三色芯片及其制备方法与流程

1.本公开涉及芯片制作技术领域，特别涉及一种三色芯片及其制备方法。


背景技术：

2.发光二极管是一种应用非常广泛的发光器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明、医疗检测或者净化等，发光二极管芯片则是用于制备发光二极管的基础结构。三色芯片是发光二极管芯片中的一种，三色芯片包括支撑基板及设置在支撑基板上且相互连接的红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片。对红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片同时通电，则红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片可以同时发光并出射三种颜色的光混合之后得到的白光。
3.相关技术中，三色芯片中，红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片设置为竖直方向上叠置的结构，但这种红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片叠置的结构对制备工艺的要求较高，需要保证叠置的三种材料之间的连接稳定性，高要求的制备工艺会导致三色芯片的制备周期长；同时红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片叠置的结构，需要对三色芯片中的至少两种芯片进行较大面积的刻蚀，以在对应的芯片上留存出用于走电极线的空间，会造成材料的浪费且也会对芯片的微型化造成困难。


技术实现要素：

4.本公开实施例提供了三色芯片，能够缩小三色芯片的体积的同时降低三色芯片的制备周期。所述技术方案如下：
5.本公开实施例提供了一种三色芯片，所述三色芯片包括支撑基板、芯片组、绝缘层、电极走线与电极焊盘，
6.所述芯片组包括并列分布在所述支撑基板上的红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，所述红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在所述红光外延层上的红光正电极与红光负电极，所述绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在所述绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，所述蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在所述蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，所述绝缘层覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面，且所述绝缘层具有与所述红光正、负电极、所述绿光正、负电极及所述蓝光正、负电极对应的通孔；
7.所述电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，所述总电极走线与所述红光正电极、所述绿光正电极及所述蓝光正电极均相连，所述红光电极走线与所述红光负电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光负电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光负电极相连，或者所述总电极走线与所述红光负电极、所述绿光负电极及所述蓝光负电极均相连，所述红光电极走线与所述红光正电极相连，所述
绿光电极走线与所述绿光正电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光正电极相连；
8.所述电极焊盘包括四个相互间隔且分别与所述总电极走线、所述红光电极走线、所述绿光电极走线及所述蓝光电极走线相连的连接焊盘。
9.可选地，所述通孔与所述支撑基板的表面之间的夹角为60
°
～80
°
。
10.可选地，所述绝缘层远离所述红光发光二极管芯片的表面平行于所述支撑基板的表面。
11.可选地，所述三色芯片还包括保护层，所述保护层位于所述电极走线与所述电极焊盘之间，所述保护层远离所述红光发光二极管芯片的表面平行于所述支撑基板的表面。
12.本公开实施例提供了一种三色芯片的制备方法，所述制备方法包括：
13.提供支撑基板、红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，所述红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在所述红光外延层上的红光正电极与红光负电极，所述绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在所述绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，所述蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在所述蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，所述绝缘层覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面；
14.将所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片转移至所述支撑基板上，以得到所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片并列分布在所述支撑基板上的芯片组；
15.形成覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面的绝缘层，所述绝缘层具有与所述红光正、负电极、所述绿光正、负电极及所述蓝光正、负电极对应的通孔；
16.在所述绝缘层上形成电极走线，所述电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，所述总电极走线与所述红光正电极、所述绿光正电极及所述蓝光正电极均相连，所述红光电极走线与所述红光负电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光负电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光负电极相连，或者所述总电极走线与所述红光负电极、所述绿光负电极及所述蓝光负电极均相连，所述红光电极走线与所述红光正电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光正电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光正电极相连；
17.在所述电极走线上形成所述电极焊盘，所述电极焊盘包括四个相互间隔且分别与所述总电极走线、所述红光电极走线、所述绿光电极走线及所述蓝光电极走线相连的连接焊盘。
18.可选地，所述提供支撑基板、红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，包括：
19.在红光生长基板、绿光生长基板与蓝光生长基板上分别形成红光发光二极管芯片；
20.所述红光发光二极管芯片远离所述红光生长基板的一侧、所述绿光发光二极管芯片远离所述绿光生长基板的一侧与所述蓝光发光二极管芯片远离所述蓝光生长基板的一侧分别粘连红光临时基板、绿光临时基板与蓝光临时基板。
21.可选地，所述将所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片转移至所述支撑基板上，包括：
22.在所述支撑基板上标记红光区域、绿光区域与蓝光区域；
23.将所述红光发光二极管、所述绿光发光二极管与所述蓝光发光二极管分别转移至所述红光区域、绿光区域与蓝光区域；
24.去除所述红光临时基板、所述绿光临时基板与所述蓝光临时基板。
25.可选地，所述制备方法还包括：将所述红光发光二极管转移至所述红光区域，包括：
26.使所述红光发光二极管芯片与所述红光区域相对且所述红光发光二极管芯片位于所述红光区域上方；
27.激光照射所述红光临时基板与所述红光发光二极管芯片以分离所述红光临时基板与所述红光发光二级管芯片，所述红光发光二极管芯片在重力作用下移动只所述红光区域并与所述粘连层相连。
28.可选地，在所述支撑基板上标记红光区域、绿光区域与蓝光区域前，在所述支撑基板上设置具有粘性的粘连层。
29.可选地，所述制备方法还包括：将所述红光发光二极管转移至所述红光区域，包括：
30.使所述红光发光二极管芯片与所述红光区域相对且所述红光发光二极管芯片位于所述红光区域上方；
31.激光照射所述红光临时基板与所述红光发光二极管芯片以分离所述红光临时基板与所述红光发光二级管芯片，所述红光发光二极管芯片在重力作用下移动只所述红光区域并与所述粘连层相连。
32.可选地，所述电极焊盘采用电镀方式进行制备。
33.可选地，所述制备方法还包括：在所述电极走线上形成所述电极焊盘后，在所述电极走线与所述电极焊盘上形成保护层；
34.打磨所述保护层直至暴露所述电极焊盘，且所述保护层远离所述红光二极管芯片的表面平行于所述支撑基板的表面。
35.本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
36.三色芯片中，芯片组所包括的红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片并列分布在支撑基板上，不需要控制红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片之间的连接质量，且三个芯片同时发光时，同样也可以实现白光的出射，可以便于三色芯片的制备。芯片组及支撑基板上覆盖的绝缘层，可以隔离红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，减小三色芯片短路的可能性，保证三色芯片的可靠性。且绝缘层提供了设置电极走线的空间，并列的三个芯片也不需要刻蚀原有的外延材料再进行电极走线，可以避免造成外延材料的浪费且所使用的芯片可以更小。而电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，总电极走线与红光正电极、绿光正电极及蓝光正电极均相连，红光电极走线与红光负电极相连，绿光电极走线与绿光负电极相连，蓝光电极走线与蓝光负电极相连，或者总电极走线与红光负电极、绿光负电极及蓝光负电极均相连，红光电极走线与红光正电极相连，绿光电极走线与绿光正电极相连，蓝光电极走线与蓝光正电极相连。且每个走线均与一个电极焊盘中的连接焊盘相连，则可以用于控制三个芯片同时或者单独发光，可以提高三色芯片的通用性。整体能够缩小三色芯片的体积的同时降低三色芯片的制备周期。
附图说明
37.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
38.图1是本公开实施例提供的一种三色芯片的结构示意图；
39.图2是本公开实施例提供的电极走线的俯视图；
40.图3是本公开实施例提供的另一种三色芯片的结构示意图；
41.图4是本公开实施例提供的一种三色芯片的制备方法流程图；
42.图5是本公开实施例提供的另一种三色芯片的制备方法流程图；
43.图6～图12是本公开实施例提供的另一种三色芯片的制备过程示意图；
44.图13～图14是本公开实施例提供的又一种三色芯片的结构示意图。
具体实施方式
45.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
46.图1是本公开实施例提供的一种三色芯片的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种三色芯片，三色芯片包括支撑基板1、芯片组2、绝缘层3、电极走线4与电极焊盘5。
47.芯片组2包括并列分布在支撑基板1上的红光发光二极管芯片21、绿光发光二极管芯片22与蓝光发光二极管芯片23，红光发光二极管芯片21包括红光外延层及层叠在红光外延层上的红光正电极与红光负电极，绿光发光二极管芯片22包括绿光外延层及层叠在绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，蓝光发光二极管芯片23包括蓝光外延层及层叠在蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，绝缘层3覆盖芯片组2与支撑基板1的表面，且绝缘层3具有与红光正、负电极、绿光正、负电极及蓝光正、负电极对应的通孔。
48.图2是本公开实施例提供的电极走线的俯视图，参考图2可知，电极走线4包括最大高度相等的总电极走线41、红光电极走线42、绿光电极走线43或蓝光电极走线44，总电极走线41与红光正电极、绿光正电极及蓝光正电极均相连，红光电极走线42与红光负电极相连，绿光电极走线43与绿光负电极相连，蓝光电极走线44与蓝光负电极相连，或者总电极走线41与红光负电极、绿光负电极及蓝光负电极均相连，红光电极走线42与红光正电极相连，绿光电极走线43与绿光正电极相连，蓝光电极走线44与蓝光正电极相连。
49.电极焊盘5包括四个相互间隔且分别与总电极走线41、红光电极走线42、绿光电极走线43及蓝光电极走线44相连的连接焊盘51。
50.三色芯片中，芯片组2所包括的红光发光二极管芯片21、绿光发光二极管芯片22与蓝光发光二极管芯片23并列分布在支撑基板1上，不需要控制红光发光二极管芯片21、绿光发光二极管芯片22与蓝光发光二极管芯片23之间的连接质量，且三个芯片同时发光时，同样也可以实现白光的出射，可以便于三色芯片的制备。芯片组2及支撑基板1上覆盖的绝缘层3，可以隔离红光发光二极管芯片21、绿光发光二极管芯片22与蓝光发光二极管芯片23，减小三色芯片短路的可能性，保证三色芯片的可靠性。且绝缘层3提供了设置电极走线4的
空间，并列的三个芯片也不需要刻蚀原有的外延材料再进行电极走线4，可以避免造成外延材料的浪费且所使用的芯片可以更小。而电极走线4包括最大高度相等的总电极走线41、红光电极走线42、绿光电极走线43或蓝光电极走线44，总电极走线41与红光正电极、绿光正电极及蓝光正电极均相连，红光电极走线42与红光负电极相连，绿光电极走线43与绿光负电极相连，蓝光电极走线44与蓝光负电极相连，或者总电极走线41与红光负电极、绿光负电极及蓝光负电极均相连，红光电极走线42与红光正电极相连，绿光电极走线43与绿光正电极相连，蓝光电极走线44与蓝光正电极相连。且每个走线均与一个电极焊盘5中的连接焊盘51相连，则可以用于控制三个芯片同时或者单独发光，可以提高三色芯片的通用性。并且电极走线4的最大高度均相等，可以保证三个芯片发光时光线的路径都接近相同，保证三色芯片的出光稳定。并且电极走线4的最大高度均相等，可以保证三个芯片发光时光线的路径都接近相同，保证三色芯片的出光稳定。
51.需要说明的是，在本公开所涉及的实现方式中，支撑基板1的表面为支撑基板1最大的表面，且这一表面通常用于层叠芯片或者外延材料。且本公开中总电极走线41、红光电极走线42、绿光电极走线43或蓝光电极走线44之间均相互间隔。
52.可选地，芯片组2中，红光发光二极管芯片21与绿光发光二极管芯片22之间的最小距离以及绿光发光二极管芯片22与蓝光发光二极管芯片23之间的最小距离均相等。可以保证各种光线的稳定混合，以提高最终得到的三色芯片的使用质量。
53.示例性地，红光发光二极管与绿光发光二极管之间的距离可为5～500。可以有效提高最终得到的三色芯片的使用质量，且也便于三色芯片的制备。
54.可选地，总电极走线41包括与绝缘层3相连的第一部分411及与绝缘层3以及各正电极或各负电极均相连的第二部分412，第一部分411在支撑基板1的表面的投影平行于红光发光二极管、绿光发光二极管与蓝光发光二极管排列方向。
55.将总电极走线41设置为以上结构的第一部分411与第二部分412，可以便于总电极走线41的设置并减小总电极走线41所需占用的空间。
56.需要说明的是，红光发光二极管芯片21、绿光发光二极管芯片22及蓝光发光二极管芯片23均可采用常见的红光、绿光及蓝光材料进行制备，本公开对此不做限制。
57.可选地，电极走线4的材料可包括ti、ni、au、al、pt、cu中的一种或多种。可以便于电极走线4的制备。
58.图3是本公开实施例提供的另一种三色芯片的结构示意图，三色芯片可包括支撑基板1、芯片组2、绝缘层3、电极走线4、保护层6与电极焊盘5。
59.芯片组2包括并列分布在支撑基板1上的红光发光二极管芯片21、绿光发光二极管芯片22与蓝光发光二极管芯片23，红光发光二极管芯片21包括红光外延层及层叠在红光外延层上的红光正电极与红光负电极，绿光发光二极管芯片22包括绿光外延层及层叠在绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，蓝光发光二极管芯片23包括蓝光外延层及层叠在蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，绝缘层3覆盖芯片组2与支撑基板1的表面，且绝缘层3具有与红光正、负电极、绿光正、负电极及蓝光正、负电极对应的通孔。
60.电极走线4包括最大高度相等的总电极走线41、红光电极走线42、绿光电极走线43或蓝光电极走线44，总电极走线41与红光正电极、绿光正电极及蓝光正电极均相连，红光电极走线42与红光负电极相连，绿光电极走线43与绿光负电极相连，蓝光电极走线44与蓝光
负电极相连，或者总电极走线41与红光负电极、绿光负电极及蓝光负电极均相连，红光电极走线42与红光正电极相连，绿光电极走线43与绿光正电极相连，蓝光电极走线44与蓝光正电极相连。
61.保护层6位于电极走线4与电极焊盘5之间，保护层6远离红光发光二极管芯片21的表面平行于支撑基板1的表面。电极焊盘5包括四个相互间隔且分别与总电极走线41、红光电极走线42、绿光电极走线43及蓝光电极走线44相连的连接焊盘51。
62.保护层6的增加可以提高三色芯片的稳定性与可靠性。
63.示例性地，保护层6可为不透光材料或者黑色材料。可以提高三色芯片的出光侧的出光强度。
64.需要说明的是，图3中所示的红光发光二极管芯片21、绿光发光二极管芯片22、蓝光发光二极管芯片23及电极走线4的结构可与图2中相同，因此此处不再赘述。
65.示例性地，支撑基板1可为蓝宝石衬底或硅衬底或碳化硅衬底。便于制备，本公开对此不做限制。
66.可选地，绝缘层3可为绝缘玻璃材料或者无机绝缘材料。本公开对此不做限制。
67.示例性地，绝缘层3可为不透光材料或者黑色材料。可以提高三色芯片的出光侧的出光强度。
68.可选地，通孔与支撑基板1的表面之间的夹角为60
°
～80
°
。可以降低电极材料与外延材料之间裂开的可能性，提高得到的三色芯片的使用稳定性与可靠性。
69.示例性地，绝缘层3远离红光发光二极管芯片21的表面平行于支撑基板1的表面。可以提高三色芯片光线出射的稳定性。
70.示例性地，电极焊盘5所包括的四个连接焊盘51的最大高度均相等。可以保证得到的光线均匀出射。
71.图4是本公开实施例提供的一种三色芯片的制备方法流程图，参考图4可知，本公开实施例提供了一种三色芯片的制备方法，制备方法包括：
72.s101：提供支撑基板、红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在红光外延层上的红光正电极与红光负电极，绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，绝缘层覆盖芯片组与支撑基板的表面。
73.s102：将红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片转移至支撑基板上，以得到红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片并列分布在支撑基板上的芯片组。
74.s103：形成覆盖芯片组与支撑基板的表面的绝缘层，绝缘层具有与红光正、负电极、绿光正、负电极及蓝光正、负电极对应的通孔。
75.s104：在绝缘层上形成电极走线，电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，总电极走线与红光正电极、绿光正电极及蓝光正电极均相连，红光电极走线与红光负电极相连，绿光电极走线与绿光负电极相连，蓝光电极走线与蓝光负电极相连，或者总电极走线与红光负电极、绿光负电极及蓝光负电极均相连，红光电极走线与红光正电极相连，绿光电极走线与绿光正电极相连，蓝光电极走线与蓝光
正电极相连。
76.s105：在电极走线上形成电极焊盘，电极焊盘包括四个相互间隔且分别与总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线及蓝光电极走线相连的连接焊盘。
77.执行完步骤s105后得到的技术效果可参考图1中所示的三色芯片的结构所对应的技术效果，因此此处不再赘述。
78.可选地，步骤s102中，可将三色芯片分别转移至支撑基板上。可以便于三色芯片的转移与制备。
79.示例性地，在三色芯片转移之前，可在支撑基板上分别设置与三色芯片对应的标记位置，根据标记位置将三色芯片转移至支撑基板上。可以提高三色芯片转移的稳定性与位置的准确性。
80.图5是本公开实施例提供的另一种三色芯片的制备方法流程图，参考图5可知，三色芯片的制备方法可包括：
81.s201：提供一支撑基板。在红光生长基板、绿光生长基板与蓝光生长基板上分别形成红光发光二极管芯片；红光发光二极管芯片远离红光生长基板的一侧、绿光发光二极管芯片远离绿光生长基板的一侧与蓝光发光二极管芯片远离蓝光生长基板的一侧分别粘连红光临时基板、绿光临时基板与蓝光临时基板。
82.在转移红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片之前，先在各生长基板上生长得到基础的不同颜色的外延材料，可以提高红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片的质量。
83.需要说明的是，红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在红光外延层上的红光正电极与红光负电极，绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，绝缘层覆盖芯片组与支撑基板的表面。各生长基板均为便于对应颜色的外延材料生长的基板。
84.s202：在支撑基板上标记红光区域、绿光区域与蓝光区域；将红光发光二极管、绿光发光二极管与蓝光发光二极管分别转移至红光区域、绿光区域与蓝光区域；去除红光临时基板、绿光临时基板与蓝光临时基板，以得到红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片并列分布在支撑基板上的芯片组。
85.根据对应的区域将各芯片转移至支撑基板上，可以提高得到的三色芯片的稳定性与可靠性。
86.可选地，制备方法还包括：将红光发光二极管转移至红光区域，包括：
87.使红光发光二极管芯片与红光区域相对且红光发光二极管芯片位于红光区域上方；激光照射红光临时基板与红光发光二极管芯片以分离红光临时基板与红光发光二级管芯片，红光发光二极管芯片在重力作用下移动只红光区域并与粘连层相连。
88.激光照射可以便于临时基板与芯片之间的分离，便于芯片与支撑基板之间的连接。
89.需要说明的是，绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片之间均可采用与红光发光二极管芯片类似的方式进行分离与连接。因此不再赘述。
90.可选地，激光可通过激光照射器发出，且激光的波长可为200～400nm。可以保证芯
片与临时基板之间的稳定分离。
91.示例性地，在支撑基板上标记红光区域、绿光区域与蓝光区域前，在支撑基板上设置具有粘性的粘连层。
92.粘连层的增加可以便于实现支撑基板与芯片之间的稳定连接。
93.可选地，粘连层的厚度可为0.1～10微米。可以提高支撑基板与芯片之间的连接质量。
94.示例性地，粘连层的材料为材料可包括苯并环丁烯等包含一定粘性的透明有机材料中的一种或多种。中的一种。可以提高支撑基板与芯片之间的连接稳定性的同时，不会影响光线的出射。
95.可选地，制备方法还包括：将红光发光二极管转移至红光区域，包括：
96.使红光发光二极管芯片与红光区域相对且红光发光二极管芯片位于红光区域上方；激光照射红光临时基板与红光发光二极管芯片以分离红光临时基板与红光发光二级管芯片，红光发光二极管芯片在重力作用下移动只红光区域并与粘连层相连。可以提高支撑基板与芯片之间的连接稳定性。
97.需要说明的是，绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片之间均可采用与红光发光二极管芯片类似的方式进行分离与连接。因此不再赘述
98.s203：形成覆盖芯片组与支撑基板的表面的绝缘层，绝缘层具有与红光正、负电极、绿光正、负电极及蓝光正、负电极对应的通孔。
99.s204：在绝缘层上形成电极走线，电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，总电极走线与红光正电极、绿光正电极及蓝光正电极均相连，红光电极走线与红光负电极相连，绿光电极走线与绿光负电极相连，蓝光电极走线与蓝光负电极相连，或者总电极走线与红光负电极、绿光负电极及蓝光负电极均相连，红光电极走线与红光正电极相连，绿光电极走线与绿光正电极相连，蓝光电极走线与蓝光正电极相连。
100.s205：在电极走线上形成电极焊盘，电极焊盘包括四个相互间隔且分别与总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线及蓝光电极走线相连的连接焊盘。
101.可选地，电极焊盘采用电镀方式进行制备。能够得到质量较好的电极焊盘，且电极焊盘的尺寸也较为可控。
102.需要说明的是，同时形成几个连接焊盘时，可通过将几个对应连接焊盘的位置同时分别连接几个对应的负极，几个负极则同时连接一个正极。可以保证连接焊盘的同步成型。
103.在电极走线与电极焊盘上形成保护层；打磨保护层直至暴露电极焊盘，且保护层远离红光二极管芯片的表面平行于支撑基板的表面。
104.示例性地，保护层的材料可为苯并环丁烯等包含一定粘性的透明有机材料。可以保证透光的同时提高对芯片的保护性。
105.图6～图12是本公开实施例提供的另一种三色芯片的制备过程示意图，参考图6～图12可知，图6中示意了生长在红光生长基板100上的红光发光二极管芯片21；图7中示意了与红光临时基板200相连且去除了红光生长基板100的红光发光二极管芯片21；图8中示意了红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片转移至支撑基板上的
结构；图9中红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片上生长完绝缘层；图10为图9的俯视图；图11中绝缘层上形成有总电极走线41；图12中生长完保护层6与连接焊盘51。
106.图13～图14是本公开实施例提供的又一种三色芯片的结构示意图，参考图13～图14可知，在本公开所提供的一种实现方式中，电极焊盘中的连接焊盘也可呈棱柱状。
107.以上，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。