技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：位于衬底上的晶体管电路，所述晶体管电路包括呈阵列排布的多个晶体管单元，每个所述晶体管单元包括栅极、第一端、栅极触点以及第一端触点，所述栅极触点与所述栅极耦接，所述第一端触点与所述第一端耦接；多条第一连接线，多条所述第一连接线沿第一方向排布，每条所述第一连接线耦接一行所述晶体管单元的所述栅极触点，一行所述晶体管单元沿第二方向排布，且位于同一直线上，所述第一方向与所述第二方向之间具有夹角；多条第二连接线，多条所述第二连接线沿所述第二方向排布，每条所述第二连接线耦接一列所述晶体管单元的所述第一端触点，一列所述晶体管单元沿所述第一方向排布，且位于同一直线上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述晶体管单元具有有源区，每个所述晶体管单元的所述第一端触点位于所述有源区中。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个所述晶体管单元的所述栅极触点位于对应的所述有源区的一侧的上方。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述晶体管单元包括至少一个晶体管。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底具有高压器件区、低压器件区以及超低压器件区，其中，所述晶体管电路位于所述高压器件区、所述低压器件区以及所述超低压器件区其中之一。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件与解码器电连接，所述解码器用以向多条所述第一连接线以及多条所述第二连接线施加测试电压。7.一种对如权利要求1-6任一项所述的半导体器件进行测试的方法，其特征在于，每个所述晶体管单元包括至少一个晶体管，所述方法包括：选择多条所述第一连接线的其中之一作为第一测试线、并选择多条所述第二连接线的其中之一作为第二测试线；向所述第一测试线以及所述第二测试线施加测试电压，并获取与所述第一测试线电连接的所述晶体管的电学参数偏移量；以及，根据所述电学参数偏移量，分别确定由热载流子注入效应导致的第一偏移量以及由偏置温度不稳定效应导致的第二偏移量。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述电学参数偏移量包括所述晶体管单元的阈值电压偏移量、漏极电流偏移量以及跨导偏移量其中之一。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述电学参数偏移量，分别确定由热载流子注入效应导致的第一偏移量以及由偏置温度不稳定效应导致的第二偏移量的步骤，具体包括：将与所述第一测试线以及所述第二测试线均电连接的所述晶体管作为第一晶体管、并将只与所述第一测试线电连接的所述晶体管作为第二晶体管，其中，所述第一晶体管具有第一电学参数偏移量，所述第二晶体管具有第二电学参数偏移量；取所述第一电学参数偏移量以及所述第二电学参数偏移量的差值作为由热载流子注入效应导致的所述第一偏移量；以及，
取所述第二电学参数偏移量作为由偏置温度不稳定效应导致的所述第二偏移量。10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述测试电压为高电平电压。11.一种存储系统，其特征在于，包括：如权利要求1-6任一项所述的半导体器件；以及，控制器，与所述半导体器件电连接，用以控制所述半导体器件。
技术总结
本发明提供了一种半导体器件、对半导体器件进行测试的方法以及存储系统，半导体器件包括晶体管电路、多条第一连接线和多条第二连接线，晶体管电路包括多个晶体管单元，每个晶体管单元包括栅极、第一端以及分别与栅极和第一端耦接的栅极触点和第一端触点，每条第一连接线耦接一行晶体管单元的栅极触点，一行晶体管单元位于同一直线上，每条第二连接线耦接一列晶体管单元的第一端触点，一列晶体管单元位于同一直线上，本发明通过设计第一连接线和第二连接线，使得在对该半导体器件进行可靠性测试时，可以通过对获取到的电学参数偏移量进行相应的计算，而实现分别获得由热载流子注入效应以及由偏置温度不稳定效应导致的器件退化的电学参数。电学参数。电学参数。
技术研发人员：刘福海 李得君 龚润 叶本飞 陈龙
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.04.28
技术公布日：2022/8/5