半导体裸片浸渍结构的制作方法

1.本发明实施例涉及半导体裸片浸渍结构。


背景技术：

2.使用半导体元件的电子设备对于许多现代应用产品来说是必不可少的。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸越来越小，同时具有更强大的功能和更大量的集成电路。在封装半导体元件的制造过程中，许多芯片或裸片被组装在单一半导体元件上。在制造过程中，通常将助焊剂材料(flux material)施加到裸片上，并作为润湿剂和清洁剂，以提高任何焊接接合的质量。助焊剂材料还最大限度地减少了在焊接温度下可能发生的金属氧化，从而提高了电气连接的可靠性。


技术实现要素：

3.根据本发明的一实施例，一种裸片浸渍结构，包含：板，包含：第一凹陷部分，其具有第一深度并以第一助焊剂材料填满；及第二凹陷部分，其与所述第一凹陷部分分离，具有第二深度并以第二助焊剂材料填满，其中所述第二深度与所述第一深度不同；电动机，其经配置以移动所述板，以便同时将第一裸片以及第二裸片分别浸入所述第一凹陷部分中的所述第一助焊剂材料以及所述第二凹陷部分中的所述第二助焊剂材料。
4.根据本发明的一实施例，一种裸片浸渍结构，包含：机械手臂，其经配置以固定第一裸片以及第二裸片，其中所述第一裸片包含具有第一高度的第一连接器，且所述第二裸片包含具有第二高度的第二连接器；板，包含：第一凹陷部分，其包含第一助焊剂材料，所述第一助焊剂材料具有第三高度；第二凹陷部分，其与所述第一凹陷部分分离，所述第二凹陷部分包含第二助焊剂材料，所述第二助焊剂材料具有第四高度，其中所述第一高度和所述第二高度分别对应于所述第三高度和所述第四高度；及电动机，其经配置以移动所述板，以分别将所述第一连接器以及所述第二连接器与所述第一凹陷部分以及所述第二凹陷部分对齐。
5.根据本发明的一实施例，一种关于半导体工件的方法，包含：提供板，所述板包含第一凹陷部分，所述第一凹陷部分具有第一深度并被第一助焊剂材料填满，以及第二凹陷部分，所述第二凹陷部分具有第二深度并被第二助焊剂材料填满，其中所述第二深度与所述第一深度不同；同时将第一裸片浸入所述第一凹陷部分，并将第二裸片浸入所述第二凹陷部分，以便分别用所述第一助焊剂材料以及所述第二助焊剂材料涂覆所述第一裸片的第一连接器和所述第二裸片的第二连接器。
附图说明
6.从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意的是，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。
7.图1a绘示出根据一些实施例的裸片浸渍结构的示意图。
8.图1b绘示出根据一些实施例的裸片浸渍结构的示意图。
9.图2绘示出根据一些实施例的示例裸片浸渍结构的一部分的示意图。
10.图3绘示出根据一些实施例的示例裸片浸渍结构的另一部分的示意图。
11.图4绘示出根据一些实施例可以连接到裸片浸渍结构的半导体裸片的示意图。
12.图5绘示出根据一些实施例可以连接到裸片浸渍结构的半导体裸片的示意图。
13.图6绘示出根据一些实施例将助焊剂施加到半导体工件的方法流程图。
14.图7-17绘示出根据一些实施例，在形成可以使用裸片浸渍结构的封装结构的示例过程中的截面视图。
具体实施方式
15.以下揭露提供用于实施所提供主题的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不意在产生限制。例如，在以下描述中，在第二构件上方或第二构件上形成第一构件可包含其中形成直接接触的第一构件及第二构件的实施例，且还可包含其中可在第一构件与第二构件之间形成额外构件使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复参考元件符号及/或字母。此重复是为了简单及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
16.此外，为便于描述，例如“在
…
之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及其类似的空间相对术语在本文中可用于描述一元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所绘示出的。除了图中所描绘的方向之外，空间相对术语还意欲涵盖装置在使用或操作中的不同方向。设备可依其它方式方向(旋转90度或依其它方向)且也可因此解释本文中所使用的空间相对描述词。在本文中，术语“耦合”也可以称为“电气耦合”，术语“连接”可以称为“电气连接”。“耦合”和“连接”也可用于表示两个或多个元素相互合作或相互作用。
17.通常将助焊剂材料施加到裸片或衬底上，以促进互连的形成。助焊剂材料充当接合剂，将放置的组件固定就位等待焊接，并进一步清洁衬底上的表面氧化物，并最大限度地减少在焊接温度下所发生的金属氧化，从而改善焊接组件与衬底之间的电气和机械互连和可靠性。控制施加到裸片或衬底上的助焊剂材料的量非常重要，因为必须使用足够的助焊剂来实现可靠的冶金键，而过量的助焊剂会对其它制造过程产生不利影响，例如造成相邻的焊料、焊盘或迹线彼此短路，从而造成桥接。
18.通常，封装的半导体元件(例如，晶片上芯片(chip-on-wafer-on-substrate，cowos)封装、其它集成电路芯片、安装在衬底上的裸片等。)合并了多个裸片，以实现更好的互连密度和性能。在这种情况下，半导体封装上的每个裸片可能是导电气连接器，并且一个裸片上的导电气连接器可能与另一个裸片上的导电气连接器具有不同的高度。每个裸片也可以浸入半导体结构中，所述浸渍结构经配置以使用助焊剂材料来封装每个裸片上的导电气连接器。目前的裸片浸渍结构使用浸渍板(dipping plate)，每个板具有单独的固定厚度。但是，由于连接器高度、连接器直径、预焊类型和衬底上的金属饰面(metal finish)处理等的变化，必须更换浸渍板以达到不同的助焊剂厚度要求。结果会让工艺被中断，从而造成产出量下降，并且无法利用工艺控制来实时微调助焊剂厚度。
19.本揭露涉及一种半导体浸渍结构(有时称为裸片浸渍结构)，其具有多类型浸渍深度并经配置以处理多裸片生产量。在一些实施例中，半导体浸渍结构包含浸渍板，浸渍板具有至少两个浸渍池。每个浸渍池的深度可能与其它浸渍池的深度不同。例如，第一浸渍池的深度可能比第二浸渍池要深。每个浸渍池还可以被助焊剂材料填满，所述助焊剂材料可以是任何合适的介电材料。半导体浸渍结构还可以包含至少两个半导体裸片，并且每个半导体裸片可以有一个连接器。在一些实施例中，第一半导体裸片可以包含具有第一高度的第一连接器，并且第二半导体裸片可以包含具有第二高度的第二连接器。第一高度可能大于第二高度。在某些情况下，第一半导体裸片可以位于第一浸渍池中，第二半导体裸片可以位于第二浸渍池中，以便使用助焊剂材料来封装每个裸片上的每个连接器。在一些实施例中，这些多深度半导体浸渍结构可以提高半导体封装的生产力并缩短其制造时间。
20.图1a-b绘示出根据一些实施例的经配置以将助焊剂材料施加到工件上的裸片浸渍结构100的示意图。前述工件可以是任何使用助焊剂材料的半导体裸片或半导体封装(例如，cowos、集成电路封装、多芯片封装、扁平封装等)。例如，前述工件可以是具有设置在其表面上的多个导电端子的印刷电路板，或多个倒装芯片型(flip-chip type)电气组件。可以在半导体封装上形成连接器(有时称为焊料凸块或接合焊盘)，所述半导体封装将会与半导体裸片上的相应结构电气连接。可以在例如硅衬底上或砷化镓衬底上制造所述裸片。可以在裸片上形成连接器，所述裸片与半导体封装上形成的连接器相对应。连接器材料可以是各种铅基或无铅焊料。
21.如图1a-1b所示，所述裸片浸渍结构100包含裸片浸渍板102。所述裸片浸渍板102包含浸渍板台103，所述浸渍板台103具有第一凹陷部分(或第一凹陷)104和第二凹陷部分(或第二凹陷)106。前述第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106可以在第一横向方向(例如，y方向)上彼此隔开。或者说，第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106可以彼此独立或以其它方式分离。因此，第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106可以分别经配置以处理不同的工件，这将会在下文讨论。
22.例如，第一凹陷部分104具有第一深度，而第二凹陷部分106具有第二深度。在各种实施例中的一实施例中，第一深度经配置以与第二深度不同。第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106经配置以分别包含有第一助焊剂材料以及第二助焊剂材料。随着深度的不同，第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106可以局限或以其它方式保存第一助焊剂材料以及第二助焊剂材料，前述材料可以在不同的高度上彼此相同或不同。在各种实施例中的另一实施例中，第一深度经配置以类似于第二深度。在这样的实施例中，第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106可以分别以第一助焊剂材料以及第二助焊剂材料填满，前述材料可以在不同的高度上彼此相同或不同。
23.此外，裸片浸渍结构100包含浸渍板电动机108，其经配置以在有需要时横向地移动裸片浸渍板102(例如，沿y方向)。所述裸片浸渍结构100还包含机械手臂110，其经配置以夹紧或以其它方式固定第一裸片以及第二裸片，前述裸片各自的侧面具有面向下方的连接器。在一些实施例中，如图1a所示，机械手臂110包含第一手臂部分112和第二手臂部分114，分别经配置以固定第一裸片以及第二裸片。例如，浸渍板电动机108经配置以移动裸片浸渍板102以使第一凹陷部分104与第一裸片对齐，并将第二凹陷部分106与第二裸片对齐。然后，机械手臂110经配置以将位于第一手臂部分112上的第一裸片和第一手臂部分114上的
第二裸片分别浸入第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106，并使用助焊剂材料来涂覆或以其它方式至少覆盖第一裸片以及第二裸片的相应连接器。
24.在一些实施例中，如图1b所示，裸片浸渍结构100包含仅具有第一手臂部分112的机械部分110。在这样的实施例中，首先第一手臂部分112经配置以固定第一裸片。然后浸渍板电动机108可以移动裸片浸渍板102以将一个凹陷部分(即，第一凹陷部分104)与第一裸片对齐。然后机械手臂110将第一裸片浸入前述凹陷部分(即，第一凹陷部分104)以涂覆或以其它方式用助焊剂材料至少覆盖第一裸片的相应连接器。然后，可以将第一裸片从第一手臂部分112中取出，并且可以将第二裸片放置在第一手臂部分112上。然后浸渍板电动机108可以移动裸片浸渍板102以将不同的凹陷部分(即，第二凹陷部分106)与第二裸片对齐。然后机械手臂110可以将第二裸片浸入前述凹陷部分(即，第二凹陷部分106)中以涂覆或以其它方式用助焊剂材料至少覆盖第二裸片的相应连接器。
25.图2绘示出根据一些实施例的包含具有第一深度d1的第一凹陷部分104以及具有第二深度d2的第二凹陷部分106的浸渍板台103的裸片浸渍结构100的一部分的示意图。第一深度d1可以大于或等于大约20微米(μm)(例如，20微米、25微米、30微米、35微米、40微米、45微米、50微米等)。第二深度d2可以大于或等于大约1微米(例如，1微米、2微米、5微米、10微米、15微米等)。在一些实施例中，第一深度d1可以大于第二深度d2。可以理解的是，尽管图2中绘示出两个凹陷部分，但浸渍板台103可以具有任意数量的分离、凹陷部分。浸渍板台103可以具有至少两个具有不同深度的凹陷部分，但可以理解的是，所有凹陷部分可以具有不同的深度，或者某些凹陷部分可以具有相同的深度，只要存在至少两个具有不同深度的凹陷部分即可。在其它实施例中，第一深度d1可以等于第二深度d2。
26.第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106在y方向上彼此横向隔开，其隔开距离为l1。l1可以大于或等于大约1毫米(例如，1毫米、2毫米、3毫米、4毫米、5毫米、10毫米等)，从而形成分离的凹陷部分。在一些实施例中，浸渍板台103可以具有两个以上的凹陷部分。在这样的实施方案中，每个凹陷部分可以在y方向上彼此横向隔开一距离，所述距离大于或等于大约1毫米。前述凹陷部分可能是彼此相等的间隔或可能不是彼此相等的间隔。
27.第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106可以分别以第一助焊剂材料204以及第二助焊剂材料206填满。第一助焊剂材料204以及第二助焊剂材料206可以是任何合适的助焊剂材料，例如，氯化助焊剂、有机助焊剂、松香助焊剂(rosin flux)、前述组合、或其任何合适的材料。在一些实施例中，使用松香助焊剂是因为它适用于电子焊接。第一助焊剂材料204以及第二助焊剂材料206可以包含悬浮在醇基中的各种酸的悬浮液。第一助焊剂材料204以及第二助焊剂材料206可以彼此相同或彼此不同。第一助焊剂材料204以及第二助焊剂材料206的粘滞系数可以大于或等于大约6千厘泊(kcps)(例如，6千厘泊、7千厘泊、8千厘泊、9千厘泊、10千厘泊等)。因此，助焊剂材料可以局限在相应的连接器周围，例如，当在焊接连接器时。
28.在一些实施例中，第一深度d1大于第二深度d2。在这样的实施例中，第一凹陷部分104的第一深度d1可以被第一助焊剂材料204完全填满，并且第二凹陷部分106的第二深度d2可以被第二助焊剂材料206完全填满(如图2所绘示的)。在一些实施例中，第一凹陷部分104可以被第一助焊剂材料204填满，直到第一高度小于第一深度d1。在一些实施例中，第二凹陷部分106可以被第二助焊剂材料206填满，直到第二高度小于第二深度d2。在这样的实施
例中，第一高度和第二高度并不相等。
29.在一些实施例中，第一深度d1可以等于第二深度d2。在这样的实施例中，第一凹陷部分104可以被第一助焊剂材料204填满，直到第一高度小于第一深度d1。在这样的实施例中，第二凹陷部分106可以被第二助焊剂材料206填满，直到第二高度小于第二深度d2。在这样的实施例中，第一高度和第二高度并不相等。
30.参见图3，根据一些实施例，示出了固定第一裸片302以及第二裸片304的裸片浸渍结构100的示意图。在一些实施例中，裸片浸渍结构100包含机械手臂110，所述机械手臂110具有第一手臂部分112和第二手臂部分114(如图3所示)。在这样的实施例中，裸片浸渍结构100的电动机移动浸渍板台103及/或裸片浸渍板102，以分别将第一裸片302以及第二裸片304与第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106对齐。第一手臂部分112经配置以固定第一裸片302，所述第一裸片302具有朝下的第一顶部表面302a。因此，第一手臂部分112与第一裸片302的第一底部表面302b耦合。第二手臂部分114经配置以固定第二裸片304，所述第二裸片304具有朝下的第二顶部表面304a。因此，第二手臂部分114与第二裸片304的第二底部表面304b耦合。
31.在其它实施例中，裸片浸渍结构100包含仅具有第一手臂部分112的机械手臂110。在这样的实施例中，第一手臂部分112经配置以首先与第一裸片302的第一底部表面302b耦合，并且电动机移动浸渍板台103及/或裸片浸渍板102以将第一裸片302与第一凹陷部分104对齐。然后，可以将第一裸片302移除。然后，第一手臂部分112可以经配置以与第二裸片304的第二底部表面304b耦合，并且电动机移动浸渍板台103及/或裸片浸渍板102以将第二裸片304与第二凹陷部分106对齐。可以理解的是，第一裸片302以及第二裸片304可以以任何顺序与第一手臂部分112耦合。
32.如图3所示，第一裸片302包含在第一顶部表面302a上的第一连接器310，第二裸片304包含在第二顶部表面304a上的第二连接器312。第一连接器310和第二连接器312可以是导电的(例如，包含例如铜的金属)，并且形成前述连接器以提供外部电气连接到电路和元件。第一连接器310和第二连接器312可以各自包含多个导电凸块。
33.在一些实施例中，第一裸片302以及第二裸片304可以同时通过第一手臂部分112和第二手臂部分114分别浸入第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106，以便使用第一助焊剂材料204以及第二助焊剂材料206分别涂覆第一连接器310和第二连接器312。在其它实施例中，第一裸片302以及第二裸片304可以由第一手臂部分112依序分别浸入第一凹陷部分104以及第二凹陷部分106中，以便使用第一助焊剂材料204以及第二助焊剂材料206分别涂覆第一连接器310和第二连接器312。
34.图4绘示出根据一些实施例的具有第一连接器310的第一裸片302的示意图。第一连接器310具有第一连接器高度h1，其对应于第一凹陷部分104的第一深度d1或第一凹陷部分104中第一助焊剂材料204的第一高度。第一连接器高度h1可以大于第一凹陷部分104的第一深度d1(图3)。在一些实施例中，第一深度d1与第一连接器高度h1的比率小于或等于0.6。为清楚起见，第一裸片302的额外组件(例如，晶体管、电容器、电阻器、二极管等)可能不会显示。
35.图5绘示出根据一些实施例的具有第二连接器312的第二裸片304的示意图。第二连接器312具有第二连接器高度h2，其对应于第二凹陷部分106的第二深度d2或第二凹陷部
分106中第二助焊剂材料206的第二高度。第二连接器的高度h2可以大于第二凹陷部分106的第二深度d2(图3)。在一些实施例中，第二深度d2与第二连接器高度h2的比率小于或等于0.6。为清楚起见，第二裸片304的额外组件(例如，晶体管、电容器、电阻器、二极管等)可能不会显示。
36.图6绘示出经配置以将助焊剂施加到半导体工件的方法600的一些实施例的流程图。虽然方法600在下文说明和描述为一系列动作或事件，但可以理解的是，这些动作或事件的图示顺序不应被解释为限制意思。例如，某些动作可能以不同的顺序发生及/或与此处说明的动作或事件及/或描述的动作或事件以外的其它动作或事件同时发生。此外，并非所有图示的动作都可能需要实现本文描述的一或多个方面或实施例。此外，此处描述的一或多个动作可以在一或多个单独的动作及/或阶段中进行。
37.在步骤602中，提供第一半导体工件和第二半导体工件。前述工件包含经配置以安装所述工件的连接器。
38.在步骤604中，相对于半导体工件移动浸渍板以提供具有适当深度的浸渍区，或者将半导体工件移动到具有适当深度的浸渍区而浸渍板保持静止。然后，在步骤606进行工件的浸渍。例如，施加的助焊剂材料量将取决于工件的尺寸、工件上的端子数量、所使用的焊料类型以及所使用的助焊剂类型。通常，将助焊剂施加到连接器高度的大约三分之一到大约三分之二的深度。
39.在步骤608，将工件加热以进行回焊，在零件之间形成电气互连，且结束工艺。
40.图7绘示出根据一些实施例的一或多个裸片68的形成(如下图8所示)。所述裸片68(大致上类似于第一裸片302以及第二裸片304)可以经由如上图1-5所示的包含裸片浸渍结构100的过程而形成。其中将助焊剂材料施加到裸片68的连接器。这里讨论的实施例是提供能够制作或使用本揭露主题的实例，并且所属领域的普通技术人员在保持不同实施例的预期范围内将很容易理解可以进行的修改。如下图中相同的图号和字元，指的是类似的组件。尽管所讨论的方法实施例可以以特定的顺序执行，但可以以任何逻辑顺序执行其它方法实施例。
41.在一些实施例中，可以使用裸片68以晶片上芯片(cowos)工艺来形成裸片-中介层-衬底堆叠封装(die-interposer-substrate stacked package)。应当理解的是，裸片浸渍结构100不限于这种使用cowos工艺的封装，并且是为了清楚起见而描述所述封装的。
42.裸片68的主体60可以包含任意数量的裸片、衬底、晶体管、有源元件、无源元件、前述组合、或任何其它合适的组件。在实施例中，主体60可以包含块状半导体衬底、绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator，soi)衬底、多层半导体衬底、前述组合、或任何其它合适的衬底。所述主体60的半导体材料可以是硅、锗、化合物半导体，包含硅锗、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟及/或锑化铟；合金半导体包含硅锗(sige)、磷砷化镓(gaasp)、砷化铝铟(aiinas)、砷化铝镓(algaas)、砷化镓铟(gainas)、磷化镓铟(gainp)及/或磷砷化镓铟(gainasp)；或前述材料组合。也可以使用其它衬底，例如多层或梯度衬底。主体60可以掺杂或无掺杂。可以在有源表面62中及/或有源表面62上形成元件，例如晶体管、电容器、电阻器、二极管、前述组合或任何其它合适的组件。
43.在有源表面62上形成互连结构64，所述互连结构64包含一或多个介电层以及在有源表面上形成的相应金属化图案。介电层中的金属化图案可以在元件之间发送电信号，例
如经由使用通孔及/或迹线发送电信号，还可以包含各种电气元件，例如电容器、电阻器、电感器、前述组合或任何其它合适的组件。各种元件和金属化图案可以相互连接以执行一或多个功能。这些功能可能包含存储器结构、处理结构、传感器、放大器、配电、输入/输出电路、前述组合或任何其它合适的功能。
44.此外，在互连结构64中及/或互连结构64上形成例如导电凸块(例如，包含例如铜的金属)的裸片连接器66(例如，类似于图3的第一连接器310和第二连接器312，以提供到电路和元件的外部电气连接。在一些实施例中，裸片连接器66包含导电材料，例如铜、铝、金、镍、钯、前述组合、或任何其它合适的材料，并且可以通过溅射、印刷、电镀、化学镀、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、前述组合、或任何其它合适的方法形成。裸片连接器66从互连结构64突出，形成弯曲或凸起的结构，以便将裸片68与其它结构接合时使用。在一些实施例中，经由形成一层焊料来形成裸片连接器66。一旦在结构上形成一层焊料，就可以进行回焊，以便将材料塑造成所需的凸块形状。所属领域的普通技术人员将理解，提供上述示例是出于说明目的。对于特定的应用，可以适当地使用其它电路。
45.在一些实施例中，裸片连接器66可以在接合到任何其它组件之前涂覆助焊剂。裸片连接器66可以使用图1-5中的裸片浸渍结构100浸入助焊剂中。在一些实施例中，裸片连接器66可以在环氧树脂助焊剂回焊之前在裸片连接器66上形成环氧树脂助焊剂(未示出)，其中环氧树脂助焊剂的至少一些环氧树脂部分剩余下来。所述剩余的环氧树脂部分可以作为底部填充剂来减少应力并保护由于回焊裸片连接器66所产生的接头。
46.更具体地说，可以在互连结构64中形成金属间电介质(inter-metallization dielectric，imd)层。所述imd层可以由以下材料形成，例如低k介电材料，例如磷硅酸盐玻璃(psg)、硼磷硅酸盐玻璃(bpsg)、氟硅酸盐玻璃(fsg)、sio
xcy
、旋涂式玻璃(spin-on-glass)、旋涂聚合物(spin-on-polymer)、硅碳材料、其化合物、其复合材料、前述材料的组合、或任何其它合适的材料，通过所属领域已知的任何合适的方法，例如旋涂，化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、等离子体增强cvd(plasma-enhanced chemical vapor deposition，pecvd)、高密度等离子体化学气相沉积(high-density plasma chemical vapor deposition，hdp-cvd)、前述组合或任何其它合适的方法。可以在imd层中形成金属化图案，例如，通过使用光刻技术在imd层上沉积和图案化光致抗蚀剂材料，以暴露imd层中将成为金属化图案的部分。蚀刻工艺，例如非等向性干式蚀刻工艺，可用于在imd层建立对应于imd层中暴露部分的凹槽及/或开口。
47.凹槽及/或开口可以衬有扩散阻挡层，并用导电材料填满。扩散阻挡层可以包含一或多层氮化钽、钛、氮化钛、钛、钴钨、任何其它合适的材料或前述材料组合，通过原子层沉积(atomic layer deposition，ald)、或任何其它合适的方法来沉积扩散阻挡层。所述金属化图案的导电材料可以包含铜、铝、钨、银、前述组合，或任何其它合适的材料，通过cvd沉积、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、前述组合或任何其它合适的方法来沉积导电材料。可以去除imd层上任何过多的扩散阻挡层及/或导电材料，例如通过使用化学机械抛光(chemical mechanical polish，cmp)去除。
48.在图8中，包含互连结构64的主体60被切割成个体裸片68。通常，裸片68包含相同的电路，例如元件和金属化图案，尽管这些裸片可能具有不同的电路。切割可以包含锯切、切块、前述组合、或任何其它合适的方法来切割。
49.每个裸片68可以包含一或多个逻辑裸片(例如，中央处理单元、图形处理单元、片上系统、现场可编程逻辑门阵列(field-programmable gate array，fpga)、微控制器或前述组合、或任何其它合适的裸片)、存储器裸片(例如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)裸片、静态随机存取存储器(static random access memory，sram)裸片、前述组合、或其它任何合适的裸片组合)、电源管理裸片(例如，电源管理集成电路(power management integrated circuit，pmic)裸片)、射频(radio frequency，rf)裸片、传感器裸片、微机电系统(micro-electromechanical-system，mems)裸片、信号处理裸片(例如，数字信号处理(digital signal processing，dsp)裸片)、前端裸片(例如，模拟前端(analog front-end，afe)裸片)、任何其它合适的裸片或前述组合。同样地，在一些实施例中，裸片68可以是不同的尺寸(例如，不同的高度及/或不同的表面积)，而在其它实施方案中，裸片68可以是相同的尺寸(例如，相同的高度及/或表面积)。
50.图9绘示出组件96的第一侧的构造(参见图17)。衬底70在工艺中包含一或多个组件96。组件96可以是中介层(interposer)或另一裸片。衬底70可以是晶片。衬底70可以包含块状半导体衬底、绝缘体上半导体(soi)衬底、多层半导体衬底、前述组合、或任何其它合适的衬底。所述衬底70的半导体材料可以是硅、锗、化合物半导体，包含硅锗、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟及/或锑化铟；合金半导体，包含硅锗(sige)、磷砷化镓(gaasp)、砷化铝铟(aiinas)、砷化铝镓(algaas)、砷化镓铟(gainas)、磷化镓铟(gainp)及/或磷砷化镓铟(gainasp)；或前述材料组合。也可以使用其它衬底，例如多层或梯度衬底。衬底70可以掺杂或无掺杂。可以在衬底70的第一表面72中及/或在第一表面72上形成元件，例如晶体管、电容器、电阻器、二极管、前述组合或任何其它合适的元件，第一表面72也可以称为有源表面。在组件96是中介层的实施例中，尽管所述中介层可以包含形成在第一表面72中及/或形成在第一表面72上的无源元件，组件96通常不包含其中的有源元件。
51.从衬底70的第一表面72延伸到衬底70形成通孔(through-vias，tv)74。当衬底70是硅衬底时，通孔74有时也称为衬底通孔(through-substrate vias)或硅通孔(through-silicon vias)。可以通过例如蚀刻、铣削、激光技术、前述组合、或任何其它合适的方法在衬底70中形成凹槽以形成通孔74。
52.可以在凹槽中，例如通过使用氧化技术形成薄介电材料。可以在衬底70的正面和开口中共形地沉积薄阻挡层，例如通过cvd、ald、pvd、热氧化、前述组合、或任何其它合适的方法沉积。所述阻挡层可包含氮化物或氧氮化物，例如氮化钛、氧氮化钛、氮化鉮、氧氮化钽、氮化钨、前述组合、或任何其它合适的材料。可以在薄阻挡层上方和开口中沉积导电材料。可以通过电化学电镀工艺、cvd、ald、pvd、前述组合或任何其它合适的工艺形成导电材料。导电材料的示例是铜、钨、铝、银、金、前述组合、或任何其它合适的材料。通过例如cmp从衬底70的正面移除多余的导电材料和阻挡层。因此，通孔74可以包含导电材料和导电材料70之间的薄阻挡层。
53.在衬底70的第一表面上形成重布结构76，并且重布结构76用于将集成电路元件(如果有的话)及/或通孔74电气连接在一起及/或与外部元件电气连接。重布结构76可以包含一或多个介电层和介电层中的相应金属化图案。金属化图案可以包含通孔及/或迹线，以将任何元件及/或通孔4互连在一起及/或与外部元件互连。金属化图案有时称为重布线(redistribution lines，rdl)。所述介电层可包含氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、低k
palladium-immersion gold technique，enepig)所形成的凸块或任何其它合适的凸块。在所述实施例中，凸块电气连接器77/78可以包含导电材料，例如焊料、铜、铝、金、镍、银、钯、锡、前述组合或任何其它合适的材料。在一些实施例中，电气连接器77/78一开始是借助通过例如蒸发、电镀、印刷、软焊料转移(solder transfer)、球放置、前述组合或任何其它合适的方法等常用方法形成焊料层而形成。在一些实施例中，电气连接器77/78是通过形成一层焊料而形成的。一旦在结构上形成一层焊料，就可以进行回焊，以将材料塑造成所需的凸块形状。
58.在图10中，裸片68以及裸片88被附接在组件96的第一侧，例如，经由倒装芯片接合的方式通过电气连接器77/78和裸片连接器66和86形成导电接头91。裸片连接器86可以类似于裸片连接器66，并且在此不再重复描述。可以使用例如取放(pick-and-place)工具将裸片68以及裸片88放置在电气连接器77/78上。在一些实施例中，可以在裸片连接器66和86上形成金属顶盖层(未示出)。所述金属顶盖层可包含镍、锡、锡铅、金、银、钯、铟、镍-钯-金、镍-金、前述组合或任何其它合适的材料，并且可以通过电镀工艺形成金属顶盖层。
59.所述裸片88可以经由与上述参考裸片68类似的工艺来形成。在一些实施例中，裸片88包含一或多个存储器裸片，例如存储器裸片的堆叠(例如，dram裸片、sram裸片、高带宽存储器(high-bandwidth memory，hbm)裸片、混合存储器立方体(hybrid memory cubes，hmc)裸片、前述组合或任何其它合适的裸片)。在存储器裸片的堆叠实施例中，裸片88可以包含存储器裸片和存储器控制器两者，例如，如具有存储器控制器的四个或八个存储器裸片的堆叠。此外，在一些实施例中，裸片88可以是不同的尺寸(例如，不同的高度及/或表面积)，并且在其它实施例中，裸片88可以是相同的尺寸(例如，相同的高度及/或表面积)。
60.在一些实施例中，裸片88的高度可以与裸片68的高度相似(如图10所示)，或者在一些实施例中，裸片68和88的高度可以不同。所述裸片88包含主体80、互连结构84和裸片连接器86。主体80的裸片88可以包含任意数量的裸片、衬底、晶体管、有源元件、无源元件、前述组合、或任何其它合适的元件。在一实施例中，主体80可以包含块状半导体衬底、绝缘体上半导体(soi)衬底、多层半导体衬底、前述组合、或任何其它合适的衬底。所述半导体材料的主体80可以是硅、锗、化合物半导体，包含硅锗、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟及/或锑化铟；合金半导体，包含硅锗(sige)、磷砷化镓(gaasp)、砷化铝铟(aiinas)、砷化铝镓(algaas)、砷化镓铟(gainas)、磷化镓铟(gainp)及/或磷砷化镓铟(gainasp)；或前述材料组合。也可以使用其它衬底，例如多层或梯度衬底。主体80可以是掺杂或无掺杂。可以在有源表面中及/或有源表面上形成元件，如晶体管、电容器、电阻器、二极管、前述组合或任何其它合适的元件。
61.互连结构84包含一或多个介电层和在有源表面上形成的相应的金属化图案。介电层中的金属化图案可以在元件之间发送电信号，例如通过使用通孔及/或迹线，并且还可能包含各种电气元件，例如电容器、电阻器、电感器、前述组合或任何其它合适的元件。各种元件和金属化图案可以相互连接以执行一或多个功能。这些功能可以包含存储器结构、处理结构、传感器、放大器、配电、输入/输出电路、前述组合或任何其它合适的功能。
62.此外，在互连结构84中及/或互连结构84上形成例如导电凸块(例如，包含例如铜的金属)的裸片连接器86，以提供到电路和元件的外部电气连接。在一些实施例中，裸片连接器86从互连结构84突出以形成弯曲或凸起的结构，以便在将裸片88与其它结构接合时使
用。在一些实施例中，在一些实施例中，经由形成一层焊料来形成裸片连接器88。一旦在结构上形成一层焊料，就可以进行回焊，以便将材料塑造成所需的凸块形状。所属领域的普通技术人员将理解，提供上述示例是出于说明目的。对于特定的应用，可以适当地使用其它电路。
63.在一些实施例中，裸片连接器86可以在接合到任何其它元件之前涂覆助焊剂。裸片连接器86可以使用图1-5中的裸片浸渍结构100浸入助焊剂中。在一些实施例中，裸片连接器86可以在环氧树脂助焊剂回焊之前在裸片连接器86上形成环氧树脂助焊剂(未示出)，其中环氧树脂助焊剂的至少一些环氧树脂部分剩余下来。所述剩余的环氧树脂部分可以作为底部填充剂来减少应力并保护由于回焊裸片连接器86所产生的接头。
64.更具体地说，可以在互连结构84中形成imd层。所述imd层可以由以下材料形成，例如低k介电材料，例如磷硅酸盐玻璃(psg)、硼磷硅酸盐玻璃(bpsg)、氟硅酸盐玻璃(fsg)、sio
xcy
、旋涂式玻璃(spin-on-glass)、旋涂聚合物(spin-on-polymer)、硅碳材料、其化合物、其复合材料、前述材料的组合、或任何其它合适的材料，通过所属领域已知的任何合适的方法，例如旋涂，cvd、pecvd、hdp-cvd、前述组合或任何其它合适的方法。可以在imd层中形成金属化图案，例如，通过使用光刻技术在imd层上沉积和图案化光致抗蚀剂材料，以暴露imd层中将成为金属化图案的部分。蚀刻工艺，例如非等向性干式蚀刻工艺，可用于在imd层建立对应于imd层中暴露部分的凹槽及/或开口。凹槽及/或开口可以衬有扩散阻挡层，并用导电材料填满。扩散阻挡层可以包含一或多层氮化钽、钛、氮化钛、钛、钴钨、前述组合、或任何其它合适的材料，通过ald沉积，或任何其它合适的方法沉积扩散阻挡层，并且金属化图案的导电材料可以包含铜、铝、钨、银、前述组合、或任何其它合适的材料，通过cvd、pvc、前述组合、或任何其它合适的方法沉积导电材料。可以去除，例如通过使用cmp去除imd层上任何过多的扩散阻挡层及/或导电材料。
65.导电接头91分别经由互连结构84和64以及裸片连接器86和66，将裸片68以及裸片88中的电路与组件96中的重布结构76和通孔74电气耦合。
66.在一些实施例中，在接合电气连接器77/78之前，电气连接器77/78涂覆助焊剂(未示出)，例如免清洗助焊剂(no-clean flux)。电气连接器77/78可以浸入助焊剂中，也可以将助焊剂喷射到电气连接器77/78上。电气连接器77/78可以使用图1-5中的裸片浸渍结构100浸入助焊剂中。在一些实施例中，电气连接器77/78可以在环氧树脂助焊剂回焊之前在电气连接器77/78上形成的环氧树脂助焊剂(未示出)，在裸片68以及裸片88附接到组件96之后，环氧树脂助焊剂的至少一些环氧树脂部分剩余下来。所述剩余的环氧树脂部分可以作为底部填充剂来减少应力并保护由于回焊电气连接器77/78所产生的接头。
67.裸片68和88与组件96之间的接合可以是焊接接合或直接金属-金属(例如，铜对铜或锡对锡)接合。在一实施例中，裸片68以及裸片88通过回焊工艺与组件96接合。在此回焊工艺中，电气连接器77/78分别与裸片连接器66和86接触，且重布结构76的焊盘将裸片68以及裸片88与组件96实体耦合和电气耦合。在接合过程之后，集成存储器控制器(imc)(未示出)可能在电气连接器77/78和裸片连接器66和86的界面处形成。
68.在图10和之后的图中，分别绘示出用于形成第一封装和第二封装的第一封装区域90和第二封装区域92。区域94位于相邻的封装区域之间。如图10所示，第一裸片和多个第二裸片分别附接在第一封装区域90和第二封装区域92的每个区域中。
69.在一些实施例中，裸片68是片上系统(system-on-a-chip，soc)或图形处理单元(graphics processing unit，gpu)，而第二裸片是可由裸片68使用的存储器裸片。在实施例中，所述裸片88是堆叠的存储器裸片。例如，堆叠存储器裸片88可以包含低功率(low-power，lp)双倍数据率(double data rate，ddr)存储器模块，例如，lpddrl、lpddr2、lpddr3、lpddr4、前述组合，或任何其它合适的存储器模块。
70.在图11中，将底部填充材料98分配到裸片68、裸片88和重布结构76之间的间隙中。底部填充材料98可以沿着裸片68以及裸片88的侧壁向上延伸。底部填充材料98可以是任何可接受的材料，例如，聚合物、环氧树脂、模压底部填充、前述组合、或任何其它合适的材料。底部填充材料98可以在裸片68和88附接之后通过毛细管流动过程形成，或者可以在裸片68和88附接之前通过合适的沉积方法形成。
71.图12到图15绘示出组件96的第二侧的构造。在图12中，将图11的结构翻转以准备形成组件96的第二侧。尽管没有示出，但结构可以放置在载体或支撑结构上以用于图12到15的工艺。如图12所示，在这个处理阶段，组件96的衬底70和重布结构76具有组合厚度tl，范围从大约50微米到大约775微米，例如大约775微米。其余结构的厚度可为t2，范围为大约30微米到大约775微米，例如大约760微米。在一些实施例中，一个或两个裸片68和88(包含导电接头91)具有厚度t2。
72.在图13中，在衬底70的第二侧执行薄化过程以将衬底70变薄到第二表面116，直到通孔74暴露。所述薄化工艺可包含蚀刻工艺、研磨工艺、前述组合或任何其它合适的工艺。在一些实施例中，在薄化过程之后，组件96的衬底70和重布结构76具有组合厚度t3，范围为大约30微米到大约200微米，例如大约100微米。
73.在图14中，在衬底70的第二表面116上形成重布结构，并用于将通孔74电气连接在一起及/或电气连接到外部元件。重布结构包含一或多个介电层117以及在一或多个介电层117中的金属化图案118。金属化图案可以包含通孔及/或迹线，以将通孔4互连在一起及/或连接到外部元件。金属化图案118有时被称为重布线(redistribution lines，rdl)。所述介电层117可以包含以下材料，包含氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、低k介电材料，例如磷硅酸盐玻璃(psg)、硼磷硅酸盐玻璃(bpsg)、氟硅酸盐玻璃(fsg)、sio
xcy
、旋涂式玻璃(spin-on-glass)、旋涂聚合物(spin-on-polymer)、硅碳材料、前述化合物、其复合材料、前述组合、或者任何其它合适的材料。所述介电层117可以通过所属领域已知的任何合适的方法沉积，例如旋涂、cvd、pecvd、hdp-cvd、前述组合、或任何其它合适的方法。可以在介电层117中形成金属化图案118，例如，通过使用光刻技术在介电层117上沉积以及图案化光致抗蚀剂材料，以暴露介电层117的部分，这些部分将成为金属化图案118。可以在介电层117中使用例如非等向性干式蚀刻工艺的蚀刻工艺，以产生对应于介电层117的暴露部分的凹槽及/或开口。前述凹槽及/或开口可以衬有扩散阻挡层，并使用导电材料填满。扩散阻挡层的材料可以包含一或多层氮化钽、钛、氮化钛、钛、钴钨、前述组合，或任何其它合适的材料，并通过ald沉积，或任何其它合适的方法沉积扩散阻挡层，并且导电材料可以包含铜、铝、钨、银、前述组合或任何其它合适的材料，并通过cvd、pvd、电镀或前述组合沉积或任何其它合适的方法沉积导电材料。可以例如通过使用cmp，来去除介电层上任何过多的扩散阻挡层及/或导电材料。
74.在图15中，电气连接器120也形成在金属化图案118上并且与通孔74电气耦合。电
气连接器120形成在金属化图案118上的重布结构的顶部表面上。在一些实施例中，金属化图案118包含ubm。在说明的实施例中，在重布结构的介电层117的开口中形成焊盘。在另一实施例中，焊盘(ubm)可以延伸穿过重布结构的介电层117的开口，并且还可以延伸到重布结构的顶部表面。
75.作为形成焊盘的示例，至少在重布结构的介电层117之一的开口中形成晶种层(未示出)。在一些实施例中，晶种层是金属层，其可以是单层或复合层，所述复合层包含由不同材料形成的多个子层。在一些实施例中，晶种层包含钛层和覆盖在钛层上的铜层。可以使用例如pvd或任何其它合适的方法形成晶种层。然后形成光致抗蚀剂并在晶种层上图案化所述光致抗蚀剂。可以通过旋涂或任何其它合适的方法形成光致抗蚀剂，并且前述光致抗蚀剂可以暴露在光线下进行图案化。光致抗蚀剂的图案对应于焊盘。所述图案穿过光致抗蚀剂形成开口，以暴露晶种层。在光致抗蚀剂的开口处以及晶种层的暴露部分形成导电材料。可以通过电镀形成导电材料，例如电镀或化学镀、前述组合、或任何其它合适的方法形成导电材料。导电材料可以包含金属，如铜、钛、钨、铝、前述组合，或任何其它合适的材料。然后，将光致抗蚀剂以及未形成导电材料的晶种层部分移除。可以通过可接受的灰化或剥离过程移除所述光致抗蚀剂，例如使用氧等离子体或任何其它合适的方法。一旦光致抗蚀剂被去除，晶种层的暴露部分就会被去除，例如通过使用可接受的蚀刻工艺，例如通过湿式或干式蚀刻来去除。晶种层和导电材料的剩余部分形成焊盘。在实施例中，焊盘的形成方式不同，可以利用更多的光致抗蚀剂和图案化步骤来形成。
76.在一些实施例中，电气连接器120是焊球及/或凸块，例如球栅阵列(ball grid array，bga)球、c4微凸块、enig成型凸块、enepig 40形成的凸块、前述组合、或任何其它合适的凸块/球块。电气连接器120可以包含导电材料，例如焊料、铜、铝、金、镍、银、钯、锡、前述组合、或任何其它合适的材料。在一些实施例中，电气连接器120一开始是通过例如蒸发、电镀、印刷、焊料转移、球放置、前述组合或任何其它合适的方法形成的焊料层而形成的。一旦在结构上形成一层焊料，就可以进行回焊，以便将材料塑造成所需的凸块形状。
77.在一些实施例中，电气连接器120可以在接合到任何其它元件之前涂覆助焊剂。电气连接器120可以使用图1-5中的裸片浸渍结构100浸入助焊剂。在一些实施例中，电气连接器120可以在环氧树脂助焊剂回焊之前在电气连接器120上形成环氧树脂助焊剂(未示出)，其中环氧树脂助焊剂的至少一些环氧树脂部分剩余下来。所述剩余的环氧树脂部分可以作为底部填充剂来减少应力并保护由于回焊电气连接器120所产生的接头
78.电气连接器120可用于接合到额外的电气组件，前述电气组件可以是半导体衬底、封装衬底、印刷电路板(printed circuit board，pcb)、前述组合、或任何其它合适的衬底(参见图17图中的衬底300)。
79.在图16中，组件96沿着相邻区域90和92之间的区域94被切割以形成组件封装200，其中还包含裸片68、组件96和裸片88。切割可以包含锯切、切块、前述组合、或任何其它合适的方法来切割。
80.图17绘示出附接在衬底300上的组件封装200的图。电气连接器120与衬底300的连接器对齐并抵靠在衬底300的连接器上。电气连接器120可以回焊以在衬底300和组件96之间产生接头。衬底300可以包含封装衬底，例如其中包含核心的安装衬底、包含多个层压介电薄膜的层压板、pcb、前述组合、或任何其它合适的衬底。衬底300可以包含电气连接器(未
示出)，例如焊球，位于元件封装的相对面，可以让衬底300被安装到另一个元件上。可以在组件封装200和衬底300之间以及电气连接器120周围分配底部填充材料(未示出)。底部填充材料可以是任何可接受的材料，例如聚合物、环氧树脂、模压底部填充、前述组合、或任何其它合适的材料。
81.此外，一或多个表面元件140可以与衬底300连接。表面元件140可用于向组件封装200提供额外功能或程序设计，或将封装作为一个整体。在一实施例中，表面元件140可以包含表面安装元件(surface mount devices，smd)或整合式无源元件(integrated passive devices，ipd)其包含无源元件，前述无源元件例如电阻器、电感器、电容器、跳线、前述组合、或者想要与组件封装200连接和与组件封装200结合使用的任何其它合适的组件、或封装的其它零件。根据各种实施例，所述表面元件140可以放置在衬底300的第一主要表面上、与衬底300相对的主要表面上、或两者都有。
82.在本揭露的一方面中揭露了一种裸片浸渍结构。所述裸片浸渍结构包含板，所述板包含具有第一深度并填满了第一助焊剂材料的第一凹陷部分。所述板还包含第二凹陷部分，其与第一凹陷部分分离，所述第二凹陷部分具有第二深度并被第二助焊剂材料填满。第二深度与第一深度不同。所述裸片浸渍结构还包含电动机，其经配置以移动所述板，以便同时将第一裸片以及第二裸片分别浸入第一凹陷部分的助焊剂以及第二凹陷部分的助焊剂中。
83.在本揭露的另一方面揭露了一种裸片浸渍结构。裸片浸渍结构包含手臂，所述手臂经配置以固定第一裸片以及第二裸片。第一裸片包含具有第一高度的第一连接器，第二裸片包含具有第二高度的第二连接器。所述裸片浸渍结构还包含板，所述板包含填有第一助焊剂材料的第一凹陷部分。第一助焊剂材料具有第三高度。所述裸片浸渍结构还包含填有第二助焊剂材料的第二、分离的凹陷部分。第二助焊剂材料具有第四个高度。第一高度和第二高度分别对应于第三高度和第四高度。所述裸片浸渍结构还包含电动机，所述电动机经配置以移动板，所述板分别将第一连接器以及第二连接器与第一凹陷部分以及第二凹陷部分对齐。
84.在本揭露的又一方面，一种方法包含提供板，所述板包含具有第一深度并被第一助焊剂材料填满的第一凹陷部分，以及具有第二深度并被第二助焊剂材料填满的第二凹陷部分。第二深度与第一深度不同。所述方法还包含同时将第一裸片浸入第一凹陷部分，并将第二裸片浸入第二凹陷部分，以便分别用第一助焊剂材料以及第二助焊剂材料涂覆第一裸片的第一连接器以及第二裸片的第二连接器。
85.上文已概述若干实施例的特征，使得所属领域的技术人员可较佳理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可易于将本揭露用作设计或修改其它程序及结构以实施相同于本文中所引入的实施例的目的及/或达成相同于本文中所引入的实施例的优点的基础。所属领域的技术人员还应认识到，这些等效建构不应背离本揭露的精神及范围，且其可在不背离本揭露的精神及范围的情况下对本文作出各种改变、替换及变更。
86.符号说明
87.60：主体
88.62：有源表面
89.64：互连结构
90.66：裸片连接器
91.68：裸片
92.70：衬底
93.72：第一表面
94.74：通孔
95.76：重布结构
96.77：电气连接器/金属柱/凸块
97.78：电气连接器/顶盖层/凸块
98.80：主体
99.84：互连结构
100.86：裸片连接器
101.88：裸片
102.90：第一封装区域
103.91：导电接头
104.92：第二封装区域
105.94：区域
106.96：组件
107.98：底部填充材料
108.100：裸片浸渍结构
109.102：裸片浸渍板
110.103：浸渍板台
111.104：第一凹陷部分
112.106：第二凹陷部分
113.108：浸渍板电动机
114.110：机械手臂
115.112：第一手臂部分
116.114：第二手臂部分
117.116：第二表面
118.117：介电层
119.118：金属化图案
120.120：电气连接器
121.140：表面元件
122.200：组件封装
123.204：第一助焊剂材料
124.206：第二助焊剂材料
125.300：衬底
126.302：第一裸片
127.302a：第一顶部表面
128.302b：第一底部表面
129.304：第二裸片
130.304a：第二顶部表面
131.304b：第二底部表面
132.310：第一连接器
133.312：第二连接器
134.600：示例方法
135.602：操作步骤
136.604：操作步骤
137.606：操作步骤
138.608：操作步骤。