图像感测装置的制作方法

1.本专利文档中公开的技术和实现一般涉及图像感测装置。


背景技术：

2.图像传感器用于电子装置中以将光学图像转换成电信号。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的最近发展，在诸如数码相机、摄像机、个人通信系统(pcs)、视频游戏机、监控摄像头、医用微型相机、机器人等的各种电子装置中对于高度集成、更高性能的图像传感器的需求已经迅速增加。


技术实现要素：

3.所公开的技术的各种实施方式涉及解决像素信号的不平衡的图像感测装置。
4.根据所公开的技术的实施方式，一种图像感测装置可以包括：半导体基板，其包括分别对应于像素的像素区域，每个像素区域包括对应像素的通过入射光的转换来生成光电荷的光电转换区域；以及多个第一滤色器，其设置于半导体基板的第一表面上方并且位于半导体基板的像素区域上方，以将第一颜色的入射光透射到像素区域。与第一滤色器相对应的像素区域具有彼此不同的基板厚度。
5.根据所公开的技术的另一实施方式，一种图像感测装置可以包括：像素阵列，其包括多个子像素块，每个子像素块包括被配置为通过对应于特定颜色的入射光的光电转换来生成光电荷的多个单位像素。子像素块的多个单位像素具有像素区域，像素区域位于基板内以执行入射光的光电转换并且具有彼此不同的厚度。
6.要理解的是，对所公开的技术的前述一般描述和以下详细描述都是例示性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
7.当参照结合附图考虑的以下详细描述时，所公开的技术的以上和其它特征和有益方面将变得显而易见。
8.图1是例示基于所公开的技术的一些实现的图像感测装置的示例的框图。
9.图2是示意性地例示基于所公开的技术的一些实现的图1所示的像素阵列的布局结构的示例的立体图。
10.图3是例示基于所公开的技术的一些实现的沿着图2所示的线a-a
′
截取的像素阵列的示例的截面图。
11.图4是例示基于所公开的技术的一些实现的用于确定子像素块内的每个单位像素的基板厚度的方法的示例的流程图。
12.图5a是例示基于所公开的技术的一些实现的通过模拟结果提取的红色(r)的光灵敏度变化的曲线图的示例的图。
13.图5b是例示基于所公开的技术的一些实现的通过模拟结果提取的绿色(gr)的光
灵敏度变化的曲线图的示例的图。
14.图5c是例示基于所公开的技术的一些实现的通过模拟结果提取的绿色(gb)的光灵敏度变化的曲线图的示例的图。
15.图5d是例示基于所公开的技术的一些实现的通过模拟结果提取的蓝色(b)的光灵敏度变化的曲线图的示例的图。
16.图6是例示基于所公开的技术的一些实现的通过测试获得的子像素块的单位像素的信号值的图。
17.图7a至图7c是例示基于所公开的技术的一些实现的用于形成图3所示的具有不同深度的沟槽的方法的示例的截面图。
18.图8是例示基于所公开的技术的另一实施方式的图像感测装置的平面结构的示例的图。
具体实施方式
19.本专利文档提供了图像感测装置的实现和示例，并且可以实现所公开的特征以在更多应用中实现一个或更多个优点。所公开的技术的一些实现提出了解决像素信号的不平衡的图像感测装置的设计。所公开的技术提供了图像感测装置的各种实现，其能够通过相对于具有相同颜色的多个相邻单位像素来调整基板的厚度而防止像素信号的不平衡。
20.现在将详细参照某些实施方式，其示例在附图中例示。尽可能地，将贯穿附图使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。在以下描述中，将省略并入本文中的相关已知配置或功能的详细描述以避免模糊主题。
21.在下文中，将参照附图描述各种实施方式。然而，应当理解，所公开的技术不限于特定实施方式，而是包括实施方式的各种修改、等同和/或替代。所公开的技术的实施方式可以提供能够通过所公开的技术直接或间接认识到的各种效果。
22.图1是例示基于所公开的技术的一些实现的图像感测装置的框图。图2是示意性地例示基于所公开的技术的一些实现的图1所示的像素阵列100的布局结构的示例的立体图。
23.参照图1和图2，图像感测装置100可以包括像素阵列100、行驱动器200、相关双采样器(cds)300、模数转换器(adc)400、输出缓冲器500、列驱动器600和定时控制器700。图1所示的图像感测装置的组件仅通过示例的方式来讨论，并且本专利文档涵盖许多其它的变化、替换、变型、更换和修改。
24.像素阵列100可以包括以二维(2d)结构连续布置的多个像素块(pb)，在二维结构中像素块(pb)沿行方向和列方向布置。在一个示例中，多个像素块(pb)可以布置在包括行和列的二维(2d)像素阵列中。每个像素块(pb)可以被配置为包括具有不同滤色器的多个相邻子像素块以用于感测入射光中的颜色。在一些实现中，例如，可以使用红透射滤色器、绿透射滤色器和蓝透射滤色器，以包括以具有用于透射25％红色、25％蓝色和50％绿色的滤色器图案的拜耳(bayer)图案布置的、用于感测入射光中的红光的子像素块pb_r、用于感测入射光中的绿光的子像素块pb_gr、用于感测入射光中的绿光的另一滤色器的子像素块pb_gb、以及用于感测入射光中的蓝光的子像素块pb_b，以检测在每个像素块处接收到的入射光的强度和颜色。
25.子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个可以包括多个单位像素(px)，其被
配置为通过从外部接收到的入射光的光电转换来生成与入射光相对应的电信号(像素信号)。在这种情况下，子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个可以包括具有相同颜色的滤色器的单位像素(px)在(n
×
n)阵列中彼此相邻布置的结构(其中，n是2或更大的自然数)。在一些实现中，像素阵列100可以包括各自具有四元(quad)结构的子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b，在四元结构中具有相同颜色的四个单位像素以(2
×
2)阵列布置。例如，子像素块(pb_r)可以包括以指示四元结构的(2
×
2)阵列布置的四个红色像素，每个红色像素过滤出具有第一波长的可见光。子像素块pb_gr和pb_gb中的每一个可以包括以指示四元结构的(2
×
2)阵列布置的四个绿色像素，每个绿色像素过滤出具有比第一波长短的第二波长的可见光。子像素块(pb_b)可以包括以指示四元结构的(2
×
2)阵列布置的四个蓝色像素，每个蓝色像素过滤出具有比第二波长短的第三波长的可见光。
26.由于每个子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb或pb_b包括具有相同颜色的多个像素，因此可以期望包含在相同子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb或pb_b中的单位像素具有相同的光学特性(例如，光灵敏度)以防止信号的不平衡。为了帮助每个子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb或pb_b的单位像素具有相同的光学特性，基于所公开的技术的一些实现的图像感测装置可以调整包括于相同子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb或pb_b中的单位像素(px)中的每一个的基板厚度。通过这样做，属于相同子像素块的对应单位像素被配置为具有相同的光学特性。稍后将在本专利文档中描述如何调整相同子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb或pb_b中包括的单位像素(px)中的每一个的基板厚度。
27.像素阵列100可以从行驱动器200接收驱动信号(例如，行选择信号、复位信号、传输(或传送)信号等)。一旦接收到驱动信号，单位像素可以被激活以执行与行选择信号、复位信号和传送信号对应的操作。
28.行驱动器200可以基于由诸如定时控制器700之类的控制器电路提供的控制信号来激活像素阵列100以对对应行中的单位像素执行某些操作。在一些实现中，行驱动器200可以选择布置在像素阵列100的一行或更多行中的一个或更多个像素组。行驱动器200可以生成行选择信号以从多个行当中选择一行或更多行。行驱动器200可以针对布置在被选行中的单位像素顺序地使能复位信号和传送信号。由布置在被选行中的单位像素生成的像素信号可以被输出到相关双采样器(cds)300。
29.相关双采样器(cds)300可以使用相关双采样来去除单位像素的不期望的偏移值。在一个示例中，相关双采样器(cds)300可以通过比较在由入射光生成的光电荷累积在感测节点(即，浮置扩散(fd)节点)中之前和之后所获得的(单位像素的)像素信号的输出电压来去除单位像素的不期望的偏移值。结果，cds 300可以获得仅由入射光生成的像素信号而不会引起噪声。在一些实现中，一旦从定时控制器700接收到时钟信号，cds 300可以顺序地采样并保持从像素阵列100提供给多条列线中的每条列线的参考信号和像素信号的电压电平。也就是说，cds 300可以采样并保持对应于像素阵列100的每一列的参考信号和像素信号的电压电平。在一些实现中，cds 300可以基于来自定时控制器700的控制信号，将每列的参考信号和像素作为相关双采样(cds)信号传送给adc 400。
30.adc 400用于将从cds 300接收到的模拟cds信号转换成数字信号。在一些实现中，adc 400可以被实现为斜坡比较型adc。模数转换器(adc)400可以将从定时控制器700接收到的斜坡信号与从cds 300接收到的cds信号进行比较，并且因此可以输出指示斜坡信号和
cds信号之间的比较结果的比较信号。模数转换器(adc)400可以响应于从定时控制器700接收的斜坡信号而对比较信号的电平转换时间进行计数，并且可以向输出缓冲器500输出指示所计数的电平转换时间的计数值。
31.输出缓冲器500可以基于定时控制器700的控制信号临时存储从adc 400提供的基于列的图像数据。从adc 400接收的图像数据可以基于定时控制器700的控制信号而临时存储在输出缓冲器50中。输出缓冲器500可以提供接口以补偿图像感测装置与其它装置之间的数据速率差异或传输速率差异。
32.列驱动器600可以在接收到来自定时控制器700的控制信号时选择输出缓冲器500的列，并顺序地输出临时存储在输出缓冲器500的被选列中的图像数据。在一些实现中，一旦从定时控制器700接收到地址信号，列驱动器600可以基于地址信号生成列选择信号，可以使用列选择信号来选择输出缓冲器500的列，并且可以控制从输出缓冲器500的被选列接收的图像数据以作为输出信号而输出。
33.定时控制器700可以生成用于控制行驱动器200、adc 400、输出缓冲器500和列驱动器600的操作的信号。定时控制器700可以为行驱动器200、列驱动器600、adc 400和输出缓冲器500提供图像感测装置的相应组件的操作所需的时钟信号、用于定时控制的控制信号、以及用于选择行或列的地址信号。在一些实现中，定时控制器700可以包括逻辑控制电路、锁相环(pll)电路、定时控制电路、通信接口电路等。
34.图3是例示基于所公开的技术的一些实现的沿着图2所示的线a-a
′
截取的像素阵列100的示例的截面图。
35.参照图3，半导体基板110可以包括光入射到其上的第一表面、以及与第一表面面对或相反的第二表面。半导体基板110可以包括单晶硅材料。半导体基板110可以包括形成为分别对应于单位像素pxa、pxb、pxc和pxd的光电转换区域112a、112b、112c和112d。单位像素pxa、pxb、pxc和pxd可以具有形成于半导体基板110中的对应区域，并且单位像素的这种对应区域可以被称为像素区域。光电转换区域112a、112b、112c和112d可以通过由滤色器层130过滤的入射光的光电转换来生成光电荷。
36.在一些实现中，包含于子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个中的单位像素pxa、单位像素pxb、单位像素pxc和单位像素pxd可以形成为具有彼此不同的基板厚度。例如，在子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个中，对应的单位像素pxa、pxb、pxc和pxd可以形成为以包括在对应子像素块中的单位像素pxa～pxd具有相同光灵敏度的方式具有不同的基板厚度。尽管为了便于描述图3仅例示了子像素块(pb_r)的截面结构，但是应当注意，在其它子像素块pb_gr、pb_gb和pb_b中，像素区域pxa～pxd的基板厚度以与在子像素块pb_r中相同的方式彼此不同。
37.单位像素pxa至pxd中的每一个的基板厚度可以使用算法通过模拟来确定。例如，执行模拟以获取关于每种颜色光基于基板厚度的光灵敏度变化之间的关系的信息。这种信息可以使用示出根据基板厚度变化的光灵敏度变化的曲线图来表示。也可以执行模拟以使用测试装置测量每个子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb或pb_b的单位像素pxa～pxd的信号值。可以基于通过模拟所获得的关于基板厚度与光灵敏度变化之间的关系的信息以及测量信号值，来确定单位像素pxa～pxd中的每一个的基板厚度。
38.为了允许半导体基板110形成有不同的厚度，可以在子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb
和pb_b中的每一个的半导体基板110内的对应于单位像素pxa～pxd的区域中形成具有不同深度的沟槽114a、114c和114d。随着如上所述地调整或确定沟槽114a、114c和114d的深度，可以在具有不同厚度的半导体基板110的像素区域中形成单位像素pxa～pxd。
39.当单位像素pxa～pxd的基板厚度如上所述地被调整或设置为彼此不同时，也可以调整或设置单位像素pxa、pxb、pxc和pxd的光电转换区域112a、112b、112c和112d中的每一个的尺寸(体积)。然后，在相同的曝光时间期间，由相应单位像素pxa～pxd吸收的光量可以彼此不同。结果，单位像素pxa～pxd可以具有相同的光灵敏度。
40.沟槽114a、114c和114d中的每一个可以被形成为从第一表面被蚀刻到对应深度，并且可以在沟槽114a、114c和114d中形成抗反射层120。另外，抗反射层120可以形成为在半导体基板100的第一表面上方延伸。抗反射层120可以包括选自由氧化物层、氮化物层、和/或氧氮化物层构成的组中的任何一个单层结构，或者可以包括通过层叠两个或更多个层形成的多层结构。尽管图3示出了一些单位像素pxa、pxc、pxd具有对应的沟槽114a、114c、114d，但是单位像素pxa至pxd中的每一个具有沟槽也是可行的。在这种情况下，通过将其它单位像素的沟槽的厚度确定为彼此不同，单位像素pxa至pxd仍然可以具有不同的厚度。
41.滤色器层130可以形成在抗反射层120上方。滤色器层130可以包括多个滤色器(即，rgb滤色器)，每个滤色器被形成为仅从入射光当中选择性地过滤具有特定颜色的可见光并将过滤后的光透射到对应的光电转换元件112a、112b、112c和112d。更详细地，包括多个红滤色器(r)、多个绿滤色器(g)和多个蓝滤色器(b)的滤色器层130可以执行入射光的过滤，因此可以选择性地透射特定波长的可见光(例如，红光、绿光或蓝光)，同时阻挡其它波长的光。滤色器r、g和b中的每一个可以逐个单位像素(px)地形成。红滤色器(r)可以包括含有红颜料的聚合物有机材料，绿滤色器(g)可以包括含有绿颜料的聚合物有机材料，并且蓝滤色器(b)可以包括含有蓝颜料的聚合物有机材料。例如，滤色器r、g和b中的每一个可以包括抗蚀剂材料。图3是例示子像素块(pb_r)的示例的截面图，而且为了便于描述和更好地理解所公开的技术，在图3中仅示出了红滤色器(r)。
42.栅格结构140可以限定形成滤色器r、g和b的区域，并且可以形成在相邻单位像素pxa～pxd的滤色器r、g和b之间，由此防止相邻滤色器r、g和b之间串扰。
43.透镜层150可以包括外覆层152和多个微透镜154。外覆层152和微透镜154可以由相同的材料形成。外覆层152可以形成于滤色器层130上方。外覆层152可以用作平坦化层，以补偿(或去除)由滤色器层130引起的台阶差。微透镜154可以形成于外覆层152上方。每个微透镜154可以形成为半球形状，并且可以逐个单位像素(px)地形成。微透镜154可以会聚入射光，并且可以将经会聚的光透射到对应的滤色器r、g和b。
44.图4是例示用于确定子像素块内的每个单位像素的基板厚度的方法的示例的流程图。图5a是例示通过模拟结果提取的红色(r)的光灵敏度变化的曲线图的示例的图。图5b是例示通过模拟结果提取的绿色(gr)的光灵敏度变化的曲线图的示例的图。图5c是例示通过模拟结果提取的绿色(gb)的光灵敏度变化的曲线图的示例的图。图5d是例示通过模拟结果提取的蓝色(b)的光灵敏度变化的曲线图的示例的图。图6是例示通过测试获得的子像素块的单位像素的信号值的图。
45.参照图4，设计系统(未示出)可以通过模拟来提取或获得例示了每种颜色的根据基板厚度变化的光灵敏度变化的曲线图(s100)。设计系统可以采用各种算法来执行参照图
4讨论的操作/模拟。
46.例如，设计系统可以在使用模拟程序将红色(r)的单位像素的基板厚度设置为4μm的状态下获取信号值(光灵敏度)，可以将4μm的基板厚度逐渐减小预定值(例如，0.5μm)，同时可以获取对应厚度的信号值。使用所获得的信号值，设计系统可以获得示出了关于具有红色(r)的单位像素的光灵敏度与基板厚度的比率的曲线图，如图5a所示。
47.设计系统可以使用用于红色r的单位像素的类似技术，获得表示关于绿单位像素gr和gb中的每一个的光灵敏度与基板厚度的比率的曲线图，如图5b和图5c所示。另外，设计系统可以获得表示关于蓝单位像素(b)的光灵敏度与基板厚度的比率的曲线图，如图5d所示。绿色(gr)和另一种绿色(gb)可以被认为是相同的绿色，尽管它们被描绘为区分为在拜耳图案中位于红色(r)旁边的一种绿色和在拜耳图案中位于蓝色(b)旁边的另一种绿色。因此，通过步骤s100获得的曲线图可以彼此相同，如图5b和图5c所示。
48.在一些实现中，尽管使用4μm的基板厚度作为基础值(即，灵敏度比率为1)，但这是因为要实际制造的图像感测装置的基础基板厚度设置为4μm。因此，要用作基础值的基板厚度可以依据要实际制造的图像感测装置的基础基板厚度而变化。
49.随后，设计系统可以从包括于子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个中的单位像素的信号值当中找出最小信号值(s200)。
50.例如，设计系统可以使用为测试而制造的图像传感器拍摄(或捕获)目标对象的图像，使得设计系统可以获得针对子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个的单位像素实际测量的信号值，如图6所示。设计系统可以使用所获得的信号值在子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个中搜索具有最小信号值的一个单位像素(即，最小像素)。结果，从图6可以看出，子像素块pb_r的最小信号值为172，子像素块pb_gr的最小信号值为270，子像素块pb_gb的最小信号值为290，并且子像素块pb_b的最小信号值为191。
51.随后，设计系统可以计算子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个的每个单位像素的信号值与最小信号值的比率(s300)，并且可以将子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个的计算出的单位像素的信号值与最小信号值的比率分别应用于图5a、图5b、图5c和图5d所示的曲线图，由此找到与对应信号值相对应的基板厚度(s400)。
52.例如，表1示出了使用图6所示的子像素块(pb_r)的单位像素的信号值计算每个单位像素的信号值的比率的结果，并且进一步示出了使用计算出的信号值的比率所确定的基板厚度。
53.[表1]
[0054][0055]
在表1中，与子像素块(pb_r)的每个单位像素相关联，设计系统可以将子像素块
(pb_r)的最小信号值172除以相应单位像素的信号值189、172、185、和175中的每一个，使得设计系统可以基于除法结果来计算每个单位像素的信号值的比率。
[0056]
此后，设计系统可以通过将计算出的相应单位像素的信号值的比率应用于图5a所示的曲线图中来找到基板厚度。例如，从图5a可以看出，设计系统可以找到在步骤s300中计算出的每个信号值的比率被设置为y轴值的x轴值，使得可以将对应的x轴值确定为对应单位像素的基板厚度。
[0057]
表2示出了使用图6所示的子像素块(pb_gr)的单位像素的信号值计算每个单位像素的信号值的比率的结果，并且进一步示出了使用计算出的信号值的比率所确定的基板厚度。表3示出了使用图6所示的子像素块(pb_gb)的单位像素的信号值计算每个单位像素的信号值的比率的结果，并且进一步示出了使用计算的信号值的比率确定的基板厚度。表4示出了使用图6所示的子像素块(pb_b)的单位像素的信号值计算每个单位像素的信号值的比率的结果，并且进一步示出了使用计算出的信号值的比率所确定的基板厚度。
[0058]
[表2]
[0059][0060]
[表3]
[0061][0062]
[表4]
[0063][0064]
如表2、表3、表4所示，即使在使用子像素块(pb_gr)、子像素块(pb_gb)、子像素块(pb_b)时，设计系统也可以以与在子像素块(pb_r)中相同的方式确定每个单位像素的基板厚度。
[0065]
可以在像素阵列100中包括的所有有效子像素块(pb_r、pb_gr、pb_gb、pb_b)中执行上述步骤s100至s400。
[0066]
如上所述，在本示例中，用于图像感测装置的设计系统可以通过参考子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个的具有最小信号值的单位像素，来调整或确定每个其它单位像素的基板厚度。因此，子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个内具有最小信号值的单位像素可以不包括图3所示的沟槽，而子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个的其余单位像素可以形成为具有沟槽。在这种情况下，没有沟槽的单位像素在基板中具有深度大于形成有沟槽的其余单位像素的其它像素区域的深度的像素区域。
[0067]
图7a至图7c是例示基于所公开的技术的一些实现的用于形成图3所示的具有不同深度的沟槽的方法的示例的截面图。为了便于描述和更好地理解所公开的技术，在下文中将参照图7a至图7c仅描述一个子像素块(px_r)。
[0068]
参照图7a，可以在半导体基板110的第一表面上方形成用于敞开要形成单位像素(pxa)的区域的掩模图案162。例如，基于针对特定子像素块(px_r)通过上述步骤s100至s400所确定的基板厚度，可以在半导体基板110上方形成掩模图案162以仅暴露出对应子像素块(px_r)中的基板应当具有第一厚度(即，最小厚度)的单位像素(pxa)的区域。在这种情况下，掩模图案162可以包括光刻胶图案。
[0069]
随后，可以使用掩模图案162作为蚀刻掩模来蚀刻半导体基板110，从而形成沟槽114
′
。在这种情况下，沟槽114a
′
的深度可以等于图3所示的沟槽114a和沟槽114d之间的深度差。
[0070]
参照图7b，在去除掩模图案162之后，可以在半导体基板110的第一表面上方形成用于敞开要形成单位像素pxa和pxd的区域的掩模图案164。例如，掩模图案164可以形成为不仅暴露出在图7a的工艺中形成的沟槽114a
′
，而且暴露出基板应当具有大于第一厚度的第二厚度的单位像素(pxd)的区域。
[0071]
随后，可以使用掩模图案164作为蚀刻掩模来蚀刻半导体基板110，从而形成沟槽114a
″
和114d
′
。在这种情况下，沟槽114d
′
的深度可以等于图3所示的沟槽114d和114c之间的深度差，并且沟槽114a
″
的深度可以等于沟槽114a
′
的深度与沟槽114d
′
的深度之和。
[0072]
也就是说，由于沟槽114d
′
是在暴露出沟槽114a
′
的状态下形成的，所以在沟槽114d
′
的形成期间，可以将沟槽114a
′
附加地蚀刻沟槽114d
′
的深度，从而形成沟槽114a
″
。
[0073]
参照图7c，在去除掩模图案164之后，可以在半导体基板110的第一表面上方形成用于敞开要形成单位像素pxa、pxc和pxd的区域的掩模图案166。例如，掩模图案166可以形成为不仅暴露出在图7b的工艺中所形成的沟槽114a
″
和114d
′
，而且暴露出基板应当具有大于第二厚度的第三厚度的单位像素(pxc)的区域。
[0074]
随后，可以使用掩模图案166作为蚀刻掩模，将半导体基板110蚀刻到沟槽114c的深度，从而形成沟槽114a、114c和114d。也就是说，由于沟槽114c是在暴露出沟槽114a
″
和114d
′
的状态下形成的，因此在沟槽114c的形成期间可以将沟槽114a
″
和114d
′
附加地蚀刻沟槽114c的深度，从而形成沟槽114a、114c和114d。
[0075]
图8是例示基于所公开的技术的另一实施方式的图像感测装置的平面结构的示例的图。
[0076]
在上述实施方式中，关于像素阵列100内的子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中的每一个，执行图4所示的步骤s100至s400以确定每个对应单位像素的基板厚度。
[0077]
参照图8，可以将像素阵列100划分为多个子像素阵列来以子像素阵列为单位改变单位像素的基板厚度。例如，设计系统可以将像素阵列划分为多个子像素阵列{r(1,1)～r(375,500)}，并且上述步骤s100至s400可以仅在位于子像素阵列{r(1,1)～r(375,500)}的中央的一些子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b中执行，使得可以确定对应单位像素的基板厚度。相同子像素阵列{r(1,1)～r(375,500)}内各自具有相同颜色的子像素块pb_r、pb_gr、pb_gb和pb_b可以形成为具有含有相同图案的基板厚度。
[0078]
从以上描述中显而易见的是，基于所公开的技术的一些实现的图像感测装置能够通过针对具有相同颜色的多个相邻单位像素调整基板的厚度来防止像素信号的不平衡。
[0079]
所公开的技术的实施方式可以提供能够通过上述专利文档直接或间接认识到的各种效果。
[0080]
尽管已经描述了许多示例性实施方式，但是应当理解，基于本专利文档中描述和/或例示的内容，能够设计对所公开的实施方式的修改或改进和其它实施方式。
[0081]
相关申请的交叉引用
[0082]
本专利文档要求于2021年9月16日提交的韩国专利申请no.10-2021-0123813的优先权和权益，其全部内容通过引用并入，作为本专利文档的公开内容的一部分。