发光元件、包含其的发光组件、显示装置及其制造方法与流程

1.本发明涉及一种发光元件、包含其的发光组件及显示装置、以及显示装置的制造方法。


背景技术：

2.微型发光二极管(micro-led)因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建微型发光二极管显示装置的像素结构。由于微型发光二极管的尺寸极小，目前制作微型发光二极管显示装置的方法是采用巨量转移(mass transfer)技术，亦即利用微机电阵列技术进行微型发光二极管晶粒取放，以将大量的微型发光二极管晶粒一次搬运到具有像素电路的驱动背板上。
3.另外，依据封装方式，微型发光二极管晶粒可分类为水平式、垂直式及覆晶式微型发光二极管。随着微型发光二极管晶粒的尺寸愈来愈小，预期垂直式微型发光二极管将能够提供较大的发光面积。然而，目前垂直式微型发光二极管的上电极采用金属电极，导致电流局部集中于金属电极，而且金属电极还会遮蔽光线而影响光取出(light extraction)。


技术实现要素：

4.本发明提供一种发光元件，具有良好的光取出效率。
5.本发明提供一种发光组件，具有良好的光取出效率。
6.本发明提供一种显示装置，具有良好的光取出效率。
7.本发明提供一种显示装置的制造方法，能够提供具有良好的光取出效率的显示装置。
8.本发明的一个实施例提出一种发光元件，包括：半导体叠层；金属电极，位于半导体叠层上；透明电极，位于半导体叠层上与金属电极相对的一侧；以及系连件，至少延伸于半导体叠层及透明电极的侧壁，且系连件远离金属电极的表面与透明电极远离金属电极的表面齐平。
9.在本发明的一实施例中，上述的系连件包括氧化硅、氮化硅或布拉格反射层。
10.在本发明的一实施例中，上述的布拉格反射层包括交叠的多个氧化钛层及多个氧化硅层。
11.在本发明的一实施例中，上述的半导体叠层包括：第一型半导体图案，位于金属电极与透明电极之间；第二型半导体图案，重叠于第一型半导体图案，且位于第一型半导体图案与透明电极之间；以及发光图案，位于第一型半导体图案与第二型半导体图案之间。
12.在本发明的一实施例中，上述的第二型半导体图案包括p型半导体材料。
13.在本发明的一实施例中，上述的发光元件还包括匹配图案，位于半导体叠层与透明电极之间。
14.本发明的一个实施例提出一种发光组件，包括：载板；多个支撑件，位于载板上；以及上述的发光元件，通过系连件悬吊于支撑件之间。
15.在本发明的一实施例中，上述的系连件于载板的正投影在金属电极于载板的正投影之外。
16.在本发明的一实施例中，上述的系连件还延伸至多个支撑件上。
17.在本发明的一实施例中，上述的发光组件还包括支撑层，位于多个支撑件及发光元件与载板之间。
18.在本发明的一实施例中，上述的支撑层与支撑件一体成形。
19.本发明的一个实施例提出一种显示装置，包括：电路基板；以及上述的发光元件，位于电路基板上，且电性连接电路基板。
20.在本发明的一实施例中，上述的金属电极位于半导体叠层与电路基板之间。
21.在本发明的一实施例中，上述的电路基板还包括开关元件，且开关元件电性连接透明电极或金属电极。
22.本发明的一个实施例提出一种显示装置的制造方法，包括：提供生长基板；形成多层半导体层于生长基板上；形成透明电极层于多层半导体层上；形成中介基板于透明电极层上；移除生长基板；将多层半导体层及透明电极层图案化，以形成半导体叠层及透明电极；形成金属电极于半导体叠层上；以及至少形成系连件于半导体叠层及透明电极的侧壁以及中介基板上，且系连件面对中介基板的表面与透明电极面对中介基板的表面齐平。
23.在本发明的一实施例中，上述的形成多层半导体层包括：形成第一型半导体层于生长基板上；形成发光层于第一型半导体层上；以及形成第二型半导体层于发光层上。
24.在本发明的一实施例中，上述的形成透明电极层包括：形成匹配层于多层半导体层上；以及形成透明电极层于匹配层上。
25.在本发明的一实施例中，上述的显示装置的制造方法还包括形成多个支撑件于系连件上，且支撑件不重叠半导体叠层。
26.在本发明的一实施例中，上述的形成多个支撑件于系连件上包括：形成牺牲层于金属电极及系连件上，且牺牲层具有多个通孔，多个通孔不重叠半导体叠层且露出系连件；以及形成支撑件于各通孔中。
27.在本发明的一实施例中，上述的牺牲层包括有机材料。
28.在本发明的一实施例中，上述的显示装置的制造方法还包括形成载板于多个支撑件及金属电极上。
29.在本发明的一实施例中，上述的形成载板之后还包括移除中介基板。
30.在本发明的一实施例中，上述的移除中介基板之后还包括移除牺牲层。
31.在本发明的一实施例中，上述的移除牺牲层之后还包括：提供电路基板，电路基板包括位于其表面上的接垫；将透明电极、半导体叠层、金属电极以及系连件转置于电路基板的接垫上，使得金属电极位于半导体叠层与接垫之间；以及电性连接金属电极与接垫。
32.在本发明的一实施例中，上述的显示装置的制造方法还包括电性连接透明电极与电路基板的开关元件。
33.为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
34.图1a至图1j是依照本发明一实施例的显示装置10的制造方法的步骤流程的局部剖面示意图。
35.图2是依照本发明一实施例的发光组件20a的剖面示意图。
36.图3是依照本发明一实施例的显示装置20的局部剖面示意图。
37.附图标记说明：
38.10、20：显示装置
39.10a、20a：发光组件
40.110：电路基板
41.112：底板
42.114：驱动电路层
43.120、120a：发光元件
44.cr1、cr2、cr3：导电结构
45.cs：载板
46.el：发光层
47.ep：发光图案
48.fi、fr、fra、ft：表面
49.gs：生长基板
50.i1：缓冲层
51.i2：栅极绝缘层
52.i3：层间绝缘层
53.i4、i5、i6：绝缘层
54.is：中介基板
55.me：金属电极
56.ml：匹配层
57.mp：匹配图案
58.pc：支撑件
59.pd：接垫
60.pl：支撑层
61.sf：牺牲层
62.sl1：第一型半导体层
63.sl2：第二型半导体层
64.sp1：第一型半导体图案
65.sp2：第二型半导体图案
66.ss：半导体叠层
67.t：开关元件
68.tc：半导体层
69.td：漏极
70.te：透明电极
71.tg：栅极
72.tl：透明电极层
73.tr、tra：系连件
74.ts：源极
75.v1、v2、v3、v4、va：通孔
76.vl1、vl2：电源线
77.we、wm、ws、wt：侧壁
具体实施方式
78.在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦接”可为二元件间存在其它元件。
79.应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、层及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一“元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
80.这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”或表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
81.此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下”或“下方”可以包括上方和下方的取向。
82.考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)，本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值。例如，“近似”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
83.本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
84.图1a至图1j是依照本发明一实施例的显示装置10的制造方法的步骤流程的局部剖面示意图。请参照图1a，在本实施例的显示装置10的制造方法的步骤流程中，首先，提供生长基板gs，生长基板gs可以是蓝宝石(sapphire)基板、砷化镓(gaas)基板、磷化镓(gap)基板、磷化铟(inp)基板、碳化硅(sic)基板、氮化镓(gan)基板或其他适用于外延工艺的基板，但不以此为限。
85.接着，在一些实施例中，可以视需要形成离型层(图未示)于生长基板gs的表面上，离型层可以有助于后续移除生长基板gs，同时还有助于后续进行外延工艺。离型层的材质例如是氮化铝(aln)或氮化镓(gan)。
86.接着，形成毯覆的多层半导体层于生长基板gs及离型层(若有的话)上。举例而言，可以先形成第一型半导体层sl1于生长基板gs及离型层(若有的话)上；接着，形成发光层el于第一型半导体层上sl1；接着，形成第二型半导体层sl2于发光层el上。第一型半导体层sl1以及第二型半导体层sl2可以包括
ⅱ‑ⅵ
族材料(例如：锌化硒(znse))或
ⅲ‑ⅴ
氮族化物材料(例如：氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、氮化铟(inn)、氮化铟镓(ingan)、氮化铝镓(algan)或氮化铝铟镓(alingan))。举例而言，在本实施例中，第一型半导体层sl1例如是n型掺杂半导体层，n型掺杂半导体层的材料例如是n型氮化镓(n-gan)，第二型半导体层sl2例如包括p型掺杂半导体材料，p型掺杂半导体材料例如是p型氮化镓(gan)，但不以此为限。在本实施例中，发光层el的结构例如是多层量子井结构(multiple quantum well，mqw)，多重量子井结构包括交替堆叠的多层氮化铟镓(ingan)以及多层氮化镓(gan)，通过设计发光层el中铟或镓的比例，可调整发光层el的发光波长范围，但本发明不以此为限。
87.接着，请参照图1b，形成透明电极层tl于第一型半导体层sl1、发光层el以及第二型半导体层sl2上，之后形成中介基板is于透明电极层tl上。在本实施例中，透明电极层tl的材质可以包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟镓锌氧化物(igzo)或其他适合的导电氧化物、或上述导电氧化物中任意两层或更多层的叠层，但不限于此。在本实施例中，可以通过贴附的方式将中介基板is设置于透明电极层tl上，但不限于此。
88.在一些实施例中，在形成透明电极层tl之前，可以先形成透明的匹配层ml于第一型半导体层sl1、发光层el以及第二型半导体层sl2上，然后再形成透明电极层tl于匹配层ml上。匹配层ml有助于第二型半导体层sl2与透明电极层tl之间的欧姆接触，匹配层ml的材质例如p型氮化镓(p-gan)，但不限于此。
89.接着，请参照图1c，移除生长基板gs，而露出第一型半导体层sl1。移除生长基板gs的方式可采用例如热处理或激光剥离(laser lift off)工艺，但不以此为限。
90.接着，请参照图1d，将第一型半导体层sl1、发光层el、第二型半导体层sl2、匹配层ml以及透明电极层tl图案化，以形成第一型半导体图案sp1、发光图案ep、第二型半导体图案sp2、匹配图案mp以及透明电极te，其中，第一型半导体图案sp1、发光图案ep以及第二型
半导体图案sp2可以构成半导体叠层ss。
91.接着，形成金属电极me于半导体叠层ss上。在一些实施例中，还可以先形成毯覆的金属电极层(图未示)于第一型半导体层sl1上，然后再将金属电极层、第一型半导体层sl1、发光层el、第二型半导体层sl2、匹配层ml以及透明电极层tl图案化，以形成层叠于中介基板is上的透明电极te、匹配图案mp、半导体叠层ss以及金属电极me。金属电极me的材质可以包括导电性良好的金属，例如铝(al)、钛(ti)、金(au)、铂(pt)、镍(ni)、铬(cr)等金属、上述金属的合金、或上述金属及/或合金的组合或叠层。举例而言，金属电极me可以包括ti/al/ti/au、cr/pt/au或cr/al/ti/pt/au等金属叠层。
92.接着，请参照图1e，形成系连件tr于半导体叠层ss的侧壁ws、匹配图案mp的侧壁wm、透明电极te的侧壁wt以及中介基板is的表面fi上。如此一来，系连件tr与透明电极te皆能够贴合中介基板is的表面fi，使得系连件tr面对中介基板is的表面fr能够与透明电极te面对中介基板is的表面ft齐平。本文所使用的用语“齐平”意指“近似齐平”。举例而言，在一些实施例中，由于工艺的可容忍误差，表面fr及/或表面ft可能存在小于或等于3μm的表面起伏，因此，表面fr的某些区域与表面ft的某些区域可能具有约5μm的表面高度差。在某些实施例中，表面fr的某些区域与表面ft的某些区域可能具有约3μm、2μm或1μm的表面高度差。在一些实施例中，系连件tr还可以形成于金属电极me的侧壁we上。系连件tr的材质例如氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)，但不限于此。
93.至此，即于中介基板is上形成了发光元件120，且发光元件120可以包括：半导体叠层ss；金属电极me，位于半导体叠层ss上；透明电极te，位于半导体叠层ss上与金属电极me相对的一侧；匹配图案mp，位于半导体叠层ss与透明电极te之间；以及系连件tr，至少延伸于半导体叠层ss及透明电极te的侧壁，且系连件tr远离金属电极me的表面fr与透明电极te远离金属电极me的表面ft齐平，其中，半导体叠层ss可以包括第一型半导体图案sp1、第二型半导体图案sp2以及发光图案ep，其中，第一型半导体图案sp1可以位于金属电极me与透明电极te之间，第二型半导体图案sp2可以重叠于第一型半导体图案sp1且位于第一型半导体图案sp1与透明电极te之间，且发光图案ep可以位于第一型半导体图案sp1与第二型半导体图案sp2之间。发光元件120的金属电极me及透明电极te分别位于发光图案ep的相对两侧，也就是说，发光元件120为垂直式发光二极管。在一些实施例中，发光元件120可以是发蓝光或发绿光的垂直式发光二极管，但不限于此。
94.接着，请参照图1f，在一些实施例中，还可以形成牺牲层sf于金属电极me及系连件tr上，且牺牲层sf可以形成有多个通孔va，各个通孔va于中介基板is的正投影不重叠半导体叠层ss于中介基板is的正投影，且通孔va可以露出系连件tr贴合中介基板is的部分。牺牲层sf可以包括有机材料，但不限于此。通孔va可以具有上宽下窄的倒梯形，但不以此为限。
95.接着，请参照图1g，还可以形成支撑件pc于各通孔va中。由于通孔va可以露出系连件tr，且通孔va不重叠半导体叠层ss，因此，支撑件pc可以连接系连件tr，且支撑件pc不重叠半导体叠层ss。在一些实施例中，还可以形成支撑层pl于支撑件pc以及牺牲层sf上，且支撑层pl可以与支撑件pc属于同一膜层，换言之，支撑层pl可与支撑件pc一体成形，但不限于此。如此一来，可以确保支撑件pc以及牺牲层sf具有平坦的上表面。支撑件pc及/或支撑层pl可以包括具有一定刚性的材料，例如金属，而且支撑件pc及/或支撑层pl还可以具有多层
结构。
96.接着，请参照图1g，还可以形成载板cs于支撑件pc、金属电极me以及支撑层pl上。举例而言，可以将载板cs贴合于支撑层pl上。接着，请参照图1h，在形成载板cs之后还可以移除中介基板is，例如通过激光剥离或热处理的方式移除中介基板is。接着，请参照图1i，在移除中介基板is之后还可以移除牺牲层sf。举例而言，可以通过曝光及显影的方式移除牺牲层sf。至此，即完成依照本发明一实施例的发光组件10a，且发光组件10a可以包括：载板cs；多个支撑件pc，位于载板cs上；发光元件120，通过系连件tr悬吊于支撑件pc之间；以及支撑层pl，位于多个支撑件pc及发光元件120与载板cs之间，其中，系连件tr远离金属电极me的表面fr与透明电极te远离金属电极me的表面ft齐平。
97.在一些实施例中，系连件tr于载板cs的正投影可以在金属电极me于载板cs的正投影之外。在一些实施例中，系连件tr还延伸于支撑件pc上，使得系连件tr能够连接支撑件pc。
98.接着，请参照图1j，在移除牺牲层sf之后还可以进一步提供电路基板110，其中，电路基板110可以包括位于其表面上的接垫pd。之后，可以进行巨量转移工艺，也就是将发光组件10a中的发光元件120取出后转置于电路基板110上，例如将发光元件120的金属电极me置于接垫pd上，使得金属电极me位于半导体叠层ss与电路基板110的接垫pd之间，之后再通过例如热处理而使发光元件120的金属电极me与接垫pd电性连接。至此，即可完成依照本发明一实施例的显示装置10，且显示装置10可以包括：电路基板110；以及发光元件120，位于电路基板110上，且电性连接电路基板110。由于显示装置10的发光元件120的上电极为透明电极te，发光元件120中的电流能够均匀分布于透明电极te，且显示装置10能够具有良好的光取出效率。
99.举例而言，电路基板110可以包括底板112以及驱动电路层114。电路基板110的底板112可以是透明基板、不透明基板、挠性基板或不可挠基板，其材质可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他适当材质。驱动电路层114可以包括显示装置10需要的元件或线路，例如驱动元件、开关元件、存储电容、电源线、驱动信号线、时序信号线、电流补偿线、检测信号线等等。可以利用薄膜沉积工艺、光刻工艺以及蚀刻工艺，在底板112上形成驱动电路层114。驱动电路层114可以包括至少一绝缘层及至少一导电层，且驱动电路层114可以视需要包括更多的绝缘层以及导电层。
100.在一些实施例中，电路基板110的驱动电路层114还可以包括开关元件阵列，其中开关元件阵列包括排列成阵列的多个开关元件t，且开关元件t可以电性连接发光元件120。详细而言，驱动电路层114例如可以包括开关元件t、电源线vl1、vl2、导电结构cr1、cr2、接垫pd、缓冲层i1、栅极绝缘层i2、层间绝缘层i3以及绝缘层i4、i5。开关元件t是由半导体层tc、栅极tg、源极ts以及漏极td所构成。半导体层tc重叠栅极tg的区域可视为开关元件t的通道区。缓冲层i1位于底板112与半导体层tc之间，用于防止底板112中的杂质移入半导体层tc中，并增强半导体层tc与底板112之间的粘合性。栅极绝缘层i2位于栅极tg与半导体层tc之间。层间绝缘层i3设置在源极ts以及漏极td与栅极tg以及电源线vl2之间。栅极tg及源极ts可分别接收来自例如驱动元件的信号。绝缘层i4设置于源极ts、漏极td以及电源线vl1与导电结构cr1、cr2之间，绝缘层i5设置于导电结构cr1、cr2与接垫pd之间，且接垫pd可以设置于绝缘层i5上。导电结构cr1可以通过绝缘层i4中的通孔v1电性连接电源线vl1，导电
结构cr2可以通过绝缘层i4中的通孔v2电性连接漏极td，且接垫pd可以通过绝缘层i5中的通孔v3电性连接导电结构cr1。在某些实施例中，接垫pd可以不电性连接导电结构cr1，且接垫pd可以通过绝缘层i5中的其他通孔电性连接导电结构cr2，使得开关元件t可以电性连接发光元件120的金属电极me。
101.半导体层tc的材质可以包括硅质半导体材料(例如多晶硅、非晶硅等)、氧化物半导体材料、有机半导体材料，但不限于此。栅极tg、源极ts、漏极td、电源线vl1、vl2、导电结构cr1、cr2以及接垫pd的材质可以包括导电性良好的金属，例如铝、钼、钛、铜等金属，但不限于此。在一些实施例中，导电结构cr1、cr2以及接垫pd也可以分别具有单层结构或多层结构，多层结构例如上述导电金属或导电氧化物中任意两层或更多层的叠层，可视需要进行组合与变化。举例而言，导电结构cr1可以包括依续堆叠的钛层、铝层以及钛层或是依续堆叠的钼层、铝层以及钼层，但不以此为限。
102.缓冲层i1、栅极绝缘层i2、层间绝缘层i3以及绝缘层i4、i5的材质可以包括透明的无机绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的叠层，但不限于此。在一些实施例中，缓冲层i1、栅极绝缘层i2、层间绝缘层i3以及绝缘层i4、i5也可以分别具有单层结构或多层结构，多层结构例如上述绝缘材料中任意两层或更多层的叠层，可视需要进行组合与变化。
103.在一些实施例中，在电性连接金属电极me与接垫pd之后，还可以将透明电极te与电路基板110的开关元件t电性连接。举例而言，可以形成绝缘层i6于绝缘层i5上，且至少露出发光元件120的透明电极te。接着，形成贯穿绝缘层i5、i6且露出导电结构cr2的通孔v4。之后，形成导电结构cr3于透明电极te上以及通孔v4中，使得透明电极te能够通过导电结构cr3以及导电结构cr2电性连接至开关元件t的漏极td。导电结构cr3的材质可以包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟镓锌氧化物(igzo)或其他适合的导电氧化物，绝缘层i6的材质可以包括透明的无机绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的叠层，但不限于此。
104.在某些实施例中，当接垫pd电性连接导电结构cr2时，则可以形成贯穿绝缘层i5、i6且露出导电结构cr1的通孔，然后于透明电极te上以及露出导电结构cr1的通孔中形成另一导电结构，以电性连接透明电极te与电源线vl1。
105.以下，使用图2至图3继续说明本发明的其他实施例，并且，沿用图1a至图1j的实施例的元件标号与相关内容，其中，采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明，可参考图1a至图1j的实施例，在以下的说明中不再重述。
106.图2是依照本发明一实施例的发光组件20a的剖面示意图。发光组件20a可以包括：载板cs；多个支撑件pc，位于载板cs上；发光元件120a，通过系连件tra悬吊于支撑件pc之间；以及支撑层pl，位于多个支撑件pc及发光元件120a与载板cs之间，其中，系连件tra远离金属电极me的表面fra与透明电极te远离金属电极me的表面ft齐平。
107.与如图1i所示的发光组件10a相比，图2所示的发光组件20a的不同之处在于：发光组件20a的发光元件120a的系连件tra可以包括布拉格反射层(distributed bragg reflector，dbr)，其中，系连件tra的布拉格反射层例如可以包括交叠的多个氧化钛(tio2)层及多个氧化硅(sio2)层。通过设置包括布拉格反射层的系连件tra来控制特定波段全穿
透或全反射以进行滤光，可确保发光组件20a提供的发光元件120a所发出的光能够色光转换完全，且全反射的波段可再次进行光色转换以增加光强。另外，由于发光元件120a的上电极为透明电极te，当发光元件120a致能时，发光元件120a能够具有良好的光取出效率，且电流能够均匀分布于透明电极te。
108.图3是依照本发明一实施例的显示装置20的局部剖面示意图。显示装置20可以包括：电路基板110；以及发光元件120a，位于电路基板110上，且电性连接电路基板110。
109.与如图1j所示的显示装置10相比，图3所示的显示装置20的不同之处在于：显示装置20的发光元件120a的系连件tra可以包括布拉格反射层(distributed bragg reflector，dbr)，其中，系连件tra的布拉格反射层例如可以包括交叠的多个氧化钛(tio2)层及多个氧化硅(sio2)层。通过设置包括布拉格反射层的系连件tra来控制特定波段全穿透或全反射以进行滤光，可确保显示装置20的色光转换完全，且全反射的波段可再次进行光色转换以增加光强，从而改善显示装置20的全彩化显示效果。另外，由于显示装置20中的发光元件120a的上电极为透明电极te，发光元件120a中的电流能够均匀分布于透明电极te，且显示装置20能够提供良好的光取出效率。
110.综上所述，本发明的发光元件、发光组件以及显示装置通过使垂直式发光元件的上电极为透明电极，能够使发光元件中的电流均匀分布于透明上电极，且使得发光元件、发光组件以及显示装置能够具有良好的光取出效率。
111.虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。