化层pln2、第一阻挡壁rib1和第二阻挡壁rib2三者之间形成阶梯结构，以缓冲第二平坦化层pln2和第二阻挡壁rib2之间的大尺寸段差，避免形成像素界定层的胶体在靠近非显示区的区域出现大面积的缺失，提高显示基板的产品良率。
60.在一些实施例中，如图2所示，显示基板还包括设置在衬底基板1上的第三阻挡结构rib30，其包括至少一个第三阻挡壁rib3；第三阻挡结构rib30位于非显示区na，第二阻挡结构rib20位于第三阻挡结构rib30靠近显示区aa的一侧。
61.需要说明的是，图2中仅示出了第三阻挡结构rib30包括一个第三阻挡壁rib3的显示基板结构。
62.通常情况下，显示基板并不是单独制备成型，而是在一个大尺寸衬底母板的各个基板区依次形成各个膜层，形成显示基板母板，然后再沿基板区之间的冗余区对显示基板母板进行切割，形成多个显示基板。其中，在衬底基板母板的各个基板区形成各膜层的同时，也会在冗余区同步形成相应的冗余膜层，例如，在基板区形成第二平坦化层的同时，还会在冗余区形成冗余平坦化层，该冗余平坦化层与第二平坦化层的上表面的高度基本相同。在形成像素界定层时，沿预设方向在各个基板区涂覆胶体，若第三阻挡壁rib3的上表面与冗余平坦化层的上表面段差较大，则冗余区同样会出现涂胶缺失的情况，从而容易导致生产设备误报警，影响生产效率。
63.为了防止这一现象，本公开实施例中，第三阻挡壁rib3远离衬底基板1的表面高于第二阻挡壁rib2远离衬底基板1的表面，以缓冲第二阻挡壁rib2和冗余区之间的段差，避免了因冗余区涂胶缺失而造成的生产效率降低的问题。
64.在一些实施例中，第一阻挡结构rib1的高度和第三阻挡结构rib3的高度之比在0.9～1.1之间。其中第一阻挡结构rib1的高度是指，第一阻挡壁rib1远离衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离，第三阻挡结构rib3的高度是指，第三阻挡壁rib3远离衬底基板1的表面与衬底基板1之间的距离。例如，第一阻挡结构rib1的高度和第三阻挡结构rib3的高度相等。
65.在一些实施例中，如图2所示，第一阻挡壁rib1包括层叠设置的n个膜层，第一阻挡
壁rib1中的每个膜层记作第一膜层，第二阻挡壁rib2包括层叠设置的m个膜层，第二阻挡壁rib2中的每个膜层记作第二膜层，第三阻挡壁rib3包括层叠设置的n个膜层，第三阻挡壁rib3中的每个膜层记作第三膜层，其中，m、n均为正整数，n＞m，通过设置不同数量的膜层结构，形成第一阻挡壁rib1/第三阻挡壁rib3与第二阻挡壁rib2之间的段差。
66.每个第二膜层与一个第一膜层同层设置，以及每个第二膜层与一个第三膜层同层设置。具体地，如图2所示，第一阻挡壁rib1中的n个第一膜层分别为a1、a2、a3、a4、a5，第二阻挡壁rib2中的m个第二膜层分别为b1、b2、b3、b4，第三阻挡壁rib3中的n个第三膜层分别为c1、c2、c3、c4、c5，其中，a1、b1、c1同层设置；a2、b2、c3同层设置；a3、b3、c3同层设置；a4、b4、c4同层设置，从而简化显示基板的制作过程。
67.在一些实施例中，如图2所示，显示基板还包括第一平坦化层pln1、第一钝化层pvx1和第二钝化层pvx2、转接电极3、薄膜晶体管4，薄膜晶体管4包括第一极41、第二极42、有源层43和栅极44，其中，第一极41和第二极42中的一者为源极，另一者为漏极。
68.第一平坦化层pln1、第一钝化层pvx1和第二钝化层pvx2均位于第二平坦化层pln2和衬底基板1之间，且第一平坦化层pln1、第一钝化层pvx1和第二钝化层pvx2沿远离衬底基板1的方向依次设置。转接电极3位于第一钝化层pvx1和第二钝化层pvx2之间。薄膜晶体管4位于第一平坦化层pln1和衬底基板1之间，转接电极3和薄膜晶体管的第一极41通过贯穿第一平坦化层pln1和第一钝化层pvx1的过孔连接。第一平坦化层pln1、第一钝化层pvx1和第二钝化层pvx2、转接电极3以及薄膜晶体管4均位于显示区aa。
69.在一些实施例中，m个第二膜层分别与薄膜晶体管的源漏极、第一钝化层pvx1、转接电极3、第二钝化层pvx2同层设置。n个第一膜层分别与薄膜晶体管的源漏极、第一平坦化层pln1、第一钝化层pvx1、转接电极3、第二钝化层pvx2同层设置。n个第三膜层分别与薄膜晶体管的源漏极、第一平坦化层pln1、第一钝化层pvx1、转接电极3、第二钝化层pvx2同层设置。
70.需要说明的是，薄膜晶体管的源极和漏极是同层设置的，本公开中与薄膜晶体管的源漏极同层设置是指，与薄膜晶体管的源极和漏极均同层设置。
71.具体地，如图2所示，第一阻挡壁rib1中a1与薄膜晶体管的源漏极同层设置、a2与第一钝化层pvx1同层设置、a3与转接电极3同层设置、a4与第二钝化层pvx2同层设置以及a5与第一平坦化层pln1同层设置；第二阻挡壁rib2中b1与薄膜晶体管的源漏极同层设置、b2与第一钝化层pvx1同层设置、b3与转接电极3同层设置、b4与第二钝化层pvx2同层设置；第三阻挡壁rib3中c1与薄膜晶体管的源漏极同层设置、c2与第一钝化层pvx1同层设置、c3与转接电极3同层设置、c4与第二钝化层pvx2同层设置以及c5与第一平坦化层pln1同层设置。通过在第一阻挡壁rib1和第三阻挡壁rib3上增设与第一平坦层同层设置的膜层，形成与第二阻挡壁rib2在膜层数量上的区别，进而使得第一阻挡壁rib1和第三阻挡壁rib3均形成与第二阻挡壁rib2之间的高度差。
72.上述第一平坦化层pln1和第二平坦化层pln2的材料均可以包括有机绝缘材料，例如有机绝缘材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、亚克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等，本公开对此均不作限定。
73.其中，第一平坦化层和第二平坦化层的表面大致平坦，从而有效避免膜层不平坦所导致的色偏、漏光等现象。
74.在一些实施例中，如图2所示，第一阻挡壁rib1中与第一平坦化层pln1同层设置的第一膜层与第一平坦化层pln1连为一体结构，因此显示区aa与阻挡壁之间的缝隙处无需将第一平坦化层pln1刻蚀去除，简化了显示基板的制作工艺。
75.在一些实施例中，第一阻挡结构rib10与第二阻挡结构rib20之间形成第一缝隙，第二阻挡结构rib20与第三阻挡结构rib30之间形成第二缝隙，第一缝隙和第二缝隙的宽度相等，以便于工艺制作。
76.在第一阻挡结构rib10中包括多个第一阻挡壁rib1的情况下，相邻的两个第一阻挡壁rib1之间均形成有缝隙；在第二阻挡结构rib20中包括多个第二阻挡壁rib2的情况下，相邻的两个第二阻挡壁rib2之间均形成有缝隙；在第三阻挡结构rib30中包括多个第三阻挡壁rib3的情况下，相邻的两个第三阻挡壁rib3之间均形成有缝隙，从而延长外界水汽侵入显示区的路径，提高对显示区的保护效果。其中，每相邻两个第一阻挡壁rib1之间的间隙、每相邻两个第二阻挡壁rib2之间的间隙、以及每相邻两个第三阻挡壁rib3之间的间隙，均可以与上述第一缝隙或第二缝隙的宽度相等，以便于工艺制作。
77.需要说明的是，各缝隙的宽度是指，缝隙在由第一阻挡壁rib1指向第二阻挡壁rib2方向上的尺寸。并且，本公开中的两个缝隙宽度相等是指，两个缝隙的宽度差小于任一缝隙宽度的10％。
78.在一些实施例中，如图2中所示出的以每一阻挡结构中只包括一个阻挡壁为例，第一阻挡壁rib1、第二阻挡壁rib2和第三阻挡壁rib3中与转接电极3同层设置的膜层，以及第二阻挡壁rib2中与薄膜晶体管的源漏极同层设置的膜层，均具有靠近显示区aa的第一侧面和远离显示区aa的第二侧面，第一侧面和第二侧面上均形成有凹槽，即在a3、b1、b3和c3膜层的两侧均具有凹槽，其用于阻挡外界水汽，避免水汽对显示基板中各膜层的侵蚀，以达到对显示基板的封装效果。
79.还需要说明的是，如图2所示，阻挡结构中与转接电极3同层设置的膜层a3、b3、c3，以及与薄膜晶体管的源漏极同层设置的膜层a1、b1、c1，其材料可以为金属构成的多层，例如ti/al/ti叠层。在一个示例中，采用干法刻蚀工艺刻蚀ti/al/ti叠层，由于al的活泼性相比于ti较强，即al的耐腐蚀性相比于ti较差，因此al的刻蚀速度大于ti。相同时间内，al被刻蚀去除的体积比ti更多，从而形成侧面凹槽。
80.图3为本公开实施例提供的另一显示基板的结构示意图，同样以每一阻挡结构中只包括一个阻挡壁为例，在另一些实施例中，如图3所示，n个第一膜层，分别与薄膜晶体管的源漏极、第一钝化层pvx1、转接电极3、第二钝化层pvx2、第二平坦化层pln2同层设置；n个第三膜层分别与薄膜晶体管的源漏极、第一钝化层pvx1、转接电极3、第二钝化层pvx2、第二平坦化层pln2同层设置。
81.具体地，如图3所示，第一阻挡壁rib1中的n个第一膜层分别为a1、a2、a3、a4、a6，其中，a1与薄膜晶体管的源漏极同层设置、a2与第一钝化层pvx1同层设置、a3与转接电极3同层设置、a4与第二钝化层pvx2同层设置以及a6与第二平坦化层pln2同层设置；第二阻挡壁rib2中的m个第二膜层分别为b1、b2、b3、b4其中，b1与薄膜晶体管的源漏极同层设置、b2与第一钝化层pvx1同层设置、b3与转接电极3同层设置、b4与第二钝化层pvx2同层设置；第三阻挡壁rib3中的n个第三膜层分别为c1、c2、c3、c4、c6，其中，c1与薄膜晶体管的源漏极同层设置、c2与第一钝化层pvx1同层设置、c3与转接电极3同层设置、c4与第二钝化层pvx2同层
设置以及c6与第二平坦化层pln2同层设置。通过在第一阻挡壁rib1和第三阻挡壁rib3上增设与第二平坦层pln2同层设置的膜层，形成与第二阻挡壁rib2在膜层数量上的区别，进而使得第一阻挡壁rib1和第三阻挡壁rib3均形成与第二阻挡壁rib2之间的高度差。
82.需要说明的是，如图3所示，第一阻挡壁rib1中与第二平坦化层pln2同层设置的膜层a6与第二平坦化层pln2连为一体结构，第一阻挡壁rib1中与第二钝化层pvx2同层设置的膜层a4与第二钝化层pvx2连为一体结构，第一阻挡壁rib1中与第一钝化层pvx1同层设置的膜层a2与第一钝化层pvx1连为一体结构，也就是说，显示区aa与阻挡结构之间的缝隙处在远离衬底基板的方向上依次由第一钝化层pvx1、第二钝化层pvx2和第二平坦层pln2填充，无需将上述缝隙处的材料刻蚀去除，简化了显示基板的制作工艺。
83.在一些实施例中，在第一阻挡结构rib10、第二阻挡结构rib20和第三阻挡结构rib30中均包括多个阻挡壁的情况下，相邻的两个阻挡壁之间均形成有缝隙。
84.在一些实施例中，如图3中所示出的以每一阻挡结构中只包括一个阻挡壁为例，第一阻挡壁rib1与第二阻挡壁rib2之间，和第二阻挡壁rib2与第三阻挡壁rib3之间均形成有缝隙；第二阻挡壁rib2中分别与转接电极3和薄膜晶体管的源漏极同层设置的膜层，均具有靠近显示区aa的第三侧面和远离显示区aa的第四侧面，第三侧面和第四侧面上均形成有凹槽。即第二阻挡壁rib2的b1和b3膜层上形成有凹槽，以阻挡外界水汽，避免水汽对显示基板中各膜层的侵蚀，达到对显示基板的封装效果。
85.在一些实施例中，如图2、3所示，以薄膜晶体管4采用顶栅型薄膜晶体管4为例，栅极44位于有源层43远离衬底基板1的一侧，第一极41和第二极42位于栅极44远离衬底基板1的一侧。有源层43的材料可以包括例如无机半导体材料(例如，多晶硅、非晶硅等)、有机半导体材料、氧化物半导体材料。有源层43包括沟道部和位于该沟道部两侧的第一连接部和第二连接部，第一连接部与薄膜晶体管的第一极41连接，第二连接部与薄膜晶体管的第二极42连接。第一连接部和第二连接部均可以掺杂有比沟道部的杂质浓度高的杂质(例如，n型杂质或p型杂质)。沟道部与薄膜晶体管的栅极44正对，当栅极44加载的电压信号达到一定值时，沟道部中形成载流子通路，使薄膜晶体管的第二极42和第一极41导通。
86.如图2、3所示，显示基板还包括：缓冲层buf、第一栅绝缘层gi1、第二栅绝缘层gi2和层间绝缘层ild。其中，缓冲层buf位于衬底基板1和薄膜晶体管4之间，用于防止或减少金属原子和/或杂质从衬底基板1扩散到薄膜晶体管的有源层43中。缓冲层buf可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，并且可以形成为多层或单层。
87.第一栅绝缘层gi1位于薄膜晶体管的有源层43和栅极44之间；第二栅绝缘层gi2和层间绝缘层ild，位于薄膜晶体管的栅极44与第二极42之间，层间绝缘层ild位于第二栅绝缘层gi2远离衬底基板1的一侧。上述第一栅绝缘层gi1、第二栅绝缘层gi2和层间绝缘层ild的材料均可以包括硅化合物或者金属氧化物，以及均可以形成为单层或多层，本公开实施例对此均不作限定。
88.缓冲层buf、第一栅绝缘层gi1、第二栅绝缘层gi2和层间绝缘层ild均从显示区aa延伸至非显示区na，第一阻挡结构rib1、第二阻挡结构rib2和第三阻挡结构rib3均位于层间绝缘层ild远离衬底基板1的一侧。
89.栅电极层设置在第一栅绝缘层gi1远离衬底基板1的一侧。其中，栅电极层包括各薄膜晶体管的栅极44和电容的第一电极板。栅电极层的材料可以包括例如金属、金属合金、
金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极层可以包括金、金的合金、银、银的合金、铝、铝的合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、铜的合金、镍、铬、氮化铬、钼、钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锡、氧化铟锌等。栅电极层可以具有单层或多层。
90.图4为本公开实施例提供的另一显示基板的结构示意图，同样以每一阻挡结构中只包括一个阻挡壁为例，在一些实施例中，如图4所示，电容的第二电极板45设置在第二栅绝缘层gi2远离衬底基板1的一侧，且与薄膜晶体管的第二极42连接，其材料可以与第一电极板的材料相同，在此不再赘述。
91.在一些实施例中，第一阻挡结构rib10包括间隔设置的多个第一阻挡壁rib1，多个第一阻挡壁rib1沿靠近显示区的方向依次设置；第二阻挡结构rib20包括间隔设置的多个第二阻挡壁rib2，多个第二阻挡壁rib2沿靠近显示区的方向依次设置；第三阻挡结构rib30包括间隔设置的多个第三阻挡壁rib3，多个第三阻挡壁rib3沿靠近显示区的方向依次设置。阻挡结构在显示基板中的作用在于隔绝水汽，以保护显示基板内的各个膜层不受侵蚀，通过在每一阻挡结构中设置多个阻挡壁，提高对显示区内各个膜层的保护效果。
92.在一些实施例中，第一阻挡结构rib10和第三阻挡结构rib30的宽度与第二阻挡结构rib20的宽度之比均在0.8～1.2之间。例如，第一阻挡结构rib10中可以包括10个第一阻挡壁rib1，第三阻挡结构rib30中可以包括10个第三阻挡壁rib3，第二阻挡结构rib2中也包括10个第二阻挡壁rib2，以使第一阻挡结构rib10和第三阻挡结构rib30的宽度与第二阻挡结构rib20的宽度之比均为1:1。
93.以向第一阻挡结构rib10和第三阻挡结构rib30中增设与第二平坦化层pln2同层设置的膜层为例，本公开实施例提供一种阻挡结构的具体结构。图5为本公开实施例提供的一种阻挡结构的结构示意图，在一些实施例中，第一阻挡结构rib10和第三阻挡结构rib30的宽度可以相同也可以不同，以及第一阻挡结构rib10、第二阻挡结构rib20和第三阻挡结构rib30三者的宽度可以相同，也可以各有差异。如图5所示，第一阻挡结构rib10中包括q1个第一阻挡壁rib1，第二阻挡结构rib20中包括q2个第二阻挡壁rib2，第三阻挡结构rib30中包括q3个第三阻挡壁rib3，相邻两个阻挡壁之间形成有缝隙。上述q1、q2和q3均为大于1的整数，q1、q2和q3可以相等，也可以不等，本公开实施例对此均不作限定。例如，三个阻挡结构的宽度相同，q1、q2和q3均为10。通过将第一阻挡结构rib10、第二阻挡结构rib20和第三阻挡结构rib30均设置多个阻挡壁的结构，可以延长外界水汽进入显示基板显示区的路径，提高对显示区内结构的保护效果。
94.还需要说明的是，第一阻挡结构rib10中的多个第一阻挡壁rib1中与第二平坦化层pln2同层设置的膜层可以间隔设置也可以连接为一体结构，第三阻挡结构rib30中的多个第三阻挡壁rib3中与第二平坦化层pln2同层设置的膜层可以间隔设置也可以连接为一体结构，本公开实施例对此均不作限定。
95.本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述显示基板。
96.上述显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开对此不作限定。
97.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精
神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。