阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。


背景技术：

2.随着液晶显示技术的发展，人们对液晶显示的显示质量要求越来越高。对于液晶显示器(liquid crystal display)来说，lcd包括多种显示模式如垂直配向(vertical alignment liquid crystal，va)显示，或边缘场开关显示(fringe field switching，ffs)。但现有的lcd中不论何种显示模式均存在显示视角差的问题。


技术实现要素：

3.本技术旨在提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，旨在调节现有显示面板不同视角的画面，提高显示效果。
4.第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，所述阵列基板包括：
5.基板；
6.第一电极层，所述第一电极层不完全覆盖所述基板，所述第一电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区域，所述第二电极位于所述第二显示区域；
7.第二电极层，所述第二电极层位于所述第一电极层上方，所述第二电极层包括第三电极和第四电极，所述第三电极位于所述第一显示区域且通过第一过孔与所述第一电极连接，所述第四电极位于所述第二显示区域且通过第二过孔与所述第二电极连接；
8.其中，所述第一电极和所述第三电极组成第一电容，所述第二电极和所述第四电极组成第二电容，所述第一电容和所述第二电容的电容大小不同。
9.在一种可能的实施例中，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述第一电极层上方，且所述第一钝化层完全覆盖所述第一电极层，所述第一钝化层上设置第三过孔和第四过孔，所述第三过孔位于所述第一显示区域中的第一电极上方，所述第四过孔位于所述第二显示区域中的第二电极上方；
10.其中，所述第三过孔为所述第一过孔在所述第一钝化层上形成的过孔，所述第四过孔为所述第二过孔在所述第一钝化层上形成的过孔。
11.在一种可能的实施例中，所述阵列基板还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层上方，所述第二钝化层完全覆盖所述第一钝化层，且所述第二钝化层上设置有第五过孔和第六过孔，所述第五过孔位于所述第一显示区域中所述第三过孔上方，所述第六过孔位于所述第二显示区域中所述第四过孔的上方；
12.所述第三电极位于所述第三过孔和所述第五过孔内部，以及所述第二钝化层上方靠近所述第五过孔的部分区域；
13.其中，所述第五过孔为所述第一过孔在所述第二钝化层上形成的过孔，所述第六过孔为所述第二过孔在所述第二钝化层上形成的过孔。
14.在一种可能的实施例中，所述阵列基板还包括第三钝化层，所述第三钝化层完全覆盖所述第二钝化层以及所述第三电极，所述第三钝化层在所述第二显示区域中位于所述第六过孔上方的位置设置有第七过孔；
15.其中，所述第七过孔为所述第二过孔在所述第三钝化层上形成的过孔。
16.在一种可能的实施例中，所述第四电极设置在所述第四过孔、第六过孔、第七过孔的内部，以及所述第三钝化层上方靠近所述第七过孔的部分区域。
17.第二方面，本技术实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上任一项所述的阵列基板，所述阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，所述阵列基板包括：
18.基板；
19.第一电极层，所述第一电极层不完全覆盖所述基板，所述第一电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区域，所述第二电极位于所述第二显示区域；
20.第二电极层，所述第二电极层位于所述第一电极层上方，所述第二电极层包括第三电极和第四电极，所述第三电极位于所述第一显示区域且通过第一过孔与所述第一电极连接，所述第四电极位于所述第二显示区域且通过第二过孔与所述第二电极连接；
21.其中，所述第一电极和所述第三电极组成第一电容，所述第二电极和所述第四电极组成第二电容，所述第一电容和所述第二电容的电容大小不同。
22.在一种可能的实施例中，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述第一电极层上方，且所述第一钝化层完全覆盖所述第一电极层，所述第一钝化层上设置第三过孔和第四过孔，所述第三过孔位于所述第一显示区域中的第一电极上方，所述第四过孔位于所述第二显示区域中的第二电极上方；
23.其中，所述第三过孔为所述第一过孔在所述第一钝化层上形成的过孔，所述第四过孔为所述第二过孔在所述第一钝化层上形成的过孔。
24.在一种可能的实施例中，所述阵列基板还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层上方，所述第二钝化层完全覆盖所述第一钝化层，且所述第二钝化层上设置有第五过孔和第六过孔，所述第五过孔位于所述第一显示区域中所述第三过孔上方，所述第六过孔位于所述第二显示区域中所述第四过孔的上方；
25.所述第三电极位于所述第三过孔和所述第五过孔内部，以及所述第二钝化层上方靠近所述第五过孔的部分区域；
26.其中，所述第五过孔为所述第一过孔在所述第二钝化层上形成的过孔，所述第六过孔为所述第二过孔在所述第二钝化层上形成的过孔。
27.在一种可能的实施例中，所述阵列基板还包括第三钝化层，所述第三钝化层完全覆盖所述第二钝化层以及所述第三电极，所述第三钝化层在所述第二显示区域中位于所述第六过孔上方的位置设置有第七过孔；
28.其中，所述第七过孔为所述第二过孔在所述第三钝化层上形成的过孔。
29.第三方面，本技术实施例还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，所述制备方法包括：
30.提供基板；
31.在所述基板上方制备第一电极层，所述第一电极层不完全覆盖所述基板，所述第一电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一显示区域，所述第二电极位于所述第二显示区域；
32.在所述第一电极层上方制备第二电极层，所述第二电极层位于所述第一电极层上方，所述第二电极层包括第三电极和第四电极，所述第三电极位于所述第一显示区域且通过第一过孔与所述第一电极连接，所述第四电极位于所述第二显示区域且通过第二过孔与所述第二电极连接；
33.其中，所述第一电极和所述第三电极组成第一电容，所述第二电极和所述第四电极组成第二电容，所述第一电容和所述第二电容的电容大小不同。
34.本技术提供一种阵列基板、显示面板，阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，还包括：基板；第一电极层，第一电极层不完全覆盖基板，第一电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第一显示区域，第二电极位于第二显示区域；第二电极层，第二电极层位于第一电极层上方，第二电极层包括第三电极和第四电极，第三电极位于第一显示区域且通过第一过孔与第一电极连接，第四电极第二显示区域且通过第二过孔与第二电极连接；其中，第一电极和第三电极组成第一电容，第二电极和第四电极组成第二电容，第一电容和第二电容的电容大小不同。本技术通过在阵列基板不同显示区域设置不同电容大小的电容，可以来控制不同显示区域的驱动电压，进而控制不同显示区域的液晶偏转角度，从而实现对不同视角的画面的调节。
附图说明
35.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1为本技术实施例所提供的阵列基板一实施例结构示意图；
37.图2为本技术实施例提供的阵列基板另一实施例结构示意图；
38.图3为本技术实施例提供的制备第三电极时的结构示意图；
39.图4为本技术实施例提供的制备第三钝化层的结构示意图；
40.图5为本技术实施例提供的制备第四电极的结构示意图。
具体实施方式
41.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描
述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
43.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本技术。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本技术的描述变得晦涩。因此，本技术并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。
44.本技术实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，以下分别进行详细说明。
45.如图1所示，为本技术实施例提供的阵列基板一实施例结构示意图。在图1所示的实施例中，阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，且阵列基板包括：
46.基板10；
47.第一电极层20，第一电极层20不完全覆盖基板10，第一电极层20包括第一电极201和第二电极202，第一电极201位于第一显示区域，第二电极202位于第二显示区域。
48.第二电极层30，第二电极层30位于第一电极层20上方，第二电极层30包括第三电极301和第四电极302，第三电极301位于第一显示区域并通过第一过孔与第一电极201连接，第四电极302位于第二显示区域并通过第二过孔与第二电极202连接；
49.其中，第一电极201和第三电极301组成第一电容，第二电极202和第四电极302组成第二电容，第一电容和第二电容的电容大小不同。
50.本技术实施例提供的阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，还包括：基板；第一电极层，第一电极层不完全覆盖基板，第一电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第一显示区域，第二电极位于第二显示区域；第二电极层，第二电极层位于第一电极层上方，第二电极层包括第三电极和第四电极，第三电极位于第一显示区域且通过第一过孔与第一电极连接，第四电极第二显示区域且通过第二过孔与第二电极连接；其中，第一电极和第三电极组成第一电容，第二电极和第四电极组成第二电容，第一电容和第二电容的电容大小不同。本技术通过在阵列基板不同显示区域设置不同电容大小的电容，可以来控制不同显示区域的驱动电压，进而控制不同显示区域的液晶偏转角度，从而实现对不同视角的画面的调节。
51.如图2所示，为本技术实施例提供的阵列基板另一实施例结构示意图。在图2所示的实施例中，阵列基板还包括第一钝化层40，第一钝化层40设置在第一电极层20的上方，且第一钝化层40完全覆盖基板10和第一电极层20；即第一钝化层完全覆盖第一电极层20，以及基板10上除第一电极层20之外的其他区域。
52.而第一钝化层40上还设置有第三过孔和第四过孔，而第三过孔位于第一显示区域中的第一电极201的上方；第四过孔位于第二显示区中的第二电极202的上方。即第三过孔
的位置和第一电极201对应设置，而第四过孔的位置和第二电极202对应设置。
53.其中，第三过孔即为前述第一过孔在第一钝化层40上形成的过孔，而第四过孔即为第二过孔在第一钝化层40上形成的过孔。
54.请参考图2，在图2中，阵列基板还包括第二钝化层50，第二钝化层50设置在第一钝化层40上方，第二钝化层50完全覆盖第一钝化层40。且第二钝化层50上同样设置有第五过孔和第六过孔，而第五过孔位于第一显示区域中的第三过孔的上方，第六过孔位于第二显示区域中的第四过孔的上方。即第三过孔和第五过孔对应设置，第四过孔和第六过孔对应设置。
55.其中，第五过孔即为第一过孔在第二钝化层50上形成的过孔，第六过孔为第二过孔在第二钝化层50上形成的过孔。
56.需要说明的是，第三电极位于第三过孔和第五过孔的内部，以及第二钝化层50上方靠近第五过孔的部分区域；第三电极完全填充在第三过孔和第五过孔的内部。第三电极301通过第三过孔、第五过孔(即第一过孔)与第一电极201连接，且第三电极301和第一电极201构成第一显示区域中的第一电容。
57.请参考图2，在图2中阵列基板还包括第三钝化层60，第三钝化层60完全覆盖第二钝化层50和第三电极301；但第三钝化层60在第二显示区域中位于第六过孔上方的位置设置有第七过孔。第七过孔为第二过孔在第三钝化层60上形成的过孔。
58.此时，第四过孔、第六过孔和第七过孔三者构成了第二过孔，而第四电极302设置在第四过孔、第六过孔和第七过孔的内部，以及第三钝化层60上方靠近第七过孔的部分区域。如图2所示，此时第四电极302通过第四过孔、第六过孔和第七过孔(即第二过孔)与第二电极202连接，且第四电极302和第二电极202构成了第二显示区域中的第二电容。
59.此时第一显示区域中包括第一电容，第二显示区域包括第二电容；而电容的电容值大小与电容的两个电极之间的距离成反比，因此可以调节电容的两个电极之间的距离来调整电容的大小。对于本技术实施例来说，具体可以通过调节钝化层的厚度来调整电容值的大小；具体地调整第一电容的大小可以通过调整第一钝化层40和第二钝化层50的厚度来实现；而调整第二电容的大小可以通过调整第一钝化层40、第二钝化层50和第三钝化层60的厚度来实现。
60.而通过调整不同的钝化层的厚度，来调整第一电容和第二电容的大小，进而调整第一电容和第二电容两端的电压的大小，实现对液晶偏转角度的调整。而液晶偏转角度又会影响显示面板最终显示的画面，因此本技术实施例中设置两个电容，通过调整两个电容中的电极之间的距离来调整显示面板的画面。
61.本技术实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括如上任一项所述的阵列基板。如图1所示，为本技术实施例提供的阵列基板一实施例结构示意图。在图1所示的实施例中，阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，且阵列基板包括：
62.基板10；
63.第一电极层20，第一电极层20不完全覆盖基板10，第一电极层20包括第一电极201和第二电极202，第一电极201位于第一显示区域，第二电极202位于第二显示区域。
64.第二电极层30，第二电极层30位于第一电极层20上方，第二电极层30包括第三电极301和第四电极302，第三电极301位于第一显示区域并通过第一过孔与第一电极201连
接，第四电极302位于第二显示区域并通过第二过孔与所述第二电极202连接；
65.其中，第一电极201和第三电极301组成第一电容，第二电极202和第四电极302组成第二电容，第一电容和第二电容的电容大小不同。
66.本技术实施例提供的显示面板包括如上所述的阵列基板，阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，还包括：基板；第一电极层，第一电极层不完全覆盖基板，第一电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第一显示区域，第二电极位于第二显示区域；第二电极层，第二电极层位于第一电极层上方，第二电极层包括第三电极和第四电极，第三电极位于第一显示区域且通过第一过孔与第一电极连接，第四电极第二显示区域且通过第二过孔与第二电极连接；其中，第一电极和第三电极组成第一电容，第二电极和第四电极组成第二电容，第一电容和第二电容的电容大小不同。本技术通过在阵列基板不同显示区域设置不同电容大小的电容，可以来控制不同显示区域的驱动电压，进而控制不同显示区域的液晶偏转角度，从而实现对不同视角的画面的调节。
67.如图2所示，为本技术实施例提供的阵列基板另一实施例结构示意图。在图2所示的实施例中，阵列基板还包括第一钝化层40，第一钝化层40设置在第一电极层20的上方，且第一钝化层40完全覆盖基板10和第一电极层20；即第一钝化层完全覆盖第一电极层20，以及基板10上除第一电极层20之外的其他区域。
68.而第一钝化层40上还设置有第三过孔和第四过孔，而第三过孔位于第一显示区域中的第一电极201的上方；第四过孔位于第二显示区中的第二电极202的上方。即第三过孔的位置和第一电极201对应设置，而第四过孔的位置和第二电极202对应设置。
69.其中，第三过孔即为前述第一过孔在第一钝化层40上形成的过孔，而第四过孔即为第二过孔在第一钝化层40上形成的过孔。
70.请参考图2，在图2中，阵列基板还包括第二钝化层50，第二钝化层50设置在第一钝化层40上方，第二钝化层50完全覆盖第一钝化层40。且第二钝化层50上同样设置有第五过孔和第六过孔，而第五过孔位于第一显示区域中的第三过孔的上方，第六过孔位于第二显示区域中的第四过孔的上方。即第三过孔和第五过孔对应设置，第四过孔和第六过孔对应设置。
71.其中，第五过孔即为第一过孔在第二钝化层50上形成的过孔，第六过孔为第二过孔在第二钝化层50上形成的过孔。
72.需要说明的是，第三电极位于第三过孔和第五过孔的内部，以及第二钝化层50上方靠近第五过孔的部分区域；第三电极完全填充在第三过孔和第五过孔的内部。第三电极301通过第三过孔、第五过孔(即第一过孔)与第一电极201连接，且第三电极301和第一电极201构成第一显示区域中的第一电容。
73.请参考图2，在图2中阵列基板还包括第三钝化层60，第三钝化层60完全覆盖第二钝化层50和第三电极301；但第三钝化层60在第二显示区域中位于第六过孔上方的位置设置有第七过孔。第七过孔为第二过孔在第三钝化层60上形成的过孔。
74.此时，第四过孔、第六过孔和第七过孔三者构成了第二过孔，而第四电极302设置在第四过孔、第六过孔和第七过孔的内部，以及第三钝化层60上方靠近第七过孔的部分区域。如图2所示，此时第四电极302通过第四过孔、第六过孔和第七过孔(即第二过孔)与第二电极202连接，且第四电极302和第二电极202构成了第二显示区域中的第二电容。
75.此时第一显示区域中包括第一电容，第二显示区域包括第二电容；而电容的电容大小与电容的两个电极之间的距离成反比，因此可以调节电容的两个电极之间的距离来调整电容的大小。对于本技术实施例来说，调整第一电容的大小可以通过调整第一钝化层40和第二钝化层50的厚度来实现；而调整第二电容的大小可以通过调整第一钝化层40、第二钝化层50和第三钝化层60的厚度来实现。
76.而通过调整不同的钝化层的厚度，来调整第一电容和第二电容的大小，进而调整第一电容和第二电容两端的电压的大小，实现对液晶偏转角度的调整。而液晶偏转角度又会影响显示面板最终显示的画面，因此本技术实施例中设置两个电容，通过调整两个电容中的电极之间的距离来调整显示面板的画面。
77.如图3所示，为本技术实施例提供的制备第三电极时的结构示意图。在图3中，第一钝化层40上与第一电极201对应的位置设置有第三过孔，第二钝化层50上与第二过孔对应的位置处设置有第五过孔。此时在第二钝化层50上方、第三过孔内部和第五过孔内部，利用化学气相沉积(cvd)等方法沉积第三电极301的材料，使得第三电极301的材料完全覆盖第二钝化层50上方、第三过孔内部和第五过孔内部。
78.此时，还需要对完全覆盖第二钝化层50的第三电极材料进行蚀刻，以去除位于第二显示区域的部分第三电极材料，仅保留位于第一显示区域中且靠近第五过孔的部分第三电极材料，得到第三电极301。
79.如图4所示，为本技术实施例提供的制备第三钝化层的结构示意图。在图4中，需要在第二钝化层50上方，以及第三电极上方利用cvd等方法涂覆第三钝化层60材料，使得第三钝化层的材料完全覆盖第二钝化层50和第三电极。
80.在涂覆得到第三钝化层后，还需要制备第四电极。如图5所示，为本技术实施例提供的制备第四电极的结构示意图。具体地，首先需要在第二显示区域中制备前述第四过孔、第六过孔和第七过孔；具体的，分别在第三钝化层上制备第七过孔，在第二钝化层上制备第六过孔，在第一钝化层上制备第四过孔。而第四过孔、第六过孔和第七过孔的位置对应设置，最终形成贯穿第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层的第二过孔。
81.制备得到第二过孔后，再利用cvd等方法在第三钝化层上方以及第二过孔内部涂覆第四电极材料，使得第四电极材料完全覆盖第三钝化层以及第二过孔内部。具体如图5所示，最上层即为涂覆的第四电极材料。
82.而得到最终的第四电极，还需要对涂覆的第四电极材料进行蚀刻，去除部分第四电极材料，仅保留第二显示区域中靠近第二过孔(即第七过孔)附近的部分第四电极材料，得到最终的第四电极。而第四电极和第二电极构成了第二显示区域中的第二电容。
83.具体请参考图2，图2本技术实施例提供的完整的阵列基板结构示意图。在图2中，第三钝化层完全覆盖第三电极，而第四电极部分设置在第三钝化层的上方。
84.需要说明的是，在本技术的实施例中，主要通过调整钝化层的厚度来调整第一电容和第二电容的电容值大小；但在另一些实施例中，也可以通过调整电容中的电极面积来实现，具体可以通过调整第一电极201、第二电极202、第三电极301和第四电极302的面积实现。然而若通过调整电极面积来调整电容值大小，则需要制备不同面积的掩膜版，使得制备得到的电极面积大小不同，但这样不易于实时调整电极面积。相较于制备新的掩膜版，在制备钝化层的过程中改变钝化层的厚度更易于实现；因此本技术实施例通过改变钝化层厚度
来改变电容大小。
85.本技术还提供一种阵列基板的制备方法，该阵列基板包括如上任一项所述的阵列基板，该阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域；该阵列基板的制备方法可以包括：
86.提供基板；
87.在基板上方制备第一电极层，第一电极层不完全覆盖基板，第一电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第一显示区域，第二电极位于第二显示区域；
88.在第一电极层上方制备第二电极层，第二电极层位于第一电极层上方，第二电极层包括第三电极和第四电极，第三电极位于第一显示区域且通过第一过孔与第一电极连接，第四电极位于第二显示区域且通过第二过孔与第二电极连接；
89.其中，第一电极和第三电极组成第一电容，第二电极和第四电极组成第二电容，第一电容和第二电容的电容大小不同。
90.本技术实施例提供的阵列基板的制备方法制备得到的阵列基板包括第一显示区域和第二显示区域，还包括：基板；第一电极层，第一电极层不完全覆盖基板，第一电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第一显示区域，第二电极位于第二显示区域；第二电极层，第二电极层位于第一电极层上方，第二电极层包括第三电极和第四电极，第三电极位于第一显示区域且通过第一过孔与第一电极连接，第四电极第二显示区域且通过第二过孔与第二电极连接；其中，第一电极和第三电极组成第一电容，第二电极和第四电极组成第二电容，第一电容和第二电容的电容大小不同。本技术通过在阵列基板不同显示区域设置不同电容大小的电容，可以来控制不同显示区域的驱动电压，进而控制不同显示区域的液晶偏转角度，从而实现对不同视角的画面的调节。
91.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
92.具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
93.以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
94.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。