技术特征：
1.一组垂直腔表面发射激光器阵列，即vcsel阵列，包括：多个vcsel中的第一vcsel子组；和多个vcsel中的第二vcsel子组，其中在vcsel阵列被供电时要被第一vcsel子组发射的一个或多个第一光束以及在vcsel阵列被供电时要被第二vcsel子组发射的一个或多个第二光束具有能量强度区域的不同样式，其中能量强度区域的不同样式包括各自高能量强度区域和各自低能量强度区域；并且其中相对于由所述第一vcsel子组单独发射的一个或多个第一光束的第一能量强度分布和由所述第二vcsel子组单独发射的一个或多个第二光束的第二能量强度分布，由vcsel阵列发射的光束具有更均匀的能量强度分布。2.如权利要求1所述的vcsel阵列，其中所述不同样式所基于的是第一vcsel子组中的vcsel具有与第二vcsel子组中的vcsel不同的取向。3.如权利要求1所述的vcsel阵列，其中所述不同样式所基于的是第一vcsel子组中的vcsel具有与第二vcsel子组中的vcsel不同的模式。4.如权利要求1所述的vcsel阵列，其中所述不同样式所基于的是第一vcsel子组和第二vcsel子组的各自高能量强度区域和各自低能量强度区域的不同样式。5.如权利要求1所述的vcsel阵列，其中所述不同样式所基于的是第一vcsel子组中的vcsel具有与第二vcsel子组中的vcsel不同的形状。6.如权利要求1所述的vcsel阵列，其中能量强度区域的不同样式使得各自的高能量强度区域和各自的低能量强度区域重叠，使得在vcsel阵列被供电时要被vcsel阵列发射的光束具有比通过第一vcsel子组发射的一个或多个第一光束的第一能量强度比和通过第二vcsel子组发射的一个或多个第二光束的第二能量强度比更低的能量强度比，其中要被vcsel阵列发射的光束是一个或多个第一光束和一个或多个第二光束的会聚光束。7.如权利要求1所述的vcsel阵列，其中一个或多个第一光束和一个或多个第二光束的会聚的第一能量强度分布与从第一vcsel子组发射的一个或多个第一光束的第二能量强度分布和从第二vcsel子组发射的一个或多个第二光束的第三能量强度分布不同，其中所述会聚的第一能量强度分布是一个或多个第一光束的第二能量强度分布和一个或多个第二光束的第三能量强度分布的经会聚光束轮廓。8.一种形成垂直腔表面发射激光器阵列的方法，即形成vcsel阵列的方法，包括：在基板上或中形成多个vcsel中的第一vcsel子组，其中形成第一vcsel子组包括形成第一vcsel子组以使得第一vcsel子组配置为输出第一能量强度区域样式；和与形成第一vcsel子组相关联地在基板上或中形成多个vcsel中的第二vcsel子组，其中形成第二vcsel子组包括形成第二vcsel子组以使得第二vcsel子组配置为输出与第一能量强度区域样式不同的第二能量强度区域样式；并且其中所述第一vcsel子组和所述第二vcsel子组被形成为使得，相对于由所述第一vcsel子组单独发射的一个或多个第一光束的第一能量强度分布和由所述第二vcsel子组单独发射的一个或多个第二光束的第二能量强度分布，由vcsel阵列发射的光束具有更均
匀的能量强度分布。9.如权利要求8所述的方法，其中形成第一vcsel子组和第二vcsel子组包括：将第一vcsel子组和第二vcsel子组形成为具有用于第一vcsel子组和第二vcsel子组的不同氧化沟取向，其中第一样式和第二样式的不同样式包括不同氧化沟取向。10.如权利要求8所述的方法，其中形成第二vcsel子组包括：形成第二vcsel子组使得第一样式和第二样式的各自高能量强度区域和各自低能量强度区域在发射期间彼此重叠，以产生用于从vcsel阵列发射的光束的能量强度比，该能量强度比小于要通过第一vcsel子组发射的一个或多个第一光束的第一能量强度比和要通过第二vcsel子组发射的一个或多个第二光束的第二能量强度比。11.如权利要求8所述的方法，其中形成第一vcsel子组包括：按第一vcsel的凸台结构的第一直径形成第一vcsel子组中的第一vcsel；和其中形成第二vcsel子组包括：按第二vcsel的凸台结构的第二直径形成第一vcsel子组中的第二vcsel，其中第一直径和第二直径不同，其中基于第一直径与第二直径不同，第二能量强度区域样式与第一能量强度区域样式不同。12.如权利要求8所述的方法，其中形成第一vcsel子组包括：按氧化沟的第一形状形成第一vcsel子组；和其中形成第二vcsel子组包括：按氧化沟的第二形状形成第二vcsel子组，其中第一形状和第二形状不同，其中第一形状和第二形状不同使得第一能量强度区域样式和第二能量强度区域样式彼此重叠。13.如权利要求8所述的方法，其中形成第一vcsel子组包括：按作为第一能量强度区域样式的第一能量强度区域形状形成第一vcsel子组；和其中形成第二vcsel子组包括：按作为第二能量强度区域样式的第二能量强度区域形状形成第二vcsel子组，其中第一能量强度区域形状和第二能量强度区域形状不同。14.如权利要求8所述的方法，其中形成第一vcsel子组包括：使用掩膜形成第一vcsel子组，其中掩膜包括与形成第一能量强度区域样式关联的第一组沟槽特征；和其中形成第二vcsel子组包括：使用掩膜形成第二vcsel子组，其中掩膜包括与形成第二能量强度区域样式关联的第二组沟槽特征，其中掩膜的第一组沟槽特征与掩膜的第二组沟槽特征不同。15.一种发射器阵列，包括：多个发射器中的第一发射器子组；和多个发射器中的第二发射器子组，
其中在发射器阵列被供电时要被第一发射器子组发射的一个或多个第一光束和在发射器阵列被供电时要被第二发射器子组发射的一个或多个第二光束具有能量强度区域的不同样式，其中能量强度区域的不同样式包括在发射器阵列远场中至少部分地彼此重叠的各自高能量强度区域和各自低能量强度区域；并且其中相对于由所述第一发射器子组单独发射的一个或多个第一光束的第一能量强度分布和由所述第二发射器子组单独发射的一个或多个第二光束的第二能量强度分布，由所述发射器阵列发射的光束具有更均匀的能量强度分布。16.如权利要求15所述的发射器阵列，其中重叠使得在发射器阵列被供电时被发射器阵列发射的光束具有比被第一发射器子组发射的一个或多个第一光束的第一能量强度比和被第二发射器子组发射的一个或多个第二光束的第二能量强度比更低的能量强度比。17.如权利要求15所述的发射器阵列，其中第一发射器子组具有第一取向且第二发射器子组具有与第一取向不同的第二取向，且其中第一取向和第二取向与造成重叠关联。18.如权利要求15所述的发射器阵列，其中第一发射器子组具有第一相应形状且第二发射器子组具有与第一相应形状不同的第二相应形状，且其中第一相应形状和第二相应形状与造成重叠关联。19.如权利要求15所述的发射器阵列，其中一个或多个第一光束具有第一能量强度热斑和黑斑样式且一个或多个第二光束具有与第一能量强度热斑和黑斑样式不同的第二能量强度热斑和黑斑样式，且其中第一能量强度热斑和黑斑样式和第二能量强度热斑和黑斑样式与造成重叠关联。20.如权利要求15所述的发射器阵列，其中第一发射器子组具有第一相应沟槽-沟槽直径且第二发射器子组具有与第一相应沟槽-沟槽直径不同的第二相应沟槽-沟槽直径，其中第一相应沟槽-沟槽直径和第二相应沟槽-沟槽直径与造成重叠关联。
技术总结
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括多个VCSEL中的第一VCSEL子组和多个VCSEL中的第二VCSEL子组。在VCSEL阵列被供电时要被第一VCSEL子组发射的一个或多个第一光束以及在VCSEL阵列被供电时要被第二VCSEL子组发射的一个或多个第二光束可以具有能量强度区域的不同样式。能量强度区域的不同样式可以包括各自的高能量强度区域和各自的低能量强度区域。自的高能量强度区域和各自的低能量强度区域。自的高能量强度区域和各自的低能量强度区域。
技术研发人员：娄晓华 D.周 H.德杰
受保护的技术使用者：朗美通经营有限责任公司
技术研发日：2019.02.22
技术公布日：2022/9/2