技术特征：
1.一种阵列基板，具备：半导体层；第一电极，与所述半导体层接触；第二电极，与所述第一电极分离，与所述半导体层接触；第一绝缘层，覆盖所述第一电极及所述第二电极；以及栅极电极，配置在所述第一绝缘层的上方，与所述半导体层对置，所述半导体层具有俯视时位于所述第一电极与所述第二电极之间的开口。2.根据权利要求1所述的阵列基板，还具备扫描线，该扫描线位于所述半导体层的下方，与所述栅极电极连接，所述半导体层与所述栅极电极及所述扫描线重叠。3.根据权利要求1所述的阵列基板，所述栅极电极与所述开口重叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，所述第一电极及所述第二电极在第一方向上排列，所述半导体层包括：与所述第一电极接触的第一区域；与所述第二电极接触的第二区域；以及第一沟道区域和第二沟道区域，在所述第一方向上位于所述第一区域与所述第二区域之间，并在与所述第一方向交叉的第二方向上排列；所述开口在所述第二方向上位于所述第一沟道区域与所述第二沟道区域之间。5.根据权利要求4所述的阵列基板，所述开口在所述第一方向上的宽度大于所述开口与所述第一区域之间的在所述第一方向上的距离。6.根据权利要求4所述的阵列基板，所述开口在所述第一方向上的宽度大于所述开口与所述第二区域之间的在所述第一方向上的距离。7.根据权利要求4所述的阵列基板，所述开口在所述第二方向上的宽度比所述第一沟道区域或所述第二沟道区域在所述第二方向上的宽度小。8.根据权利要求1所述的阵列基板，所述半导体层具有在所述第二方向上排列的多个所述开口。9.根据权利要求1所述的阵列基板，还具备第二绝缘层，该第二绝缘层配置在所述第一绝缘层的下方，覆盖所述半导体层，所述第二绝缘层具有与所述半导体层重叠的第一开口及第二开口，所述第一电极通过所述第一开口而与所述半导体层接触，所述第二电极通过所述第二开口而与所述半导体层接触。10.根据权利要求9所述的阵列基板，所述半导体层的所述开口与所述第二绝缘层重叠。11.根据权利要求9所述的阵列基板，
所述半导体层具有由所述第二绝缘层覆盖的第一沟道区域及第二沟道区域，所述半导体层的所述开口在俯视时位于所述第一沟道区域与所述第二沟道区域之间。12.根据权利要求9所述的阵列基板，所述半导体层的所述开口在俯视时位于所述第一开口与所述第二开口之间。13.根据权利要求1所述的阵列基板，所述第一电极及所述第二电极在第一方向上排列，所述半导体层在与所述第一方向交叉的第二方向上具有长条形状。14.根据权利要求13所述的阵列基板，所述开口在所述第一方向上具有长条形状。15.一种显示装置，具备：权利要求1所述的阵列基板；与所述阵列基板对置的对置基板；以及配置在所述阵列基板与所述对置基板之间的显示功能层。16.根据权利要求15所述的显示装置，所述阵列基板具备与所述第二电极连接的像素电极，所述对置基板具备与所述像素电极对置的共用电极。17.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示功能层是电泳层。
技术总结
一个实施方式所涉及的阵列基板具备：半导体层；信号线，与所述半导体层接触；中继电极，与所述信号线分离，与所述半导体层接触；第一绝缘层，覆盖所述信号线及所述中继电极；以及栅极电极，配置在所述第一绝缘层的上方，并与所述半导体层对置。所述半导体层具有俯视时位于所述信号线与所述中继电极之间的开口。于所述信号线与所述中继电极之间的开口。于所述信号线与所述中继电极之间的开口。
技术研发人员：林宏宜
受保护的技术使用者：株式会社日本显示器
技术研发日：2022.04.25
技术公布日：2022/11/10