技术特征：
1.一种氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，包括：在氧化镓外延层上表面淀积介质层；在所述介质层上制备第一屏蔽层，所述第一屏蔽层的竖截面呈梯形；刻蚀所述介质层和所述第一屏蔽层，露出所述氧化镓外延层，形成斜面角度小于或者等于10
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的介质斜面，并去除所述第一屏蔽层；以所述介质层为掩膜，刻蚀所述氧化镓外延层和所述介质层，形成斜面角度小于或者等于10
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的氧化镓外延层斜面；在所述氧化镓外延层上和所述介质层的斜面上制备金属掩膜层；去除所述介质层，在所述氧化镓外延层和所述金属掩膜层上制备p-nio层，并去除所述金属掩膜层；在所述p-nio层上表面平面制备第一电极，在所述氧化镓外延层下表面制备氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底下表面制备第二电极。2.如权利要求1所述的氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，所述第一屏蔽层的材质为光刻胶；所述在所述介质层上制备第一屏蔽层，所述第一屏蔽层的竖截面呈梯形，包括：在所述介质层上旋涂光刻胶，形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行光刻、曝光、显影操作得到第一图形区；高温加热所述第一图形区，使所述第一光刻胶层回流形成斜面。3.如权利要求1所述的氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，所述在所述氧化镓外延层和所述介质层的斜面上制备金属掩膜层，包括：在所述介质层上表面上制备第二屏蔽层，所述第二屏蔽层材质为光刻胶，所述第二屏蔽层的竖截面呈矩形；在所述氧化镓外延层上、所述介质层的斜面上和所述第二屏蔽层上表面制备金属掩膜层；去除所述第二屏蔽层。4.如权利要求1所述的氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，所述介质层的材质为sio2或sin。5.如权利要求1所述的氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述介质层和所述第一屏蔽层，露出所述氧化镓外延层，形成斜面角度小于或者等于10
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的介质斜面，包括：通过调节icp刻蚀功率和刻蚀气体sf6和o2的比例，调节刻蚀所述第一屏蔽层和所述介质层的速率，露出所述氧化镓外延层，控制所述介质斜面的角度，形成斜面角度小于或者等于10
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的介质斜面。6.如权利要求1所述的氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，所述以所述介质层为掩膜，刻蚀所述氧化镓外延层和所述介质层，形成斜面角度小于或者等于10
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的氧化镓外延层斜面，包括：通过调节icp刻蚀功率和刻蚀气体压力，使得刻蚀所述氧化镓外延层的速率与刻蚀所述介质层的速率相等，形成斜面角度小于或者等于10
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的氧化镓外延层斜面。7.如权利要求6所述的氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，以所述介质层为掩
膜，刻蚀所述氧化镓外延层时，保留部分氧化镓外延层的平面。8.如权利要求1所述的氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，所述金属掩膜成通过电子束蒸发或者溅射金属得到。9.一种氧化镓二极管器件，其特征在于，包括：氧化镓衬底；氧化镓外延层，形成于所述氧化镓衬底上表面，所述氧化镓外延层远离所述氧化镓衬底的一侧呈凸台状，所述凸台状的斜面角度小于或者等于10
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；p-nio层，形成于所述氧化镓外延层的凸台状部分上；第一电极，形成于所述p-nio层上；第二电极，形成于所述氧化镓衬底下表面。10.一种氧化镓二极管器件，其特征在于，通过如权利要求1至8任一项所述的氧化镓二极管器件制备方法制备得到。
技术总结
本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了氧化镓二极管器件及其制备方法，该方法包括：清洗氧化镓外延层，在外延层上方淀积介质层；在介质层的上方旋涂光刻胶，加热光刻胶，使光刻胶回流形成斜面；刻蚀光刻胶和介质层，去除光刻胶；以介质层为掩膜，刻蚀氧化镓外延层和介质层；在介质层平面的上方旋涂光刻胶；在氧化镓二极管器件的上方覆盖金属掩膜，去除光刻胶和介质层；溅射P-NiO材料，形成P-NiO层，剥离金属掩膜；电子束蒸发金属，得到阴极和阳极。本申请为氧化镓二极管器件的提供了一种新的制备方法。制备方法。制备方法。
技术研发人员：王元刚 吕元杰 敦少博 付兴昌 韩婷婷 刘宏宇 冯志红
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2022.04.28
技术公布日：2022/7/11