接合方法和接合装置与流程

1.本公开涉及接合方法和接合装置。


背景技术：

2.专利文献1中公开有一种接合方法，将被处理基板和支承基板吸附保持于相对配置的第1保持部和第2保持部，在利用各保持部的加热机构对各基板进行了加热的状态下，将第2保持部向第1保持部按压，而将被处理基板与支承基板接合。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2013-65677号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开的一技术方案提供一种在将第1基板与第2基板接合之前降低第1基板的翘曲并提高第1基板与第2基板之间的接合精度的技术，该第1基板包含玻璃基板和树脂层。
8.用于解决问题的方案
9.本公开的一技术方案的接合方法具有下述步骤(a)～(c)。(a)利用第1保持部对包含玻璃基板和树脂层的第1基板进行吸附保持。(b)利用第2保持部对第2基板进行吸附保持。(c)使所述第1保持部与所述第2保持部相对地移动，从而使所述第1基板与所述第2基板隔着粘接剂接触并进行加压。接合方法具有下述步骤(d)～(e)。(d)利用加热部对所述第1基板进行加热。(e)使用自所述加热部向所述第1保持部输送所述第1基板的输送部对所述第1基板进行输送。在利用所述第1保持部对所述第1基板进行吸附保持之前，利用所述加热部对所述第1基板进行加热，从而降低所述第1基板的翘曲。
10.发明的效果
11.根据本公开的一技术方案，能够在将第1基板与第2基板接合之前降低第1基板的翘曲，能够提高第1基板与第2基板之间的接合精度，该第1基板包含玻璃基板和树脂层。
附图说明
12.图1是表示一实施方式的接合系统的俯视图。
13.图2是图1的接合系统的侧视图。
14.图3是表示第1基板和第2基板的一个例子的侧视图。
15.图4是表示接合装置的一个例子的俯视图。
16.图5是表示交接部和翻转部的一个例子的主视图。
17.图6是表示翻转部的一个例子的侧视图。
18.图7是表示输送部的一个例子的侧视图。
19.图8是表示输送部的第1输送臂的一个例子的俯视图。
20.图9是表示输送部的第2输送臂的一个例子的俯视图。
21.图10是表示加热部的一个例子的剖视图。
22.图11是表示接合部的一个例子的剖视图。
23.图12是表示接合部的动作的一个例子的剖视图。
24.图13是表示一实施方式的接合方法的流程图。
25.图14是表示第2加热部的一个例子的侧视图。
26.图15是表示翘曲测量部的一个例子的侧视图。
具体实施方式
27.以下，参照附图说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，对相同或对应的结构标注相同的附图标记，有时省略说明。另外，x轴方向、y轴方向以及z轴方向是互相垂直的方向，x轴方向和y轴方向是水平方向，z轴方向是铅垂方向。
28.首先，参照图1和图2，对本实施方的接合系统1进行说明。如图3所示，接合系统1借助粘接剂g将被处理基板w和支承基板s接合，从而形成重合基板t。被处理基板w是第1基板，支承基板s是第2基板。
29.被处理基板w例如包含玻璃基板wa和形成于玻璃基板wa之上的树脂层wb。在玻璃基板wa的形成树脂层wb的面，也可以预先形成多个电子电路。将被处理基板w的板面中的、与支承基板s相对的板面记载为“接合面wj”，将与接合面wj相反的一侧的板面记载为“非接合面wn”。接合面wj是树脂层wb的表面，非接合面wn是玻璃基板wa的表面。在被处理基板w与支承基板s的接合后，利用研磨处理对玻璃基板wa进行薄化。
30.如上所述，被处理基板w包含玻璃基板wa和形成于玻璃基板wa之上的树脂层wb。树脂层wb例如通过在玻璃基板wa之上涂布树脂组合物并对所涂布的树脂组合物进行加热而形成。之后，将树脂层wb冷却到常温。
31.在树脂层wb的形成后，在冷却树脂层wb的过程中，有时由于树脂层wb与玻璃基板wa之间的热膨胀差而引起被处理基板w翘曲。在使用玻璃基板wa作为树脂层wb的基材的情况下，与使用硅基板等来代替玻璃基板wa的情况相比，树脂层wb与基材之间的热膨胀差较大，而翘曲较大。
32.在本实施方式中，在接合被处理基板w和支承基板s之前对被处理基板w进行加热的加热部130设于接合装置80的内部，详细内容随后叙述。因此，能够在即将接合之前降低在树脂层wb的形成后对树脂层wb进行冷却的过程中产生的翘曲。其结果，能够提高在即将接合之前进行的被处理基板w与支承基板s的水平方向对位的精度，能够提高接合精度。
33.支承基板s是直径与被处理基板w大致相同的基板，用于支承被处理基板w。作为支承基板s，例如使用玻璃基板等。将支承基板s的板面中的、与被处理基板w相对的板面记载为“接合面sj”，将与接合面sj相反的一侧的板面记载为“非接合面sn”。
34.粘接剂g例如是热固性树脂类的粘接剂。热固性是指如下这样的性质：在常温(例如20℃左右)下不易变形，但利用加热软化而变得容易进行成形，通过进一步加热而进行聚合并固化，且不会回到原来的状态。作为粘接剂g，例如使用软化温度为120℃～140℃左右、固化温度为180℃左右的粘接剂。粘接剂g也可以具有多个构造。
35.如图1所示，接合系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3在y轴
负方向上依次连接为一体。
36.送入送出站2包括盒载置台10和第1输送区域11。盒载置台10是用于载置将多张(例如，25张)基板收容为水平状态的盒cw、cs、ct的场所。在送入送出站2例如排成一列地载置有四个载置部12。在各载置部12例如分别载置有收容被处理基板w的盒cw、收容支承基板s的盒cs以及收容重合基板t的盒ct。
37.在第1输送区域11配置有沿x轴方向延伸的输送路径13和能够沿着输送路径13移动的第1输送装置14。第1输送装置14也能够在y轴方向上移动，并且能够绕z轴回转，该第1输送装置14在载置于载置部12的盒cw、cs、ct与后述的处理站3的传送装置30之间进行被处理基板w、支承基板s以及重合基板t的输送。
38.处理站3包括第2输送区域20、传送装置30、涂布装置40、热处理装置50、和接合装置80。传送装置30、涂布装置40、热处理装置50和接合装置80排列地配置于第2输送区域20的周围。这些装置的配置和数量能够任意地设定。
39.在第2输送区域20配置有第2输送装置21。第2输送装置21能够在x轴方向、y轴方向以及z轴方向上移动，并且能够绕z轴回转，该第2输送装置21在传送装置30、涂布装置40、热处理装置50以及接合装置80之间进行被处理基板w、支承基板s以及重合基板t的输送。
40.传送装置30配置于第1输送区域11与第2输送区域20之间。第1输送装置14和第2输送装置21借助传送装置30交接被处理基板w、支承基板s以及重合基板t。涂布装置40向支承基板s的接合面sj涂布粘接剂g。热处理装置50将涂布有粘接剂g的支承基板s加热至规定的温度，并使粘接剂g所含有的有机溶剂气化。接合装置80借助粘接剂g将被处理基板w与支承基板s接合。
41.接合系统1包括控制装置90。控制装置90例如是计算机，包括cpu(central processing unit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储有对在接合系统1执行的各种处理进行控制的程序。控制装置90使cpu91执行存储于存储介质92的程序，从而控制接合系统1的动作。
42.接下来，参照图1和图2，简单地说明接合系统1的动作。在接合系统1，首先，将收容有多张被处理基板w的盒cw、收容有多张支承基板s的盒cs以及空的盒ct分别载置于送入送出站2的载置部12。
43.之后，第1输送装置14自盒cs取出支承基板s并向处理站3的传送装置30输送。此时，支承基板s以接合面sj朝上的状态输送。输送到传送装置30的支承基板s在利用第2输送装置21自传送装置30取出之后向涂布装置40输送。
44.接下来，涂布装置40向支承基板s的接合面sj涂布粘接剂g。之后，支承基板s在利用第2输送装置21自涂布装置40取出之后向热处理装置50输送。
45.接下来，热处理装置50将支承基板s加热至规定的温度。由此，涂布于支承基板s的粘接剂g所含有的有机溶剂气化。有机溶剂气化了的粘接剂g变硬到即使将支承基板s倾斜也不会流下的程度。之后，支承基板s在利用第2输送装置21自热处理装置50取出之后向接合装置80输送。
46.在进行上述的处理的期间，利用第1输送装置14将被处理基板w自盒cw取出并向处理站3的传送装置30输送。此时，被处理基板w以接合面wj朝上的状态被输送。输送到传送装置30的被处理基板w在利用第2输送装置21自传送装置30取出之后向接合装置80输送。
47.在完成被处理基板w和支承基板s向接合装置80的送入时，利用接合装置80将被处理基板w与支承基板s接合，而形成重合基板t。重合基板t在利用第2输送装置21自接合装置80取出之后借助传送装置30向第1输送装置14交接，并利用第1输送装置14向盒ct收容。由此，一系列的接合处理结束。
48.接下来，参照图4，对接合装置80的一个例子进行说明。如图4所示，接合装置80包括能够将内部密闭的处理容器100。在处理容器100的靠第2输送区域20侧的侧面形成有供被处理基板w、支承基板s以及重合基板t穿过的送入送出口101。在送入送出口101设有开闭闸门(未图示)。
49.在处理容器100的内部也可以设有将处理容器100内的区域划分为预处理区域d1和接合区域d2的内壁102。在内壁102形成有供被处理基板w、支承基板s以及重合基板t穿过的送入送出口103，在送入送出口103设有未图示的开闭闸门。
50.在预处理区域d1设有在与接合装置80的外部之间进行被处理基板w、支承基板s以及重合基板t的交接的交接部110。交接部110与送入送出口101相邻地配置。
51.交接部110包括交接臂111和支承销112。交接臂111在第2输送装置21(参照图1)与支承销112之间进行被处理基板w、支承基板s以及重合基板t的交接。支承销112设有多处、例如三处，用于支承被处理基板w、支承基板s以及重合基板t。
52.如下所述，交接部110在铅垂方向上配置为多层、例如两层，能够同时交接被处理基板w、支承基板s以及重合基板t中的任意两者。例如，也可以是，利用一个交接部110交接接合前的被处理基板w或支承基板s，并利用另一交接部110交接接合后的重合基板t。或者，也可以是，利用一个交接部110交接接合前的被处理基板w，并利用另一交接部110交接接合前的支承基板s。
53.在交接部110的上方例如设有使支承基板s上下翻转的翻转部120。翻转部120包括以夹持的方式保持被处理基板w或支承基板s的保持臂121。保持臂121沿水平方向(图4中为y轴方向)延伸，绕水平轴线转动自如，并且能够在水平方向(x轴方向和y轴方向)以及铅垂方向(z轴方向)上移动。
54.另外，翻转部120包括对被处理基板w或支承基板s的水平方向上的朝向进行调节的调节机构。调节机构包括对支承基板s或被处理基板w的缺口的位置进行检测的检测部122。于是，在翻转部120，一边使保持于保持臂121的支承基板s或被处理基板w在水平方向上移动，一边利用检测部122检测支承基板s或被处理基板w的缺口的位置，从而调节该缺口的位置并调节支承基板s或被处理基板w的水平方向上的朝向。
55.在接合区域d2的y轴正方向侧设有对被处理基板w进行加热的加热部130。加热部130对被处理基板w进行加热，从而降低被处理基板w的翘曲。
56.在接合区域d2的x轴负方向侧设有输送部140，该输送部140相对于交接部110、翻转部120、加热部130以及后述的接合部150输送被处理基板w、支承基板s以及重合基板t。输送部140与送入送出口103相邻地配置。
57.输送部140例如包括第1输送臂141和第2输送臂142。第1输送臂141和第2输送臂142在铅垂方向上自下方起依次配置为两层，能够利用未图示的驱动部在水平方向和铅垂方向上移动。
58.第1输送臂141例如保持被处理基板w的下表面(非接合面wn)或支承基板s的下表
面(非接合面sn)地进行输送。另一方面，第2输送臂142保持利用翻转部120上下翻转后的支承基板s的下表面(接合面sj)的外周部地进行输送。
59.在接合区域d2的x轴正方向侧设有将被处理基板w与支承基板s接合的接合部150。接合部150将被处理基板w与支承基板s接合，形成重合基板t。所形成的重合基板t在利用输送部140的第1输送臂141自接合部150输送到交接部110之后，借助支承销112向交接臂111交接，进而，自交接臂111向第2输送装置21交接。
60.接下来，参照图5对交接部110的一个例子进行说明。如上所述，交接部110包括交接臂111和支承销112。交接臂111在第2输送装置21与支承销112之间交接被处理基板w、支承基板s或重合基板t。支承销112设有多处、例如三处，用于支承被处理基板w、支承基板s或重合基板t。
61.交接部110包括臂驱动部113。臂驱动部113包含马达等，用于使交接臂111在x轴方向上移动。臂驱动部113沿着导轨114(参照图4)在y轴方向上移动。交接臂111能够在水平方向(x轴方向和y轴方向)上移动。此外，臂驱动部113也可以使交接臂111在z轴方向上移动。
62.如图5所示，在交接臂111之上设有多处、例如四处用于支承被处理基板w、支承基板s或重合基板t的下表面的支承销115。另外，在交接臂111之上设有对被支承销115所支承的被处理基板w、支承基板s或重合基板t进行定位的引导件116。引导件116以对被处理基板w、支承基板s或重合基板t的侧面进行引导的方式设有多处、例如四处。
63.交接部110在铅垂方向上配置为两层，在这些交接部110的铅垂上方配置有翻转部120。交接部110的交接臂111在翻转部120的保持臂121和调节机构126的下方沿水平方向移动。另外，交接部110的支承销112配置于翻转部120的保持臂121的下方。
64.接下来，参照图5和图6，对翻转部120的一个例子进行说明。如上所述，翻转部120包括保持臂121和检测部122。另外，翻转部120包括第1驱动部123。第1驱动部123包含马达等，用于使保持臂121绕水平轴线旋转，并且使保持臂121在水平方向(x轴方向和y轴方向)上移动。此外，第1驱动部123也可以通过使保持臂121绕铅垂轴线转动，从而使该保持臂121在水平方向上移动。
65.在第1驱动部123的下方例如设有包含马达等的第2驱动部124。第2驱动部124使第1驱动部123沿着支承柱125在铅垂方向上移动。利用第1驱动部123和第2驱动部124，保持臂121能够绕水平轴线转动，并且能够在铅垂方向和水平方向上移动。
66.在支承柱125借助支承板127支承有调节机构126。调节机构126与保持臂121相邻地设置。调节机构126对保持于保持臂121的支承基板s或被处理基板w的水平方向上的朝向进行调节。
67.调节机构126具有基台128和检测部122。调节机构126一边使保持于保持臂121的支承基板s或被处理基板w在水平方向上移动，一边利用检测部122对支承基板s或被处理基板w的缺口的位置进行检测，从而调节该缺口的位置并调节支承基板s或被处理基板w的水平方向上的朝向。
68.接下来，参照图7～图9，对输送部140的一个例子进行说明。如图7所示，如上所述，输送部140包括第1输送臂141和第2输送臂142。第1输送臂141和第2输送臂142在铅垂方向上自下方起依次配置为两层。第1输送臂141和第2输送臂142也可以如后述那样具有不同的形状。
69.在第1输送臂141和第2输送臂142的基端部例如设有包含马达等的臂驱动部143。臂驱动部143使第1输送臂141和第2输送臂142独立地在水平方向上移动。第1输送臂141、第2输送臂142和臂驱动部143支承于基台144。基台144能够利用包含马达等的驱动部(未图示)在铅垂方向上移动。
70.如图8所示，第1输送臂141保持被处理基板w、支承基板s或重合基板t的下表面(被处理基板w、支承基板s中为非接合面wn、sn)地进行输送。第1输送臂141为前端分支成两股的叉形状。
71.在第1输送臂141之上，设有多处、例如四处树脂制的o形环145。o形环145与被处理基板w、支承基板s或重合基板t的下表面接触，并利用摩擦力对它们的下表面进行保持。第1输送臂141将被处理基板w、支承基板s或重合基板t水平地保持在o形环145之上。
72.另外，在第1输送臂141之上，在保持于o形环145的被处理基板w、支承基板s或重合基板t的外侧，例如设有第1引导件146和第2引导件147。第1引导件146设于第1输送臂141的分支成两股的前端。第2引导件147隔着被处理基板w、支承基板s或重合基板t在与第1引导件146相反的一侧形成为圆弧状。第1引导件146和第2引导件147防止被处理基板w、支承基板s或重合基板t自第1输送臂141脱落。此外，在被处理基板w、支承基板s或重合基板t利用o形环145保持于适当的位置的情况下，该被处理基板w、支承基板s或重合基板t不与第1引导件146以及第2引导件147接触。
73.如图9所示，第2输送臂142保持支承基板s的下表面(接合面sj)的外周部地进行输送。即，第2输送臂142保持利用翻转部120上下翻转后的支承基板s的接合面sj的外周部地进行输送。第2输送臂142为前端分支成两股的叉形状。
74.在第2输送臂142之上，设有多处、例如四处保持部148。保持部148具有对支承基板s的接合面sj的外周部进行载置的水平面和自该水平面越去向上方越向支承基板s的径向外侧倾斜的锥面。锥面对支承基板s的水平方向位置进行定位。第2输送臂142将支承基板s水平地保持在保持部148之上。第2输送臂142保持支承基板s的接合面sj的外周部。由此，例如能够抑制接合面sj被附着于第2输送臂142的微粒等污染。
75.接下来，参照图10，对加热部130的一个例子进行说明。加热部130例如包括热板131、收容热板131并对热板131的外周部进行保持的环状的保持件132、和包围该保持件132的外周的大致筒状的支承环133。
76.在热板131之上，设有多处、例如三处支承销134。支承销134支承被处理基板w，并在被处理基板w与热板131之间形成间隙。该间隙的大小h1例如为0.4mm以上。
77.热板131具有大致圆盘形状，隔着支承销134对被处理基板w进行加热。在热板131例如内置有加热机构135。加热机构135例如包含加热器。热板131的加热温度例如由控制装置90控制，将载置于热板131上的被处理基板w加热至规定的温度。
78.在热板131的下方例如设有三个用于自下方支承被处理基板w并使其升降的升降销136。升降销136能够利用升降驱动部137上下移动。在热板131的中央部附近例如形成有三处在厚度方向上贯通该热板131的贯通孔138。于是，升降销136能够贯穿贯通孔138，并自热板131的上表面突出。
79.接下来，参照图11和图12，对接合部150进行说明。接合部150包括第1保持部151和在第1保持部151的上方与第1保持部151相对配置的第2保持部152。
80.第1保持部151和第2保持部152例如是静电卡盘，利用静电吸附对被处理基板w和支承基板s进行保持。第1保持部151自下方保持被处理基板w，第2保持部152自上方保持支承基板s。被处理基板w和支承基板s以接合面wj、sj彼此相对的状态保持于第1保持部151和第2保持部152。
81.此外，第1保持部151和第2保持部152也可以在包括对支承基板s和被处理基板w进行静电吸附的静电吸附部的基础上还包括对支承基板s和被处理基板w进行真空吸附的真空吸附部，或者代替静电吸附部而包括真空吸附部。
82.接合部150包括第1加热机构153和第2加热机构154。第1加热机构153内置于第1保持部151，通过对第1保持部151进行加热，从而将保持于第1保持部151的被处理基板w加热至规定的温度。另外，第2加热机构154内置于第2保持部152，通过对第2保持部152进行加热，从而将保持于第2保持部152的支承基板s加热至规定的温度。
83.接合部150包括加压部155。加压部155使第2保持部152向铅垂下方移动，从而使支承基板s与被处理基板w接触并进行加压。此外，加压部155只要使第1保持部151和第2保持部152相对地移动即可，也可以使第1保持部151移动。加压部155包括基部构件156、压力容器157、气体供给管158和气体供给源159。基部构件156安装于后述的第2腔室部162内部的顶面。
84.压力容器157例如由在铅垂方向上伸缩自如的不锈钢制的波纹管构成。压力容器157的下端部固定于第2保持部152的上表面，压力容器157的上端部固定于基部构件156的下表面。气体供给管158的一端借助基部构件156和后述的第2腔室部162连接于压力容器157，另一端连接于气体供给源159。
85.对于压力容器157，通过自气体供给源159借助气体供给管158向压力容器157的内部供给气体，从而使压力容器157伸长并使第2保持部152下降。由此，支承基板s与被处理基板w接触并被加压。通过调节向压力容器157供给的气体的压力，从而调节被处理基板w和支承基板s之间的加压力。
86.接合部150包括腔室160、移动机构170、减压部180、第1拍摄部191和第2拍摄部192。
87.腔室160是能够将内部密闭的处理容器，包括第1腔室部161和第2腔室部162。第1腔室部161是上部开放的有底筒状的容器，在内部收容有第1保持部151等。另外，第2腔室部162是下部开放的有底筒状的容器，在内部收容有第2保持部152、压力容器157等。
88.第2腔室部162构成为能够利用气缸等未图示的升降机构在铅垂方向上升降。利用升降机构使第2腔室部162下降并与第1腔室部161抵接，从而在腔室160的内部形成密闭空间。此外，在第2腔室部162的与第1腔室部161抵接的抵接面设有用于确保腔室160的气密性的密封构件163。作为密封构件163，例如使用o形环。
89.移动机构170设于第2腔室部162的外周部，借助第2腔室部162使第2保持部152在水平方向上移动。移动机构170相对于第2腔室部162的外周部设有多个(例如五个)，五个移动机构170中的四个用于第2保持部152的水平方向上的移动，剩余的一个用于第2保持部152的绕铅垂轴线的旋转。
90.移动机构170包括与第2腔室部162的外周部抵接并使第2保持部152移动的凸轮171和借助轴172使凸轮171旋转的旋转驱动部173。凸轮171相对于轴172的中心轴线偏心地
设置。于是，利用旋转驱动部173使凸轮171旋转，从而凸轮171相对于第2保持部152的中心位置移动，而能够使第2保持部152在水平方向上移动。
91.减压部180例如设于第1腔室部161的下部，对腔室160内进行减压。减压部180包括用于对腔室160内的气氛进行抽吸的吸气管181和与吸气管181连接的真空泵等吸气装置182。
92.第1拍摄部191配置于第2保持部152的下方，对保持于第2保持部152的支承基板s的下表面(接合面sj)进行拍摄。另外，第2拍摄部192配置于第1保持部151的上方，对保持于第1保持部151的被处理基板w的上表面(接合面wj)进行拍摄。
93.第1拍摄部191和第2拍摄部192构成为能够利用未图示的移动机构在水平方向上移动，在使第2腔室部162下降之前，该第1拍摄部191和第2拍摄部192进入腔室160内，对被处理基板w和支承基板s进行拍摄。第1拍摄部191和第2拍摄部192的拍摄数据向控制装置90发送。此外，作为第1拍摄部191和第2拍摄部192，例如均使用广角型的ccd照相机。
94.接下来，参照图13，对接合装置80的动作的一个例子进行说明。在利用第2输送装置21(参照图1)将被处理基板w向交接部110的交接臂111交接时，交接臂111将被处理基板w向支承销112交接。之后，利用输送部140的第1输送臂141将被处理基板w自支承销112向翻转部120输送。
95.输送到翻转部120的被处理基板w利用翻转部120的检测部122检测缺口的位置并调节水平方向上的朝向(步骤s101)。之后，利用输送部140的第1输送臂141将被处理基板w自翻转部120向加热部130输送。
96.输送到加热部130的被处理基板w利用加热部130的热板131加热至规定的温度(步骤s102)。由此，降低被处理基板w的翘曲。之后，被处理基板w利用输送部140的第1输送臂141自加热部130向接合部150的第1保持部151输送，并被第1保持部151吸附保持(步骤s103)。第1保持部151预先利用第1加热机构153加热至期望的温度。
97.另一方面，在利用第2输送装置21(参照图1)将支承基板s向交接部110的交接臂111交接时，交接臂111将支承基板s向支承销112交接。之后，支承基板s利用输送部140的第1输送臂141自支承销112向翻转部120输送。
98.输送到翻转部120的支承基板s利用翻转部120的检测部122检测缺口的位置并调整水平方向上的朝向(步骤s104)。之后，支承基板s利用翻转部120上下翻转(步骤s105)。其结果，使支承基板s的接合面sj朝向下方。
99.之后，支承基板s利用输送部140的第2输送臂142自翻转部120向接合部150的第2保持部152输送，并被第2保持部152吸附保持(步骤s106)。第2保持部152预先利用第2加热机构154加热至期望的温度。
100.在完成被处理基板w和支承基板s向接合部150的送入时，进行被处理基板w和支承基板s的水平方向对位(步骤s107)。在被处理基板w和支承基板s预先形成有多个基准点。接合部150使图11所示的第1拍摄部191和第2拍摄部192在水平方向上移动，分别对被处理基板w和支承基板s的基准点进行拍摄。接合部150以使利用第1拍摄部191拍摄到的图像所包含的基准点的位置与利用第2拍摄部192拍摄到的图像所包含的基准点的位置一致的方式使用移动机构170对支承基板s的水平方向上的位置进行调节。即，利用旋转驱动部173使凸轮171旋转并借助第2腔室部162使第2保持部152在水平方向上移动，从而调节支承基板s的
水平方向上的位置。
101.之后，接合部150在使第1拍摄部191和第2拍摄部192自腔室160内退出后使第2腔室部162下降。由此，第2腔室部162与第1腔室部161抵接，而在腔室160内形成密闭空间。之后，接合部150使用减压部180对腔室160内的气氛进行抽吸，从而对腔室160内进行减压。
102.接下来，接合部150使用加压部155使第2保持部152下降，而使被处理基板w与支承基板s接触(步骤s108)。进而，接合部150向压力容器157供给气体并将压力容器157内设为期望的压力，从而对被处理基板w和支承基板s进行加压(步骤s109)。
103.涂布于支承基板s的接合面sj的粘接剂g利用加热而软化，将支承基板s以期望的压力向被处理基板w按压规定时间，从而将被处理基板w与支承基板s接合而形成重合基板t。此时，由于腔室160内为减压气氛，因此能够抑制在被处理基板w与支承基板s之间产生气泡。
104.之后，重合基板t在利用输送部140的第1输送臂141自接合部150输送到交接部110之后，借助支承销112向交接臂111交接，进而自交接臂111向第2输送装置21交接。第2输送装置21将重合基板t自接合装置80送出(步骤s110)。
105.根据本实施方式，在接合装置80的内部设有加热部130，在接合部150将被处理基板w和支承基板s接合之前，加热部130对被处理基板w进行加热。通过加热部130对被处理基板w进行加热，从而降低在冷却过程中产生的被处理基板w的翘曲。然后，若将被处理基板w吸附保持于第1保持部151，则能够提高被处理基板w与支承基板s的水平方向对位精度。因而，能够提高接合精度。
106.接下来，参照图14，对第1变形例的输送部140进行说明。输送部140也可以包括第2加热部200，该第2加热部200对利用加热部130加热了的被处理基板w进行加热。在被处理基板w的输送过程中，能够利用第2加热部200维持被处理基板w的温度，能够抑制被处理基板w再次翘曲。
107.第2加热部200例如包含与被处理基板w空开间隔地配置的热板201。热板201水平地设于被第1输送臂141保持着的被处理基板w的上方。在热板201与被处理基板w之间形成有间隙，热板201不与被处理基板w的接合面wj接触。由此，能够防止接合面wj被附着于热板201的微粒等污染。
108.热板201例如是直径与被处理基板w大致相同、或直径大于被处理基板w的圆盘状。在热板201例如内置有加热机构202。加热机构202例如包含加热器。热板201的加热温度例如由控制装置90进行控制，将配置于热板201的下方的被处理基板w维持为规定的温度。
109.此外，第2加热部200也可以包括加热喷嘴来代替热板201。加热喷嘴将预先加热到规定的温度的气体朝向被处理基板w喷出，从而对被处理基板w进行加热。在该情况下，也能够以非接触的方式对被处理基板w进行加热。加热喷嘴所喷出的气体例如是氮气或氩气等非活性气体。在加热温度较低的情况下，也可以使用空气等。
110.接下来，参照图15，对第2变形例的输送部140进行说明。输送部140也可以包括对被处理基板w的翘曲进行测量的翘曲测量部210。翘曲测量部210例如包含照相机、激光干涉仪或激光位移计。被处理基板w的翘曲的测量在将被处理基板w在多个点以能够滑动的方式支承着的状态下进行，在不对被处理基板w进行吸附的状态下进行。翘曲测量部210将测量到的数据向控制装置90发送。
111.在输送部140包括翘曲测量部210的情况下，能够在被处理基板w的输送过程中确认被处理基板w的翘曲。例如，在输送部140不包括第2加热部200的情况下，若输送部140包括翘曲测量部210，则能够确认是否在被处理基板w的输送过程中被处理基板w的温度降低而被处理基板w的翘曲变大。此外，输送部140也可以包括第2加热部200和翘曲测量部210这两者。
112.在利用翘曲测量部210测量到的被处理基板w的翘曲在容许范围外的情况下，控制装置90也可以利用输送部140将被处理基板w送回加热部130，并利用加热部130对被处理基板w再次进行加热。能够将被处理基板w的翘曲控制在容许范围内。此外，在利用翘曲测量部210测量到的被处理基板w的翘曲在容许范围内的情况下，控制装置90利用输送部140将被处理基板w向接合部150的第1保持部151输送。
113.另外，在利用翘曲测量部210测量到的被处理基板w的翘曲在容许范围外的情况下，控制装置90也可以对利用加热部130加热被处理基板w的加热温度或加热时间进行设定变更。变更后的加热温度设定得高于变更前的加热温度。另外，变更后的加热时间设定得长于变更前的加热时间。下次以后，能够将被处理基板w的翘曲控制在容许范围内。
114.此外，在本实施方式中，翘曲测量部210配置于输送部140，但也可以配置于加热部130。在输送部140自加热部130接收被处理基板w之前，能够确认被处理基板w的翘曲是否在容许范围内。在被处理基板w的翘曲在容许范围外的情况下，控制装置90对利用加热部130加热被处理基板w的加热温度或加热时间进行设定变更。翘曲测量部210也可以配置于加热部130和输送部140这两者。
115.另外，在输送部140包括第2加热部200和翘曲测量部210这两者的情况下，且在利用翘曲测量部210测量到的被处理基板w的翘曲在容许范围外的情况下，控制装置90也可以对利用第2加热部200加热被处理基板w的加热温度或加热时间进行设定变更。在该情况下，也能够将被处理基板w的翘曲控制在容许范围内。
116.以上，对本公开的接合方法和接合装置的实施方式等进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内，能够进行各种变更、修正、置换、附加、删除以及组合。这些实施方式当然也属于本公开的技术范围。